NES1W-h04/h04A

ミニステッパー／Mini Step and Repeat Exposure System
NES1W-h04/h04A
世界最小のフットプリントを実現――
MEMS製造に最適化した縮小投影露光装置
The smallest step and repeat exposure system
optimized for MEMS fabrication
NIKON ENGINEERING CO., LTD.
ミニステッパー NES1W-h04/h04A
Mini Step and Repeat System NES1W-h04/h04A
小型・簡単・リーズナブルがコンセプト。LED/MEMS量産を強力にサポートします。
Small, simple, and reasonable – powerful support for LED/MEMS fabrications
ミニステッパーNES1W-h04/h04Aは、世界最小のフットプリントを誇る、LED/MEMS用の縮小投影露光装置です。
ステッパー方式による数々のメリットを保持しながら、新しい投影レンズ（h04A）をラインアップに加え、多様化するLED/MEMS
工程のニーズに対応し、歩留まり向上と安定化に貢献します。
The new NES1W-h04/h04A Mini Step and Repeat Exposure System are optimal for LED/MEMS manufacturing thanks
to its outstanding depth of focus and various other features designed specifically for LED/MEMS fabrications.
特長
Features
1.LED/MEMSに最適化した新開発投影レンズ
解像度1.6μm/2.0μm・露光エリア15mm×15mmと、LED/
MEMS製造に求められる高性能な2種類のレンズを採用。NAの最
適化により、非常に深いフォーカスマージンを確保し、厚膜レジスト
や高段差への対応を可能にしました。
2.マルチパターン・レチクル（Dual Exposure Area）による
レチクルコストの低減
標準５インチ角レチクルを2パターンに使用できるように光学系配
置を最適化し、増大するレチクルコストの低減を実現。標準のレチ
クルブラインドを併用することで、多様な露光シーケンスの自動化
も実現します。
3.新光学系の採用により、露光パワーの向上、
スループットの向上を実現
新型ランプハウスと新露光光学系の開発により、従来と同じ電力で、
露光パワーの向上、高スループット（※6インチウエハで70枚/1時
間）を実現しました。
1. Newly developed Projection Lenses for LED/MEMS
With a resolution 1.6µm/2.0µm and an exposure area 15mm x
15mm, these lenses are ideal for LED/MEMS fabrications. At the
same time, it also has enough depth of focus at a well-optimized N.A
(Numerical Aperture) for thicker resist or high gapped patterning.
2. Dual Exposure Area on Single Reticle
New model (NES1W-h04A) reduces reticle costs with the Dual
Exposure Area for a Single Reticle function, which makes it possible
to utilize two separate exposure patterns on a single reticle by
rotating the reticle according to programmable settings.
Reticle blinds are then used to control the actual exposure area.
3. New designed Optic for higher through put
In order to achieve higher through put as of 70 wafers / H (6”), newly
developed fly-eyes lenses are incorporated with new lamp house
system.
主な仕様 Specifications
NES1W-h04
解像度
投影レンズ縮小倍率
NA（開口数）
露光範囲
露光波長
アライメント精度
試料サイズ
処理能力（6インチウェハ）
寸法/質量
※ローダー無しの場合
Resolution
Reduction Ratio
Lens-NA
Exposure Area
Exp Light Source
Alignment accuracy
Sample Size
Throughput (6”)
Dimensions (W×D×H) / Weight
*Without Wafer Loader
NES1W-h04A
2.0 µm
1.6 µm
-1/2.5
0.16
0.2
15 mm x 15 mm
405 nm (h-line)
0.3 µm or less
2” - 6”
70 / H
1,140ｘ1,870ｘ2,080 mm / 1,750kg
1,140ｘ1,280ｘ2,080 mm / 1,600kg
オプション Options
・レチクルスライダ
・レチクルカセット（2個）
・高速レチクルブラインド
• Reticle
Slider
Cassette x 2 units
• High speed reticle blind
• Reticle
安全に関するご注意
Warning
株式会社
エンジニアリング
http://www.ave.nikon.co.jp/n-eng/
・ウエハローダ
・エンバイロメンタルチャンバ
・裏面アライメント
・シグマアパーチャー可変ユニット
• Wafer
Loading unit
Chamber
• Backside Alignment Unit
• Revolving unit for Sigma Aperture
• Environment
■ご使用前に「使用説明書」をよくお読みのうえ、正しくお使いください。
For your safety: Before using this product, please refer to the Technical Manual and follow the directions
for proper use.
NIKON ENGINEERING CO., LTD.
http://www.nikon.com/products/customized/index.htm
本社
221-0835 神奈川県横浜市神奈川区鶴屋町3-30-4
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TEL (045)320-1311 FAX (045)320-1395
事業所
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TEL:+81-45-320-1311 FAX:+81-45-320-1395
239-0832 神奈川県横須賀市神明町1-15 株式会社ニコン横須賀製作所内
カタログ記載の内容は2013年11月現在のものです。
このカタログの仕様および製品は製造者／販売者が何ら債務を被ることなく予告なしに変更されます。
The information in this catalog is effective as of November, 2013. Specifications and equipment are subject
to change without any notice or obligation on the part of the manufacturer or seller.

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