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電子線描画装置(Ⅰ)

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電子線描画装置(Ⅰ)
(株式会社エリオニクス
ELS -7500EX)
1.装置の概容
電子線を走査することでレジスト上にナノオーダーの任意パターンを直接描くこと
ができる。このため、フォトリソグラフィ用のマスクの作製に加え、試料上のレジスト
に直接描画をすることでマスクなしに微細なパターンを形成することが可能。また、レ
ーザー干渉計搭載ステージを有していることから、重ね合わせ露光が可能 (重ね合わせ
精度 40 nm)。
2.装置仕様
・電子銃:ZrO/W 熱電界放出型、加速電圧:5~50 kV
・スポットビーム丸形によるベクタースキャン方式
・φ2nm のスポットビームにより、最小線幅 10nm のラインパターン描画が可能
・基板サイズ:6 inch まで対応可能、描画可能領域:X 方向 156 mm×Y 方向 156 mm
・描画フィールドサイズ:2,400μm×2,400μm(加速電圧 20 kV 時のみ)~75μm×75μm
・重ね合わせ精度:40 nm、フィールド継ぎ精度:40 nm
・電子光学系条件の変更や制御決定、CAD パターン設計はマウス操作によるオペーレーション可能。
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