プログラム 11 月 8 日午前（月）於午後午前（火）Ｂ会場Ｃ会場 9:30-12:05 9:30-12:05 9:30-12:05 シンポジウム１シンポジウム２シンポジウム３１階ロビー 13:00-15:00 ポスターセッション於 11 月 9 日Ａ会場井深大記念ホール 15:00-15:15 論文賞、会誌賞、奨励賞、技術賞 15:15-16:35 学会賞受賞記念講演 16:35-17:25 特別講演表彰式 9:30-12:15 9:30-12:00 9:30-12:15 自己集合・自己組織化研究部会セッション表面基礎物性ソフトナノテクノロジー午後 13:00∼17:45 12:45∼17:45 13:00∼17:45 表面ﾅﾉﾊﾞｲｵｻｲｴﾝｽ表面・界面分析とその応用表面基礎物性ｺﾛｲﾄﾞ化学/ﾅﾉ空間化学表面反応/触媒作用電極/燃料電池/環境/ｴﾈﾙｷﾞｰ 11 月 10 日午前（水）午後 9:30-12:30 9:30-12:00 9:30-12:15 ﾅﾉｽｹｰﾙ物性ﾅﾉ材料科学表面反応/触媒作用 13:00-17:45 13:00-16:30 13:00-17:45 表面ﾀﾞｲﾅﾐｸｽ薄膜成長/ﾅﾉ構造作製・評価表面反応/触媒作用ﾅﾉｽｹｰﾙ分析手法１１月８日（月）会場井深大記念ホール論文賞、会誌賞、奨励賞、技術賞表彰式（１５：００∼１５：１５）学会賞受賞記念講演（１５：１５∼１６：３５）座長岩澤康裕（１５：１５∼１６：３５）１Ｈ３０《学会賞》低速イオン散乱分光法の開発および走査トンネル顕微鏡による原子操作に関する研究（阪大院工）青野正和１Ｈ３３《学会賞》原子分解能を持つ非接触原子間力顕微鏡の開発研究（阪大院工）森田清三特別講演（１６：３５∼１７：２５）座長福井賢一（１６：３５∼１７：２５）１Ｈ３６ナノカーボン物質表面・界面反応を原子レベルで調べる −i− （名城大）飯島澄男 11 月 8 日（月）Ａ会場午前 9：30∼12：05 シンポジウム 1「界面非線形分光のフロンティア」座長大西洋（9：30∼12：05） 1A00 シンポジウム趣旨説明（５分）（神戸大理）大西洋 1A01 SFG 分光法による近赤外パルス照射下の表面分子のダイナミクス（東工大資源研）○久保田純 1A03 フェムト秒時間分解第二高調波発生による表面吸着種の振動ダイナミックス（分子研）○松本吉泰 1A05 液体界面の４次ラマン分光（神戸大理）○藤芳暁 1A07 高分子界面の和周波分光（産総研）○宮前孝行 1A09 赤外-可視和周波混合分光法を用いたイオン液体の気/液界面構造に関する研究（名大院理）○大内幸雄 11 月 8 日（月）Ｂ会場午前 9：30∼12：05 シンポジウム 2「放射光を利用した光電子顕微鏡の新展開」座長福島整（9：30∼12：05） 1B00 シンポジウム趣旨説明（５分）（物材機構）福島整 1B01 LEEM/PEEM を用いた表面研究と放射光 PEEM の分解能向上の試み（大阪電通大工）○越川孝範 1B03 有機半導体薄膜の PEEM,MEEM による研究（千葉大院自然）○上野信雄 1B05 Wien filter 型 EXPEEM の可能性(触媒表面とエネルギー分析型 EXPEEM 法) （北大触媒セ）○朝倉清高 1B07 Spring-8 のナノテク総合支援プロジェクトにおける光電子顕微鏡の利用（高輝度光科研）○小林啓介 1B09 内殻光電子を用いる高エネルギー放射光光電子顕微鏡の開発（物材機構）○安福秀幸 11 月 8 日（月）Ｃ会場午前 9：30∼12：05 シンポジウム 3「電極表面科学∼溶液中でのナノテクノロジー」座長犬飼潤治（9：30∼12：05） 1C00 シンポジウム趣旨説明（５分） 1C01 原子・分子レベルで見た電極表面 1C03 固液界面反応による有機単分子層の形成 1C05 液中での付着力マッピング 1C07 非線形ダイナミクスによる自己組織化とナノ構造形成 1C09 電気化学ナノテクノロジーの展開（東北大院工）犬飼潤治（東北大院工）○板谷謹悟（北大院理）○魚崎浩平（東工大院生命理工）○藤平正道（阪大院基礎工）○中戸義禮（早大理工）○逢坂哲彌 11 月 8 日（月）ロビー（1F）午後 13：00∼15：00 ポスターセッション座長福井賢一,近藤寛 P01 変調分子線散乱による有機薄膜蒸着基礎過程の解明（東大理）○島田敏宏 P02 環状ポルフィリン 12 量体の表面吸着構造の STM 観察（1)JST,2)阪大産研, 3)京大理）○高木昭彦 1)2),荒谷直樹 1)3),松本卓也 1)2),大須賀篤弘 1)3),川合知二 2) P03 シリコン(001)表面銀吸着構造の解析（鳥取大学）○楠原秀昭,小山聖史,石井晃 P04S Au(111)面上におけるフラーレン誘導体の単分子膜作製とその構造解析（1)東北大院工,2)東北大 NICHe, 3)東北大多元研,4)京大化研, 5)JST） ○松本匡史 1),本多洋介 1),吉本惣一朗 1),犬飼潤治 1)2),伊藤攻 3),小松紘一 4),板谷謹悟 1)5) −ii− P05 P06 P07 P08 P09 P10 P11 P12 P13 P14 P15 P16 P17 P18 P19S P20 P21 P22 P23 P24 P25 P26 P27 P28 P29 CAICISS による InP(100)-(2x4)表面構造の研究（1)東理大基礎工,2)東理大理工）○松本充広 1),井上宏 1),色川勝己 2),藤代博紀 1),三木裕文 2) 低温における Si(111)-c(12×2)Ag 表面のＳＴＭ観察（東大理）○宮田伸弘,松田巌,平原徹,Marie D'angelo,守川春雲,長谷川修司 SrTiO3(001)表面におけるステップの熱緩和（阪大産研）○須藤孝一,後藤洋臣,岩崎裕 CVD ダイヤモンド表面の酸化による仕事関数の変化（1)凸版総研,2)東洋大・応化,3)物材機構）○蒲生秀典 1),蒲生西谷美香 2),中川清晴 3),安藤寿浩 3) 吸着タングステン表面の仕事関数に関する第一原理計算（1）東理大院理,2）CREST-JST）○田中博郎 1),中山遥 1),渡辺一之 1)2) 酸化ニッケル薄膜表面の化学状態と表面電位の関係（1)東洋大・応化,2)凸版総研,3)物材機構）○蒲生西谷美香 