プログラム (PDF 570 kB)

プログラム
Ａ会場
11 月 26 日
午前
（水）
午後
11 月 27 日
Ｃ会場
9:55-12:30
9:55-12:30
シンポジウム１
シンポジウム２
13:30-17:15
13:30-17:30
13:30-17:00
表面化学
表面分析法
STM/AFM
9:30-12:00
9:30-12:15
9:30-12:00
表面化学
表面分析法
STM/AFM
13:15-14:45
13:15-14:45
13:00-14:45
表面化学
STM/AFM
表面物理
午前
（木）
午後
Ｂ会場
於
井深
大
記念ホール
14:45-15:00 論文賞、奨励賞、技術賞表彰式
11 月 28 日
午前
15:00-15:50
特別講演
15:50-17:10
受賞記念講演
9:30-12:15
9:30-12:15
9:30-12:15
半導体
薄膜・微粒子
表面物理
於 3 階ロビー
午後
13:00-15:00 ポスターセッション
15:00-16:45
15:00-17:15
15:00-17:30
半導体
薄膜・微粒子
表面物理
１１月２７日（木）
会場井深大記念ホール
論文賞、奨励賞、技術賞表彰式（１４：４５∼１５：００）
特別講演（１５：００∼１５：５０）
座長福井賢一（１５：００∼１５：５０）
２Ｈ２９
NOx Reduction and Hydrocarbon Oxidation on Metal Oxides: Planar Thin Films and Nanostructures
（Harvard Univ.）C.M.Friend
学会賞受賞記念講演（１５：５０∼１７：１０）
座長塚田捷（１５：５０∼１７：１０）
２Ｈ３２〈学会賞〉 RHEED 動力学的強度解析法開発と表面吸着の原子ﾀﾞｲﾅﾐｸｽの研究
２Ｈ３５〈学会賞〉 X 線光電子回折法の開発と表面化学状態分析に関する研究
−i−
（名大院工）一宮彪彦
（東理大理工）二瓶好正
一般講演
11 月 26 日（水）
Ａ会場午前 9：55∼12：30
シンポジウム１「高エネルギー励起光電子分光」
座長福島整（9：55∼12：30）
１Ａ００
はじめに
（東工大院理工）福井賢一
１Ａ０３放射光硬Ｘ線によるナノ薄膜の価電子帯および内殻光電子分光
（理研）○高田恭孝
１Ａ０５高エネルギーＸ線を利用した ESCA による実用材料解析
（物材機構）○吉川英樹
１Ａ０７電子分光装置の特性と定量分析への影響
（アルバック・ファイ）○田中彰博
１Ａ０９高分解能・高電圧光電子分光装置の開発
（MB Scientific AB）○松木満都世
１Ａ１１固体中における電子の非弾性平均自由行程および表面電子励起効果の測定（物材機構）○田沼繁夫
− 昼
食
12：30∼13：30 −
Ａ会場午後 13：30∼17：15
表面化学
座長山下良之（13:30∼14:30）
１Ａ２３《招待講演》
Si 表面での水素反応ダイナミックス−detailed balance−
（九州工業大）○並木章
１Ａ２５(Ｓ) Pt(100)上の NO+CO 反応で放出される N2 の脱離ダイナミクス
（北大院地球環境，北大触セ，J.Stefan 研）
○堀野秀幸，大野佑一，P.Sarawut，平塚篤子，I.Kobal，松島龍夫
１Ａ２６(Ｓ) 赤外線化学発光法による Rh 単結晶上での CO+NO 反応ダイナミクス
（筑波大物質工*，KAST**）○中尾憲冶*，上塚洋**，伊藤伸一*，大西洋**，冨重圭一*，国森公夫*
座長国森公夫（14:30∼15:45）
１Ａ２７ステップ表面 Pt(112)上の 193nm 励起 CO+O2 反応からの脱離
（北大触セ）○松島龍夫
１Ａ２８ Ni(111)表面上のシクロヘキサンの時間分解 SFG 分光
（東工大資源研）○久保田純，和田昭英，堂免一成
１Ａ２９ Si-C 共有結合を介したシリコン表面上有機単分子膜の光パターニング
（北大院理）○高草木達，魚崎浩平
１Ａ３０極薄 SiC の構造について
（原研・放射光科学研究センター）○馬場祐治，関口哲弘，下山巖，Krishna G.Nath
１Ａ３１ Study of oxidation for Si and Ge nanostructures
（原研・放射光科学研究センター）○Krishna G. Nath，下山巖，関口哲弘，馬場祐治
− 休
憩
15：45∼16：00 −
座長折田秀夫（16：00∼17：15）
１Ａ３３島状自己組織化膜により修飾した SiO2 表面上への脂質膜堆積の AFM 観察
（分子研*，総研大**，静岡大***）
○手老龍吾*，滝沢守雄**，李艶君*，山崎昌一***，宇理須恒雄*,**
