度値を生じ， かなり高い値である. 本案では基本制限
電場・磁場および電磁場
の許容基準の提案理由
値(最大許容値 〉に対して約30 倍の安全率を採って
いるので特に問題はないが，200 m Tの静磁場でもそ
1998(H. 10)年
の誘導電流値は考慮に値し，許容値の上限は無制限に
はあげられないと考えられる.
1. 静磁場
b) K o li n の式( v=μHdv10- 8[volt] ) 7) によれば，
1) 定義
200mTの静磁場によって大動脈弓の両端に誘導され
0-0. 2 5 Hz以下の磁場を指す.
る電圧は約4m V となってさほど小さいとはいえな
2 ) 測定法
測定は ベ クトルの最大値を採る(3 軸を備えたプロー
いが， 体外から記録する心電図では約 1/20 に減少し
プでは，最大値 = -./X2 +y2 +Z2 が 1回の測定で得ら
て記録される. しかし， この電位は心機能には特に影
れる) .
響 を与えない.
3 ) 発生源としての主な装置・作業
5 ) 留意
点
M RI， 電解装置，励磁装置， 粒子加 速器， 直流発
①多くの心臓ペース メーカ(18社 1200 以上の製品
電機， 泡箱， アイソトープ分離 装置，超電導磁気浮上
の87%) は5m T以下で影響を受けたの. 本邦の調査
式鉄道，超 電導推進船，熔融炉制御，核融合実験装置，
報告ではペ ース メーカに影響を与える最低の磁束密度
磁気流体発電， 海底電線敷設など
は 1.1
m Tであったの. その他， 電気で作動する体内
埋め込み装置や強 磁性体を用いた 装置・部品もmT
4 ) 許容値
四肢への安全率を2.5 とする.
のオ ーダーで影響を受けるので， これらの医療機器装
また， 最大許容値 へ
の曝露は1 時間以内とする.
着者は強磁場に近寄らない注 意が必要である. 本邦で
I室外への漏洩磁束密
は，M RI の設置におけるM R
許容値
頭部・躯幹
四肢
。
1 200mT
(1.63XI04Am-1)
I
500 mT
度を0.5m T以下に抑えるシールドを設計の 目安とし
ている.
② 3mTを超 える場所では金属片が磁石に向かつ
て飛ぶ可能性があるので， 酸素ボン ベ，医用の メス な
5 ) 設定の根拠
①ヒトの曝露例
ど殊に事前の注 意 ・検討が必要である.
加 速器の泡箱やサイ クロトロンの調整で 2 Tの静磁
場に曝露される機会は物理学者には珍しくなく，196 2
2 . 低周波の時間変動電場・磁場
1) 定義と生物学的効果
年にアンケ ートで天井値として 2 Tには耐えられる，
特に問題はなさそうだとの報告がある1.) 4 TのM RI
る装置の多くは電場と磁場の比(インピーダンス ) が
試作機でボラン ティアを使って全身を曝露させた実験
一定せず電場と磁場が混在した状態である. 生体への
では， 磁場内で頭を動かすと目舷， 悪心， 舌の金属味
効果は主として体内に生じた誘導電流による.
0.2 5 Hz-100 kHz以下の電磁場で， 産業に応用され
神経や
があったが， 臨床的な不具合はなかったの. Marsh
筋の刺激がもっとも著明であり， この効果を規制の基
らが電解工業の3 20 人を調査した報告のでは， 白血球
準としている. 1 Hz以下の電場には許容値 を設けな
像の正常範囲のわずかなずれ以外に特に問題となる所
2 ) 発 生源としての主な装置・事業
見は見出されなかった.
②動物実験の例
商用発電・変電・送電， 工業用動力， 交流交通機関，
電気溶接， パルス 磁場生体刺激装置， EP I( e c h o p a
l
3 - 5 Tの強磁場へ 2 日の曝露ではマウス は動 きが
nar mage
i
r ) ，金属熔融炉， 金属加工など
少なく，餌水の摂取が少なくl時 的な体重の減少が
認められた4) ショウジョウパエの0.6T 静磁場への
r s実効値，1日作業時間の平均値，f は
3 ) 許容値(m
24 時間曝露では，DN A損傷修復欠損株では体細胞異
頭書の周波数)
常による雄r{エの減少があったが， 正常のハエで、は認
周波数
められなかったの. さらにこのDN A損傷修復欠損株
0.25-1.0 Hz
を用いた試験で，5T へ24 時間の曝露で w i ng sp ot
1.0-25 Hz
test( 麹の細胞の変異の組替え率を見る試験) で同じ
く修復欠損株では組替え率が増えるが， 正常のハエで
は変化がなかったの.
