NJG1142KA1 モバイル TV 用広帯域 LNA GaAs MMIC

NJG1142KA1
モバイル TV 用広帯域 LNA GaAs MMIC
概要
NJG1142KA1 は、モバイルテレビを主用途としたバイパス機能付
き広帯域低雑音増幅器です。ロジック回路を内蔵しており、1 ビット
の切替電圧で High Gain／Low Gain モードの切替が可能です。
170MHz~900MHz の広帯域において、高利得・低歪みを低消費電
力で実現し、かつ外部素子によるインピーダンス整合を不要としま
した。ESD 保護回路を内蔵しており、高 ESD 耐圧を有します。
パッケージには、小型で、実装しやすい、ハロゲンフリーに対応
した FLP6-A1 を採用しました。
外形
NJG1142KA1
アプリケーション
広帯域(170MHz～900MHz)用途
デジタル TV、モバイル TV、モバイルフォン及びタブレート PC など
特徴
動作周波数範囲
動作電圧
［High Gain モード］
低消費電流
高利得
低雑音指数
高 P-1dB(IN)
高入力 IP3
［Low Gain モード］
消費電流
利得(低損失)
高 P-1dB(IN)
高入力 IP3
170MHz~900MHz
+2.8V/+1.8Vtyp.
6mA typ.
+14.0dB typ.
1.5dB typ.
0dBm typ.
+2.0dBm typ.
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
11μA typ.
-1.0dB typ.
+17.0dBm typ.
+22.0dBm typ.
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
@Vdd=2.8V
外部素子
3 個 (キャパシタ：2 個、インダクタ：1 個)
パッケージ
FLP6-A1 (パッケージサイズ : 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm typ.)
RoHS、ハロゲンフリー対応
端子配列
(Top View)
4
3
GND
5
RFOUT
GND
Bias
circuit
6
Logic
circuit
RFIN
■端子配列
1. VCTL
2. GND
3. RFOUT
2
GND
1
VCTL
1Pin INDEX
VCTL
H
L
4. GND
5. GND
6. RFIN
■真理値表
“H” = VCTL(H) ,“L” = VCTL(L)
LNA Mode
High Gain Mode
Low Gain Mode
注: 本資料に記載された内容は変更することがありますので、ご了承下さい。
Ver.2015-05-26
-1-
NJG1142KA1
絶対最大定格
T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω
項目
記号
条件
定格
単位
電源電圧
VDD
5.0
V
切替電圧
VCTL
5.0
V
入力電力
Pin
VDD=2.8V
+15
dBm
消費電力
PD
4 層(74.2x74.2mm)
FR4 基板実装時、T j=150℃
580
mW
動作温度
T opr
-40～+85
℃
保存温度
T stg
-55～+150
℃
電気的特性 1 (DC 特性 1)
共通条件: VDD=2.8V, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
最小
標準
最大
単位
VDD
2.3
2.8
3.6
V
切替電圧(High)
VCTL(H)
1.3
1.8
3.6
V
切替電圧(Low)
VCTL(L)
0
0
0.5
V
電源電圧
動作電流 1
(High Gain モード)
動作電流 2
(Low Gain モード)
切替電流
-2-
記号
条件
IDD1
RF OFF, VCTL=1.8V
-
6.0
9.5
mA
IDD2
RF OFF, VCTL=0V
-
11.0
25.0
µA
ICTL
RF OFF, VCTL=1.8V
-
6.0
10.0
µA
NJG1142KA1
電気的特性 1(RF 特性 1：High Gain モード)
共通条件:
VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=170~900MHz,T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 1
雑音指数 1
1dB 利得圧縮時
入力電力 1
入力 3 次インター
セプトポイント 1
アイソレーション 1
記号
条件
最小
標準
最大
単位
Gain1
基板、コネクタ損失除く ※1
11.0
14.0
18.0
dB
NF1
基板、コネクタ損失除く ※2
-
1.5
1.9
dB
-5.0
0.0
-
dBm
-3.0
+2.0
-
dBm
-
‐19.0
-
dB
P-1dB(IN)1
IIP3_1
ISL1
f1=f RF, f2=f RF+100kHz,
Pin=-26dBm
基板、コネクタ損失除く ※1
RF IN VSWR1
VSWRi1
-
1.5
2.3
-
RF OUT VSWR1
VSWRo1
-
1.5
2.2
-
※ 1 入出力側基板、コネクタ損失
0.035dB(170MHz), 0.088dB(620MHz), 0.120dB(900MHz)
※ 2 入力側基板、コネクタ損失
0.018dB(170MHz), 0.044dB(620MHz), 0.060dB(900MHz)
電気的特性 1(RF 特性 2： Low Gain モード)
共通条件:
VDD=2.8V, VCTL=0V, f RF=170~900MHz, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 2
1dB 利得圧縮時
入力電力 2
入力 3 次インター
セプトポイント 2
記号
条件
最小
標準
最大
単位
Gain2
基板、コネクタ損失除く ※1
-2.5
-1.0
-
dB
+14.0
+17.0
-
dBm
+17.0
+22.0