1),蒲生秀典 2),中川清晴 3),安藤寿浩 3) La-214 系銅酸化物薄膜試料における Eu 置換効果（上智大理工）坂間弘,市川能也,田野倉敦,○工藤宜之電子ドープ銅酸化物薄膜試料の諸物性（上智大理工）○脇山健太郎,坂間弘,市川能也,田野倉敦 NbB2(0001)面上の BC3 膜の電子状態（1)早大院理工,2)物材機構）○神代悟 1),清水博司 1),柳沢啓史 1),上野明 1),大島忠平 1),大谷茂樹 2) 時間依存密度汎関数法による有機分子の光学吸収スペクトル（1)東理大理,2)CREST-JST,3)先端力学シミュレーション研） ○野口智之 1)2),中岡紀行 3),洗平昌晃 1)2),渡辺一之 1)2) マイクロ４探針プローブ法の数値シミュレーション（1)東大理,2)千葉大理）○細村嘉一 1),中山隆 2),長谷川修司 1),松田巌 1) 半導体表面上２次元金属単原子層への一価原子吸着と電子移動（東大理）○松田巌,平原徹,守川春雲,ダンジェロマリー,小西満,長谷川修司メチルシランを用いた C 予備堆積過程と Si 上 Ge ナノドット（東北大学学際センター）○村田威史,酒井雅,成田克,末光眞希 Cu ステップ面上のモノレイヤ未満アルカリ超構造と電子状態（立命大理工）○小川浩二,中西康次,難波秀利金属ナノコンタクトにおける非線形性の研究（東工大院理工）○吉田誠,高柳邦夫固体電気化学反応を用いた原子スイッチの温度依存性（1）物材機構,2）群大工,3）JST, 4）NEC 基礎研, 5）阪大院工）○田村拓郎 1)2)3),長谷川剛 1)3), 寺部一弥 1)3),中山知信 1)3),阪本利司 3)4),砂村潤 3)4),川浦久雄 3)4),青野正和 1)3)5) 三角ナノグラファイト上の異常渦電流の理論解析（1)早稲田院ナノ理工,2)東工大院理工）○田上勝規 1)2),塚田捷 1) ナノ炭素粒子に対するパルスレ-ザ-照射効果（上智大）○宮崎誠,杉本和子,内田寛,板谷清司,幸田清一郎固液界面接触分解法によるカーボンナノチューブの液相合成（1)東洋大・応化,2)凸版総研,3)物材機構） ○蒲生西谷美香 1),藤田昭彦 1),北條賢治 1),蒲生秀典 2),中川清晴 3),安藤寿浩 3) アルコール CVD におけるカーボンナノチューブの形状制御（1）横浜国大院工,2）CREST-JST）○土屋範晃 1),荻野俊郎 1)2) 遷移金属担持表面酸化ダイヤモンド触媒を用いた炭素ナノ材料合成（1)物材機構,2)東洋大・応化,3)凸版総研）○中川清晴 1),蒲生西谷美香 2),蒲生秀典 3),安藤寿浩 1) 架橋カーボンナノチューブ上への金微粒子形成（1）横浜国大院工,2）CREST-JST）○武藤国広 1),荻野俊郎 1)2) Ti 含有 SiC ナノ粒子を前駆体とする光触媒の合成（阪大院工）○西田義勝,片山厳,山下弘巳分子動力学法による金属ナノワイヤーの熱的性質（1）東理大院理,2） CREST-JST）○近藤尚明 1)2),山本貴博 1)2),渡辺一之 1)2) 新規一段合成法により形成したコバルトナノワイヤーのキャラクタリゼーション（千葉大院自然）○唐戸敏彦,櫃岡祥之,星野勝義 −iii− P30S P31 P32 P33 P34 P35 P36 P37 P38 P39 P40 P41 P42 P43 P44 P45 P46 P47 P48 P49 P50 P51 電気化学振動を利用した金属微細格子の自己組織的形成（1)阪大院基礎工,2)21 世紀 COE プログラム,3)CREST-JST） ○深見一弘 1)2),多田稔生 1),中西周次 1),中戸義禮 1)3) PLD 法によって調製したナノコンポジット中の薬物-タンパク質間相互作用の評価と制御（1)奈良機械製作所,2)慶應大）○永禮三四郎 1)2),佐川穣 2),仙名保 2) 金属-極薄アルミナ膜界面のポテンシャル（物材機構）○吉武道子,Song Weijie Ｐｄ-Ａｌ（111）エピタキシャル膜の超高真空中における酸化（物材機構）○吉武道子,山内康弘,Song Weijie Ti 含有メソポーラスシリカ薄膜の合成と光触媒特性（1)阪大院工,2)阪大院基礎工）○西尾真一郎 1),田中誉士 2),多田裕美 2),西山憲和 2),片山厳 1),山下弘巳 1) TiO2(110)-1ｘ2 表面の 1 次元吸着場を利用した C60 の配列化とポリマー化（東工大院理工）○坂井基祥,福井賢一低エネルギー電子ビームによるナノスケール構造物の作製・分析のための装置開発（東大物性研）○掛札洋平,向井孝三,山下良之,吉信淳マイクロ波プラズマ CVD によるナノクリスタルダイヤモンド薄膜の作製とナノレベル微細加工（1)凸版総研,2)東洋大・応化,3)物材機構） ○蒲生秀典 1),蒲生西谷美香 2),島田健太郎 2)3),福上典仁 1),田村章 1),安藤寿浩 3) 電子ビームリソグラフィーを用いない,分子スケールナノギャップ電極作製手法の開発（1)産総研ナノテク,2)ナノ機能合成プロジェクト）○堀川昌代 1)2),内藤泰久 1)2),水谷亘 1)2) D/Si(100)表面における H 引き抜き反応研究（1)筑波大院数理,2)物材機構,3)カレル大,4)ピッツバーグ大） ○植田寛和 1)2),Jiri Drbohlav3),久保敦 4),北島正弘 2)1) 超音速Ｏ2 分子線による単原子層グラファイトの化学反応（1)筑波大院数理,2)産総研）○岡田隆太 1),森大輔 1),久保井宗一 1),佐々木正洋 1),山本恵彦 2) 第一原理計算による TiO2(110)表面上のカルボン酸誘導体の吸着構造（1)北大触媒セ,2)JST）○芦間英典 1)2),田旺帝 1)2),朝倉清高 1) 密度汎関数法を用いた光触媒のエネルギー構造の検討（1)東理大理,2)倉敷芸科大生命科）○下平祥貴 1),加藤英樹 1),工藤昭彦 1),小林久芳 2) 高効率光電変換デバイスを目指した SnO2 担持透明電極作製法の最適化（1）PRESTO-JST,2)京大院工）○堀田弘樹 1),Liu Jia-Cheng2),俣野善博 2),今堀博 2)1) 自己組織化単分子膜修飾金電極上でのドーパミンの酸化還元挙動（防大機能材料）○小澤真一郎,川村和郎多重内部反射型赤外吸収分光法による