プログラム 11月4日(金) チュートリアル（9:10~11:30） 新しいデバイス材料 9:10~9:15 4T00 イントロダクトリー 東 清一郎 広島大学 大学院先導物質科学研究科 9:15~10:15 4T01 ナノカーボンデバイスの基礎と最新動向 松本和彦 大阪大学 産業科学研究所 10:30~11:30 4T02 トポロジカル絶縁体の物理 村上修一 東京工業大学 大学院理工学研究科 開会式（12:30~12:40） オーラルセッション 1（12:40~14:00） 注目講演 12:40~13:20 4I01 招待講演 超伝導エレクトロニクス応用の進展 田辺圭一 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所 13:20~13:40 4O01 レーザラテラル結晶化 Poly-Si TFT における膜中歪みの効果 黒木伸一郎 1,*), 藤井俊太朗 1), 川﨑雄也 1), 小谷光司 1), 伊藤隆司 2,3) 1) 東北大学 大学院工学研究科 ス・バイオ融合科学研究所 2) 東京工業大学 ソリューション研究機構 3) 広島大学 ナノデバイ 13:40~14:00 4O02 酸化物半導体 SrTiO3 に電界誘起された二次元電子ガスの巨大熱電能変調 水野 拓 1,*), S. Zheng 2), 加藤丈晴 2), 幾原雄一 2), 安部勝美 3,4), 雲見日出也 3), 野村研二 4), 細野秀 雄 4), 太田裕道 1,5) 1) 名古屋大学 大学院工学研究科 2)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所 3)キャノン 株式会社 4)東京工業大学 フロンティア研究センター 5)科学技術振興機構 さきがけ 休憩（展示コマーシャル 1）（14:00~14:20） オーラルセッション 2（14:20~15:40） 酸化物／有機TFT 14:20~14:40 4O03 スパッタ IGZO 薄膜における導電率温度依存性の In-situ 測定 高田真宏*), 小野雅司, 望月文彦, 田中 淳, 鈴木真之 富士フイルム株式会社 先端コア技術研究所 14:40~15:00 4O04 アモルファス酸化物半導体 a-In-Ga-Zn-O 中の酸素および水素拡散 野村研二 1,*), 神谷利夫 2), 細野秀雄 1,2) 1) 東京工業大学 フロンティア研究センター 2) 東京工業大学 応用セラミックス研究所 15:00~15:20 4O05 DNTT の分子修飾による薄膜トランジスタへの影響：特性と安定性の改善 姜 明辰*), 宮碕栄吾, 尾坂 格, 瀧宮和男 広島大学 大学院工学研究科 15:20~15:40 4O06 ペンタセン薄膜トランジスタにおける移動度制限要因：ペンタセン成長速度の影響 松原亮介 1,*), 野村俊夫 2), 酒井正俊 2), 工藤一浩 2), 中村雅一 1) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 千葉大学 大学院工学研究科 休憩（展示コマーシャル 2）（15:40~16:00） ショートプレゼンテーション・ポスターセッション 1（16:00~18:20） 講演番号 4P・4I・4O (4I, 4Oはポスター討論のみ) 無機半導体材料・プロセス・デバイス 4P01 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II) 駒﨑洋文*), 浅野英輝, 清水耕作 日本大学 大学院生産工学研究科 4P03 マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における Si スリットマスクを用いた結晶成 長位置制御 藤田悠二*), 東 清一郎 広島大学 大学院先端物質科学研究科 4P05 近赤外半導体レーザ照射によるポーラスシリコン層転写技術の開発 松原良平*), 酒池耕平, 林 将平, 東 清一郎 広島大学 大学院先端物質科学研究科 4P07 シンクロトロン放射光照射のみによる非晶質 Si, Ge, SiGe 膜の低温直接結晶化 野々村勇希 1,*), 部家 彰 1), 松尾直人 1), 天野 壮 2), 宮本修治 2), 神田一浩 2), 望月孝晏 2), 都甲 薫 3) , 佐道泰造 3), 宮尾正信 3) 1) 兵庫県立大学 大学院工学研究科 システム情報科学研究院 2) 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 4P09 