-
dBm
P-1dB(IN)2
IIP3_2
f1=f RF, f2=f RF+100kHz,
Pin=-8dBm
RF IN VSWR2
VSWRi2
-
1.5
2.0
-
RF OUT VSWR2
VSWRo2
-
1.5
2.0
-
※ 1 入出力側基板、コネクタ損失
0.035dB(170MHz), 0.088dB(620MHz), 0.120dB(900MHz)
-3-
NJG1142KA1
電気的特性 2(DC 特性 1)
共通条件: VDD=1.8V, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
最小
標準
最大
単位
VDD
-
1.8
-
V
切替電圧(High)
VCTL(H)
-
1.8
-
V
切替電圧(Low)
VCTL(L)
-
0
-
V
電源電圧
動作電流 1
(High Gain モード)
動作電流 2
(Low Gain モード)
切替電流
記号
条件
IDD1
RF OFF, VCTL=1.8V
-
4.2
-
mA
IDD2
RF OFF, VCTL=0V
-
6.4
-
µA
ICTL
RF OFF, VCTL=1.8V
-
5.6
-
µA
電気的特性 2(RF 特性 1：High Gain モード)
共通条件:
VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=170~900MHz,T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 1
雑音指数 1
1dB 利得圧縮時
入力電力 1
入力 3 次インター
セプトポイント 1
アイソレーション 1
記号
条件
最小
標準
最大
単位
Gain1
基板、コネクタ損失除く ※1
-
12.1
-
dB
NF1
基板、コネクタ損失除く ※2
-
1.75
-
dB
-
-1.6
-
dBm
f1=f RF, f2=f RF+100kHz,
Pin=-26dBm
-
+2.0
-
dBm
基板、コネクタ損失除く ※1
-
‐18.4
-
dB
P-1dB(IN)1
IIP3_1
ISL1
RF IN VSWR1
VSWRi1
-
1.67
-
-
RF OUT VSWR1
VSWRo1
-
1.96
-
-
※ 1 入出力側基板、コネクタ損失
0.035dB(170MHz), 0.088dB(620MHz), 0.120dB(900MHz)
※ 2 入力側基板、コネクタ損失
0.018dB(170MHz), 0.044dB(620MHz), 0.060dB(900MHz)
-4-
NJG1142KA1
電気的特性 2(RF 特性 2： Low Gain モード)
共通条件:
VDD=1.8V, VCTL=0V, f RF=170~900MHz, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
項目
小信号電力利得 2
1dB 利得圧縮時
入力電力 2
入力 3 次インター
セプトポイント 2
記号
条件
最小
標準
最大
単位
Gain2
基板、コネクタ損失除く ※1
-
-1.1
-
dB
-
+18.9
-
dBm
-
+24.0
-
dBm
P-1dB(IN)2
IIP3_2
f1=f RF, f2=f RF+100kHz,
Pin=-8dBm
RF IN VSWR2
VSWRi2
-
1.33
-
-
RF OUT VSWR2
VSWRo2
-
1.15
-
-
※ 1 入出力側基板、コネクタ損失
0.035dB(170MHz), 0.088dB(620MHz), 0.120dB(900MHz)
端子情報
番号
端子名
機能説明
1
VCTL
切替電圧供給端子です。
2
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
3
RFOUT
RF 信号出力端子です。この端子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねて
いますので、外部回路図に示すチョークインダクタ L1 を介して電源
を供給して下さい。
4
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
5
GND
接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。
6
RFIN
RF 信号入力端子です。この端子は IC 内部に DC ブロッキングキャ
パシタが内蔵されています。
-5-
NJG1142KA1
特性例（High Gain モード）
共通条件：VDD=2.8V, VCTL=1.8V,T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Pout vs. Pin
Gain, IDD vs. Pin
(freq=620MHz)
(freq=620MHz)
16
10
Gain
14
Gain (dB)
0
-10
Pout
40
12
30
10
20
IDD
-20
8
-30
10
P-1dB(IN)=0dBm
P-1dB(IN)=0dBm
-40
-40
-30
-20
-10
0
6
-40
10
0
-30
Pin (dBm)
-10
0
Pout, IM3 vs. Pin
NF, Gain vs. frequency
(freq=50~2000MHz)
20
4
16
3.5
0
Noise Figure (dB)
Pout
-20
-40
IM3
-60
-80
14
Gain
3
2.5
2
8
NF
1.5
6
1
4
0.5
2
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
-30
-20
-10
0
10
20
0
500
Pin (dBm)
1000
1500
0
2000
frequency (MHz)
P-1dB(IN) vs. frequency
IIP3, OIP3 vs. frequency
(freq=50~2000MHz)
