13 半導体 A（シリコン） 6「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分） Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100)andItsDependenceonOxidationTemperature,Annealingin FormingGas,andDiﬀerenceinOxidizingSpecies 東北大 1，ステラケミファ 2，都市大 3，JASRI4 ○諏訪智之 1，寺本章伸 1，熊谷勇喜 1，阿部健一 1，李翔 1，中尾幸久 1，山本雅士 2，野平博司 3，室隆桂之 44，木下豊彦 4，須川成利 1，大見忠弘 1，服部健雄 1 7 SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価早大理工 1，東京都市大 2，宇宙研 3　○森谷真帆 1,3，天野裕士 2,3，小林大輔 3，山本知之 1，廣瀬和之 3 8 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討早大理工 1，宇宙研 2　○若尾周一郎 1,2，廣瀬和之 2，小林大輔 2，山本知之 1 △9 SiN 膜組成制御による MONOS 型メモリ消去速度 - 保持特性両立東芝　○藤井章輔，草井　悠，佐久間究，小山正人 10低温 Kr/O2プラズマ酸化法による SiO 2/Si 構造の作製および評価東京農工大工　○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝 △11ポリシラザン塗布膜の CO2レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用奈良先端大 1，CREST2，九大 3　○菱谷大輔 1，堀田昌宏 1,2，石河泰明 1,2，渡辺陽介 3，池上　浩 3，浦岡行治 1,2 ▲12Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density Tokyo Univ.1，JST CREST2　○（D）Weili Cai1,2， Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2 昼食 12:30 ∼ 14:00 19p-A17 - 1 〜 11 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分） HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による Sub-1.0nmEOTHfO2/In0.53Ga0.47AsnMISFET の電子移動度向上産総研 GNC ○小田穣，入沢寿史，ジェバスワンウィパコーン，前田辰郎，上牟田雄一，手塚勉 △2 窒素プラズマ処理を施した Al2O3/GaSb MOS 構造の特性評価東京理科大院 1，産総研 2　○（M2）後藤高寛 1,2，藤川紗千恵 1，藤代博記 1，小倉睦郎 2，安田哲二 2，前田辰郎 1,2 3 ALD 法を用いた Al2O3膜の酸化剤による膜質の検討早大ナノ機構　○野崎義人，関口哲志，平岩　篤，川原田洋 △4 ALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討諏訪東京理科大 1，山梨大 2　○梁池昂生 1，横平知也 1，山田大地 1，王谷洋平 1，関　渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1 5 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果諏訪東京理科大 1，山梨大 2　○王谷洋平 1，梁池昂生 1，横平知也 1，山田大地 1，関　渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1 6 ALD により形成した Al2O3/Ge ゲートスタックに於ける Kr/O2 ECR プラズマ酸化効果九大院総合理工学府 1，九大産学連携センター 2　○（M2）長岡裕一 1，永冨雄太 1，山本圭介 2，王　冬 1，中島　寛 2 休憩 15:30 ∼ 15:45 △7 プラズマ後窒化 HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS 界面の電極依存性東大院工 1，JST-CREST2　○（D）韓　在勲 1,2，竹中　充 1,2，高木信一 1,2 8 CVD 法による Ge 酸化膜の作製と評価農工大工　○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄 9 Hf-PMA による良質な GeO2/Ge 界面と GeO2絶縁膜の性質変化東京農工大工　○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 10Kr/O2プラズマを用いた GeO 2/Ge 界面特性の改善東京農工大工　○中谷友哉，新井田淳平，岩崎好孝，上野智雄 11パルス MOCVD 法により作製した GeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性名大院工 1，学振特別研究員 2　○柴山茂久 1,2，吉田鉄兵 1，加藤公彦 1，坂下満男 1，竹内和歌奈 1，田岡紀之 1，中塚　理 1，財満鎭明 1 ----------------------------------------------------------------------------------- 13.2絶縁膜技術 9 月 20 日 20a-PA3 - 1 〜 7 ----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術 9 月 17 日 17p-PA1 - 1 〜 16 ポスターセッション 1 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層三菱電機 1，メルコセミコンダクターエンジニアリング 2　○奥　友希 1，奥村　学 2，志賀俊彦 1，戸塚正裕 1，渡辺　斉 1 △2 シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連弘前大院理工　○高見貴弘，和田　誠，遠田義晴 3 シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果 ( Ⅲ ) 東海大院工 1，東海大工 2　○（M2）鈴木亜嵐 1，永島大樹 2，林　宏紀 2，小林清輝 1,2 4 低誘電率 SiCN 電荷捕獲層の正孔捕獲特性東海大院工　○（M1）田中　伸，内藤慎二，小林清輝 5 多結晶 HfO2膜における絶縁破壊箇所の同定筑波大 1，産総研 2　○戸村有佑 1，蓮沼　隆 1，山部紀久夫 1，右田真司 2 ポスターセッション 17p-PA1-1 ∼ 16 ポスター展示時間 13:30 ∼ 15:30 1 高機能非冷却赤外線センサの高性能化 III - ナノギャップ 3 次元プラズモニックメタマテリアル吸収体の作製三菱電機 1，立命館大 2　○植月満治 1，秦　久敏 1，三崎浩司 1，小川新平 1，藤澤大介 1，木股雅章 2 2 3D スプリングを用いた可変プラズモニック構造とその光学特性山形大院理工　○西山宏昭，阿部佑真，市村琢朗，大関透典，齋藤泰登 △3 小型分光器の実現に向けた面内回転型 MEMS 分光デバイス香川大　○岡　勇作，篠崎亮輔，下川房男，大平文和，高尾英邦 △4 集積化 CMOS-MEMS 加速度センサへ向けた sub-1G 静電容量型センサの検討東工大 1，NTT-AT2，東大 3　○亀井将太 1，山根大輔 1，小西敏文 2，松島隆明 2，年吉　洋 3，町田克之 1,2，益　一哉 1 5 積層メタル構造による 3 軸加速度センサの検討 NTT-AT1，東工大 2，東大 3　○松島隆明 1，小西敏文 1，山根大輔 2，年吉　洋 3，益　一哉 2，町田克之 1,2 6 エネルギーハーベスティングデバイスの検討 (4) NTT-AT1，東工大 2，東大 3　○小西敏文 1，山根大輔 2，松島隆明 1，益　一哉 2，年吉　洋 3，町田克之 1,2 7 壁面に熱電対を配置したマイクロ流路デバイス豊田工大　○（B）柴田真宏，山口貴大，熊谷慎也，佐々木実 8 MEMS によるマイクロ流体界面での反応性プラズマ形成豊田工大　○柄崎克樹，熊谷慎也，佐々木実 9 連続発振 Si レーザ結晶化におけるマルチラインビーム化の効果広島大 RNBS1，東北大院 2　○平田達誠 1，黒木伸一郎 1，山野真幸 1，佐藤　旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1 10高性能 poly-Si TFT 特性とチャネル結晶面方位との相関広島大ナノデバイス 1，東北大工 2　○山野真幸 1，黒木伸一郎 1，平田達誠 1，佐藤　旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1 ▲11Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation Method JAIST　〇 Lien Mai，Susumu Horita △12a-Si 膜の軟 X 線照射結晶化における横方向成長兵庫県立大院工 1，兵庫県立大高度研 2　○平野翔大 1，草壁　史 1，部家　彰 1，松尾直人 1，神田一浩 2 13透明導電膜付きポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の結晶成長山口大院理工 1，琉球大 2　○河本直哉 1，只友一行 1，野口　隆 2，岡田竜弥 2 14Ni シリサイド化速度の Si 結晶構造依存性 - 分子動力学法による解析早大理工　○橋本修一郎，小杉山洋希，セイソン，武井康平，木谷　哲，図師知文，渡邉孝信 15金属 Germanide の相図と Ge 界面におけるショットキーバリア千葉大理　○（DC）飯塚将太，中山隆史 16炭素を用いた Cu 拡散抑制の検討芝浦工大　○ラーエドアルスバイエ，山下　諒，上野和良 ----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術 9 月 18 日　9:00 〜 17:45 18a-A19 - 1 〜 13 20a-PA3-1 ∼ 7 ポスター展示時間 9:30 ∼ 11:30 6 High-k/ High-k 界面におけるダイポール形成の可能性の検討早大理工 1，早大ナノ機構 2，物材機構 3，明大理工 4，兵庫県立大 5， JST-CREST6　○橋口誠広 1，志村昂亮 1，功刀遼太 1，知京豊裕 3，小椋厚志 4,6，佐藤真一 5,6，渡邉孝信 1,2,6 7 Si(001) 上の GaSb ﾅﾉｺﾝﾀｸﾄﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長と HfO2/GaSb MOS 特性産総研 1，物材機構 2，東大院工 3　○宮田典幸 1，大竹晃浩 2，市川昌和 3，森　貴洋 1，安田哲二 1 1 軟 X 線照射による B10H14注入 Si 基板中の B 原子活性化兵庫県立大 1，兵庫県立大高度研 2　○部家　彰 1，平野翔大 1，草壁　史 1，松尾直人 1，神田一浩 2 2 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Bi\delta ドーピング法：　EXAFS によるドーピング機構解明物材機構 1，筑波大院数物 2，JASRI3　村田晃一 1,2，新田清文 3，宇留賀朋哉 3，寺田靖子 3，日塔光一 1，坂田修身 1，○三木一司 1,2 3 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Biδ ドーピング法 : アニール温度の再考物材機構 1，筑波大院数物 2　○（M2）金澤　孝 1,2，村田晃一 1,2，日塔光一 1，三木一司 1,2 4 リン酸溶液中レーザドーピングによる Ge ダイオードの低温形成名大院工 1，学振 PD2，九大院シス情 3　○高橋恒太 1，黒澤昌志 1,2，池上　浩 3，坂下満男 1，竹内和歌奈 1，中塚　理 1，財満鎭明 1 5 Sn/Ge コンタクトにおけるショットキー障壁高さの Ge 面方位依存性名大院工 1，学振特別研究員 2　○鈴木陽洋 1，鄧　云生 1，黒澤昌志 1,2，坂下満男 1，中塚　理 1，財満鎭明 1 6 WSin/Ge 接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除産総研ナノエレ 1，JST- さきがけ 2，産総研ナノシステム 3，産総研 4 ○内田紀行 1，岡田直也 1,2，宮崎剛英 3，福田浩一 1，金山敏彦 4 （ 102 102 ）