シンクロトロン放射光照射による B ドーパントの低温活性化 福岡琢人 1,*), 部家 彰 1), 松尾直人 1), 神田一浩 2), 野口 隆 3) 3) 九州大学 大学院 1) 2) 兵庫県立大学 大学院工学研究科 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 3) 琉球大学 4P11 短時間レーザ加熱による少数キャリアライフタイムの変化 別院公一 1,*), 鮫島俊之 1), 佐野直樹 2), 水野智久 3) 1) 2) 東京農工大学 アウレアワークス株式会社 3) 神奈川大学 4P13 酸化グラフェン/c-Si 接合型太陽電池 小野正浩 1), 福地美樹 1), 後藤拓也 2), 上野啓司 1), 白井 肇 1) 1) 埼玉大学 大学院理工学研究科 2) 三菱ガス化学株式会社 4P15 オゾンとシリコーンオイルを用いた酸化 Si 薄膜堆積における H2O2 溶液バブリングの効果 谷口勇太*), 辻埜太一, 堀田 將 北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科 4P17 ポリエチレンイミンによる酸化 Si 薄膜の高品質化 松本拓也*), 伊藤拓也, 末藤 豪, 西岡賢祐 宮崎大学 工学部 4P19 SRO/Ti ボトムゲート電極上の YSZ ゲート絶縁膜の作製 森井健太 *), 竹本和幸, 堀田 將 北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科 4P21 大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理における SiC ウェハの非接触温度測定技術の開発 芦原龍平 1,*), 岡田竜弥 2), 西田悠亮 1), 東 清一郎 1) 1) 広島大学 大学院先端物質科学研究科 2) 琉球大学 工学部 4P23 微結晶シリコン薄膜トランジスタの高圧水蒸気熱処理による特性改善 宿久明日香 1,*), 高橋英治 1), 安東靖典 1), 永富佳将 2), 鮫島俊之 2) 1) 日新電機株式会社 2) 東京農工大学 4P25 薄膜フォトトランジスタの出力特性の実験とデバイスシミュレーションの比較 奥村雅仁*), 松村 篤, 東山剛士, 門目尭之, 木村 睦 龍谷大学 酸化物材料・プロセス・デバイス 4P27 多層カーボンナノチューブと金属酸化物薄膜の複合機能化 中川拓哉 1,*), 吉岡秀樹 2), 山本伸一 1) 1) 龍谷大学 理工学部 2) 兵庫工業技術センター 4P29 MgO 薄膜の吸湿性の評価 岡 威樹 1,*), 宮林延良 2), 前島邦光 2), 吉岡秀樹 3), 山本伸一 1) 1) 龍谷大学 2) 電子科学株式会社 3) 兵庫県立工業技術センター 4P31 Rf スパッタリング法を用いた SrTiO3:Pr,Al, CaTiO3:Pr 蛍光薄膜の作製と評価 清水耕作*) 日本大学 4P33 マグネトロンスパッタ法によるアルミをドープした酸化亜鉛 (AZO) 薄膜の作製 藤井貴裕*), 橘堂裕明, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 4P35 酸化物半導体 InGaZnO4/CuAlO2 接合の作製と評価 小野瀬匡彦*), 佐藤敏幸, 北野幸樹, 新妻清純, 日秋俊彦, 清水耕作 日本大学 大学院生産工学研究科 4P37 酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価(Ⅱ) 北村 啓*), 小林浩二, 刀根 仁, 清水耕作 日本大学 大学院生産工学研究科 4P39 原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜トランジスタの低温形成 川村悠実 1,*), 谷 真衣 1), 堀田昌宏 1,2), 石川泰明 1,2), 浦岡行治 1,2) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 科学技術振興機構 CREST 4P41 アモルファス In-Ga-Zn-O デュアルゲート TFT の動作モデルと電気的特性 安部勝美 1,2,*), 高橋健二 2), 佐藤 歩 2), 雲見日出也 2), 野村研二 3), 神谷利夫 1), 細野秀雄 1,3) 1) 2) 東京工業大学 応用セラミック研究所 究機構 キヤノン株式会社 3) 東京工業大学 フロンティア研 4P43 様々な液体原料を用いた In-Zn-O 