１Ａ３４イオン照射を用いたストレス制御とパターニング（物材機構）板倉明子，○五十嵐慎一，北島正弘
１Ａ３５ Variation of the surface morphology of fluorides by chemical treatments
（東北工大電子）○鈴木正宣
１Ａ３６(Ｓ) スパッタ TaN バリア膜の原子組成と自然酸化の関係及び無電解銅めっきへの応用
（広大先端研）○王増林，八重樫道，坂上弘之，高萩隆行，新宮原正三
１Ａ３７アルコール潤滑下のチタン基材料の摩擦・摩耗特性
（産総研）○日比裕子，佐々木信也
11月26日（水）
Ｂ会場午後 13：30∼17：30
表面分析法
座長笹川薫（13：30∼15：15）
１Ｂ２３《招待講演》
TOF-SIMS による人工腎臓付着タンパク質のイメージング
−ii−
（成蹊大）○青柳里果
１Ｂ２５(Ｓ)ナノビーム SIMS 装置の評価
（東理大理工，東大生研，東大環セ）
○戸井雅之，野島雅，前川綾香，冨安文武乃進，坂本哲夫，尾張真則，二瓶好正
１Ｂ２６(Ｓ)ナノビーム SIMS 装置を用いた微小実用材料試料の分析
（東理大理工，東大生研，東大環セ）
○野島雅，戸井雅之，前川綾香，冨安文武乃進，坂本哲夫，尾張真則，二瓶好正
１Ｂ２７ミニホールマスクを利用した SIMS の深さ方向分析
（北陸先端大，拓殖大工*，日本工大**）○伊藤暢晃，大塚信雄，関節子*，田村一二三**
１Ｂ２８ SIMS 極浅デプスプロファイルにおけるミキシング効果の影響評価
（アルバック・ファイ）○李展平，宮山卓也，山本公，星孝弘
１Ｂ２９極浅表面分析のための金属クラスター錯体を用いたイオン源の開発
（産総研）○溝田武志，野中秀彦，藤本俊幸，黒河明，一村信吾
− 休
憩
15：15∼15：30 −
座長田中彰博（15：30∼17：30）
１Ｂ３１《技術賞受賞記念講演》
可視プローブ波長可変性を持つマルチプレックス赤外可視和周波発生分光装置の開発
(KAST）○石橋孝章，大西洋
１Ｂ３３金属リチウム極薄膜蒸着による絶縁物表面の AES 分析
（アルバック・ファイ）○眞田則明，漆原宣昭，星孝弘，山本公
１Ｂ３４弾性散乱分光による Ni 標準試料を用いた Mo, Fe, Pt, W の IMFP の測定
（物材機構，宇都宮大*，産総研**，名工大***）○田沼繁夫，白鳥翼*，一村信吾**，後藤啓典***
１Ｂ３５放射光利用電子分光法によるシリコン表面での表面効果の解析
（NTT-AT，物材機構*，NIST**）○鈴木峰晴，田沼繁夫*，福島整*，吉川秀樹*，C. J. Powell**
１Ｂ３６(Ｓ)超高速光電子検出器の開発とその高速 XPD への応用
（東大院理，LBNL*，UCD**）○南部英，太田俊明，J-. M. Bussat*，C. S. Fadley*,**，
Z. Hussain, G. Lebedev*，B. Ludewigt*，G.Meddeler*，M. Press，H. Spieler*，
B. Turko*，M. West*， G. Zizka*
１Ｂ３７陽極酸化アルミナ膜の表面化学状態
（東工大院理工）○亀島欣一，中島章，岡田清
１Ｂ３８ TFE-EPMA におけるビーム径と X 線発生領域の関係（NIMS）○木村隆，西田憲二，田沼繁夫
11月26日（水）
Ｃ会場午前 9：55∼12：30
シンポジウム２「ナノ力学による表面科学の開拓∼原子間力顕微鏡の新たな応用展開∼」
座長川合真紀（9：55∼12：30）
１Ｃ００
はじめに
（東大院理）近藤寛
１Ｃ０３非接触原子間力顕微鏡による半導体表面のナノ力学的複合測定
（北陸先端大院）○富取正彦
１Ｃ０５非接触原子間力顕微鏡法によるナノ力学的原子識別と操作
（阪大院工）○森田清三
１Ｃ０７非接触 AFM とその周辺分野に関する理論計算
（東大院工）○渡邊聡
１Ｃ０９金属酸化物表面のナノ力学
（KAST）○大西洋，笹原亮
１Ｃ１１カーボンナノチューブの操作組立て
（大阪府立大院工）○中山喜萬
− 昼
食
12：30∼13：30 −
Ｃ会場午後 13：30∼17：00
STM/AFM
座長富取正彦（13：30∼14：45）
１Ｃ２３非接触 AFM 及び STM を用いた CeO2（111）表面上での吸着分子の動的挙動と反応性に関する研究
（東大院理*・東工大院理工**）○生井勝康*，福井賢一**，岩澤康裕*
１Ｃ２４(Ｓ)原子間力顕微鏡によるアラゴナイト(CaCO3)結晶表面の安定性の比較
（中央大理工）○郭武宣，新藤斎
１Ｃ２５動的分子間力分光法による単一分子間相互作用解析の高精度化
（筑波大物理工）○武内修，宮腰高明，藤田真知子，保田諭，重川秀実