DNA ハイブリダイゼーションの観察（1)東北大通研,2)CREST）○宮本浩一郎 1),石橋健一 1),木村康男 1)2),石井久夫 1)2),庭野道夫 1)2) ラマン分光を用いた温度応答性と血液適合性を併せ持つ新規ポリマーの解析（1)北大院理,2)北大電子研, 3)北大創成, 4)北大電子研ナノテク） ○伊土直子 1)2),松尾保孝 2),田中賢 3),山本貞明 3),下村政嗣 4) 金基板への核酸分子の固定化（1）阪大産研,2）CREST-JST, 3)島津製作所）○小嶋薫 1)2),松浦俊彦 1)3),宇野毅 1)2),松本卓也 1)2),川合知二 1)2) 歯牙エナメル質表面のフッ素配合歯磨剤による再石灰化に関する研究（1)ライオン,2)アルバック・ファイ） ○大木亨 1),山本幸司 1),定家恵実 1),西川直樹 1),角谷治夫 1),藤原正美 1),足立邦明 1),高橋元幾 2) 原子間力顕微鏡を用いた高分子表面のレオロジー解析（東工大院理工）○中嶋健,額賀英幸,渡部浩行,西敏夫動的 AFM における探針先端突起のサイズ効果（1）成蹊大工,2）PRESTO-JST）○高橋忠孝 1),佐々木成朗 1)2) glycine/Cu(100)超構造のＳＴＭ（1)筑波大物理工, 2)21 世紀 COE）○金澤研 1)2),小西泰彰 1)2),吉田昭二 1)2),竹内修 1)2),重川秀実 1)2) −iv− P52 P53 P54 P55 P56 P57 P58 P59 P60 放射光を活用した光電子顕微鏡の利用（1)高輝度光科学研,2)大阪電通大, 3)アリゾナ州立大）○郭方准 1),清水宏 2), 脇田高徳 1), 松下智裕 1),中口明彦 2),バワーエースト 3),安江常夫 2),越川孝範 2),小林啓介 1) Au クラスター一次イオン源を備えた TOF-SIMS 装置による高分子材料の測定（成蹊大工）○相本健一,青柳里果,工藤正博パターン化ガラス基板上のウシ血清アルブミンの TOF-SIMS 測定（成蹊大院工）○星奨,青柳里果,工藤正博ファクターアナリシスによる SiO2/Si 試料表面の電子線照射損傷の評価（物材機構）○大西桂子,木村隆,藤田大介溶融亜鉛めっき皮膜表面に生成した極薄アルミニウム酸化層の電子線照射損傷挙動とその定量評価（1)住友金属工業,2)住友金属テクノロジー, 3)物材機構） ○荒井正浩 1),浜中真人 1),速水弘子 2),木村隆 3),西田憲二 3),田沼繁夫 3) 微小角入射 X 線散乱による表面近傍結晶粒構造解析（1)神戸大,2)神戸製鋼）○藤居義和 1),中山武典 2) エチレン吸着 Si(100)表面の電子線照射効果（兵庫県立大院工）○長谷川剛英,持地広造電子分光による電子放出特性評価法の検討 (日産アーク）○佐藤誓,荒木祥和,當麻肇カーボンナノチューブ探針による磁気記録媒体の高分解能 MFM 観察 (1)産総研,２)SIINT,3)富士通） ○倉持宏実 1)2),渦巻拓也 1)3),安武正敏 1)2),田中厚志 1)3),秋永広幸 1), 横山浩 1) 11 月 8 日（月）井深大記念ホール午後 15：00∼17：25 15：00∼15：15 論文賞・会誌賞・奨励賞・技術賞表彰式 15：15∼16：35 学会賞受賞記念講演（前掲） 16：35∼17：25 特別講演（前掲） 11 月 9 日（火）Ａ会場午前 9：30∼12：15 自己集合・自己組織化座長加藤浩之（9：30∼11：00） 2A01S 光電子回折による Au(111)上ヘキサンチオール“ストライプ”相の構造解析（東大院理）○島田透,近藤寛,中井郁代,長坂将成,横田玲夫奈,太田俊明 2A02 アルカンチオール自己集合膜の膜成長と応力 (1)物材機構,2)JST, 3)阪大･基礎工, 4)筑波大, 5)Max Planck Institute for Polymer Research） ○板倉明子 1)2),五十嵐慎一 2),戸田雅也 3),北島正弘 1)4),BergerRuediger5) 2A03 2A04 2A05 アリルアミン重合膜の体積膨張による表面応力変化の測定（1)物材機構,2)JST, 3)筑波大, 4)Max Placnk institute for Polymer Research） ○五十嵐慎一 1)2),板倉明子 1)2),北島正弘 1)3),Liqiang Chu 4), Anye N.Chifen4),Renate Foerch4),Ruediger Berger4) Rh および Pt(111)上における芳香族分子の吸着（1）東北大 NICHe,2）東北大院工, 3）CREST-JST）○犬飼潤治 1)2),板谷謹悟 2)3) Cu(001)上のアミノ酸の自己組織化に関する研究（宇都宮大院）○江守朗 −v− 2A06 自己組織化修飾界面を利用したチトクロムｃ分子のトンネル伝導（1)阪大産研,2)JST）片岡誠 1),○松本卓也 1)2),川合知二 1)2) 座長重川秀実（11：00∼12：15） 2A07 STM と XPS によるビピリジン誘導体自己組織化膜の吸着過程観察とプロトン捕捉（1)産総研ナノテク,2)日大院, 3)産総研界面ナノ RC, 4)日大理工）○菅洋志 1)2),石田敬雄 1),小山恵美子 3), 徳久英雄 3),Belaissaoui Abdelhak3),名川吉信 3),金里雅敏 3),西岡泰城 4),川幡長勝 4),青木義男 4) 2A08 2A09 2A10 2A11 スチレン– ブタジエンブロック共重合体/有機溶媒界面におけるミクロ相分離構造の原子間力顕微鏡観察（1)中央大院理工,2)中央大理工研）○平野尚志 1),新藤斎 2) Grignard 試薬の電気化学的酸化による Si 単結晶表面上への有機単分子層形成（北大院理）○宮阪豊光,高草木達,魚崎浩平ブロードバンド和周波発生分光法による界面分子の観察（北大院理）○伊藤未希雄,野口秀典,魚崎浩平自己組織化によるサブミクロン多孔質ポリマーフィルムの作製（北大ナノテクセ）下村政嗣,○藪浩 − 昼食 12：15∼13：00 − Ａ会場午後 13：00∼17：45 表面ナノバイオサイエンス座長松本卓也（13：00∼14：15） 