ソニー 処理 LSI などのキーデバイスの強化を図っている。 半導体分野でもこれらの製品の増強を進めている。 1． 事業動向 CCD と CMOS イメージセンサのバランスは、10 年 （1） 事業体制／事業戦略 度まではほぼ 50:50 であったと見られるが、11 年 同社では、エレクトロニクス事業において、デジ 度には CMOS イメージセンサの比率が高まってお タルイメージング、ゲーム、モバイルの 3 つの重 り、10 年度以降、外部ファンドリを含めて生産能 点領域に投資・技術開発を集中、14 年度には 3 領 力増強を進めている。 域でエレクトロニクス事業における売上高の 70％、 さらに高精細の 4K レべルの表示と対応コンテン 営業利益の 85％の創出を目指している。 ツの作成に向けても、イメージセンサ、信号処理、 デジタルイメージングでは、カメラ（DSC、ビデ ディスプレイデバイス、光伝送モジュールなどの開 オカメラ） 、レンズなどのシステム、逢関連製品に 発を進め、量産の確立、増強を進めていく方針であ 加えて、CCD ／ CMOS イメージセンサ (CIS)、信号 る。このため、半導体分野においても、イメージセ ソニー［http://www.sony.co.jp/］ 本社所在地 東京都港区港南 1-7-1 （億円） 09 年 3 月期 電話番号 03-6748-2111 （代表） 10 年 3 月期 11 年 3 月期 12 年 3 月期 全社売上高 71100 62930 63044 55266 半導体売上高 5800 4900 5000 4800 半導体設備投資 800 270 500 1500 主な製品 CCD イメージセンサ、 特定用途向け IC ／ディスクリート （TV/ ディスプレイ用、 ビデオ用、 光ディスク用、 ア ナログ・オーディオ用、 移動体通信 / 無線通信用、 光通信用、 モータ・ドライバ、 プリンタ用など）、 マイコン、 A/D ・ D/A コンバータ、 高周波デバイス、 光デバイスなど 製 品 別 構 成 比 （10 イメージセンサ 50％、 システム LSI ・ その他 50％ 年度） 主な投資先 09 年 3 月期 熊本 TEC 第 2 工場、 ソニー白石セミコンダクタ 10 年 3 月期 熊本 TEC 2 号棟 11 年 3 月期 熊本 TEC 12 年 3 月期 熊本 TEC、 長崎 TEC ： Fab3、 Fab4 （NP3） 10 年度 ： 投資の中心は熊本 TEC ・ 2 号棟。 CCD、 CIS というイメージセンサ生産能力の強化。 11 年度 ： 熊本 TEC ・ 10、 11 年度の Fab2 の増強、 長崎セミコンダクタマニュファクチャリング （Fab3） の取得とイメージセンサラインへの転換、 Fab4 への装 主な投資内容 置導入 12 年度の 主な投資内容 前年度に引き続き、 Fab3 の CIS ラインへの転換、 Fab4 の増強、 化合物半導体の生産能力整備。 62 □主要前工程／一貫生産拠点所在地 工場名／会社名 ソニーセミコンダクタ ・ 鹿児島 TEC ソニ－セミコンダクタ ・ 長崎 TEC ソニーセミコンダクタ ・ 熊本 TEC ソニーセミコンダクタ ・ 白石工場 □主要組立拠点所在地 工場名／会社名 ソニーセミコンダクタ ・ 大分 TEC Sony Device Technology (Thailand) 所在地 鹿児島県霧島市国分野口北 5-1 長崎県諫早市津久葉町 1883-43 熊本県菊池郡菊陽町原水 4000-1 宮城県白石市白鳥 3-53-2 所在地 大分県国東市国東町小原 3319-2 140 Moo 5, Bangkadi Industrial Park, Tawanon Road, Tambol Bangkadi, Amphur Muang, Pathum Thani, 12000 Thailand ンサなど当該製品の強化を進めている。また、SiP 電話番号 0995-45-3111 0957-22-7179 096-292-6111 0224-22-1111 電話番号 0978-72-2511 66-2-501-1730 導入している。 や狭ピッチ BGA、パッケージ・オン・パッケージ、 超小型パッケージなどの先端技術開発に力を入れて （2） 10 ～ 12 年度事業動向 いく。将来的にはパッケージ業務の受託事業まで視 ① 10 年度の事業動向 野に入れて事業展開を行っていく計画である。 