NJG1157PCD GPS and GLONASS フロントエンドモジュールフロント

NJG1157PCD
GPS and GLONASS フロントエンドモジュール
概要
NJG1157PCD は GPS 及び GLONASS での使用を主目的としたフロントエ
ンドモジュールです。本製品は内蔵する高性能 SAW フィルタ及び LNA によ
る高利得、低雑音指数、高線形性、及び高帯域外減衰特性を特徴とします。
本製品は 1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するとともに、スタンバイ機能に
より通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は-40~+105℃の広い温
度範囲で動作可能です。
本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS 対応 / ハ
ロゲンフリーの HFFP10-CD パッケージを採用することで実装面積の低減に
貢献します。
外形
特徴
GPS 及び GLONASS 対応
低動作電圧
低消費電流
1.8/ 2.8V typ.
2.6/3.3mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V
0.1µA typ.
@VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode)
17.5/18.5dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V,
f=1575MHz, 1597~1606MHz
1.65/1.60dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz
1.75/1.70dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1597~1606MHz
85dBc typ.
@f=704~915MHz, relative to 1575MHz
75dBc typ.
@f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz
HFFP10-CD: 2.5mmx2.5mmx0.63mm max.
高利得
低雑音指数
高帯域外減衰
小型パッケージ
RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1
端子配列
ブロックダイアグラム
(Top View)
1
Post-Filter
10
GND
PostOUT
VCTL
NC (GND)
2
VDD
9
LNA
3
8
PreOUT
NC(GND)
4
PreIN
5
LNAIN
Pre-Filter
7
端子配列
1. GND
2. VCTL
3. VDD
4. NC(GND)
5. PreIN
6. GND
7. PreOUT
8. LNAIN
9. NC(GND)
10. PostOUT
VCTL
RF IN
V DD
Pre-Filter
Post-Filter
RF OUT
LNA
GND
6
Exposed pad: GND
真理値表
“H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)
VCTL
モード
H
アクティブモード
L
スタンバイモード
注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。
Ver.2016-04-18
-1-
NJG1157PCD
絶対最大定格
Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω
項目
記号
条件
定格
単位
電源電圧
VDD
5.0
V
切替電圧
VCTL
5.0
V
+15
dBm
+27
dBm
580
mW
PIN (inband)
入力電力
PIN (outband)
VDD=2.8V,
f=1575, 1597~1606MHz
VDD=2.8V,
f=50~1460, 1710~4000MHz
4 層スルーホール付き FR4 基板実装時
(101.5x114.5mm), Tj=110°C
消費電力
PD
動作温度
Topr
-40~+105
°C
保存温度
Tstg
-40~+110
°C
電気的特性 1 (DC 特性)
特性
(共通条件: Ta=+25°C)
項目
最小
標準
最大
単位
VDD
1.5
-
3.3
V
切替電圧(High)
VCTL(H)
1.5
1.8
3.3
V
切替電圧(Low)
VCTL(L)
0
0
0.3
V
-
3.3
6.4
mA
-
2.6
5.9
mA
-
0.1
5.0
µA
-
0.1
5.0
µA
-
5.0
15.0
µA
電源電圧
記号
動作電流 1
IDD1
動作電流 2
IDD2
動作電流 3
IDD3
動作電流 4
IDD4
切替電流
ICTL
-2-
条件
RF OFF,
VDD=2.8V, VCTL=1.8V
RF OFF,
VDD=1.8V, VCTL=1.8V
RF OFF,
VDD=2.8V, VCTL=0V
RF OFF,
VDD=1.8V, VCTL=0V
VCTL=1.8V
NJG1157PCD
電気的特性 2 (RF)
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597~1606MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
項目
記号
最小
標準
最大
単位
17.0
18.5
-
dB
17.0
18.5
-
dB
-
1.6
2.1
dB
-
1.7
2.2
dB
f=1575, 1597~1606MHz
-
-15.0
-
dBm
f1=1575MHz, f2=f1+/-1MHz,
Pin=-30dBm
-
-3.0
-
dBm
IIP2_OB1
f1=824.6MHz at +15dBm,
f2=2400MHz at +15dBm,
fmeas=1575.4MHz
-
+72
-
dBm
IIP3_OB1
f1=1712.7MHz at +15dBm,
f2=1850MHz at +15dBm,
fmeas=1575.4MHz
-
+50
-
dBm
妨害波条件:
787.76MHz at +15dBm
高調波測定周波数:
1575.52MHz
-
-30
-
dBm
P-1dB(IN)
_OB1-1
fjam=900MHz,
fmeas=1575MHz
at Pin=-40dBm
-
+24
-
dBm
P-1dB(IN)
_OB1-2
fjam=1710MHz,
fmeas=1575MHz
at Pin=-40dBm
-
+24
-
dBm
小信号利得(GPS)1