2A21 《招待講演》生体内の酵素がもつナノ反応場の機能制御機構の解明と新規反応場の分子設計（1）岡崎統合バイオ, 2)分子研）○藤井浩 1)2） 2A23 人工ペプチドが認識する無機材料表面のサブナノ構造（1）癌研・蛋白創製,2）CREST-JST, 3)慈恵医大・DNA 研・分子細胞生物） ○佐野健一 1)2),佐々木博之 3),芝清隆 1)2) 2A24 顕微赤外分光法によるポーラスシリコン表面上での DNA 分子の検出（1)東北大通研, 2)戦略的創造研究推進事業） ○山口僚太郎 1),白木宏一 1), 石橋健一 1),宮本浩一郎 1),木村康男 1)2),石井久夫 1)2),庭野道夫 1)2) 2A25 固体表面に固定したタンパク質分子の変性（1)東工大院生命理工, 2)バンドン工科大学化学科） ○猪飼篤 1),ヘルタディルクマン 1)2),アフリンレハナ 1) 座長石田敬雄（14：15∼15：15） 2A26S 半導体表面におけるタンパク質の機能コントロール（千葉大理）○小田将人,中山隆史 2A27Y SiO2 表面へのアビジン単分子層作製と脂質膜形成への応用（1)分子研, 2)総研大）○手老龍吾 1),三澤宣雄 2),山村周作 2),宇理須恒雄 1)2) 2A28 シリコン基板上に再構成された繋ぎとめ脂質二重膜／グラミシジン A の AFM による構造評価（1)分子研, 2)ICCAS, 3)総研大）○Lei Sheng-Bin1)2),手老龍吾 1), 三澤宣雄 2),Wan Li-Jun1)2),宇理須恒雄 1)3) 2A29 AFM による染色体の切断及び回収（1)食総研, 2)生物研）○塚本和己 1),七里元晴 1),杉山滋 1),吉野智之 1),桑崎誠剛 2),山本公子 2),大谷敏郎 1) − 休憩 15：15∼15：30 − コロイド化学／ナノ空間化学座長宇理須恒雄（15：30∼16：15） 2A31 《招待講演》高分子ナノ粒子を用いたエイズワクチンの開発（阪大院工）○明石満 2A33 純水・界面活性剤溶液中における高分子薄膜の膨潤・吸着による状態変化（都立大院理）○吉田早苗,藤井政俊,加藤直 −vi− 電極/燃料電池/環境/エネルギー座長板倉明子（16：15∼17：45） 2A34 《招待講演》ナノ構造を制御した人工光合成デバイス（京大院工）○今堀博 2A36 シランカップリング剤水溶液中におけるチタン基材料のトライボロジー特性（産総研）○日比裕子,佐々木信也 2A37 燃料電池アノード反応に関する密度汎関数法による検討（1)倉敷芸科大生命科,2)東理大理）○小林久芳 1),下平祥貴 2),工藤昭彦 2),奥町哲行 1) 2A38 《会誌賞受賞記念講演》超高真空―電気化学複合装置による電極表面の研究 (1)東北大 NICHe,2)東北大院工,3)CREST-JST)犬飼潤治 1)2),板谷謹悟 2)3) 11 月 9 日（火）Ｂ会場午前 9：30∼12：00 研究部会セッションソフトナノテクノロジー担当猪飼篤（9：30∼12：00） 2B00K 部会設立主旨説明日本表面科学会会長岩澤康裕 2B01K 「ソフトナノテクノロジー」について（東工大院生命理工）猪飼篤 2B02K 《招待講演》高分子ナノミセルによる薬物・遺伝子のピンポイントデリバリー（東大工）片岡一則 2B04K 《招待講演》脂質膜の巨大リポソームの生成および構造安定性とその応用（静大理）山崎昌一 2B06K 人工腎臓用中空糸多孔質膜の表面構造と機能解析（東レ）菅谷博之 2B07K オンチップ 1 細胞培養系を用いた細胞情報の世代間伝承メカニズムの解明（東大院総合文化）○井之上一平、綾野賢、若本祐一、梅原千慶、安田賢二 2B08K 走査型光プローブ顕微鏡による特定塩基配列のナノレベル検出（1)食品総合研・企画調整部,2)食品総合研・食品工学部,3)新潟大院・医歯学総合研） ○大谷敏郎 1),吉野智之 2),七里元晴 2),中尾秀信 2),佐宗めぐみ 2),福士大輔 3),杉山滋 2) 2B09K 《招待講演》 Quantitative TOF-SIMS imaging combined with Bubble Jet printing technology (キヤノン 1)先端技術研究本部, 2)コアテクノロジー開発本部) 1) 1) ○橋本浩行 , 中村久美 , 久家克明 1), 小松学 1), 高瀬博光 2), 岡本尚志 2), 山本伸子 2) − 昼食 12：00∼12：45 − Ｂ会場午後 12：45∼17：45 表面・界面分析とその応用座長名越正泰（12：45∼14：00） 2B20 C60 イオンスパッタリングを用いた有機物の XPS 化学状態分析（アルバック・ファイ）○眞田則明,宮山卓也,山本公,大岩烈,大橋善治 2B21Y 誘導体化 XPS 法による DLC-Si 上シラノール基の分析（豊田中研）○高橋直子,木本康司,森広行,大森俊英,村瀬篤 2B22S 人工膝関節用 vitamin E 添加超高分子量ポリエチレンの耐酸化性（1)京大院工,2)京大国融創セン, 3)奈良先端物質創成,4)イオン工研） ○寺村聡 1),富田直秀 1)2),河島俊一郎 3)4),藤田和久 3)4),井須俊郎 3)4) 2B23 ガスタービン油により生成した潤滑膜の化学構造解析（1)新日本石油, 2)高エネ研）○塩崎岩根 1),岩波睦修 1),佐野孝 1),野村昌治 2) 2B24 ニオブ陽極酸化皮膜の表面および断面分析（1)千葉工大材料解析セ,2)東邦大理,3)千葉工大工）○長田龍介 1)2),寺島慶一 3),森山広思 2) −vii− 座長笹川薫（14：00∼15：15） 2B25S 放射光光電子分光と X 線吸収分光による高誘電率 HfO2 膜の界面電子状態評価（1)東大院工,2)半導体理工学センター） ○豊田智史 1),岡林潤 1),組頭広志 1),尾嶋正治 1),丹羽正昭 2),臼田宏治 2),劉国林 2) 2B26 軟Ｘ線発光分光法による SiO2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測（1)東大物性研,2)理研/SPring8, 3)東大理） ○山下良之 1),山本達 1),向井孝三 1),吉信淳 