電子線描画装置(Ⅰ) (株式会社エリオニクス ELS -7500EX) １．装置の概容 電子線を走査することでレジスト上にナノオーダーの任意パターンを直接描くこと ができる。このため、フォトリソグラフィ用のマスクの作製に加え、試料上のレジスト に直接描画をすることでマスクなしに微細なパターンを形成することが可能。また、レ ーザー干渉計搭載ステージを有していることから、重ね合わせ露光が可能 (重ね合わせ 精度 40 nm)。 ２．装置仕様 ・電子銃：ZrO/W 熱電界放出型、加速電圧：5～50 kV ・スポットビーム丸形によるベクタースキャン方式 ・φ2nm のスポットビームにより、最小線幅 10nm のラインパターン描画が可能 ・基板サイズ：6 inch まで対応可能、描画可能領域：X 方向 156 mm×Y 方向 156 mm ・描画フィールドサイズ：2,400μm×2,400μm(加速電圧 20 kV 時のみ)～75μm×75μm ・重ね合わせ精度：40 nm、フィールド継ぎ精度：40 nm ・電子光学系条件の変更や制御決定、CAD パターン設計はマウス操作によるオペーレーション可能。
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