薄膜の形成と薄膜トランジスタ応用 清水貴也 1,*), 羽賀健一 1), 徳光永輔 1,2), 金田敏彦 2), 下田達也 2,3) 1) 東京工業大学 精密工学研究所 2)JST ERATO 下田ナノ液体プロセスプロジェクト 3) 北陸先 端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科 有機材料・プロセス・デバイス 4P45 無機有機ハイブリッド EL 材料の作製および積層化による EL 素子への影響 實井祐介*), 菱田智也, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 4P47 イオン導電性高分子金属複合膜によるソフトアクチュエータ～真空蒸着による作製・評価とイオ ン液体駆動～ 岡崎 弘*), 奥村雅仁, 澤田成規, 木村 睦 龍谷大学 電子情報学科 4P49 ボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタにおける分子ドーピング効果 野田 啓 1,*), 若月雄介 1), 和田恭雄 2), 鳥谷部達 2), 松重和美 1) 1) 2) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 東洋大学 バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター 4P51 遺伝的アルゴリズムを導入した最小二乗フィッティングによる有機電界効果トランジスタの接触 抵抗評価 吉川真史 1,*), 岡 将来 1), 西上修平 1), 永瀬 隆 1,2), 小林隆史 1,2), 内藤裕義 1,2) 1) 2) 大阪府立大学 大学院工学研究科 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 4P53 塗布型有機トランジスタのセルフアライン法による寄生容量の低減とインピーダンス分光法によ る周波数特性評価 八田英之 1,*), 宮川雄飛 1), 永瀬 隆 1,2), 小林隆史 1,2), 村上修一 3), 渡辺 充 4), 松川公洋 4), 内藤裕義 1,2) 1) 2) 大阪府立大学 大学院工学研究科 3) 大阪府立産業技術総合研究所 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 大阪市立工業研究所 4) 4P55 高次構造有機静電誘導トランジスタにおける経時劣化の抑制 高木英行 1,*), 増田将太郎 1), 酒井正俊 1), 工藤一浩 1), 松原亮介 2), 中村雅一 2) 1) 千葉大学 大学院工学研究科 2) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 4P57 半導体カーボンナノチューブの誘電泳動集積層を用いた TFT の作製 戸田達也*), 古田 守, 古沢 浩 高知工科大学 ナノテクノロジー研究所 4P59 光電変換層へのグラフェン添加による有機薄膜太陽電池の性能向上 石川 良 1,*), 後藤拓也 2), 白井 肇 1), 上野啓司 1) 1) 埼玉大学 大学院理工学研究科 2) 三菱ガス化学株式会社 東京研究所 4P61 バルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池の特性評価と ゾル・ゲル法による TiOx 膜の作製 川上雄士*), 松山博樹, 實井祐介, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 4P63 Open-Circuit Voltage Decay 法による色素増感太陽電池の電子寿命評価 田島昇一 1,*), 長谷紘行 1), 永瀬 隆 1,2,4), 小林隆史 1,2,4), 柳田真利 3,4), 佐藤宗英 3,4), 韓 礼元 2,3,4), 内 藤裕義 1,2,4) 1) 大阪府立大学 大学院工学研究科 2)大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 物質・材料研究機構 4)科学技術振興機構 CREST 3) バンケット・ランプセッション（18:30~21:00） 新しいデバイス材料 19:00~19:50 4R01 特別招待講演 薄膜半導体へテロ構造デバイスの冒険 丸山瑛一 独立行政法人 理化学研究所 特別顧問 20:00~20:20 4R02 ミスト CVD 法による IGZO TFT の作製 川原村敏幸 