Magnetic 磁場用2次元デバイス・シミュレーション・モジュール Magneticモジュールを使用すると、デバイス・シミュレータAtlasで、デバイスの振る舞いにおける外部から加えられ た磁場の効果を考慮したシミュレーションを実行することができます。キャリアの動きは、ローレンツ力が加わることに より変わります。この力は、キャリア速度と加えられた磁束密度ベクトルのベクトル積に比例します。Magneticモジュ ールにより、計算対象の電流フローおよびポテンシャル分布の変化を見ることができます。つまり、磁気トランジスタや ホール効果磁場センサなど磁場の影響を受けやすい多くのデバイスをシミュレーションできます。また、半導体デバイス 特性における磁気環境の効果を見積もることも可能です。Magneticでは、均一の磁場がデバイス平面に垂直であると仮 定しています。 特長 •• 均一の外部磁場を設定可能 •• ローレンツ力を考慮したドリフト拡散方程式に修正 •• ホール電圧を計算可能 •• 磁場による電流偏向を観察可能 •• 磁場センサをシミュレーション可能 •• デバイス性能における浮遊磁場の効果をモデル化可能 シンプルな半導体抵抗において、印加された電圧に対するホール電 圧を示しています。このシミュレーションには、電界に依存した移 動度が含まれているので、印加電圧に対してホール電圧がサブリニ アに変動します。逆のキャリア・タイプではホール電圧に対して逆 の符号となります。 ネット・ドーピングの等高線およびp-n接合の位置を示したシ ンプルなNPN磁気トランジスタ構造図です。コレクタに10V のバイアスを印加した、コモンエミッタ形です。さらに、ベ ースには0.0Vから0.65Vのバイアスをかけました。磁場なし の場合と、デバイスに対して垂直に加えた1テスラの均一磁場 の場合で結果が得られたので、次頁に示します。 磁気トランジスタにおける90umでの水平なカットラインに沿った電 子電流密度を示しています。印加磁場がない場合、電流密度はデバ イスのセンターラインで対称となりますが、磁場がある場合、コレ クタ1とコレクタ2間での電流差異を引き起こす非対称になります。 これは印加磁場によって生じた電流の流れの差のみによるものです。 1.0テスラの印加磁場に対する磁気トランジスタのコレクタ電流で す。コレクタ電流間での差異により磁場を計測することが可能です。 磁場がない場合、コレクタ電流は同一になります。 コレクタ1の電流をベース1の電流で、コレクタ2の電 流をベース2の電流で割って得られた電流利得を示し ています。1つの電流利得はゼロ磁場に対して上昇 し、もうひとつは低下します。 株式会社 シルバコ・ジャパン www.silvaco.co.jp 横浜本社 〒 220-8136 神奈川県横浜市西区みなとみらい 2-2-1 横浜ランドマークタワー 36F T E L : 0 4 5 - 6 4 0 - 6 1 8 8 FA X : 0 4 5 - 6 4 0 - 6 1 8 1 お問い合わせ : [email protected] 京都オフィス 〒 604-8152 京都市中京区烏丸通蛸薬師下ル手洗水町 651-1 第1 4 長 谷 ビ ル 9 F T E L : 0 7 5 - 2 2 9 - 8 2 0 7 FA X : 0 7 5 - 2 2 9 - 8 2 0 8 Rev.110113_02
© Copyright 2024 Paperzz