GainGPS1
小信号利得(GLONASS)1
GainGLN1
雑音指数(GPS)1
NFGPS1
雑音指数(GLONASS)1
NFGLN1
1dB 利得圧縮時
入力電力 1
入力 3 次インター
セプトポイント 1
アウトバンド
入力 2 次インター
セプトポイント 1
アウトバンド
入力 3 次インター
セプトポイント 1
700MHz 帯高調波 1
アウトバンド
1dB 利得圧縮時
入力電力 1
P-1dB(IN)1
IIP3_1
2fo1
条件
f=1575MHz (GPS), コネクタ損失
除く (0.19dB)
f=1597~1606MHz (GLONASS)
コネクタ損失除く (0.19dB)
f=1575MHz (GPS) , コネクタ損
失除く (0.09dB)
f=1597~1606MHz (GLONASS) ,
コネクタ損失除く (0.09dB)
ローバンド減衰量 1
BR_L1
f=704~915MHz,
relative to 1575MHz
-
85
-
dBc
ハイバンド減衰量 1
BR_H1
f=1710~1980MHz,
relative to 1575MHz
-
75
-
dBc
WLAN バンド減衰量 1
BR_W1
f=2400~2500MHz,
relative to 1575MHz
-
72
-
dBc
RLiGPS1
f=1575MHz (GPS)
-
7.5
-
dB
RLiGLN1
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
7.5
-
dB
RLoGPS1
f=1575MHz (GPS)
-
11
-
dB
RLoGLN1
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
15
-
dB
GDTD1
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
8.0
-
ns
RF IN ポートリターン
ロス(GPS)1
RF IN ポートリターン
ロス(GLONASS)1
RF OUT ポートリターン
ロス(GPS )1
RF OUT ポートリターン
ロス(GLN)1
群遅延時間偏差 1
-3-
NJG1157PCD
電気的特性 3 (RF)
共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597~1606MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
項目
記号
最小
標準
最大
単位
15.5
17.5
-
dB
15.5
17.5
-
dB
-
1.65
2.20
dB
-
1.75
2.35
dB
f=1575, 1597~1606MHz
-
-17.0
-
dBm
f1=1575MHz, f2=f1+/-1MHz,
Pin=-30dBm
-
-6.0
-
dBm
IIP2_OB2
f1=824.6MHz at +15dBm,
f2=2400MHz at +15dBm,
fmeas=1575.4MHz
-
+72
-
dBm
IIP3_OB2
f1=1712.7MHz at +15dBm,
f2=1850MHz at +15dBm,
fmeas=1575.4MHz
-
+50
-
dBm
妨害波条件:
787.76MHz at +15dBm
高調波測定周波数:
1575.52MHz
-
-30
-
dBm
P-1dB(IN)
_OB2-1
fjam=900MHz,
fmeas=1575MHz
at Pin=-40dBm
-
+24
-
dBm
P-1dB(IN)
_OB2-2
fjam=1710MHz,
fmeas=1575MHz
at Pin=-40dBm
-
+24
-
dBm
小信号利得(GPS)2
GainGPS2
小信号利得(GLONASS)2
GainGLN2
雑音指数(GPS)2
NFGPS2
雑音指数(GLONASS)2
NFGLN2
1dB 利得圧縮時
入力電力 2
入力 3 次インター
セプトポイント 2
アウトバンド
入力 2 次インター
セプトポイント 2
アウトバンド
入力 3 次インター
セプトポイント 2
700MHz 帯高調波 2
アウトバンド
1dB 利得圧縮時
入力電力 2
P-1dB(IN)2
IIP3_2
2fo2
条件
f=1575MHz (GPS), コネクタ損失
除く (0.19dB)
f=1597~1606MHz (GLONASS)
コネクタ損失除く (0.19dB)
f=1575MHz (GPS) , コネクタ損
失除く (0.09dB)
f=1597~1606MHz (GLONASS) ,
コネクタ損失除く (0.09dB)
ローバンド減衰量 2
BR_L2
f=704~915MHz,
relative to 1575MHz
-
85
-
dBc
ハイバンド減衰量 2
BR_H2
f=1710~1980MHz,
relative to 1575MHz
-
75
-
dBc
WLAN バンド減衰量 2
BR_W2
f=2400~2500MHz,
relative to 1575MHz
-
72
-
dBc
RLiGPS2
f=1575MHz (GPS)
-
7.5
-
dB
RLiGLN2
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
7.5
-
dB
RLoGPS2
f=1575MHz (GPS)
-
10
-
dB
RLoGLN2
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
13
-
dB
GDTD2
f=1597~1606MHz (GLONASS)
-
8.0
-
ns
RF IN ポートリターン
ロス(GPS)2
RF IN ポートリターン
ロス(GLONASS)2
RF OUT ポートリターン
ロス(GPS)2
RF OUT ポートリターン
ロス(GLN)2
群遅延時間偏差 2
-4-
NJG1157PCD
端子情報
番号
端子名
機能説明
1
GND
接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接
続してください。
2
VCTL
切替電圧印加端子です。
3
VDD
電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ
い。
4
NC(GND)
5
PreIN
6
GND
接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
7
PreOUT
pre-SAW フィルタの出力側に接続されます。
外部整合回路 L1 を介して LNAIN
端子と接続されます。
8
LNAIN
LNA の RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力され