1),原田慈久 2),高田康孝 2),辛埴 1)2),赤木和人 3),常行真司 3) 2B27S Cr-Lα線と Al-Kα線励起光電子回折法による h-BN/Ni(111)の表面構造解析（1)東理大理工,2)東大環セ, 3)東大生研） ○望月英宏 1),中村仁 1),藤原宣博 1), 鶴田明華 1),馬見新秀一 1),若松尚子 1),野島雅 1),尾張真則 2)3),二瓶好正 1) 2B28 収差補正型多極子 Wien フィルタを用いた実験室サイズエネルギー選別 X 線光電子放出顕微鏡の開発（1）北大触媒研,2）CREST-JST,3)日本電子, 4)理学電機, 5)リガク）○新美大伸 1),嘉藤誠 3),川崎貴博 1), 宮本剛志 1),鈴木秀士 1),田旺帝 1)2),工藤政都 3),河原直樹 4),堂井真 4),塚本勝美 5),朝倉清高 1) 2B29 放射光光電子顕微鏡を用いた In,Co/Si(111)の観察（1)阪電通大エレ研,2)JASRI/Spring-8,3)アリゾナ州立大） ○清水宏 1),郭方准 2),脇田高徳 2),中口明彦 1),Ernst Bauer3),安江常夫 1),小林啓介 2),越川孝範 1) − 休憩 15：15∼15：30 − 座長工藤正博（15：30∼16：30） 2B31 酸素 K 殻 XANES による金属材料表面の状態解析（1)ＪＦＥスチール,2)立命館大） ○名越正泰 1),河野崇史 1),槇石規子 1),佐藤馨 1),濱田洋司 2),陰地宏 2),岡本篤彦 2) 2B32 ToF-SIMS 及び ISS によるパーフルオロポリエーテル含有シラン化合物薄膜の被覆率評価（セイコーエプソン）○久世良太 2B33Y ナノビーム SIMS を用いた shave-off 深さ方向分析（1)東理大理工,2)東大生研, 3)東大環セ）○野島雅 1)2),戸井雅之 1)2),前川綾香 1)2), 山本剛史 1)2),冨安文武乃進 2)3),坂本哲夫 2)3),尾張真則 2)3),二瓶好正 1) 2B34 遷移金属窒化物薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定（1)名工大院工,2)京大院工, 3)北見工大） ○川口慎一 1),種村眞幸 1),種村榮 1),後藤康仁 2),M.Y.Liao2),新海聡子 3) 座長山下良之（16：30∼17：45） 2B35 超格子構造を用いたオージェ電子分光における空間分解能の検討（アルバック･ファイ）○漆原宣昭,眞田則明,岩井秀夫,山本公,鈴木峰晴 2B36 低角度入射電子線を使った最表面の高感度オージェ分析（日本電子）○堤建一 2B37 2B38 2B39 極低加速電圧 SEM における EDXS 分析の空間分解能（1)鋼管計測,2)カールツァイス, 3)サーモエレクトロン, 4)慶応大） ○櫻田委大 1),橋本哲 1),土谷康夫 1),立花繁明 2),鈴木実 3),清水健一 4) 微傾斜表面からの RHEED 菊池図形（大同工大工）○堀尾吉已 Thermally stimulated electron emission from semiconductors and insulators with defects （産総研）○Alexander Gatsenko,中山景次 11 月 9 日（火）Ｃ会場午前 9：30∼12：15 表面基礎物性 −viii− 座長安福秀幸（9：30∼11：00） 2C01 Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察（1)東大物性研,2)東北大金研, 3)産総研, 4)阪大産研, 5)北大創成）江口豊明 1),秋山琴音 1),○長谷川幸雄 1),藤川安仁 2),桜井利夫 2),森川良忠 4),橋本保 3),寺倉清之 5) 2C02 La2CuO4 における双晶構造の観察とアニールリングによる洗濯板構造の出現（物材機構）○矢ヶ部太郎,鈴木博之,宇治進也 2C03S LEEM による W(110)上の Cu 二重層再構成の動的観察（1)阪電通大エレ研,2)アリゾナ州立大） ○中口明彦 1),清水宏 1),高橋宏彰 1),Ernst Bauer2),安江常夫 1),越川孝範 1) 2C04 Cu/W(110)薄膜における LEEM 像の量子サイズ効果と PEEM 像（1)阪電通大エレ研,2)アリゾナ州立大） ○清水宏 1),天川良太 1),中口明彦 1),高橋宏彰 1),Ernst Bauer2),安江常夫 1),越川孝範 1) 2C05Y 光電子顕微鏡(PEEM)を用いた鉄隕石の局所構造解析と磁区観察（広大放射光科研）○小嗣真人 1) 2) 2C06 Pd 超微粒子の表面に出現する強磁性（慶大理工, 理研）○大野暁 1),佐藤徹哉 1),篠原武尚 2) 座長新美大伸（11：00∼12：15） 2C07 円偏光照射 p-GaAs(110)を用いたスピン偏極 STM/STS 探針の研究（学習院大理）○奥山大輔,山田豊和,溝口正 2C08 Si(111)7X7 表面における反射高速陽電子回折(RHEPD)パターンの強度解析（原研先端研）林和彦,深谷有喜,河裾厚男,○一宮彪彦 2C09 光電子回折による InP(111)A 2x2-S 表面の研究（1)静岡大電子研,2)東北大院理,3)東北大多元研） ○下村勝 1),門谷典和 1),坂本一之 2),河野省三 3),福田安生 1) 2C10S スピン偏極光電子回折による Gd 及び固体酸素磁性の理論的研究（千葉大院自然）○伊藤綱太,篠塚寛志,小西健久,藤川高志 2C11S 直線分子の振動準位に依存した角度分解 XPS に関する理論的研究（1)千葉大・自然,2)KEK-PF）○嶋崎優絵 1),篠塚寛志 1),荒井礼子 1),藤川高志 1),足立純一 2),柳下明 2 − 昼食 12：15∼13：00 − Ｃ会場午後 13：00∼17：45 表面基礎物性座長渡邊聡（13：00∼14：00） 2C21S 光学ポテンシャルを用いた平均自由行程の計算 2C22S 非相対論的量子電気力学による多体 XPS 理論の研究 2C23 （千葉大院自然）○篠塚寛志,荒井礼子,藤川高志（千葉大院自然）○荒井礼子,藤川高志コヒーレントナノ電子放出源（1)早大材研,2) Academia