25-500 Hz
500-814 Hz
0.814-60 kHz
③電磁気理論から
a) 磁場内で誘導される渦電流密度の推定式(J=Bf
60-100 kHz
電
場
20 k Vm-1
磁束密度
磁場強度
50/t [mTJ 4.08x 103/t[Am-1J
500/t [kVm-1J
614 Vm-1
0.1 mT
81.4 [Am一1J
6/t [mTJ
4800/t [Am-1J
πr σ) から，200m T の静磁場で0 .2m を 1秒で往
電場・磁場とも， 許容値は基本制限値 の 1/3 に設
復する動きを考えると，Jの値 は 12.6m Am-2( 磁束
定されている(後述) ので， こ れらの値の 3 倍 を最
r
密度; B=0.2 ， 周波数 ; f= 1， 動いた距離の半分; ニ
0.1， 伝導度; σ=0 .2 ) となる.
大許容値と考えることができるが曝露は短時間である
こ れは 1 Hz の変動
磁場の許容磁束密度50m T( 後述) の4 倍の電流密
こと.
4 ) 設定の根拠
-98-
。
Hzまでを 614 Vm-1とする.
814Hz以上10 k
i o及びi nv i tro実験で，低周波域では100 ① i nv v
1000
形状
要因とし 中間的な N RPB の 6.7x 1O-9SHz-1m-1を
mAm-2の電流密度で末梢及び枢
中
神経 系を 刺
採用すると，50 Hz(10kVm -1) における心臓部の誘
激できることが知られている10) したがって，許容値
は人体内にこの電流密度の1 /10 (基本制限値) を 生
導電流値は 3. 3 mAm-2と推定され，本案は基本制 限
じさせる時間変動電場・磁場のレベル以下であるよう
値の約1 /3 ，こ抑えている.
な電場・磁場の強度である. 本案は，4 ) -③・④の
度の時間変化率は， 臨床で用いる M RI のエコープレ
導入法に示すように基本制限値のさらに 3 分のlの
ナ一法の非規制帯域と規制帯域の境界である 20T /
S19)の200分のlに相当する.
誘導電流値を得るレベルに設定している.
また， パル
な お本案における磁束密
④時間変動磁場許容値の導入法
ス間隔が tp のパルス 磁場の場合は， 周波数を f= l/
単純な体内誘導回路モデルで、は生体に誘導される渦
(2 tp) で近似する. (fは頭書の周波数)
電流密度(J; rms) は， 電磁誘導の法則から J = Bf
基本制限値表
周波数範囲
誘導電流密度[rnArn-2]
0.25-1.0 Hz
1.0-4.0 Hz
40 (ただし，電場はなし)
40/f (周波数)
4.0 Hz-1 kHz
10
1.0-100 kHz
f!100
[Am-2J で表される. B は磁東密度，f は周 波
πrσ
数 ， rは磁場に結合する生体の半径， aは生体の電 導
度である. σ は生体組織によって異なり，脂肪・筋肉・
骨・神経 等違った値であるが， モデルでは均一と考え
てを 多くの案では0. 2[S m-1J とおく. rは扱う局所・
器官によって異なるが， 頭部では0.075[mJ， 躯幹で
む
は0.1 ないし0. 2 とおかれる.
②電導体に誘導されそこから流れる接触電流が次に
示すレベ、ル以下であること.
を 基本制限値の10 mAm-2， rを0.1 ，σ を0 . 2 とおく
この値は， 低周波域では
[m
TJ がえられる.
と，B =1 59. 2 /f
痛みを感じる限界値である11)
2.5 kHzまで
1.0
2.5-100 kHz
0.4 f
TJを 採用する.
までB =50 /f[m
5 ) 留意点
①白血病や脳腫療と電磁場との関係については， 現
③時間変動電場許容値の導入法
時点では確認されていないとみられこの立場を 採る公
電場によって誘導される電流の大きさに関わる大き
- 3) 本案はこれらの疾病の防護のた
的 機関は多い17，202
めの許容値設定とはなっていない.
な要因は次の 3点とされる12) すなわち，①導体の形，
②心臓ペースメーカは 2 極モードではリード線に
②体内の標的器官の位置と向き，③電場に対する体位
の取り方である.
誘導される170 μAの電流を感知し， 単極モードで
この電場に対する標的臓器の位置と
形は一般的なモデルの形状要因kとして，J = kfE に
は更に低い電流値で機能異常あるいはノイズ逆転モー
よって誘導電流が推定されている. k の単位は [S
Hz-1m -1J，fは周波数， E は電場強度[Vm-1; rms J
ドとなる. この値は通常の生活でも遭遇しうるとされ
である.