ます。この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。
9
NC(GND)
10
PostOUT
RF 信号出力端子です。この端子は post-SAW フィルタと接続されます。SAW
フィルタは構造上 DC 信号をブロックするため、基本的には外部 DC ブロッ
キングキャパシタは不要です。
Exposed
Pad
GND
接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して
下さい。
RF 信号入力端子です。pre-SAW フィルタの入力側に接続されます。
この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して
下さい。
-5-
NJG1157PCD
特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
-6-
S11, S22
S21, S12
VSWR
Zin, Zout
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
S21 vs. Frequency
NF, Gain vs. frequency
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V)
4
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V)
20
20
10
0
15
3
2
10
NF
-20
-30
-40
-50
5
1
S21 (dB)
-10
Gain (dB)
Noise Figure (dB)
Gain
-60
-70
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
0
1.54
1.56
1.58
1.60
1.62
0
1.64
-80
0.5
1.0
frequency (GHz)
1.5
2.0
2.5
3.0
Frequency (GHz)
Group Delay vs. frequency
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V)
50
Group Delay (ns)
40
30
20
10
0
1.54
1.56
1.58
1.60
1.62
1.64
frequency (GHz)
Pout, I
10
Pout, IM3 vs. Pin
vs. Pin
DD
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz)
9
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)
20
OIP3=+15.7dBm
P-1dB(OUT)=+3.4dBm
8
Pout (dBm)
6
-5
Pout
5
IDD
-15
4
-20
3
Pout , IM3 (dBm)
7
0
-10
0
IDD (mA)
5
Pout
-20
-40
IM3
-60
-80
P-1dB(IN)=-14.1dBm
-25
-40
IIP3=-2.1dBm
2
-30
-20
-10
Pin (dBm)
0
10
-100
-40
-30
-20
-10
0
10
Pin (dBm)
-7-
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)
Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)
22
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm)
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain
20
Gain
20
18
18
16
16
Gain (dB)
Gain (dB)
22
14
12
14
12
10
10
8
8
P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm
6
-40
-30
-20
-10
0
10
20
P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm
(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
6
-40
30
-30
-20
Out-of-band IIP3
f1=824.6MHz, f2=2400MHz)
Pout , IM3 (dBm)
Pout , IM2 (dBm)
40
40
Pout
0
-20
-40
Pout
-20
-40
IM3
IIP2_OB=+73.2dBm
-20
0
20
40
60
IIP3_OB=+57.8dBm
80
2nd Harmonics
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V,
fin=787.76MHz, f meas =1575.52MHz)
-20
2fo=-30.7dBm
-40
-60
-80
-100
-20
-10
0
Pin(dBm)
-100
-40
-20
0
20
Pin (dBm)
Pin (dBm)
2nd Harmonics(dBm)
0
-80
-80
-8-
20
-60
IM2
-60
30
80
60
-120
-30
20
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)
60
0
10
Out-of-band IIP2
80
-100
-40
0
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575.4MHz,
100
20
-10
Pin at 1710MHz (dBm)
Pin at 900MHz (dBm)
10
20
30
40
60
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
S11, S22
S21, S12
VSWR
Zin, Zout
-9-
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
S21 vs. Frequency
NF, Gain vs. frequency
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V)
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V)
4
20
20
10
Gain
0
15
