吸収電流像が観察できます。

SEI / AEI 観察系機器構成概略
デジタルスキャンユニット (SEI/AEI 観察)
静電型偏向アンプ
Scan signal
Blanking signal
既設イオン銃､電子銃
SEI signal
AEI signal
加速電源
オシロスコープ
(ラインプロファイル観測時 signal 分岐)
初段レンズ集束系
SEI コントローラー
ブランキングパルス
対物レンズ電源
偏向電極
Sample
AEIアンプ
吸収電流 (AEI)
二次電子 (SEI)
二次電子検出器
Scanning
Scan signal
Blanking signal
既設､電子銃 or イオン銃
AEI signal
Scanning
1. 概要
このシステムは走査像表示機能を有していないさまざまな機種の電子銃やイオン銃の偏向電極に走査信号を入力しサンプルに
吸収される電流から吸収電流像(AEI)を得るシステムです。
PC 上で走査像が観察可能であり試料位置の確認や照射位置及びレンズフォーカス等の調整をモニターを見ながら行うことが
できます。
2. 特
2-1
2-2
2-3
2-4
2-5
2-6
徴
静電型偏向電極が付いているあらゆる機種に増設可能 (磁界偏向型にも対応可)
特に二次電子が発生しにくい試料また二次電子が発生しにくい低加速の場合の観察に吸収電流像が有効です。
試料台又は基盤ホルダーがフローティングしており試料電流が安定して測定可能であれば走査像(吸収電流像)が得られます。
セレクトエリアスキャン機能によりビーム照射範囲を矩形で設定可能でありビームの局所選択照射､エッチングが可能です。
電子ビーム､イオンビーム両用型
X,Y スキャンに同期したブランキング信号(TTL-5V 負論理)を出力しておりオプションでブランキングアンプを増設すること
によりビームブランキングが可能
2-7 取得した走査像は 8Bit(BMP, TIFF, PNG, JPEG)、12Bit(RAW)で保存可能
3. 機器構成
3-1. UPS-2000_DAC (PC 本体一式 + PCI ビデオボード+ AD/DA インターフェース + ケーブル付属)
3-2. 偏向アンプ
(走査倍率調整､イメージシフト付) 専用 DC 電源付属
3-3. AEI アンプ
(吸収電流像用アンプ) 専用 DC 電源付属 (ブランキングアンプはオプション)
4. 概略仕様
１）走査出力信号
① 走査出力範囲
② 走査ライン数
③ 水平走査速度
④ 走査同期信号
２）ビデオ取込信号
① 信号範囲
② 画像取込階調
③ 画像表示サイズ
④ 画面表示輝線
: ±5V ～ ±10V（X,Y 共任意設定可）
： Rapid=330、Medium=1000、Slow =2000 本の３種類
： Rapid＝1.2mS、2mS、5mS、10mS/Line
Medium＝2mS、5mS、10mS、20mSe/Line
Slow ＝5mS、10mS、20mS、40mSe/Line
： XY ﾌﾞﾗﾝｷﾝｸﾞ（TTL-5V、10mA ｼﾝｸ電流、負論理＝"0"ﾌﾞﾗﾝｷﾝｸﾞ）
：
：
：
：
0～±10Vmax 4 レンジ（UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可）
8Bit、12Bit
横長 4:3、縦長 3:4、正方形（UPS2000DAC 取込ソフトにて選択可）
水平走査速度に自動リンク
３）その他の機能
① 画像データ保存書式
② 輝度・明るさ調整機能
③ 画像アスペクト比設定
④ ボードサイズ
⑤ 消費電力
：
：
：
：
：
8Bit(BMP,TIFF,PNG,JPEG 書式)、12Bit（RAW 書式）
Gain Bias 内部設定 (UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可)
DAC 出力電圧にて設定 (UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可)
99(H)mm×175(L)mm（PCI バス対応）
DC5V/1.0A
４）P.C
①
②
③
⑤
：
：
：
：
Windows XP（Vista モデルには対応していません）
PC/AT 互換機 CPU_1.5GHz 以上
512Mbyte 以上
19 インチ TFT
対応ＯＳ
コンピュータ
メモリサイズ
モニター
５）偏向アンプ仕様
① 出力電圧
② 応答周波数
③ 最大視野
④ サイズ
：
：
：
：
X,Y 4 極 ±300Vmax
3～5KHz
×10 ～ (WD により異なります。)
480(W)×100(H)×570(D) JIS 規格
６）AEI アンプ仕様
① 入力ゲイン切替
② ブライトネス
③ コントラスト
④ 映像反転
：
：
：
：
ロータリースイッチ 6 段切替
10 回転ポテンショメーターにて可変
10 回転ポテンショメーターにて可変
スイッチにてネガポジ反転切替
5. AEI 像サンプル (TEM シートメッシュ 50mesh 観察)
電子銃_1kev_20nA_X750
電子銃_1kev_20nA_X2000
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(有)アンシス
担当宇多
〒311-4161
茨城県水戸市全隈町 28-2
Tel 029-309-5040
Fax 029-309-5041
e-mail [email protected]
URL http://www.unsys.co.jp
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Scan signal
Blanking signal
既設､電子銃 or イオン銃
SEI signal
Scanning
1. 概要
このシステムは走査像表示機能を有していないさまざまな機種の電子銃やイオン銃の偏向電極に走査信号を入力しサンプル