Sincia） ○板垣考洋 1),六田英治 1), Cho Boklae1),石川剛 1),鄭天佐 2),大島忠平 1) 2C24 低温 Si(100)表面相に及ぼす STM 探針の影響（筑波大物理工）○吉田昭二,木村知彦,武内修,重川秀実座長下村勝（14：00∼15：00） 2C25 Si(001)8xn-Ga 構造の STM による研究 (1)東理大院理工, 2)東理大院基礎工) ○原紳介 1),藤井克匡 1),鳥居仁 2),小林秀和 1),色川勝己 1),藤代博記 2),三木裕文 1),河津璋 1) 2C26S Si(111)-(8×2)-In の高分解能 STM 観察（横浜市大総理）○倉田早希,横山崇 2C27 Au/Si（111）表面構造のガラス・結晶化転移での電子輸送（東大理）○山崎詩郎,松田巌,沖野泰之,守川春雲,長谷川修司 −ix− 2C28S 走査トンネル分光法による Si(111)-√3x√3 Ag 構造の局所電子状態に関する研究（東大物性研）○小野雅紀,西潟由博,西尾隆宏,江口豊明,長谷川幸雄 − 休憩 15：00∼15：15 − 座長小林功佳（15：15∼16：30） 2C30 金原子が吸着した Si(111)-/3x/3-Ag 表面についての研究（東大理）○劉燦華,D'angelo Marie,松田巌,長谷川修司 2C31 Si(111)√21×√21-Ag 超構造のフェルミ円と表面電気伝導の研究（東大理）○平原徹,松田巌,小西満,ダンジェロマリー,長谷川修司 2C32 Ag 吸着 ZnO(10-10)表面の電子状態（東工大院理工）○小澤健一,佐藤智彦,枝元一之 2C33 Alq3 薄膜の分子配向と電子状態（1)千葉大院,2)千葉大工,3)先進科学, 4)分子研） ○織戸聖子 1),花谷俊広 1),片岡隆志 2),解良聡 1)2)4),奥平幸司 1)2),上野信雄 1)2)4) 2C34 直接窒化法で低温合成した窒化アルミニウム粉末の表面化学状態（東工大院理工）○亀島欣一,中島章,岡田清表面反応/触媒作用座長佐々木岳彦（16：30∼17：45） 2C35 Si(001)表面酸化過程における仕事関数の「その場」観察（東北大多元研）○小川修一,八木貴之,大平雅之,高桑雄二 2C36 Si(100)表面へのエチレンの環化付加反応における前駆状態の直接観測（1)東大物性研, 2)分子研,3)東大院理） ○梅山裕史 1),長尾昌志 2),向井孝三 1),山下良之 1),吉信淳 1),赤木和人 3),常行真司 3) 2C37 グラファイト表面での原子状水素の吸着挙動（筑波大院数理）○波部太一,石原雅敏,松本健俊,中村潤児 2C38S 遷移金属担持アナターゼ二酸化チタン薄膜のコンビナトリアル創製（1)東工大応セラ研,2)東工大フロンティア, 3)物材機構）○大澤健男 1),松本祐司 2),鯉沼秀臣 1)3) 2C39 TiO2(110)上での Ni クラスターのサブナノ構造の解明（北大触媒セ）○藤川敬介 11 月 10 日（水）Ａ会場午前 9：30∼12：30 ナノスケール物性座長高桑雄二（9：30∼11：00） 3A01 《招待講演》窒素吸着銅表面における自己組織化ナノ構造形成と物性（東大物性研）○小森文夫 3A03 金属ナノ接点の臨界電流密度（1)京大院工,2)京大 IIC）箕輪剛 1),黒川修 2),○酒井明 2) 3A04 Ag ナノ点接触を利用した磁気センサー材料の研究（早大材研）○植野振一郎,六田英治,真下祐一,石川剛,大島忠平 3A05 半導体超薄膜の誘電特性（電通大電子）○中村淳,名取晃子 3A06 BNC リボンの電子物性（電通大電子）○新田敏浩,中村淳,名取晃子座長名取晃子（11：00∼12：30） 3A07Y 電気化学電位による金単原子ワイヤーの構造制御 −x− 3A08Y 3A09 3A10S 3A11S 3A12 （1）北大院理,2）PRESTO-JST）○木口学 1),小西達也 1),三浦進一 1),村越敬 1)2) カーボンナノチューブの熱伝導における普遍的量子化現象（1）東理大理,2）東大院工, 3） CREST-JST）○山本貴博 1)3),渡邉聡 2)3),渡辺一之 1)3) ナノ共振ずり測定法による液晶薄膜の構造化に与える配向・せん断の効果の研究（1）東北大多元研,2）CREST-JST）○水上雅史 1)2),栗原和枝 1)2) 非接触原子間力顕微鏡を用いた‘交換型原子操作’ （1）阪大院工,2)阪大 FRC）○杉本宜昭 1),阿部真之 1),クスタンセオスカル 2),森田清三 1)2) 摩擦力顕微鏡におけるグラファイト表面上の吸着原子効果（1）成蹊大工,2）愛教大物理, 3） PRESTO-JST）○板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)3) 動的モンテカルロ計算法による InAs/GaAs(001)基板上量子ドット形成シミュレーション（鳥取大学工学部）○大島俊輔 − 昼食 12：30∼13：00 − Ａ会場午後 13：00∼17：45 表面ダイナミクス座長松田巌（13：00∼14：15） 3A21 《招待講演》シリコンにおける超高速電子・格子ダイナミクスの観察（物材機構）○北島正弘 3A23 高分解能低速電子線回折による半金属 Bi ナノ薄膜の構造相転移観察（1）東北大金研,2）物材機構, 3） PRESTO-JST） ○柳沼晋 1),長尾忠昭 2)3),Sadowski JerzyT.1),斎藤峯雄 2),藤川安仁 1),櫻井利夫 1) 3A24 Si(001)表面の秩序-無秩序転移の応力効果（物材機構）○矢田雅規,齋藤有紀 3A25Y 反射高速陽電子回折による Si(111)-√3x√3-Ag 表面の低温相転移の研究（原研先端基礎）○深谷有喜,河裾厚男,林和彦,一宮彪彦座長鈴木隆則（14：15∼15：30） 3A26 《論文賞受賞記念講演》 REM-RHEED におけるエネルギー損失分光：Ω フィルターによるエネルギーフィルタリング（東工大院理工）○谷城康眞 3A28S 低温での電子線照射による Si(001)-C(4x2)構造の変化（九大総理工）○白澤徹郎,水野清義,栃原浩 