Noise Figure (dB)
3
2
10
S21 (dB)
NF
Gain (dB)
-10
-20
-30
-40
-50
5
1
-60
-70
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
0
1.54
1.56
1.58
1.60
1.62
-80
0.5
0
1.64
1.0
1.5
frequency (GHz)
2.0
2.5
3.0
Frequency (GHz)
Group Delay vs. frequency
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V)
50
Group Delay (ns)
40
30
20
10
0
1.54
1.56
1.58
1.60
1.62
1.64
frequency (GHz)
Pout, I
Pout, IM3 vs. Pin
vs. Pin
DD
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz)
10
5
7
-5
-10
0
6
Pout
5
IDD
-15
4
-20
3
Pout , IM3 (dBm)
P-1dB(OUT)=-0.7dBm
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)
OIP3=+11.5dBm
8
IDD (mA)
Pout (dBm)
0
20
9
Pout
-20
-40
IM3
-60
-80
IIP3=-5.8dBm
P-1dB(IN)=-17.0dBm
-25
-40
2
-30
-20
-10
Pin (dBm)
- 10 -
0
10
-100
-40
-30
-20
-10
Pin (dBm)
0
10
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)
22
22
Gain
20
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain
20
18
18
16
16
Gain (dB)
Gain (dB)
Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm)
14
12
10
14
12
10
8
8
P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm
(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
6
-40
-30
-20
-10
0
P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm
(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
10
20
6
-40
30
-30
-20
Pin at 900MHz (dBm)
20
Out-of-band IIP3
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)
f1=824.6MHz, f2=2400MHz)
60
60
40
40
Pout
0
-20
-40
20
0
Pout
-20
-40
-60
IM2
-60
30
80
Pout , IM3 (dBm)
Pout , IM2 (dBm)
10
Out-of-band IIP2
80
IM3
-80
-80
-100
-40
0
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575.4MHz,
100
20
-10
Pin at 1710MHz (dBm)
IIP2_OB=+72.1dBm
-20
0
20
40
60
IIP3_OB=+52.6dBm
80
Pin (dBm)
-100
-40
-20
0
20
40
60
Pin (dBm)
2nd Harmonics
(VDD=1.8V, V CTL=1.8V,
2nd Harmonics(dBm)
0
fin=787.76MHz, f meas =1575.52MHz)
-20
2fo=-30.3dBm
-40
-60
-80
-100
-120
-30
-20
-10
0
10
20
30
Pin(dBm)
- 11 -
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による
Return Loss vs. Temperature
Gain, NF vs. Temperature
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
3
Gain
20
2.5
18
2
16
1.5
NF
14
1
12
Return Loss (dB)
Gain (dB)
22
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
20
3.5
Noise Figure (dB)
24
15
RLout
10
RLin
5
0.5
(Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses)
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
-60
0
120
-40
-20
Group Delay Time Deviation (nsec)
Rejection (dBc)
915MHz
80
1980MHz
70
2500MHz
60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
Temperature (oC)
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
1.2
5
1
IDD
0.8
(active mode)
3
0.6
2
0.4
IDD
(stand-by mode)
1
0
-60
0.2
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
- 12 -
80
100
0
120
IDD (uA) @stand-by mode
IDD (mA) @active mode
1.4
6
4
60
80
100
120
20
15
10
5
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature
7
40
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1597~1606MHz)
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