１Ｃ２６表面固定したタンパク質の変性と力学特性の変化（東工大院生命）○猪飼篤，レハナ・アフリン
１Ｃ２７固液界面における陽イオン両親媒性分子集合体の AFM による力学的測定
（都立大院理）○最上理映，藤井政俊，加藤直
−iii−
座長大西洋（14：45∼15：45）
１Ｃ２８ Rutile TiO2(001) 表面構造
（産総研）○久保利隆，野副尚一
１Ｃ２９紫外光照射によるTiO2(001)表面での吸着分子の光反応過程のSTM観察
（東大院理，分子研*）○有賀寛子，手老龍吾*，生井勝康，岩澤康裕
１Ｃ３０ TiO2(110)表面上におけるNiクラスターのSTM観察
（北大触セ）○藤川敬介，鈴木秀士，朝倉清高
１Ｃ３１ TiO2(110)表面の局所構造に応じたＣ60分子吸着挙動のSTM観察
（東工大院理工）○坂井基祥，稲熊正康，福井賢一
− 休
憩
15：45∼16：00 −
座長高草木達（16：00∼17：00）
１Ｃ３３(Ｓ)Au(111)表面上におけるフラーレン二量体単分子膜の作製と超高真空中におけるその構造解析
（東北大院工*，CREST-JST**）⃝松本匡史*，堤栄史*，犬飼潤治*，板谷謹悟*,**
１Ｃ３４(Ｓ)Ni(111)上での H2S の解離の STM 観察
（筑波大物質工）○北田暁彦，平島秀水，小川淳也，中野美尚，松本健俊，中村潤児
１Ｃ３５ Si 表面上有機シラン初期吸着過程の STM 観察（東北大学際セ）○酒井雅，村田威史，末光眞希
１Ｃ３６ Si(111)-7x7 酸素吸着表面の STM
（筑波大物理工，21 世紀 COE）○小西泰彰，吉田昭二，武内修，重川秀実
11月27日（木）
Ａ会場午前 9：30∼12：00
表面化学
座長冨重圭一（9：30∼10：45）
２Ａ０１氷薄膜/Pt(111)表面におけるアンモニアの吸着と溶解
（東北大多元研）○高岡毅，稲村美希，柳町悟司，米田忠弘
２Ａ０２ Ru(0001)表面における水（D2O）分子吸着層の初期成長過程∼解離生成物の影響∼
（理研）○近藤剛弘，MICHEL MALICK THIAM，加藤浩之，川合真紀
２Ａ０３ Ni(755)表面上の N2O の吸着と分解に関する DFT 計算(Periodic DMol3)
（産総研）○折田秀夫
２Ａ０４ ZnO(0001)表面へのアンモニア吸着とアルカリ金属修飾の吸着に及ぼす影響
（東工大院理工，分子研*）○小澤健一，白鳥豊，枝元一之，高橋和敏*
２Ａ０５ Cu(111)上における S2-および SCN-の吸着および電気化学反応
（東北大院工，科技団）○犬飼潤治，杉政昌俊，板谷謹悟
− 休
憩
10：45∼11：00 −
座長高岡毅（11：00∼12：00）
２Ａ０７化学修飾されたMo(112)表面上のチオフェンの水素化脱硫反応の研究
（東大院理新領域）三浦秋分，後藤義雄，○佐々木岳彦，岩澤康裕
２Ａ０８(Ｓ) Co/Al2O3触媒上の新規CO-NO反応機構の理論的研究
（東大院理*・産総研**）○谷池俊明*，石井恒至*，佐々木岳彦*，森川良忠**，岩澤康裕
２Ａ０９表面規整された酸化物モデル触媒の作製
（北大院工）○松平宣明
２Ａ１０(Ｓ) 角度分解光電子分光によるZnO(10-10)表面電子状態の研究
（東工大院理工）枝元一之，小澤健一，白鳥豊，○澤田浩介
− 昼
食
12：00∼13：15 −
Ａ会場午後 13：15∼14：45
表面化学
座長佐々木岳彦（13：15∼14：45）
２Ａ２２ TiO/TiC(100)薄膜の電子状態とその反応性
（東工大院理工）⃝白鳥豊，十河真生，小澤健一，枝元一之
２Ａ２３高表面積還元性酸化チタンの合成
（信州大繊維）○清水航，村上泰，杉本渉，高須芳雄
２Ａ２４ Ti含有メソ多孔質シリカ上での二酸化炭素の水による光触媒還元固定化反応
（阪府大院工）○岡崎美穂，山下弘巳，安保正一
２Ａ２５(Ｓ) Fe-BEA触媒によるN2O選択還元反応−FTIRによる表面中間体の観察とメカニズムの考察−
（筑波大物質工）○信川健，吉田正典，亀岡聡，伊藤伸一，冨重圭一，国森公夫
２Ａ２６エポキシド合成用触媒のオレフィン暴露表面の動的XPS測定
（室蘭工大）荒山岳人，○菅原陽司，松本公秀，宮本政明，菖蒲明己
−iv−
２Ａ２７
表面処理酸化水酸化アルミニウムによる海水中リン酸イオンの吸着
（富田製薬，近畿大薬*）○樺山峰明，川崎直人*，中村武夫*，棚田成紀*
11月27日（木）
Ｂ会場午前 9：30∼12：15
表面分析法
座長橋本哲（9：30∼10：45）
２Ｂ０１２色レーザー光を用いたナノ空間超解像蛍光計測法（ＩＩ）
（東工大資源研，オリンパス光学工業(株)*，千葉大工**，慶應大理工***）
○渡邉武史，藤井正明，池滝慶記*，尾松孝茂**，山元公寿***