1,*), 王 大鵬 2), 鄧 太江 3), 古田 守 1) 1) 高知工科大学 ナノテクノロジー研究所 学 物質･環境システム工学 2) 高知工科大学 電子･光システム工学 3) 高知工科大 20:30~20:50 4R03 グラフェン塗布電極を用いた有機 FET の作製と評価 菅沼洸一 1,*), 斉木幸一朗 2), 後藤拓也 3), 上野啓司 1) 1) 埼玉大学 大学院理工学研究科 式会社 東京研究所 2) 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 11月5日(土) オーラルセッション 3（9:00~10:20） ナノインプリント 9:00~9:40 5IO1 招待講演 ナノインプリント技術の現状と将来展望 松井真二 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 9:40~10:00 5O01 ナノインプリントによって作製された HSQ ピラー構造のヤング率の測定 姜 有志 1,2,3,*), 中井康喜 1,2), 岡田 真 1,2,3), 春山雄一 1,2), 松井真二 1,2) 3) 三菱ガス化学株 1) 兵庫県立大学 2) 科学技術振興機構 CREST 3) 日本学術振興会 10:00~10:20 5O02 インプリント法を用いたフレキシブル三次元有機トランジスタの開発 中原理恵 (李 万燕) 1,2,*), 宇野真由美 1,2,), 広瀬友里 2), 瀧宮和男 3), 竹谷純一 2) 1) 大阪府立産業技術総合研究所 2) 大阪大学 産業科学研究所 3) 広島大学 休憩（展示コマーシャル 3）（10:20~10:40） オーラルセッション 4（10:40~12:00） Si TFT材料・プロセス 10:40~11:00 5O03 近赤外半導体レーザ光照射による a-Si 膜の結晶化と同時転写技術 酒池耕平*), 小林義崇, 松原良平, 東 清一郎 広島大学 大学院先端物質科学研究科 11:00~11:20 5O04 自己整合メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT を利用した水素化の検討 鹿 裕将*), 近藤健二, 原 明人 東北学院大学 工学部 11:20~11:40 5O05 水素レス SiNx 膜の低温形成 藤原将喜*), 高橋英治, 安東靖典 日新電機株式会社 技術開発研究所 11:40~12:00 5O06 YSZ 層上 a-Si 薄膜の固相結晶化におけるプレアニール時間とインキュベーション時間との関係 竹本和幸*), 森井健太, 堀田 將 北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科 ショートプレゼンテーション・ポスターセッション 2（13:00~15:20） 講演番号 5P・5I・5O・4R (5I, 5O, 4Rはポスター討論のみ) 無機半導体材料・プロセス・デバイス 5P02 ピエゾアクチュエータを利用した Si 融液接触法による a-Si 膜の結晶化 赤澤宗樹*), 周 袁, 東 清一郎 広島大学 大学院先端物質科学研究科 5P04 FLA による a-Si 膜の横方向結晶化における大粒径結晶粒形成 大平圭介 1,2,*), 澤田恵佑 1), 松村英樹 1) 1) 北陸先端科学技術大学院大学 2) 科学技術振興機構 さきがけ 5P06 埋め込みメタルゲート上のレーザ結晶化による大粒経ラテラル poly-Si 薄膜 ―ダマシン型自己整 合メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT の開発に向けて― 尾形浩之*), 一條賢治, 近藤健二, 原 明人 東北学院大学 電子工学専攻 5P08 Cu ナノ粒子を用いた a-Ge 薄膜の低温結晶化 分銅衡介 1,3,*), 上沼睦典 1,3), 石河泰明 1,3), 渡部平司 2,3), 山下一郎 1,3), 浦岡行治 1,3) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 術振興機構 CREST 2) 大阪大学 大学院工学研究科 3) 科学技 5P10 シリコンの少数キャリヤライフタイムの種々の外部刺激による変化 鮫島俊之*), 別院公一, 蓮見真彦 東京農工大学 工学府大学院 5P12 微結晶シリコン成膜と高圧水蒸気熱処理による結晶シリコン表面パッシベーション 永尾友一 1,*), 鮫島俊之 1), 安東靖典 2), 宿久明日香 2), 高橋英治 2) 