(f1=50~2000MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-26dBm)
10
12
10
IIP3=+2.4dBm
-100
-40
10
Pin (dBm)
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)
Pout, IM3 (dBm)
-20
20
5
IIP3, OIP3 (dBm)
P-1dB(IN) (dBm)
OIP3
0
-5
15
10
5
IIP3
-10
0
0
500
1000
frequency (MHz)
-6-
1500
2000
0
500
1000
frequency (MHz)
1500
2000
Gain (dB)
Pout (dBm)
50
IDD (mA)
20
NJG1142KA1
■特性例（High Gain モード）
共通条件：VCTL=1.8V,Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
NF, Gain vs. VDD
P-1dB(IN) vs. VDD
(freq=620MHz)
4
14
Gain
3
12
2.5
10
2
8
NF
1.5
6
1
4
0.5
Gain (dB)
P-1dB(IN) (dBm)
Noise Figure (dB)
3.5
(freq=620MHz)
10
16
5
0
-5
2
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
1.5
-10
1.5
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
2.0
2.5
VDD (V)
3.0
3.5
4.0
4.5
3.5
4.0
4.5
3.5
4.0
4.5
VDD (V)
IIP3, OIP3 vs. VDD
VSWR vs. VDD
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-26dBm)
(freq=620MHz)
20
3
15
2.5
VSWR
IIP3, OIP3 (dBm)
OIP3
10
5
2
1.5
IIP3
0
1.5
2.0
VSWRi
2.5
3.0
3.5
4.0
1
1.5
4.5
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
VDD (V)
Isolation vs. VDD
IDD vs. VDD
(freq=620MHz)
0
(RF OFF)
10
-5
8
-10
IDD (mA)
Isolation (dB)
VSWRo
-15
6
4
-20
2
-25
-30
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
3.5
4.0
4.5
0
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
-7-
NJG1142KA1
■特性例（High Gain モード）
共通条件：VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
NF, Gain vs. Temperature
P-1dB(IN) vs. Tempareture
(freq=620MHz)
16
3.5
14
Gain
Noise Figure (dB)
3
12
2.5
10
2
8
NF
1.5
6
1
4
0.5
(freq=620MHz)
10
Gain (dB)
P-1dB(IN) (dBm)
4
5
0
-5
2
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
-40
-20
0
20
40
60
-10
-40
0
100
80
-20
0
Temperature (oC)
20
40
60
80
100
80
100
Tempareture (oC)
IIP3, OIP3 vs. Temperature
VSWR vs. Temperature
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-26dBm)
(freq=620MHz)
20
3
15
2.5
VSWR
10
5
2
VSWRo
1.5
IIP3
0
-40
-20
VSWRi
0
20
40
60
80
1
-40
100
-20
0
Temperature (oC)
40
60
IDD, ICTL vs. Temperature
Isolation vs. Temperature
(RF OFF)
(freq=620MHz)
0
10
-5
8
25
IDD
20
-10
IDD (mA)
Isolation (dB)
20
Temperature (oC)
-15
6
15
4
10
ICTL
-20
2
5
-25
-30
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
-8-
80
100
0
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
80
0
100
ICTL (µ
µ A)
IIP3, OIP3 (dBm)
OIP3
NJG1142KA1
特性例（High Gain モード）
共通条件：VDD=2.8V, VCTL=1.8V, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
S11, S22
VSWRi, VSWRo
S21, S12
Zin, Zout
-9-
NJG1142KA1
特性例（High Gain モード）
共通条件：VDD=2.8V, VCTL=1.8V,T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
S11, S22 (freq=50MHz~20GHz)
S21, S12 (freq=50MHz~20GHz)
K factor vs. frequency
(freq=50MHz~20GHz)