くコ
本案では，基本
制限値の約1/ 3 に抑えるために，0. 2 5Hzから 500Hz
電流値 [rnA]
周波数
商用周波数帯において，J
る却ので， 産業現場ではここ に示した許容値以下で起
DI N / VDE-89 13)は，Be rn a
h rd t の理論的な
こる可能性がある.
モデルの総説1
4を
) 参考にして頭と心臓部分の k の値
③良導体の金属はこの範囲の周波数で誘導される電
として 3x 10-9SHz-1m -1 を 与 えて い る . その後
Di mbylow15 が食塩水を満たした人体モデ、ルから評価
流の ジュール熱によって，思わぬ高温度まで上昇する
可能性がある. 人工関節・骨 頭・聴覚器など比較的大
する手法を 示し， C E N E LEC16) はこの結果から心臓
きな金属の体内装置の埋め込み術を 受けている人は注
部分の形状要因を 6.7x1O-9SHz-1m-1とした.
意 が必要である.
また，
N RPB17)は頚部に誘導される電流を 最大と見て， こ
3.
50Hzで電場[Vm-1J あたり0.48 X10- 6Am -2 とし
0.1 MHzから 300 GHz以下の放送波( 電波 〉であ
る. このうち，300 MHzから 300 GHzの範囲をマイ
ている. こ れは，形状要因として9. 6x10 -9SHz-1m-1
を採用したことになる.
電磁場(300 GHz以下 )
1 ) 定義， 測定および生物学的効果
の外部電場と頚部に誘導される推定電流値との関係を
クロ波(主な利用域は900 MHz-100 GHz) と呼ぶ.
このように，電場に対する体
十分な遠方界(波源の[波長J /2π より遠方〉では，
位の取り方と標的器官の位置や形状によって推定電流
値が大きく異なる. Be rn a
h rd t18) によれば， モデル
[電場 J/[電場J = 377Qが 成り立つので電場ある い は
の取り方でこの値の違いは30倍にも達するといい，
磁場の測定のみで環境評価が可能であるが， 測定は以
一律には論じがたい面がある.
下の文献25，26)等による正確な手法による必要がある.
電場の参考レベル も磁
場の場合と同じくかなりの幅があると考えてよいので
通信以外に工業用としての応用は， 発生源に近く周囲
ある.
の金属が磁場や電場に影響を 与えるので前述の式が成
本案では， 周波数に応じた電場強度許容値として 5
x10 5/f
[Vm -1J を提案する.
り立たない.
電場は磁場に比べると
主であるが，周波数の低い領域では誘導電流の効果も
界の容積( bulk) が 大きいので全身を 対象の参考レ
ベルとする.
ある.
4 Vm -1J，
ただし，2 5Hz以下を 2x10 [
-
生体への影響は誘電加熱による熱効果が
2 ) 発生源としての主な装置
99
-
誘導加熱装置( 金属加工， 熔融など) ， 工業用誘電
器はこれより出力が大きく， 5 V/ m の範囲は携帯電
話 で 0.5 - 1 m， 警察無線 で7 - 9 m， 救急車無線 で5 6 rn 以内などとなっている33 ) 人体はこれらの 機器 の
加熱装置( 高周波ウェ ルダー， マイクロ波加熱装置) ，
R F励起 アーク熔接， 通信装置・施 設 ( 携帯電話 ， 自
動車無線 ， マイクロ波電話回線 ， 衛星通信， 各種無線
20 - 3 0倍のイミュニティ( 耐性) を 持つ とみられ る.
基地， 航空管制 ， 軍事通信， 各種レーダーなど) ， 医
療機器 ( 短波・超短波ディア テ ル ミー ， 医用テレメー
I など〉
タ， M R
4 . 主な許容値との比較
別表 を 参照.
3 ) 許容値 ( rms実効値 ， 1日作業時間の平均値 ， fは
100000
頭書の周波数)
4 ) 設定の根拠
①頭部・躯幹の誘導及び接触電流密度が次に示す値
10000
以下であること.
誘導電流密度(rms) I 接触電流密度(rms)
周波数
I
100 kHz-10 MHz
f!100 [ mAm -2J
E
\、
40 [ mAJ
② 6 分あたりの S AR(比吸収率) が次に 示すレベ
ル以下で、あること. 局所 の S AR は同質 の 組織 10 g
の平均値とする. 10 G Hz以上では ， 身体の深部へ到
達し にくく体表面 のパワーが高 く な る の で ，
ミ
と1000
，
騨
100
。
68 /
( GHz) 1.05)分あたりの20 c m2 の平均 電力密度を 5 0
10
W m-2以下とする.
