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2SC1815
東芝トランジスタシリコン NPN エピタキシャル形 (PCT 方式)
2SC1815
低周波電圧増幅用
励振段増幅用
•
•
•
•
•
高耐圧でしかも電流容量が大きい。
: VCEO = 50 V (最小), IC = 150 mA (最大)
直流電流増幅率の電流依存性が優れています。
: hFE (2) = 100 (標準) (VCE = 6 V, IC = 150 mA)
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (標準)
PO = 10 W 用アンプのドライバおよび一般スイッチング用に適しています。
低雑音です。: NF = 1 dB (標準) (f = 1 kHz)
2SA1015 とコンプリメンタリになります。(O, Y, GR クラス)
最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記号
定
格
単位
コレクタ･ベース間電圧
VCBO
60
V
コレクタ･エミッタ間電圧
VCEO
50
V
エミッタ･ベース間電圧
VEBO
5
V
流
IC
150
mA
流
IB
50
mA
失
PC
400
mW
コ
レ
ベ
ク
ー
コ
タ
電
ス
レ
ク
電
タ
損
接
合
温
度
Tj
125
°C
保
存
温
度
Tstg
−55~125
°C
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
目
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
コ
レ
ク
タ
し
ゃ
断
電
流
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0


0.1
µA
エ
ミ
ッ
タ
し
ゃ
断
電
流
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0


0.1
µA
70

700
hFE (2)
VCE = 6 V, IC = 150 mA
25
100

コレクタ･エミッタ間飽和電圧
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA

0.1
0.25
ベース･エミッタ間飽和電圧
VBE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA


1.0
V
トランジション周波数
fT
VCE = 10 V, IC = 1 mA
80


MHz
直
流
電
流
増
幅
率
hFE (1) (注) VCE = 6 V, IC = 2 mA
V
コ
レ
ク
タ
出
力
容
量
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

2.0
3.5
pF
ベ
ー
ス
拡
が
り
抵
抗
rbb'
VCE = 10 V, IE = −1 mA, f = 30 MHz

50

Ω
NF
VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz,
RG = 10 kΩ

1
10
dB
雑
注:
音
hFE (1) 分類
指
O: 70~140,
数
Y: 120~240,
GR: 200~400,
BL: 350~700
000629TAA1
• 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご
使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命･身体･財産が侵害されることのないように、購入者側の責任におい
て、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべき注意事項や条件
について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣などでご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機
器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体
に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置な
ど) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” という) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に
掲載されている製品を当該特定用途に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作･応用を説明するためのもので、その使用に際して当社および第三者の知的
財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
2000-09-19
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2SC1815
IC – VCE
hFE – IC
200
3000
エミッタ接地
エミッタ接地
5.0
6.0
Ta = 25°C
3.0
2.0
直流電流増幅率
コレクタ電流
IC
160
1.0
120
80
0.5
IB = 0.2 mA
40
VCE = 6 V
VCE = 1 V
1000
hFE
(mA)
240
500
300
Ta = 100°C
25
100
−25
50
30
0
0
0
1
3
2
4
5
コレクタ･エミッタ間電圧
6
7
VCE
10
0.1
8
0.3
1
3
10
コレクタ電流
(V)
VCE (sat) – IC
IC
300
(mA)
30
エミッタ接地
エミッタ接地
IC/IB = 10
ベース・エミッタ間飽和電圧
VBE (sat) (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE (sat) (V)
100
VBE (sat) – IC
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta = 100°C
0.05
0.03
25
−25
0.01
0.1
30
0.3
1
3
コレクタ電流
10
IC
30
100
IC/IB = 10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.1
300
Ta = 25°C
10
0.3
1
3
10
コレクタ電流
(mA)
IB – VBE
IC
30
100
300
(mA)
fT – IC
3000
VCE = 6 V
500
300
1000
100
50
30
エミッタ接地
VCE = 10 V
Ta = 25°C
エミッタ接地
トランジション周波数
fT (MHz)
ベース電流
IB
(µA)
1000
Ta = 100°C
25
−25
10
5
3
500
300
100
50
30
1
0.5
0.3
0
0.4
0.8
1.2
ベース･エミッタ間電圧
1.6
VBE
2.0
(V)
10
0.1
0.3
1
3
コレクタ電流
10
IC
30
100
300
(mA)
2000-09-19
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2SC1815
h パラメータ – IC
h パラメータ – VCE
2000
2000
エミッタ接地, f = 270 Hz
エミッタ接地, f = 270 Hz
VCE = 12 V, Ta = 25°C
1000
BL
500
BL
500
GR
300
IC = 2 mA, Ta = 25°C
1000
GR
300
hfe
Y
O
O
100
hie × kΩ
BL
GR
BL
30
h パラメータ
h パラメータ
100
50
hfe
Y
Y
O
hoe × µS
GR
Y
10
O
50
30
BL
10
Y
5
5
3
3
GR
Y
hoe × µS
GR
O
BL
BL
hie × kΩ
GR
O
BL
Y
1
1
GR
Y
0.5
O
0.5
O
hre × 10−4
hre × 10−4
0.2
0.1
0.3
3
1
コレクタ電流
10
IC
0.2
0.5
30
1
3
10
30
コレクタ･エミッタ間電圧
(mA)
100
VCE
300
(V)
PC – Ta
400
PC
(mW)
500
許容コレクタ損失
300
200
100
0
0
25
50
周囲温度
75
Ta
100
125
(°C)
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3/3

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