２Ｂ０２(Ｓ)強誘電体 LiNbO3，LiTaO3 表面の超平坦化とその構造解析
（阪大院工*，理研播磨研究所**，物材機構ナノマテリアル研究所***）
○大西秀治*，武尾篤*，齋藤彰*,**，桑原裕司*,**，青野正和*,***
２Ｂ０３全反射蛍光Ｘ線分析法による血液中微量金属元素分析の基礎検討
（大阪市大）○辻幸一，松岡代志子，森田寛二，日野雅之
２Ｂ０４人工膝関節用 VitaminE 添加超高分子量ポリエチレンの構造解析
（奈良先端技大学院大・物質創成科学研*，京大・国際融合創造センター，医学研究科，
工学研究科**，イオン工学研究所***）
○寺村聡*，富田直秀**，河島俊一郎*,***，青木正彦***，藤田和久*,***，井須俊郎*,***
２Ｂ０５マイクロ波照射表面処理炭素材料によるアンモニア性窒素の吸着能
（近畿大薬）○川崎直人，時本敏充，中村武夫，佐藤紀代
− 休
憩
10：45∼11：00 −
座長鈴木峰晴（11：00∼12：15）
２Ｂ０７《招待講演》
マルチキャピラリＸ線レンズとその応用
（島津総研）〇副島啓義
２Ｂ０９(Ｓ)In-situ 時間分解DXAFS 法を用いたアルミナ表面の担持Rhクラスター構造の動的構造変化に関する
研究（東大院理，名大院理，東理大理工，RIKEN，KEK-PF）
○鈴木あかね，稲田康弘，山口有朋，千原貞次，湯浅真，野村昌治，岩澤康裕
２Ｂ１０フッ素化銅フタロシアニン薄膜の膜構造と電子状態(Ⅰ) -NEXAFSによる分子配向の評価（千葉大工*，産総研**，物材機構***，分子研****）
○渡辺崇宏*，奥平幸司*，八木秀樹*，今村元泰**，間瀬一彦***，解良聡*,****，上野信雄*
２Ｂ１１フッ素化銅フタロシアニン薄膜の膜構造と電子状態(Ⅱ)-内殻電子励起による選択的結合切断（千葉大工*，産総研**，物材機構***，分子研****）
○八木秀樹*，奥平幸司*，渡辺崇宏*，小林英一**，間瀬一彦***，解良聡*,****，上野信雄*
− 昼
食
12：30∼13：30 −
Ｂ会場午後 13：15∼14：45
STM/AFM
座長久保利隆（13：15∼14：45）
２Ｂ２２《論文賞受賞記念講演》
振動励起による単一分子の化学反応と化学種同定
（理研）米田忠弘，金有洙，川合真紀
２Ｂ２４(Ｓ)一次元有機単分子鎖構築における連鎖重合反応のダイナミクス
（阪大院工*，科技団**，理研播磨研究所***，物材機構ナノマテリアル研究所****）
○山本優介*，赤井恵*,**，齋藤彰*,***，桑原裕司*,***，青野正和*,****
２Ｂ２５(Ｓ)個々の多層カーボンナノチューブからの発光特性解析
（阪大院工*，科技団**，理研***，NIMS****）
○植村隆文*，高見和宏*，赤井恵*,**，斎藤彰*,***，桑原裕司*,***，青野正和*,****
２Ｂ２６表面フォトボルテージと光変調トンネル分光法（筑波大物理工）○吉田昭二，武内修，重川秀実
２Ｂ２７ STM/STS測定によるSi(111)√3x√3-Ag表面ステップの研究
（東大院理）○松田巌，上野将司，平原徹，栖川淳，保原麗，長谷川修司
−v−
11月27日（木）
Ｃ会場午前 9：30∼12：00
STM/AFM
座長重川秀実（9：30∼10：45）
２Ｃ０１水素終端した Si(111)上に形成される Cu ナノ構造の STM による観察
（大阪電通大エレ研）○五十嵐忠則，福島勇樹，黒岩直紀，安江常夫，越川孝範
２Ｃ０２ STM による硫黄終端 GaAs(001)表面へのナノ構造形成
（東理大基礎工）○戸田祐輔，八木下雄貴，平田哲也，藤代博記
２Ｃ０３(Ｓ)単一分子の振動励起による表面ダイナミクスの選択的制御：Pd(111)上のアセチレン分子
（学習院大理，理研）○松本周子，金有洙，大川登志郎，道祖尾恭之，川合真紀
２Ｃ０４(Ｓ)振動モードの励起による孤立エチレン分子のホッピング運動の制御
（学習院大理，東理大理，理研，東北大多元研）
○大川登志郎，宮下博幸，金有洙，道祖尾恭之，米田忠弘，川合真紀
２Ｃ０５(Ｓ)STM による Ge(001)表面の c(4x2)，p(2x2)構造の遷移
（東大物性研）○高木康多，吉本芳英，中辻寛，小森文夫
− 休
憩
10：45∼11：00 −
座長桑原裕司（11：00∼12：00）
２Ｃ０７《招待講演》
Au(111)表面上での分子ナノ組織化制御
（横浜市立大）〇横山崇
２Ｃ０９メルカプトブタノール自己組織化膜/Au(111)の(4×4)構造のSTMによる研究
（筑波大物質工*，産総研**）○塚本和己*，野副尚一*,**
２Ｃ１０ Si(111)-√3×√3-Ag表面上でのカリウム吸着による相転移