1.E-02
周波数
1.E+00
1.E+02
1.E+04
1目E+06
周波数(Hz)
1.E+08
1.E+10
1.E+12
図1. 電場の許容値
100 kHz-10 GHz
1000
S AR は ， 1 0 M Hz以上 では S AR= σE�/ ρまたは
100
S AR= CiXdT/ dt で 求められるが， S ARは均一な密
度ではなく， 一般的にモデリングは容易 ではない.
こ
ヘ
10
こで， Eiは体内 の電場強度( V/ m) ， σ は伝導度( S/
m) ， ρは 組織の密度 (kg・m3 ) ， Ciは 組織の熱容量
(]/kg OC) ，
トーー
戸
1
E
\
住単 一
髄 山
帳
種 。01
dT/ dt は体温の変化率 (OC/ s) である.
1 0M Hz以下の周波数では ， 誘導電流密度(]) も考
慮して S AR=J2jρu の値を 加味する必要がある27)
\
0.001
5 ) 留意点
①ここで 扱うような微弱な高周波電磁場の 生 体へ の
0.0001
作用は， 現時点 では誘導電流および誘電加熱による効
果 以外は必ずしも明確 ではないとみられ る283- 0)
1.E-02
③ EM C ( el ectr ornagn eti c co mp atib i l i t y) を 防ぐ
ため の IEC ( Int ern ational El ectrot echn ical Com-
文
mi si on) の医用機器の基準は ， 26 -1 000 M Hz で 3 V/
mの電場強度に耐えられること (IEC S tan dard 6 01 -
周波数
電
場
3.0-30 MHz
1842/f [ Vm-1J
30-400 MHz
1.E+02
1.E+04
1.E+06
周波数(Hz)
1.E+08
1.E+ 10
1.E+ 12
献
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し かし ， 実際 の通信機
614 Vm -1
1.E+00
磁場の許容値
図2.
心臓ペースメーカへの影響のある場合があることが報
，
告されている3132)
0.1-3.0 MHz
。
0.00001
②携帯電話の出力はおおむねこの規制値より低いが，
1 -2; 1993 ) となっている.
一
回目'
磁束密度
posure to
whole-body
four-tesla
magnetic
fields
during MRI. Ann N Y Acad Sci 1992; 649: 285-301.
磁場強度
電力密度
6/f μ
[ TJ
4.88/f [Am-IJ
61.4 Vm -1
0.2μT
0.163 Am- 1
10 Wm-2
400-2000 MHz
3.07 fO.5Vm-1
5
0.01 fO・μT
8.14 fO.5 mAm -1
f!40[Wm-2J
2-300 GHz
137 Vm-1
0.447μT
0.364 Am-1
50 Wm -2
frequency
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-10 1 -
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別
表:主な規制値との比較
電 場
ACGIH'97 ( 34 )
周波数
電 場
磁 場
I
電力密度
電 場
磁 場
電力密度
電 場
0-0.1
Hz
0.1-0.23
Hz
4-8
Hz
・
電 磁
磁 場
電力密度
1.4 T[ ]
60 [m T]
0.25-0.4
Hz
1-4
Hz
磁 場
2 T[ ]
0.23-0.25
Hz
0.4-1
Hz
・
C EN EL EC '95 (16， 27 )
C NIRP '98 (23 )
200
[m T]
20000
V
[ /m]
25 k[ V/m]
30 k[ V/m ]
8-24
Hz
24-25
Hz
2 5/f
[m T]
60/f [m T]
25-50
Hz
320f
/
[m T ]
50-100
Hz
100-150
Hz
150-250
Hz
500 /k f
[V/m]
250-300
Hz
300-500
Hz
500-600
Hz
600-814
Hz
8 14-820
Hz
8 0/f
m[ T ]
25 /k f
[μ T]
1500f
/
k[ V/m]
2.5 × 16
0f
/
[ /m ]
V
。
8 20-1000
Hz
1000-1500
Hz
0.2 [m T]
k
z
1.5-3H
3-4H
k
z
4-10H
k
z
10-30H
k
z
lk[ V!m ]
625
[V/m]
163
[A/m]
30.7
[μT ]
30・・38H
k
z
610
V
[ /m ]
38-60H
k
z
1000 [V/m ]
0.053 [m T ]
42 A
[ /m ]
60-61H
k
z
61-65H
k
z
65-100H
k
z
100-535H
k
z
