Nanostrutture a punti quantici (QD) per applicazioni in fotonica MOTIVAZIONE Sviluppo di nanostrutture per emissione di singolo fotone alle lunghezze d’onda dei sistemi di telecomunicazioni a 1.3 µm - 1.55 µm. IL MATERIALE densità ≈100 µm-2 1µm x 1µm 1µm x 1µm Strutture a QD di In(Ga)As su substrato GaAs a bassa densità (pochi QDs per µm2). tecnica di crescita: Epitassia da Fasci Molecolari-MBE densità ≈1 µm-2 immagini AFM di QD non ricoperti InAs QDs InGaAs upper CL InGaAs lower cladding layer GaAs substrate Nanostrutture a punti quantici (QD) per applicazioni in fotonica LE NOSTRE ATTIVITA’ E PROSPETTIVE Ingegnerizzazione di strutture a QD di interesse nanofotonico mediante lo studio: • del design delle strutture: energy gap dei QD, discontinuità di banda tra QD e strati di confinamento • della preparazione: condizioni di crescita MBE • delle proprietà: caratterizzazione ottica e strutturale Risultati ottenuti: • densità di QD < 10 µm-2 con emissione a 1.3-1.55 µm a 10K per operazione a singolo fotone • emissione di singolo QD a 1.3 µm a 10K Applicazione di emettitori di singolo fotone basati su strutture a QD ingegnerizzate per dispositivi innovativi nel campo del: • Quantum Cryptography • Quantum Computing NoE per informazioni e contatti: www.imem.cnr.it/mbe/
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