（東大院理）○劉燦華，松田巌，長谷川修司
− 昼
食
12：00∼13：00 −
Ｃ会場午後 13：00∼14：45
表面物理
座長坂間弘（13：00∼14：45）
２Ｃ２１《招待講演》
表面における水素の吸着・拡散と水素化物形成
（東大生研）〇福谷克之
２Ｃ２３ Ag(111)およびAg(100)表面上のXeおよびKr物理吸着層の二次元相転移
（学習院大理）○戸坂亜希，見嶽太朗，佐藤雅春，三浦崇，荒川一郎
２Ｃ２４ Cu(001)微傾斜表面への窒素吸着により形成されるストライプ構造：吸着誘起圧縮応力の緩和
（東大物性研）○山田正理，大野真也，柳生数馬，中辻寛，小森文夫
２Ｃ２５（講演中止）
２Ｃ２６共振ずり測定法による液晶ナノ薄膜の摩擦評価
（東北大多元研）○水上雅史，栗原和枝
２Ｃ２７(Ｓ)NbB2(0001)面上のBC3のフォノン分散
（早大理工）○柳沢啓史，六田英治，田中崇之，石田康親，松江雅敏，大島忠平
11月27日（木）
井深大記念ホール午後 14：45∼17：10
14：45∼15：00
論文賞・奨励賞・技術賞表彰式
15：00∼15：50
特別講演（前掲）
15：50∼17：10
学会賞受賞記念講演（前掲）
−vi−
11月28日（金）
Ａ会場午前 9：30∼12：15
半導体
座長福田安生（9：30∼11：00）
３Ａ０１《招待講演》
シリコン基板上におけるカーボンナノチューブの成長制御と物性評価
（NTT 物性科学基礎研）○本間芳和
３Ａ０３(Ｓ) Si(111)表面上への無電解析出による金属細線の作製
（筑波大院数理研，筑波大院工基礎*，産総研ダイヤモンド研**，
産総研ナノテク部門***，物材機構ナノマテ研****，筑波大院物理工*****，TIMS******）
○徳田規夫，渡辺英伸*，山崎聡**，三木一司***,****，山部紀久夫*****,******
３Ａ０４赤外吸収分光法を用いた Si(100)-2x1 表面上におけるアセチレンの吸着構造解析
（東北大通研）○岡村康史，細井宜伸，木村康男，石井久夫，庭野道夫
３Ａ０５ Si 超薄膜の誘電特性
（電通大）○石原俊介，中村淳，名取晃子
３Ａ０６ Si(001)表面での極薄酸化膜形成・分解過程における Si 原子の挙動
（東北大多元研，原研，秋田高専）○小川修一，吉越章隆，石塚眞治，寺岡有殿，高桑雄二
− 休
憩
11：00∼11：15 −
座長本間芳和（11：15∼12：15）
３Ａ０８リアルタイム Si2p 光電子分光で観た Si(001)表面の熱酸化初期過程
（原研放射光）○吉越章隆，盛谷浩右，鉢上隼介，寺岡有殿
３Ａ０９高分解能 RBS による SiO2/Si 界面の評価
（コベルコ科研）○笹川薫
３Ａ１０水素終端された Si 表面のプラズマ酸化過程の赤外分光解析
（長崎大工，東北大通研*）
○篠原正典，片桐輝昭，岩辻圭太郎，松田良信，藤山寛，木村康男*，庭野道夫*
３Ａ１１(Ｓ) 湿式法による Si(100)表面の原子レベル平坦化
（広島大先端研）○岡村陽介，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
− 昼
食
− ﾎﾟｽﾀｰｾｯｼｮﾝ
12：15∼13：00 −
13：00∼15：00 −
Ａ会場午後 15：00∼16：45
半導体
座長木内正人（15：00∼15：45）
３Ａ２９ Si(001)上ゲルマン吸着・水素脱離過程の MIR-FTIR 観察
（東北大学際センター）○村田威史，末光眞希
３Ａ３０２重量子ドットのスピン結合制御の量子モンテカルロ計算
（電通大電子工）○山田太一，中村淳，名取晃子
３Ａ３１ InAs/GaAs(001)量子ドット生成メカニズムの第一原理計算とモンテカルロ計算による研究
（鳥取大工*，産総研**）○石井晃*,**，藤原勝敏*，逢坂豪*
− 休
憩
15：45∼16：00 −
座長太田英二（16：00∼16：45）
３Ａ３３ Si 基板上 ZnO 薄膜のレーザアニールによる結晶性及び伝導性の制御
（静大電子研，日本製鋼所*，静大科研**，愛知工科大***）
○大原賢治，清野俊明*，中村篤志**，青木徹，小南裕子，中西洋一郎，畑中義式***
３Ａ３４ GaP(001)-(2x1)表面の研究
（静岡大電子研）○門谷典和，下村勝，福田安生
３Ａ３５変位電流評価法で調べた有機電界効果トランジスタ界面のキャリア挙動
（東北大電通研）○小川賢，内城竜生，木村康男，石井久夫，庭野道夫
−vii−
11月28日（金）
Ｂ会場午前 9：30∼12：15
薄膜・微粒子
座長庭野道夫（9：30∼11：00）
３Ｂ０１
TTF 誘導体自己組織化単分子膜の構造と電気化学的特性のアルキル鎖長依存性