から発生する二次電子を検出して二次電子像(SEI)を得る為のシステムです。
PC のディスプレーで走査像が観察可能であり試料位置の確認や照射位置及びレンズフォーカス等の調整をモニターを見な
がら行うことができます。
2. 特
2-1
2-2
2-3
徴
静電型偏向電極が付いているあらゆる機種に増設可能 (磁界偏向型にも対応可)
セレクトエリアスキャン機能によりビーム照射範囲を矩形で設定可能でありビームの局所選択照射､エッチングが可能です。
X,Y スキャンに同期したブランキング信号(TTL-5V 負論理)を出力しておりオプションでブランキングアンプを増設すること
によりビームブランキングが可能
2-4 取得した走査像は 8Bit(BMP, TIFF, PNG, JPEG)、12Bit(RAW)で保存可能
2-5 電子ビーム､イオンビーム両用型であり微少電流、微少プローブの高分解能二次電子像観察に適しています。
3. 機器構成
3-1. UPS-2000_DAC
3-2. 偏向アンプ
3-3. 二次電子検出器
3-4. SEI コントローラー
(PC 本体一式 + PCI ビデオボード + AD/DA インターフェース + ケーブル付属)
(走査倍率調整､イメージシフト付) 専用 DC 電源付属
(UHV 対応シンチレーター方式)
(二次電子検出器用のビデオアンプユニット) ブランキングアンプはオプション
4. 概略仕様
１）走査出力信号
① 走査出力範囲
② 走査ライン数
③ 水平走査速度
④ 走査同期信号
２）ビデオ取込信号
① 信号範囲
② 画像取込階調
③ 画像表示サイズ
④ 画面表示輝線
: ±5V ～ ±10V（X,Y 共任意設定可）
： Rapid=330、Medium=1000、Slow =2000 本の３種類
： Rapid＝1.2mS、2mS、5mS、10mS/Line
Medium＝2mS、5mS、10mS、20mSe/Line
Slow ＝5mS、10mS、20mS、40mSe/Line
： XY Mix ﾌﾞﾗﾝｷﾝｸﾞ（TTL-5V、10mA ｼﾝｸ電流、負論理＝"0"ﾌﾞﾗﾝｷﾝｸﾞ）
：
：
：
：
0～±10V 以下 4 レンジ（UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可）
8Bit、12Bit
横長 4:3、縦長 3:4、正方形（UPS2000DAC 取込ソフトにて選択可）
水平走査速度に自動リンク
３）その他の機能
① 画像データ保存書式
② 輝度・明るさ調整機能
③ 画像アスペクト比設定
④ ボードサイズ
⑤ 消費電力
：
：
：
：
：
8Bit(BMP,TIFF,PNG,JPEG 書式)、12Bit（RAW 書式）
Gain Bias 内部設定 (UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可)
DAC 出力電圧にて設定 (UPS2000DAC 取込ソフトにて設定可)
99(H)mm×175(L)mm（PCI バス対応）
DC5V/1.0A
４）P.C
①
②
③
④
： Windows XP（Vista モデルには対応していません）
： PC/AT 互換機 CPU_1.5GHz 以上
： 512Mbyte 以上
： 19 インチ TFT
対応ＯＳ
コンピュータ
メモリサイズ
モニター
５）偏向アンプ仕様
① 出力電圧
② 応答周波数
③ 最大視野
④ サイズ
：
：
：
：
X,Y 4 極 ±300Vmax
3～5KHz max
×10～ (WD により異なります。)
480(W)×100(H)×570(D) JIS 規格
６）二次電子検出器仕様
① 方式
② シンチレーターチップ
③ コレクター電圧
④ グリッド電圧
⑤ 周波数帯域
⑥ 取付フランジ
：
：
：
：
：
：
シンチレーター + フォトマルチプライヤー(PMT)
P47 + アルミコーティング
+10Kv max
+300V max
20KHz typ (–3 dB)
φ70ICF or φ114ICF
７）SEI コントローラー仕様
① コレクター電圧
② グリッド電圧
③ ブライトネス
④ コントラスト
⑤ 映像反転
⑥ 電源
：
：
：
：
：
：
+10KV 可変
+300V 可変
10 回転ポテンショメーターにて可変
10 回転ポテンショメーターにて可変
ネガポジ反転切替スイッチ
AC100V
5. 二次電子像サンプル
電子ビームカラム
光源
：タングステンヘアピン
エネルギー： 1,2kev
観察試料： SEM 標準試料
25μm ピッチ Ni メッシユ上
2μm ラテックスボール散布
Scan_mode ： Slow モード走査線 2000 本
輝度信号加算平均無
1,2kev_×200_10pA
電子ビームカラム
光源
：タングステンヘアピン
エネルギー： 5kev
観察試料： SEM 標準試料
25μm ピッチ Ni メッシユ上
2μm ラテックスボール散布
Scan_mode ： Slow モード走査線 2000 本
輝度信号加算平均無
5kev_×1000_10pA
― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― EOF ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ―
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(有)アンシス
担当宇多
〒311-4161
茨城県水戸市全隈町 28-2
Tel 029-309-5040
Fax 029-309-5041
e-mail [email protected]
URL http://www.unsys.co.jp
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