90
50
-60
20
Group Delay Time Deviation
vs. Temperature
Rejection vs. Temperature
100
0
Temperature (oC)
Temperature (oC)
80
100
120
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による
P-1dB(IN) vs. Temperature
OIP3, IIP3 vs. Temperature
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)
22
8
20
6
18
-12
OIP3 (dBm)
P-1dB(IN) (dBm)
-10
P-1dB(IN)
-14
-16
4
OIP3
16
2
14
0
12
-2
10
-4
IIP3
-18
8
-20
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
6
-60
120
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-8
120
Temperature (oC)
Out-of-band IIP2 vs. Temperature
Out-of-band IIP3 vs. Temperature
Out-of-band IIP3 (dBm)
70
IIP2_OB
60
50
40
30
-60
-40
-20
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,
f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm)
80
0
20
40
60
80
100
70
IIP3_OB
60
50
40
30
-60
120
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (oC)
Temperature (oC)
2nd Harmonics vs. Temperature
k-factor vs. frequency
0
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=787.76MHz)
-10
2fo
-30
-40
-50
-60
120
-40 oC
-25 oC
0 oC
+25 oC
+50 oC
+85 oC
4
-20
100
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
5
k-factor
Out-of-band IIP2 (dBm)
-6
Temperature (oC)
(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)
80
2nd Harmonics (dBm)
IIP3 (dBm)
-8
3
2
1
-40
-20
0
20
40
60
o
Temperature ( C)
80
100
120
0
0
5
10
15
20
frequency(GHz)
- 13 -
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
Return Loss vs. VDD
Gain, NF vs. VDD
(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
2.5
Gain
2
Gain (dB)
18
17
1.5
NF
1
16
Return Loss (dB)
19
(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
20
3
Noise Figure (dB)
20
15
RLout
10
RLin
5
0.5
15
(Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses)
0
0
14
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
4
1.5
2
2.5
VDD (V)
Rejection (dBc)
Group Delay Time Deviation (nsec)
915MHz
85
80
75
1980MHz
70
2500MHz
65
60
55
50
1.5
2
2.5
3
3.5
IDD vs. VDD
0.5
0.4
IDD
(active mode)
3
0.3
2
0.2
1
0.1
IDD
(stand-by mode)
0
0
1.5
2
2.5
VDD (V)
- 14 -
3
3.5
4
IDD (uA) @stand-by mode
IDD (mA) @active mode
0.6
5
1
15
10
5
0
1.5
2
2.5
VDD (V)
(VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
4
20
1
4
VDD (V)
6
4
(VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1597~1606MHz)
(VCTL=1.8V)
1
3.5
Group Delay Time Deviation vs. VDD
Rejection vs. VDD
90
3
VDD (V)
3
3.5
4
NJG1157PCD
特性例
Conditions: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による
P-1dB(IN) vs. VDD
OIP3, IIP3 vs. VDD
(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
(VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)
20
18
6
16
-12
OIP3 (dBm)
P-1dB(IN) (dBm)
-10
P-1dB(IN)
-14
-16
-18
4
OIP3
14
2
12
0
10
-2
IIP3
8
-20
-4
6
-22
-6
4
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.5
2
2.5
3
3.5
VDD (V)
VDD (V)
Out-of-band IIP2 vs. VDD
Out-of-band IIP3 vs. VDD
IIP2_OB
60
50
40
30
4
(VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,