（東工大院理工，産総研*，東工大**，理研***）
○柴崎正訓，宮崎章，福井賢一，榎敏明，玉田薫*,**,***，原正彦**,***
３Ｂ０２ NEXAFS による Ni(111)上の h-BN 薄膜の電子構造解析
（原研放射光）○下山巖，馬場祐治，関口哲弘，K.G.Nath
３Ｂ０３ Alq3 有機薄膜の自発分極の保持特性とその光消去過程
（東北大通研）杉啓司，木村康男，○石井久夫，庭野道夫
３Ｂ０４大気圧アルコキシド気相輸送法による AT カット面を有する水晶薄膜の作製
（静大工，ヒューモラボラトリー*）
○高橋直行，真島潤，中村高遠，野中智*，久保義徳*，神力洋一*，玉貫勝美*
３Ｂ０５レーザーアブレーション法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の
構造に対する熱的効果
（弘前大理工）○中澤日出樹，山形佑亮，真下正夫
３Ｂ０６(Ｓ)架橋単層カーボンナノチューブの成長形態制御
（明治大理工，NTT 物性基礎研*）○高木大輔，伊藤良一，本間芳和*，小林慶裕*
− 休
憩
11：00∼11：15 −
座長高萩隆行（11：15∼12：15）
３Ｂ０８非平衡高温プラズマフラッシュ蒸着法による Y 系超伝導薄膜の作成とマイクロ波表面抵抗測定
（物材機構超伝導センター，東北大金研*）○小森和範，川岸京子，福富勝夫，戸叶一正*
３Ｂ０９(Ｓ)金属微粒子を用いた，量子ポイントコンタクトの制御
（阪大院工*，科技団**，理研***，物材研****）
○西原清仁*，太田黒敦彦*，赤井恵**，斎藤彰*,***，桑原裕司*,***，青野正和*,****）
３Ｂ１０《招待講演》
静電相互作用を利用した粒子集積化プロセス
（物材研）〇不動寺浩
− 昼
食
− ﾎﾟｽﾀｰｾｯｼｮﾝ
12：15∼13：00 −
13：00∼15：00 −
Ｂ会場午後 15：00∼17：15
薄膜・微粒子
座長吉野隆子（15：00∼16：00）
３Ｂ２９ゾル・ゲル法による HfO2 膜の焼成温度に対応した結晶構造の変化と電気的特性
（日大工）○佐藤拓，高橋知子，清水博文，西出利一
３Ｂ３０フラワー状 InN の作製と形態制御
（静大工，静大地域共同研究センター*，ロデール・ニッタ**，創研工業***）
○高橋直行，杉浦永，中村高遠，竹本菊郎*，加藤宏樹**，白井勝之**，榎本圭司***，矢作理***
３Ｂ３１半導体ナノ粒子の薄膜形成とその光特性評価
（広大先端研）○中塚弘明，黄淑娟，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
３Ｂ３２ SFG によるアルミナ/PET 界面構造
（産総研）○宮前孝行，野副尚一
− 休
憩
16：00∼16：15 −
座長野副尚一（16：15∼17：15）
３Ｂ３４(Ｓ)多重内部反射型赤外吸収分光法による蒸着 Al 薄膜の陽極酸化過程のその場観察
（東北大通研*，CREST**，東北大院工***，工学院大工****）
○白木宏一*，木村康男*,**，石井久夫*,**，小野幸子****，板谷謹悟**,***，庭野道夫*,**
３Ｂ３５陽極酸化ポーラスアルミナを鋳型とするポリマー反射防止構造の形成
（都立大院工，KAST）○益田秀樹，安井賢治，山田基弘，西尾和之
３Ｂ３６ポーラスアルミナを用いた高密度 Co 細線配列の作製と評価
（広大先端研）清水智弘，森本一典，○永柳衛，藤井洋一，
八重樫道，呉光日，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
−viii−
３Ｂ３７
陽極化成 Nb2O5 誘電体膜の物理的特性及び電気的特性の温度依存性に関する研究
（日大院工，日大工*，日立 AIC**，日立製作所・日立研究所***）○菅野不二男，清水博文*，
池田正則*，西村成興**，遠藤英治**，八幡和志**，百生秀人***，本田光利***
11月28日（金）
Ｃ会場午前 9：30∼12：15
表面物理
座長長谷川修司（9：30∼10：45）
３Ｃ０１焦点位置変調球面収差除去法を用いた高分解能光電子顕微鏡
（阪電通大エレ研，阪大院工*，アリゾナ州立大**）
○清水宏，天川良太，安江常夫，生田孝，越川孝範，木村吉秀*，Ernst Bauer**
３Ｃ０２光電子スペクトロホログラフィー装置の開発と応用
（東大生研，東理大理工，理学電機，アルバック・ファイ）
○石井秀司，田村圭司，Wei-Guo CHU，鶴田明華，馬見新秀一，若松尚子，堂井真，
塚本勝美，田口雅美，尾張真則，二瓶好正
３Ｃ０３光電子回折による GaP(001)(2x4)及び(4x1)-In 表面の構造解析
（静岡大電子研，東北大多元研*）