半導体事業の 10 年度売上高は前年度比 100 億円 一方、これらの主力製品以外に関しては、Asset 増（2.0％増）の 5000 億円、このうち外部顧客向 Light に事業戦略を大きく変更した。プロセス開発 け前年度比 19.6％増の 3584 億円となった。イメー に関しても、最先端プロセスの自社開発、自社生産 ジセンサが増加した。 からは撤退することとした。それらのプロセスの開 発人員は CMOS イメージセンサ／ CCD、半導体レー ② 11 年度の事業動向 ザ、低温ポリシリコン LCD、有機 EL ディスプレイ 半導体事業の 10 年度売上高は前年度比 200 億円 などにシフトしている。 減（4.0％減）の 4800 億円、このうちの外部顧客 このような事業戦略により、ソニーセミコンダク 向け売上高は前年度比 4.9％増の 3758 億 9100 万 タ九州（当時）の長崎テクノロジーセンター（長崎 円となった。イメージセンサが売上高が増加、収益 TEC）の Fab2 の 300mm ウェーハ対応ラインの製 も改善した。 造設備を 08 年に東芝に売却、東芝と合弁会社「長 崎セミコンダクタマニュファクチャリング（NSM） 」 ③ 12 年度以降の事業動向 として同設備を利用していた。しかし、 CMOS イメー 12 年 度 の 半 導 体 売 上 高 見 通 し は、 前 年 度 比 ジセンサの需要が増加したことにより、NSM を東 12.5％増の 5400 億円であった。このうち、50％程 芝から買い戻し、 11 年 4 月から自社工場として運用、 度をイメージセンサが占めている。 CIS 生産対応へとライン転換を進めている。 ソニーでは半導体製造事業は、シリコン系半導体 ２． 投資動向 をソニーセミコンダクタ九州が、化合物半導体をソ ニーセミコンダクタ白石が行っていた。しかし、11 ① 10 年度の設備投資動向 年 11 月にソニーセミコンダクタ九州がソニーセミ 10 年度の設備投資額は前年度比 85％増の 500 億 コンダクタ白石を吸収合併、同時に社名をソニーセ 円となった。期初計画からは 350 億円からの拡大 ミコンダクタ株式会社に変更している。 となった。投資拡大は、熊本 TEC の大型強化に向 製造に関しては、45nm 以降の先端プロセスによ けられる。熊本 TEC では、CMOS イメージセンサ る生産は IBM などの他社に委託していく。なお、 「Exmor」 、 「Exmor R」の生産設備の増強を目的とす 65nm プロセスについては、熊本 TEC に生産設備を るもので、10 年度下期の 100 億円と、11 年度実 63 ソニー ソニーの半導体生産拠点の概要 （ED リサーチ社推定を含む） 工場名 主要 ライン名 厚 木 テ ク 全体 ノロジーセ ンター ソ ニ ー セ 全体 ミコンダク タ ・ 鹿 児 1 号館 島 TEC 3 号館 生産品目 月産能力 （万枚） 12 年 3月 フル稼 働時 ウェー ハ径 （mm） プロセ ス ・ レベ ル （nm） 投資額 ( 億円 ) 研究開発、 試作 半導体のプロセス技術などの製 製造技術開発の機能はソニーセミ コンダクタ九州に移管。 このため、 同拠点では要素技術開発が中心 となっている。 1 100 1.5μm リニア IC、 ロジッ 1.5 ク IC 1.5 100 3μm 4 号館 アナログ IC 3 1 2 5 ／ 2 μm 150 6 号館 4F フ ァ ン ド リ、 ア 1.2 ナ ロ グ、 MixedSignal、 CCD、 高 温ポリ Si 液晶 1.5 200 350 ～ 250 6 号館 2F フ ァ ン ド リ、 ア 1.2 ナ ロ グ、 Mixed Signal、 SRAM、 システム LSI 1.5 200 250 7 号棟 ロ ジ ッ ク、 CMOS 0.9 イ メ ー ジ セ ン サ、 LCD ドライバ IC 1.2 200 250 ～ 150 Graphics Synthe- 1.4 sizer、MOS ロジッ ク、 CMOS イメー ジセンサ 1.4 200 150 1200 CMOS イメージセンサの比率を拡 大している。 Fab2 ／ 2F シ ス テ ム LSI、 0.9 CMOS イメージセ ンサ 0.9 200 150 ～ 90 約 2200 Fab2 と Fab3 は 同 一 工 場 棟 に 置 か れ て お り、 Fab2 が 2 階 部 分、 Fab3 が 1F 部分である。 