f1=1713MHz at Pin=-20dBm, f2=1851MHz at Pin=-20dBm)
80
Out-of-band IIP3 (dBm)
70
-8
1
(VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)
80
Out-of-band IIP2 (dBm)
8
IIP3 (dBm)
-8
70
60
IIP3_OB
50
40
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VDD (V)
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VDD (V)
2nd Harmonics vs. VDD
(VCTL=1.8V, fRF=787.76MHz)
2nd Harmonics (dBm)
0
-10
-20
2fo
-30
-40
-50
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VDD (V)
- 15 -
NJG1157PCD
外部回路
(Top View)
RF OUT
1
VCTL
Post-Filter
GND
Post/OUT
VCTL
NC(GND)
2
VDD
9
VDD
LNA
3
C1
1000pF
10
LNAIN
8
NC(GND)
Pre/OUT
4
Pre-Filter
7
GND
Pre/IN
RF IN
5
6
部品リスト
部品番号
L1
C1
- 16 -
型名
村田製作所製
LQW15A シリーズ
村田製作所製 GRM03
シリーズ
L1
8.2nH
NJG1157PCD
基板実装図
(Top View)
PCB
基板: FR-4
基板厚: 0.2mm
VDD
マイクロストリップライン幅:
VCTL
0.4mm (Z0=50Ω)
サイズ: 14.0mm x 14.0mm
RF IN
C1
RF OUT
L1
< PCB レイアウトガイドライン>
PCB
PKG Terminal
PKG Outline
GND Via Hole
Diameter φ= 0.2mm, 0.4mm
デバイス使用上の注意事項
• RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。
•外部素子は FEM に極力近づけるように配置して下さい
• RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパター
ンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してくださ
い。
- 17 -
NJG1157PCD
■ 推奨フットパターン (HFFP10-CD パッケージ)
: ランド
Package : 2.5mm x 2.5mm
:マスク (開口部) *メタルマスク厚 : 100µm
:レジスト (開口部)
Metal MASK Detail
- 18 -
NJG1157PCD
NF 測定ブロックダイアグラム
使用測定器
・NF アナライザ
：Agilent 8973A
・ノイズソース
：Agilent 346A
NF アナライザ設定
・Measurement mode form
Device under test
：Amplifier
System downconverter
：off
・Mode setup form
：LSB
Sideband
・Averages
：16
・Average mode
：Point
・Bandwidth
：4MHz
・Loss comp
：off
・Tcold
：ノイズソース本体の温度を入力(303.15K)
NF Analyzer
(Agilent N8973A)
Preamplifier
NJG1145UA2
Gain 15dB
NF 1.5dB
Noise Source
(Agilent 346A)
* 測定精度向上のため、プリ
アンプを使用しています
* ノイズソース、プリアンプ、
NF アナライザは直接接続
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
キャリブレーション時
NF Analyzer
(Agilent N8973A)
Preamplifier
NJG1145UA2
Gain 15dB
NF 1.5dB
Noise Source
(Agilent 346A)
IN
DUT
OUT
* ノイズソース、DUT、プリ
アンプ、NF アナライザは
直接接続
Input (50Ω)
Noise Source
Drive Output
NF 測定時
- 19 -
NJG1157PCD
パッケージ外形図 (HFFP10-CD)
TOP VIEW
SIDE VIEW
パッケージサイズ :2.5±0.1mm
0.63mm max.
電極寸法公差:
±0.05mm
BOTTOM VIEW
単位
基板
端子処理
Lid
重量 (typ.)
: mm
: セラミック
: Au
: SnAg/Kovar/Ni
: 18.00mg
Exposed PAD
Ground connection is required.
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項
製品取り扱い上の注意事項
ガリウムヒ素
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、
製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関
連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
＜注意事項＞
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
本製品は、中空 PKG であり、外部からのｽﾄﾚｽに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評
価を行った上で、ご使用願います。
①本製品を実装後、ﾄﾗﾝｽﾌｧｰﾓｰﾙﾄﾞやﾎﾟｯﾃｨﾝｸﾞなど行う場合は、成型上に関わる収縮ｽﾄﾚｽや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。
②本製品を実装する場合には、ｺﾚｯﾄ径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N 以下での実装を推奨いたします。
③動荷重に関しては、接触面積/ｽﾋﾟｰﾄﾞ/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。
- 20 -

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