1) 2) 東京農工大学 日新電機株式会社 5P14 基板から分離した半導体マイクロチューブの作製と光学特性 伊藤祐輝 1,*), 西田博貴 1), 赤羽浩一 2), 細田 誠 3), 大谷直毅 1) 1) 2) 同志社大学 大学院工学研究科 情報通信研究機構 3) 大阪市立大学 工学部 5P16 紫外線処理とガス照射熱処理を用いた酸化シリコン膜の電気的特性向上 伊藤拓也*), 松本拓也, 西岡賢祐 宮崎大学 大学院工学研究科 5P18 大気圧熱プラズマジェット照射による低温堆積 SiO2 膜の化学結合状態改善 西田悠亮*), 東 清一郎 広島大学 大学院先端物質科学研究科 5P20 増強ラマン分光によるシリコン中欠陥の高感度検出 渡邉直樹*), 石井利朋, 別所拓朗, 北原邦紀 島根大学 総合理工学研究科 5P22 低温成膜 nc-Si 膜を用いた bottom gate TFT 宿久明日香*), 高橋英治, 安東靖典 日新電機株式会社 5P24 ガラス上に形成された大粒径を有する低温 poly-Si1-xGex TFT 岡部泰典 1,*), 近藤健二 1), 鈴木順季 2), 北原邦紀 2), 原 明人 1) 1) 東北学院大学 工学研究科 2) 島根大学 総合理工学研究科 5P26 TFT を用いたポテンシオスタットによるグルコースセンサの高感度化の検討 飯室恵紀 1,*), 分銅衡介 2), 佐川祐樹 2), 瀬津光司 1), 木村 睦 1) 1) 龍谷大学 2) 奈良先端科学技術大学院大学 酸化物材料・プロセス・デバイス 5P28 薄膜デバイス材料の固体高分解能 NMR 法の開発 ～ 薄膜リチウムイオン電池正極材への応用 ～ 野田泰斗 1,*), 犬飼宗弘 2), 武田和行 1), 竹腰清乃理 1) 1) 京都大学 理学研究科 化学専攻 2) 京都大学 物質－細胞統合システム拠点 5P30 Fe 微粒子を堆積させた MgO 薄膜の特性評価 小管浩揮 1,*), 前島邦光 2), 宮林延良 2), 吉岡秀樹 3), 山本伸一 1) 1) 龍谷大学 2) 電子科学株式会社 3) 兵庫県立工業技術センター 5P32 蒸着法による酸化アルミニウム薄膜形成とレーザ加熱による電気特性の改質 神田 康*), 野手智仁, 吉冨真也, 鮫島俊之 東京農工大学 5P34 短時間パターニングを目指したゲル－ナノインプリントプロセスの開発 張 敏 1,*), 呂 莉 1), 堀田昌宏 1,2), 西田貴司 1,2), 石河泰明 1,2), 浦岡行治 1,2) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 科学技術振興機構 CREST 5P36 SiN/ITO 界面反応メカニズムの解明 中村 勇 1*), 伊藤康悦 2), 本谷 宗 1), 河瀬和雅 1) 1) 三菱電機株式会社 2) メルコディスプレイテクノロジー 5P38 酸化鉄ナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 柿原康弘 1,2,*), 上沼睦典 1,2), 岡本尚文 1), 川野健太郎 1,2), 鄭 彬 1,2), 石河泰明 1,2), 山下一郎 1,2), 浦 岡行治 1,2) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2)科学技術振興機構 CREST 5P40 プラズマ原子層堆積法により形成した ZnO 膜をチャネルとした薄膜トランジスタの特性におけ る堆積温度依存性 谷 真衣 1,*), 川村悠実 1), 堀田昌宏 1,2), 石河泰明 1,2), 浦岡行治 1,2) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2)科学技術振興機構 CREST 5P42 High-k 材料 SrTa2O6 を用いた InZnO 薄膜トランジスタの電気特性におけるゲート電極材料の影響 呂 莉 1,*), 三浦祐太 1), 西田貴司 1,3), 越前正洋 1), 石河泰明 1,3), 内山 潔 2), 浦岡行治 1,3) 1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 機構 CREST 2) 鶴岡工業高等専門学校 3) 科学技術振興 有機材料・プロセス・デバイス 5P44 近紫外有機 EL 素子における正孔輸送層の発光特性に及ぼす影響 大住将人*), 髙橋昌之, 谷井友幸, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 