20
o
+25 C
o
+60 C
o
o
+85 C
-40 C
o
-20 C
K factor
15
o
0C
10
5
0
0.0
5.0
10
frequency (GHz)
- 10 -
15
20
NJG1142KA1
特性例（Low Gain モード）
共通条件:VDD=2.8V, VCTL=0V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Pout vs. Pin
Gain, IDD vs. Pin
(freq=620MHz)
(freq=620MHz)
0
10
Gain
-2
Gain (dB)
0
Pout (dBm)
50
-10
Pout
-20
40
-4
30
-6
20
IDD
-8
-30
10
P-1dB(IN)=22.2dBm
P-1dB(IN)=+22.2dBm
-40
-40
-30
IDD (µ A)
20
-20
-10
0
10
20
-10
-40
30
0
-30
-20
Pin (dBm)
-10
0
10
20
30
Pin (dBm)
Pout, IM3 vs. Pin
Gain vs. frequency
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)
(freq=50~2000MHz)
0
40
20
Gain (dB)
Pout, IM3 (dBm)
-2
Pout
0
-20
IM3
-40
-4
-6
-60
-8
-80
IIP3=+23.8dBm
-100
-30
-10
-20
-10
0
10
20
0
30
500
Pin (dBm)
1500
P-1dB(IN) vs. frequency
IIP3, OIP3 vs. frequency
(freq=50~2000MHz)
(f1=50~2000MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-8dBm)
25
2000
30
20
IIP3, OIP3 (dBm)
P-1dB(IN) (dBm)
1000
frequency (MHz)
15
10
5
IIP3
25
OIP3
20
15
10
0
500
1000
frequency (MHz)
1500
2000
0
500
1000
1500
2000
frequency (MHz)
- 11 -
NJG1142KA1
特性例（Low Gain モード）
共通条件: VCTL=0V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Gain vs. VDD
P-1dB(IN) vs. VDD
(freq=620MHz)
0
(freq=620MHz)
25
P-1dB(IN) (dBm)
Gain (dB)
-1
-2
-3
20
15
10
-4
-5
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5
1.5
4.5
2.0
2.5
IIP3, OIP3 vs. VDD
VSWR vs. VDD
4.0
4.5
4.0
4.5
(freq=620MHz)
2
30
1.8
IIP3
VSWR
IIP3, OIP3 (dBm)
3.5
VDD (V)
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-8dBm)
25
3.0
VDD (V)
OIP3
20
1.6
1.4
VSWRi
15
1.2
VSWRo
10
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VDD (V)
(RF OFF)
25
IDD (µ A)
20
15
10
5
0
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
- 12 -
2.0
2.5
3.0
VDD (V)
IDD vs. VDD
30
1
1.5
3.5
4.0
4.5
3.5
NJG1142KA1
■特性例（Low Gain モード）
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=0V, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
Gain vs. Temperature
P-1dB(IN) vs. Tempareture
(freq=620MHz)
0
(freq=620MHz)
25
P-1dB(IN) (dBm)
Gain (dB)
-1
-2
-3
20
15
10
-4
-5
-40
-20
0
20
40
60
80
5
-40
100
-20
0
Temperature (oC)
20
IIP3, OIP3 vs. Temperature
60
80
100
VSWR vs. Temperature
(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-8dBm)
(freq=620MHz)
2
30
IIP3
1.8
OIP3
1.6
25
VSWR
IIP3, OIP3 (dBm)
40
Tempareture (oC)
20
1.4
VSWRi
15
1.2
VSWRo
10
-40
-20
0
20
40
60
80
1
-40
100
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature
IDD vs. VCTL
(RF OFF)
30
80
100
(RF OFF)
8
7
25
6
IDD (mA)
IDD (µ A)
20
15
10
5
4
3
2
+25 C
o
+60 C
o
+85 C
-20 C
5
0
-40
o
-40 C
1
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
80
100
0
0.0
0C
0.5
1.0
1.5
2.0
o
o
o
2.5
3.0
VCTL (V)
- 13 -
NJG1142KA1