○下村勝，板垣晋也，門谷典和，福田安生，池嶋祐介*，河野省三*
３Ｃ０４量子電気力学アプローチによる相対論的多体 X 線光電子回折理論
（千葉大・自然）○藤川高志，荒井礼子，小西健久
３Ｃ０５第一原理計算による GaN 成長における Si 原子の役割の研究
（鳥取大工*，産総研**）○小山聖史*，石井晃*,**，沈旭強**，奥村元**
− 休
憩
10：45∼11：00 −
座長藤川高志（11：00∼12：15）
３Ｃ０７《奨励賞受賞記念講演》
半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
（東大院理）松田巌
３Ｃ０９サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
（鳥取大工*，産総研**，東大院工***，神奈川科学技術アカデミー****）
○藤原勝敏*，石井晃*,**，太田実雄***，藤岡洋***，****，尾嶋正治***
３Ｃ１０ LEEM/PEEM によるＷ(110)表面上の Pb,Cu 成長過程の動的観察
（阪電通大エレ研）○天川良太，清水宏，安江常夫，越川孝範
３Ｃ１１ Si(111)表面上 Bi 超薄膜における魔法厚出現の機構
（東大生研*，NIMS**）○斎藤峯雄*,**、大野隆央*,**、宮崎剛**
− 昼
食
− ﾎﾟｽﾀｰｾｯｼｮﾝ
12：15∼13：00 −
13：00∼15：00 −
Ｃ会場午後 15：00∼17：30
表面物理
座長小澤健一（15：00∼16：00）
３Ｃ２９アルカリ吸着した Si 表面での低エネルギーイオンの中性化過程
（阪電通大エレ研）菅武，○安江常夫，越川孝範
３Ｃ３０ Si(111)4x1-In 擬１次元系の STM 及び光電子分光による研究
（東大院理）○守川春雲，谷川雄洋，松田巌，長谷川修司
３Ｃ３１角度分解光電子分光による金属表面上の一次元電子状態の研究：(I)ステップ表面
（立命館大理工）○難波秀利，中西康次，小川浩二
３Ｃ３２角度分解光電子分光による金属表面上の一次元電子状態の研究：(II)Co ナノクラスタ
（立命館大理工）○小川浩二，中西康次，難波秀利
− 休
憩
16：00∼16：15 −
座長難波秀利（16：15∼17：30）
３Ｃ３４ Si(111)-√21×√21(Ag+Na)の表面電子構造
（東大院理）○小西満，松田巌，守川春雲，長谷川修司
３Ｃ３５ Fe 原子を微量蒸着した Au(111)ステップ基板の表面電子状態
（理研）○白木将，藤澤英樹，南任真史，川合真紀
−ix−
３Ｃ３６(Ｓ) in-situ 放射光光電子分光による強相関酸化物ヘテロ界面の評価と制御
（東大院工，東大物性研*，東北大金研**，東工大応セラ研***）
○小林大介，組頭広志，尾嶋正治，大西剛*，ミック・リップマー*，川崎雅史**，鯉沼秀臣***
３Ｃ３７ layer-by-layer 薄膜成長の自己触媒反応モデルとその微視的基礎
（東北大学際センター）富樫秀晃，○末光眞希
３Ｃ３８ Ag 探針を用いた表面エレクトロマイグレーションの SEM 観察
（電通大電子，東大院理*）○坂本克好，河野勝泰，長谷川修司*
11月28日（金）
ロビー午後 13：00∼15：00
ポスターセッション
座長福井賢一，近藤寛
Ｐ０１
飛行時間型二次イオン質量分析法によるバイオセンサ基板上のタンパク質の評価
（成蹊大工）○青柳里果，工藤正博
Ｐ０２
交直ハイブリッド電解法による複合 Ni-Mo めっき膜中のモリブデン電析挙動
（近大理工）藤野隆由，○瀬戸隆史
Ｐ０３
AES による SiO2/Si 試料表面の電子線照射損傷の定量的評価(III)
（物材機構，摂南大工*，NTT-AT**，鋼管計測***，トクヤマ****）
○西田憲二，木村隆，田沼繁夫，井上雅彦*，鈴木峰晴**，橋本哲***，三浦薫****
Ｐ０４(Ｓ) 超音速酸素分子ビームによる Ti(0001)表面の運動エネルギー誘起酸化反応
（東北大多元研，秋田高専*，原研放射光**，スタンフォード大***，熊本大****，千葉工大*****）
○小川修一，高桑雄二，石塚眞治*，吉越章隆**，寺岡有殿**，盛谷浩右**，
鉢上隼介**，水野善之***，頓田英樹****，本間禎一*****
Ｐ０５
相対スパッタリング速度を用いたスパッタリング距離への換算に関する検討
（NTT-AT 材料分析センタ）○荻原俊弥，茂木カデナ，鈴木峰晴
Ｐ０６
純 Ag 探針を用いた STM メタリックナノ構造の創製
（物材機構）○大西桂子，熊倉つや子，藤田大介
Ｐ０７
6H-SiC(000-1)表面再構成過程の STM・LEED 研究
（九工大工，九共大工*
）○内藤正路，小野拓磨，西垣敏，遠山尚武，生地文也*