フル稼働 状況となっている。 12 年度以降 に 300mm ウェーハ対応への転換 を計画 Fab3 ／ 1F シ ス テ ム LSI、 0.9 CELL、 CMOS イ メージセンサ 1.2 300 65 ～ 約 3500 08 年 3 月に東芝に売却。 11 年 4 月に買い戻して、 Fab3 として運営 し て い る。 12 年 度 中 に も CIS の 比率を 50％レベルに引き上げる。 Fab4 1.2 300 130 ソ ニ ー セ 全体 ミコンダク タ ・ 長 崎 Fab1 TEC MMIC 10 年～ 12 年トピックス 11 年 累積総額 度推定 ／計画値 1 3 CMOS イメージセ 0.5 ンサ 40 - 4 2 0 ～ 第 1 期分、 クリーンルームの半分 450 のスペースで生産を行っている。 11 年度まで市場環境の悪化によ り、 増強は進んでいない。 09 年 3 月に閉鎖した NP 棟に装 置を導入、 CIS 用ライン Fab4 とし て、 12 年度中に稼動開始予定」 施分を合わせて約 400 億円の投資を行う計画でを 芝からの「長崎セミコンダクタマニュファクチャリ 提示していた。 ング」の買い戻し費用 530 億円が加わっているこ とから大幅に投資規模が拡大することになった。長 ② 11 年度の設備投資動向 崎セミコンダクタマニュファクチャリングは長崎 11 年度の設備投資は、前年度比 3 倍増の 1500 TEC の Fab3 として運用され、CMOS イメージセン 億 円 と な っ た。12 年 2 月 時 点 の 1600 億 円 か ら サへの転換にも投資が行われている。 100 億円の減額となっている。10 年度から続く熊 さらに長崎 TEC の第 3 号棟 (NP3) への 300mm 本 TEC の増強向け投資（300 億円）に加えて、東 ウェーハ対応設備導入に 500 億円レベルの投資を 64 ソニー ソニーの半導体生産拠点の概要 （EDR 推定を含む） 工場名 主要 ライン名 生産品目 月産能力 （万枚） 12 年 3月 ウェー ハ径 （mm） フル稼 働時 プロセ ス ・ レベ ル （nm） ソ ニ ー セ 全体 ミコンダク タ・ 熊 本 TEC 1 号棟 CCD、 CMOS イ 2.5 メージセンサ、 高 温ポリ Si 液晶 2.4 300 350 ～ 250 CCD、 高 温 ポ リ 1.2 Si 液晶 1.2 300 350 ～ 250 2 号棟 CMOS イメージセ 1.2 ンサ 1.3 300 350 ～ 180 半 導 体 レ ー ザ、 0.6 化合物半導体 0.6 100 500 ソ ニ ー セ 全体 ミコンダク タ・ 白 石 工場 行ったものと推定される。 投資額 ( 億円 ) 10 年～ 12 年トピックス 11 年 累積総額 度推定 ／計画値 2 号棟は 07 年 4 月から稼働を開 始、 07 年度後半から同棟のクリ ーンルーム増床を開始している。 200 2600 07 年春から CMOS イメージセン サの生産を開始している。 10 年 度後半から 400 億円をかけて能 力を強化、 11 年度には第 1 棟、 2 棟合計で、 工場全体で月産 2 万 5000 枚にまで拡大している。 シリコン LCD（HTPS-LCD） 、高精細画像デバイスの SXRD の製造を行っている。 ③ 12 年度以降の設備投資動向 第 1 棟は延床面積が約 9 万 1000m2。フル稼働時の 10 年度から 11 年度にかけて行われた大型投資が 生産能力は月産 1 万 2000 枚規模となっている。す 11 年度で一段落したことから、12 年度設備投資計 でに月産 1 万 2000 枚の規模で生産を行なっている。 画は 500 億円に抑える計画である。投資対象とし 第 2 棟は全体で 2 万 m2 のクリーンルーム（2 層 ては、Fab3 での CIS 生産能力の整備、NP 棟の強化、 構造）を持ち、フルキャパシティで月産 1 万 2000 熊本 TEC の整備などが投資の中心となる。さらに ～ 1 万 3000 枚を計画していた。第 2 棟に関しては、 オプトデバイスを中心に化合物半導体の生産能力の 半導体事業の停滞に伴い、08 年度半ばに投資を凍 整備も進める。 結していたが、10 年度下期から投資を再開した。 11 年度までに 400 億円を投資して、第 2 棟をフル 3． 