5P46 エネルギー移動の抑制による白色高分子有機 EL 素子 菱田智也*), 高橋昌之, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 5P48 ベンゾチエノベンゾチオフェン塗布膜を用いたトップゲート型有機トランジスタの高移動度化 望月文雄 1,*), 遠藤歳幸 1), 永瀬 隆 1,2), 小林隆史 1,2), 瀧宮和男 3), 池田征明 4,5), 内藤裕義 1,2) 1) 大阪府立大学 大学院工学研究科 2)大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 広島大学 大学院工学研究科 4)日本化薬株式会社 機能化学品研究所 5)九州大学 最先端有機 光エレクトロニクス研究センター 3) 5P50 ホットプレス式溶融プロセスによるフレキシブル有機極薄結晶トランジスタの作製と曲げ特性評 価 酒井正俊 1,*), 井上敦夫 1), 岡本樹宜 1), 城寶祐輝 1), 山内 博 1), 中村雅一 2), 工藤一浩 1) 1) 千葉大学 大学院工学研究科 2) 奈良先端科学技術大学院大学 5P52 静電スプレー堆積法による TIPS-ペンタセン OFET の製作 西尾直倫*), 小野島紀夫, 加藤孝正 山梨大学 大学院医学工学総合教育部 5P54 Orientational Control of Pentacene Crystals on SiO2 using Graphoepitaxy S. Li1,2,*), N. Nakayama1), M. Sakai1), K. Kudo1), R. Matsubara2) and M. Nakamura2,*) 1) Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University 2)Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology 5P56 塗布型有機トランジスタの薄膜表面及び基板界面におけるキャリア輸送特性 高木謙一郎 1,*), 永瀬 隆 1,2), 小林隆史 1,2), 串田 尚 3), 内藤裕義 1,2) 1) 大阪府立大学 大学院工学研究科 帝人 融合技術研究所 2) 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 3) 5P58 DNA 電界効果トランジスタの伝導特性 –時間依存性, 電荷保持特性– 高城祥吾 1,*), 松尾直人 1), 山名一成 1), 部家 彰 1), 高田忠雄 1), 横山 新 2) 1) 兵庫県立大学大学院 2) 広島大学 5P60 静電塗布法による P3HT:PCBM 薄膜太陽電池 猪野智久, 石川 良, 浅野隆, 福田武司, 上野啓司, 白井 肇*) 埼玉大学 大学院理工学研究科 5P62 逆向きダイオードを導入した 3 ダイオード等価回路モデルによる正孔ブロック層を挿入した有機 薄膜太陽電池の評価 澤野直樹 1,*), 櫻田侑弥 1), 太田靖之 1), 渡辺寛樹 2), 村田英幸 2), 西岡賢祐 1) 1) 宮崎大学 工学部 材料物理工学科 科 2) 北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究 5P64 ハロゲン化鉛系化合物を用いた色素増感太陽電池の作製と評価 松山博樹*), 川上雄士, 大谷直毅 同志社大学 大学院工学研究科 オーラルセッション 5（15:30~16:50） 有機光電デバイス 15:30~16:10 5I02 招待講演 有機薄膜太陽電池の研究開発状況 吉田郵司 独立行政法人 産業技術総合研究所 太陽光発電工学研究センター 16:10~16:30 5O07 変調分光法による有機薄膜太陽電池におけるキャリア寿命の見積もり 小林隆史 1,2,*), 寺田洋介 1), 永瀬 隆 1,2), 内藤裕義 1,2,3) 1) 大阪府立大学 大学院工学研究科 科学技術振興機構 CREST 2) 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 3) 16:30~16:50 5O08 液晶能を有する導電性高分子を用いた燐光有機発光トランジスタ 梶井博武*), 楠本悠介, 大森 裕 大阪大学 大学院工学研究科 閉会式（16:50~17:00） ベストペーパーアワード表彰
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