Ｐ０８
原子間力顕微鏡を用いた細胞表面穿孔法
（東工大生命理工）○及川哲平，レハナ・アフリン，猪飼篤
Ｐ０９
Si(111)表面上 Ag 吸着層のフェルミ面マッピング
（東大院理）○平原徹，松田巌，栖川淳，川口司，長谷川修司
Ｐ１０
Au/Si(111)-α(√3×√3)R30°表面構造の理論研究
（CREST*，東大院工**，電通大電子***）○門平卓也*,**，中村淳***，渡邉聡*,**
Ｐ１１
Si(111)-√3×√3-Ag 表面の形態と内殻準位光電子分光
（東大院理）○上野将司，松田巌，劉燦華，長谷川修司
Ｐ１２
STEM/EDX によるドーパント分布の定量的評価と検出限界の検討
（日立超 LSI システムズ，日立製作所デバイス開発センター*）○吉永一正，中沢正敏*，久保真紀*
Ｐ１３
イオン照射による原子レベル凹凸構造の作製
（物材機構）○吉武道子，C.Bose，柳生進二郎
Ｐ１４
結晶性アルミナ超薄膜の作製
（物材機構）○吉武道子，T.T.Lay，W.Song，V.Moroz，Y.Lykhach
Ｐ１５
Adsorption kinetics of organosilanes at Si(001) surfaces investigated by
temperature-programmed desorption studies
（東北大通研，弘前大理工*，東北大学際センター**）
○Karuppanan Senthil，中澤日出樹*，末光眞希**
Ｐ１６
酸化チタン／疎水性ゼオライト系光触媒による水中の有機汚染物質の濃縮分解
（阪府大院工）○山下弘巳，前川和大，安保正一
Ｐ１７
チタン陽極酸化膜/導電性ポリマー接合を用いた空中窒素固定 -接合形成条件と固定化能の関係
（千葉大工）○口井良子，小川智央，北村孝司，星野勝義
Ｐ１８(Ｓ) XPS による Ga/H-ZSM-5 および Ga-Silicate 表面の Ga の化学状態分析
（室蘭工大）○千田卓也，西崎貴洋，宮本政明，上道芳夫，菖蒲明己
Ｐ１９
チタン陽極酸化膜/導電性ポリマー接合の界面電気物性
（千葉大工）○高瀬彩和，小川智央，北村孝司，星野勝義
Ｐ２０
シラン修飾サファイア基板への Pd-Au 吸着挙動
（山梨大院医工，日本電子*）○望月千裕，飯島善時*，柴田正実
Ｐ２１
RF マグネトロンスパッタリング法により作製した TiO2 薄膜の光触媒活性評価
（上智大理工）○小野敦，長田元気，田野倉敦，市川能也，坂間
−x−
弘
Ｐ２２
Ｐ２３
Ｐ２４
Ｐ２５
Ｐ２６
Ｐ２７
Ｐ２８
Ｐ２９
Ｐ３０
Ｐ３１
Ｐ３２
Ｐ３３
Ｐ３４
PLD 法による TiO2 薄膜のエピタキシャル成長
（上智大理工）○長田元気，小野敦，田野倉敦，市川能也，坂間弘
C60 固定化自己組織化単分子膜の作製とその光応答
（防大・機能材料）○小澤真一郎，川村和郎
白金のアルミニウム二次電解皮膜上への TiO2 薄膜の高次光触媒能
（近大理工）藤野隆由，○服部貴則
DC スパッタリングによるハイドロキシアパタイト粉末粒子表面上への純 Ti 蒸着
（産総研）○園田勉，渡津章，朱峻，山田敬彦，加藤清隆，朝比奈正
斜出射 EPMA 法による銅合金中のサブミクロン析出物の分析
（物材機構）⃝粟根徹，木村隆，西田憲二，田沼繁夫
水素終端シリコン上へのナノ粒子固定
（東大院理*，名大院工**，さきがけ２１***）
○米澤徹*,**,***，山野井慶徳*，西原寛*，白幡直人**，松下佳弘**，河本邦仁**
シリコン上への糖−アルケン単分子膜の形成とタンパク質の二次元固定化
（名大院工*，産総研中部**，東大院理***）
○白幡直人*,**，米澤徹*，***三浦佳子*，小林一清*，増田佳丈*，河本邦仁*
熱フィラメントを用いた CVD 法によるカーボンナノ構造の合成
（日本工大工，トーメイダイヤ*，東海大電子情報**）
神保広宣，○石川豊，山中博*，広瀬洋一**
3 端子分子架橋系の量子輸送
（江南大，東大院理*）王利光，○田上勝規*，塚田捷*
有機ラジカル分子架橋系のスピントロニクス（東大院理，江南大*）○田上勝規，王利光*，塚田捷
有機ケイ素化合物により形成される Si(001)-c(4x4)構造の評価
(長岡技科大)○原島正幸，森山学，安井寛治，赤羽正志
HMCVD 法による Si(001)上への SiC 成長の試み
(長岡技科大)○江藤淳平，成田克，安井寛治，赤羽正志
HMCVD 法による GaAs(100)基板上への c-GaN の低温エピ成長
(長岡技科大)○當麻義明，石橋充好，安井寛治，赤羽正志
−xi−

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