■特性例（Low Gain モード）
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=0V, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
- 14 -
S11, S22
S21, S12
VSWRi, VSWRo
Zin, Zout
NJG1142KA1
■特性例（Low Gain モード）
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=0V, T a=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による
S11, S22 (50MHz~20GHz)
S21, S12 (50MHz~20GHz)
K factor vs. frequency
(freq=50MHz~20GHz)
20
o
+25 C
o
o
+60 C
o
+85 C
-40 C
o
-20 C
K factor
15
o
0C
10
5
0
0.0
5.0
10
15
20
frequency (GHz)
- 15 -
NJG1142KA1
外部回路図
(Top View)
C1
330pF RF OUT
4
3
GND
L1
RFOUT
270nH
5
GND
Bias
circuit
6
Logic
circuit
RF IN
VDD
C2
2
1000pF
GND
VCTL
1
RFIN
VCTL
1Pin INDEX
基板実装図
■チップ部品リスト
(Top View)
部品番号
L1
VDD
C1, C2
C2
L1
RF IN
C1
RF OUT
VCTL
型名
太陽誘電製
HK1005 シリーズ
村田製作所製
GRM15 シリーズ
■PCB
基板材質 : FR4
基板厚 : 0.2mm
マイクロストリップライン幅
: 0.40mm (Z0=50Ω)
外形サイズ
: 16.8mm x 16.8mm
1Pin INDEX
デバイス使用上の注意
・ C1 は DC ブロッキングキャパシタ、C2 はバイパスキャパシタです。
・ L1 はチョークインインダクタです。
・ RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、IC の下にグランドパターンを配置して下さい。
- 16 -
NJG1142KA1
測定ブロック図
測定ブロック図を示す。図示していないが各モード（High Gain／Low Gain）の状態に応じて VCTL
に適宜電圧を与えるものとする。
●S-parameter 測定ブロック図
VDD
RF IN
RF OUT
DUT
Port 1
Port 2
Network
Analyzer
S パラメータ測定ブロック
●IIP3 測定ブロック図
VDD
freq.1
2dB
Attenuator
RF IN
Signal
Generator
RF OUT
Spectrum
Analyzer
DUT
Signal
Generator
freq.2
Power
Comb.
2dB
Attenuator
3dB
3dB
Attenuator Attenuator
大信号特性測定ブロック１
VDD
freq.1
Signal
Generator
2dB
Attenuator
2dB
Attenuator
RF IN
RF
Amp.
RF OUT
Spectrum
Analyzer
DUT
6dB
Attenuator
10dB
Attenuator
大信号特性測定ブロック２(Low Gain モード 1 波入力)
- 17 -
NJG1142KA1
●NF 測定ブロックダイアグラム
使用測定器
・NF アナライザ：Agilent 8973A
・ノイズソース
：Agilent 346A
NF アナライザ設定
・Measurement mode form
Device under test
：Amplifier
System downconverter
：off
・Mode setup form
：LSB
Sideband
・Averages
：8
・Average mode
：Point
・Bandwidth
：4MHz
・Loss comp
：off
・Tcold
：ノイズソース本体の温度を入力(300.0K)
NF Analyzer
(Agilent 8973A)
Noise Source
(Agilent 346A)
※ノイズソースと NF
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
アナライザは直接接続
キャリブレーション時
NF Analyzer
(Agilent 8973A)
Noise Source
(Agilent 346A)
※
In
DUT
out
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
ノイズソースと DUT、
DUT と NF アナライザは
直接接続
NF 測定ブロック
- 18 -
NJG1142KA1
パッケージ外形図（FLP6-A1）
1.6 0.05
0.05
0.13 0.05
0.1
0.5
0.2 0.1
0.5
1.6 0.05
1.2 0.05
0.2 0.1
0.55
0.1
0.22 0.05
単位
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項
製品取り扱い上の注意事項
ガリウムヒ素
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止
のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す
る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
：mm
＜注意事項＞
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
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