3A29 3A30 Pb または Sn 吸着 Ge(111)-√3x√3 表面構造の低温における 3x3 相転移とそれに伴う電子状態の変化（東大理）○守川春雲,沖野泰之,山崎詩郎,松田巌,長谷川修司 TiC(100)表面に形成した TiO 薄膜の反応性（東工大院理工）○白鳥豊,小澤健一,枝元一之 − 休憩 15：30∼15：45 − 座長小澤健一（15：45∼17：45） 3A32 《技術賞受賞記念講演》 Top Most Surface Studies by Total Reflection Positron Diffraction （1)原研先端基礎, 2)名古屋大工）河裾厚男 1),石本貴幸 1),深谷有喜 1),林和彦 1),一宮彪彦 1)2) 3A34S フェムト秒レーザー照射 GaAs 表面の時間分解 X 線回折測定（東工大応セラ研）○岡野靖久,弘中陽一郎,岸村浩明,森下裕人,近藤建一,中村一隆 3A35 In situ second-harmonic generation study of the structural transformation on Ag/Si(111) （1)理化学研究所,2)埼玉大学）○Deng Dongmei1)2),鈴木隆則 1) 3A36 第一原理計算と動的モンテカルロ法による InAs/GaAs(001)成長シミュレーション（1)鳥取大学,2)理研）○藤原勝敏 1),大島俊輔 1),石井晃 1),戎崎俊一 2) 3A37 Cu(110)表面でのコハク酸の吸着構造（物材機構）○柳生進二郎,吉武道子,知京豊裕 −xi− 3A38 3A39 ベーマイト表面の焼成によるリン酸イオンの吸・脱着特性（1)富田製薬,2)近畿大薬）○樺山峰明 1),川崎直人 2),中村武夫 2),棚田成紀 2) オカラ由来炭素材料による水分吸・脱着挙動（1)近畿大薬,2)富田製薬）○川崎直人 1),中村武夫 1),棚田成紀 1),樺山峰明 2) 11 月 10 日（水）Ｂ会場午前 9：30∼12：00 ナノ材料科学座長村越敬（9：30∼10：45） 3B01 DNA との結合によるポルフィリン配向体の特性（1)阪大産研,2)(株)荏原総合研究所）○高東智佳子 1)2),松本卓也 1),川合知二 1),武田収功 3B02 ヒドロキシアパタイト-ヒアルロン酸ナノ複合ゾルのミクロ界面特性とゲル化（1)慶大院理工,2)物材機構）○石川由布子 1),生駒俊之 2),田中順三 2),仙名保 1) 3B03 《招待講演》自己組織性ナノワイヤーのデザインと溶液化学（九大院工）○君塚信夫 3B05 テンプレートを用いないコバルトナノワイヤーの新規一段合成（千葉大院自然）○櫃岡祥之,星野勝義座長荻野俊郎（10：45∼12：00） 3B06S STM 探針による C60 分子の局所重合および脱重合（1）物材機構,2）阪大院工,3）筑波大院,4）ICORP-JST）○中谷真人 1)2),塚本茂 1),中山知信 1)3)4),青野正和 1)2)4) 3B07 STM 探針による C60 重合・脱重合過程の第一原理計算（1）物材機構,2）阪大工, 3）ICORP-JST,4)筑波大）○塚本茂 1),中谷真人 1)2),中山知信 1)3)4),青野正和 1)2)3) 3B08 カーボンナノチューブ合成の速度論的解析（1）筑波大院数理,2)分子研）○倪磊 1),黒田圭児 1),松本健俊 2),中村潤児 1) 3B09 単一単層カーボンナノチューブの電子状態の電気化学制御（1）北大院理,2）PRESTO-JST）○村越敬 1)2),岡崎健一 1)2) 3B10Y 孤立単層カーボンナノチューブの垂直成長と評価（1）NTT 物性基礎研,2）東京理科大, 3）CREST-JST）○高木大輔 3),小林慶裕 1),本間芳和 2)3),鈴木哲 1) − 昼食 12：00∼13：00 − Ｂ会場午後 13：00∼16：30 薄膜成長／ナノ構造作製・評価座長久保利隆（13：00∼14：45） 3B21 ナノインデンテーション法による薄膜材料の降伏強度の評価（日産アーク）○清水悟史,児嶋伸夫,叶際平 3B22 ナノインデンテーション法による low-k 膜の弾性率/硬さの高温評価（日産アーク）○児嶋伸夫,清水悟史,叶際平 3B23 銀デンドライトにおける表面増強ラマン散乱（1)日電・基礎環境研,2)早大・ナノテク研, 3)産総研）○柳沢雅広 1),斉藤美紀子 2),大橋啓之 1),中山景次 3) 3B24 変位電流評価法と多重内部反射型赤外分光法で調べた有機半導体薄膜のドーピング効果（1）東北大通研,2）CREST-JST）○内城竜生 1)2),小川賢 1)2),木村康男 1)2),石井久夫 1)2),庭野道夫 1)2) 3B25 Si(111)上に形成した BN 超薄膜の電子構造（原研）○下山巖,馬場祐治,関口哲弘 3B26Y 走査型トンネル顕微鏡及び表面 X 線散乱法による Au(111)上に形成した Ag 超薄膜の塩素化反応のその場追跡（1)北大院理,2)お茶大理, 3)原研関西研） ○高草木達 1),森田潤 1),勝崎友子 1),近藤敏啓 2),田村和久 3),高橋正光 3),水木純一郎 3),魚崎浩平 1) −xii− 3B27 Si(001)上への SiC ナノドット形成過程での表面構造変化 − 休憩（長岡技大電気系）○原島正幸 14：45∼15：00 − 座長庭野道夫（15：00∼16：30） 3B29 モノメチルシランを用いた Si(001)上 Si1-yCy エピタキシの成長素過程（東北大学際センター）○今野篤史,村田威史,末光眞希 3B30 Hot-Mesh CVD 法による Si 熱酸化膜上への(100)配向 3C-SiC 成長（1)長岡技科大院工電気,2)東北大学際科学高等研） ○栗本大詩 1),江藤淳平 1),成田克 1)2),安井寛治 1),末光眞希 2),赤羽正志 1) 3B31 大気圧ハライド気相成長法による Cu2O 薄膜の作製と評価（静岡大工）○小林弘季,高橋直行,中村高遠 3B32 ポリ(3-メチルチオフェン)ハイブリッド膜の形成と物性（千葉大院自然）○原田怜,宮崎智史,星野勝義 3B33 PLD 法によるタンパク質系薄膜の基板との相互作用と微構造制御（1)慶應大,2)奈良機械製作所）○中山三佑里 