工場動向 キャパシティとし、熊本 TEC 全体の生産能力を月 産 2 万 5000 枚としている。 ソニーセミコンダクタでは、シリコン半導体に関 長崎 TEC には 200mm ウェーハラインを導入し しては九州地区（旧ソニーセミコンダクタ九州）に ている Fab1（第 1 号棟） 、Fab2（第 2 号棟 2 階） 、 集約、半導体レーザなど白石工場（旧ソニー白石セ さらに東芝に売却後に「長崎セミコンダクタマニュ ミコンダクター）で展開している。 ファクチャリング（NSM） 」として稼動していた 九州地区のシリコン系半導体は前工程工場として 300mm ライン（第 2 号棟 1 階）を買い戻し、Fab3 熊本 TEC、長崎 TEC、鹿児島 TEC がある。このうち、 として稼動している。 熊本、長崎では CCD ／ CMOS イメージセンサの生 Fab1 では CMOS イメージセンサ、MOS ロジック 産拠点として、生産能力の強化を進めている。 IC の生産を 200mm ウェーハで行っている。生産能 熊本 TEC は前述のようにイメージセンサの生産拠 力は月産 1 万 4000 枚、Fab2 は同 9000 枚の生産 点として、300mm ウェーハにより第 1 棟では CCD 能力だが、今後、ロジック IC は整理、外部委託に が中心、第 2 棟では CMOS イメージセンサの生産 移管を進め CMOS イメージセンサの比率を高める。 を行なっている。第 1 棟では、その他にも高温ポリ Fab2 は 200mm ウェーハを採用したラインで、一 65 ソニー 部 CMOS イメージセンサの裏面処理を行っている ンサ関連を中心とするロジック IC の製造を行って ほか、システム LSI の生産を行っている。生産能力 いる。前工程処理向けクリーンルームは 2 階構造で、 は同 9000 枚だが、さらに 12 年度以降に 300mm うち 1 階分約 6000 枚程度の生産能力が整備されて ウェーハへのアップグレードも計画している。 いる。フルキャパシティで月産 1 万 2000 枚程度と Fab3 の生産能力は 300mm ウェーハで月産 1 万 なる。 2000 枚となっている。同工場については、従来 白石工場は青紫色レーザの生産能力について業界 から製造している Cell Broadband Engine などのシ 最大クラスの月産 170 万個体制を確立している。 ステム LSI 製造を継続しているが、生産能力の約 50％の月産 5000 ～ 6000 枚を CMOS イメージセ ンサの前工程処理に向ける。今後システム LSI の外 部への生産委託を進め、数年内に生産能力のすべて を CIS に振り向ける。 さらに 09 年 3 月に閉鎖した第 3 号棟（NP 棟） にも 300mm ウェーハ対応ラインを導入、Fab4 と して裏面照射型イメージセンサ（BSI）の裏面処 理を担当している。同棟は 60 × 150m の建屋に 8300m2 のクリーンルームを備えている。2011 年 5 月から装置を搬入し、2012 年初めには装置の実 装を完了している。生産能力は月産 5000 枚レベル と見込まれる。 この長崎 TEC の強化、CIS の生産能力拠点化によ り、熊本 TEC と合わせて CMOS イメージセンサの 生産能力を 2010 年の月産 2 万 5000 枚から月産 5 万枚へと倍増した（300mm ウェーハ） 。さらに 12 年度以降も Fab3 の CIS への特化、Fab2 の 300mm ウェーハ化、外部委託量の拡大を進める。同社全体 の CIS 生産能力を月産 7 万 5000 枚にまで拡大する 計画である。 鹿 児 島 TEC は ア ナ ロ グ IC、 ミ ク ス ト・ シグナ ル IC、MMIC な ど の 生 産 拠 点。6 号 棟、7 号 棟 の 200mm ラインのほか、150mm 以下の小径ウェー ハに対応した工場棟も整備している。200mm ライ ンのうち、6 号棟は月産 2 万 5000 ～ 3 万枚の能力 を備えており、アナログ IC、ミクスト・シグナル IC 、CCD、システム LSI などの生産を行なっている ほか、ファンドリ業務にも対応している。 7 号棟はプロジェクション用反射型 LCD「SXRD」 、 LCD ドライバ、CMOS イメージセンサやイメージセ 66 ソニー
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