614
[V/m]
535-600H
k
z
0.6-1 H
M
z
1-3 H
M
z
3-10 H
M
z
10-12 H
M
z
12-30 H
M
z
30-100 MHz
100-200 MHz
200-300 MHz
614 /M f
[V/m ]
1.6 /Mf
[A/ m]
18 42 /M f
[V/ m]
61.4
[V/m]
16.3 /M f
[ /m]
A
0.163
[A/m ]
1.6/M f A
[ /m ]
610 /M f
[V/m ]
10 [W /m ]
2
61 V
[ /m]
0.16 [A/m]
10 [W /m ]
2
61.4 [V/m]
3xM fO.5
V
[ /m ]
0.008 X Mfo.5
[A/m]
M f/ 40
fd ]
W
[
3.07xM fO.5
[V/m ]
137
V
[ /m ]
0.36
[A/m]
50
[W /m ]
2
0.16 [A/m]
10 [W /m ]
2
300-400 MHz
400-800 MHz
0.8 -1.55H
G
z
1.55-2H
G
z
M f/ 30
[W /m ]
2
8.14 x 10
[A/m ]
-3Mfo.5
M f/ 40
[W /m 2 ]
2-3H
G
z
3-15H
G
z
15-150H
G
z
150-300GH z
1 00
[W /m ]
2
G
z
k
，z M f=MHz， G f= H
注:各案の括弧内は文献#，f=H，z k f= H
137 [V/m]
0.354X fO.5
[V/m]
( L im its )
-
10 2
-
0.364 A
[ /m ]
9.4x 10
[A/m ]
-4Mfo.5
50 [W /m ]
2
3.33 × 104 M f
W
[ /m ]
2
。
場 規 制 値 の 比 較
磁 場
郵政省'90 (25 )
ANSI/IEEE '92 (26 )
NRPB・93 (17)
電 場
電力密度
電力密度
磁 場
電 場
電 場
磁 場
日本産業衛生学会羽
電力密度
電 場
200 m
[ T]
25 k[ V/m]
600/k f
[V/m]
磁東密度
磁場強度
200 [mT]
1.63x1Q4
[A!m]
50/f [mT]
4.08 × 103f
/
[ /m]
A
O.l[mT]
81.4 A
[ !m]
6/M f
[μT]
4.8 8 /M f
A
[ !m]
0.2 μ
[ T]
0.163 A
[ /m]
10 [W /m2 ]
8 .14x 10-3 X (uf)O.5
A
[ /m]
M f /40
[ W /m2 ]
0.364[A/m]
50 [W /m2 ]
電力密度
20 k[ V/m]
8 0/f [mT]
500
f k[ V/m]
C
1000
[V/m]
163 A
[ !m]
0.08 [mT]
610
[V/m]
0.2
m
[ T]
614 [V/m]
614 [V/m]
600/k f
[V/m]
む
50 V
[ /m]
0.023/ M f 2
m
[ T]
0.13 [A!m]
6.6 [W /m2]
250xG f
[V/m]
0.66xG f
[A /m]
165 × (G f ) 2
W
[ /m2 ]
[ /m)
1Q0 V
0.26 A
[ /m]
26 [W/m2]
125xG f
[V/m]
194 [V/m]
0.33xG f
A
[ !m]
0.52 [A/m]
41X (G f ) 2
100 [W/m2 ]
4.9/ M f
A
[ /m]
610
[V/m]
20 / M f
[ μ T]
18 00 / M f
[V/m]
20/M f
U T]
61 [V/m]
20/M f [μ T]
61
[V/m]
0.2
μ
[ T]
3.5xM f
[V/m]
190
[V/m]
.o 5
0.012xM f
[μT]
0.65
[μT]
18 42 /M f
V
[ /m]
18 42 /M f
V
[ /m]
o.5
M f/ 30
W
[ /m2 ]
100
W
[ /d ]
61.4 V
[ /m]
0.163 A
[ !m]
10 [W /m2 ]
3.54xM f 2
[V/m]
(M f ) 0.5 / 106
[A!m]
M
/ 30
F z
W
[ /m ]
137[V/m]
0.S65 A
[ !m]
50 [W /m2 ]
( C ontrolled environmentsma xm
i um permissible exposure)
61.4 [V/m]
3.07x (M f ) 0.5 0.01x (M f ) 0.5
[μ T]
V
[ /m]
137[V/m]
0.447[JLT]
(Occupati on a l Exposure L imit-M ea n )
(産衛誌40巻187頁)
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10 3
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