1),永禮三四郎 2)1),仙名保 1) 3B34 ナノ磁性結晶のドメイン制御技術（産総研）○久保利隆,野副尚一 11 月 10 日（水）Ｃ会場午前 9：30∼12：15 表面反応/触媒作用座長国森公夫（9：30∼11：00） 3C01 酸化物エピタキシーによる光触媒の精密設計とメゾスコピック反応解析（1）東工大フロンティア, 2）東工大応セラ研, 3）COMET-NIMS, 4） CREST-JST） ○松本祐司 1)2),大沢健男 2),鯉沼秀臣 2)3)4) 3C02S ホールによる二酸化チタン表面の電子状態変化（千葉大院自然）○梶田晴司 3C03 スパッタリング法により作成した TiO2 薄膜の光触媒活性（上智大理工）○小野),田野倉敦,市川能也,坂間弘 3C04 （東大院理）○有賀寛子,生井勝康,岩澤康裕 TiO2(001)表面上の可視光誘起反応過程のＳＴＭ観察 3C05 《奨励賞受賞記念講演》時間分解赤外分光法を用いた二酸化チタン光触媒反応中間体の観察（KAST）○山方啓座長松本健俊（11：00∼12：15） 3C07S 偏光全反射蛍光 XAFS を用いた TiO2(110)上の Ni 初期吸着サイトの検討（1)北大触媒セ,2)山梨大院医学工学総合研究部, 3)CREST-JST, 4)東大院理） ○小池祐一郎 1),藤川敬介 1),居島薫 2),田旺帝 1)3),朝倉清高 1),岩澤康裕 4) 3C08 Surface-nitrogen removal in NO decomposition on Pd(110);Angular distribution studies （北大触媒セ）○馬運生,松島龍夫 3C09 Pd(311)表面上の NO の吸着と分解（産総研）○折田秀夫,中村功,濱田秀昭,藤谷忠博 3C10S Pd 単結晶上における CO+NO 反応-生成励起 CO2 分子の振動・回転状態（筑波大院数理）○中尾憲治,伊藤伸一,冨重圭一,国森公夫 3C11 TiO2(110)表面上でのギ酸分解反応過程の in-situ STM 観察（1)東大院理,2)産総研, 3)東大院新領域） ○相澤正樹 1),高橋一徹 1),森川良忠 2),生井勝康 1),佐々木岳彦 3),岩澤康裕 1) − 昼食 12：15∼13：00 − Ｃ会場午後 13：00∼17：45 −xiii− 表面反応／触媒作用座長松島龍夫（13：00∼14：15） 3C21 単結晶 Si 表面への Pd 錯体触媒の高密度固定化とアルコール酸素酸化への応用（1）北大院理,2）PRESTO-JST） ○原賢二 1),田山忍 1),鹿野秀和 1),増田卓也 1),高草木達 1),近藤敏啓 1),魚崎浩平 1),澤村正也 1)2) 3C22 Rh(111)表面における低温での N2O 生成過程（東大院理）○中井郁代,近藤寛,島田透,長坂将成,横田玲夫奈,太田俊明 3C23S Co2/Al2O3 触媒上における新規 NO-CO 反応過程の理論的解明（1)東大院理,2)東大院新領域, 3)阪大産研） ○谷池俊明 1),唯美津木 1),佐々木岳彦 2),森川良忠 3),岩澤康裕 1) 3C24S Fe ゼオライト触媒による N2O 選択還元反応-発生期酸素によるメタンの活性化（1）筑波大院数理,2)筑波大理工）○信川健 1),野口義雄 2),菅原康 1),伊藤伸一 1),冨重圭一 1),国森公夫 1) 3C25S 炭素堆積担持 Pt 微粒子系の PtL2-edge XANES 解析（1)千葉大院自然,2)島根大総理工, 3)東大院理,4)北大触媒セ） ○大南賢亮 1),宇野奏絵 1),藤川高志 1),久保田岳志 2),金崎真吾 3),朝倉清高 4),岩澤康裕 3) 座長松本祐司（14：15∼15：45） 3C26 Ni(111)上に H2S の解離で生成するひも状吸着物質（筑波大院数理）○北田暁彦,平島秀水,松本健俊,中村潤児 3C27 CeOx/Pd(111)上の CO-H2 反応に関する研究（宇都宮大学大学院）○大貫良太 3C28S 時間分解 NEXAFS とモンテカルロ法による Pt(111)上の水生成反応の反応機構の解明（東大院理）○長坂将成,近藤寛,雨宮健太,南部英,中井郁代,島田透,太田俊明 3C29 高分散 Co 触媒上のクロトンアルデヒドの選択的水素化反応（長岡技大工）○早瀬広志,西山洋,斉藤信雄,井上泰宣 3C30 カーボンナノチューブ表面での金属触媒の担持状態（筑波大院数理）○田崎保徳,山崎貴久,長嶋裕次,松本健俊,中村潤児 3C31 金属ナノ粒子によるグラファイト表面の掘削現象（信大院工）○貫井啓介,小西俊介,松瀬丈浩,杉本渉,村上泰,高須芳雄 − 休憩 15：45∼16：00 − ナノスケール分析手法座長長谷川幸雄（16：00∼17：45） 3C33 TiO2(110)表面光電流の波長およびサイト依存性（山梨大院医工）○小宮山政晴,李艶君 3C34 超高真空応力歪場環境原子分解能 2 探針走査プローブ顕微鏡の開発（物材機構）○藤田大介,大西桂子,北原昌代,鷺坂恵介 3C35 Observation of topography and potential distributions of Si(111)surface using nc-AFM And SKPM in ultrahigh vacuum （1)産総研,2)東工大院理工）○shamimmd.mirza1),塩田忠 2),中山景次 1) 3C36S 絶縁体表面上に形成した DNA・微粒子複合体の周波数モード局所ポテンシャル測定（1)阪大産研,2)JST, 3)キヤノン） ○山田郁彦 1),高木昭彦 2),日下貴生 3)1),松本卓也 1)2),田中秀和 1)2),川合知二 1)2) 3C37S イオン性界面活性剤水溶液中におけるポリスチレン粒子の表面力挙動 (都立大)○最上理映,藤井政俊,加藤直 3C38 X 線マイクロビームと AFM による微小部表面分析装置（1)阪市大院工,2)ユニソク）○辻幸一 1),江本哲也 1),宮武優 2),長村俊彦 2) 3C39 ＡＦＭによるＮａＣｌ結晶表面の溶解過程と安定化の研究（1)中央大院理工,2)中央大理工研）○狩野弥 1),新藤斎 2) −xiv−