2SK2631

注文コード No. N 6 6 0 0
2SK2631
No. N 6 6 0 0
62000
新
開発速報 No. ※ 5531 とさしかえてください。
2SK2631
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・低 Qg 化。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
800
± 30
1
V
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
3
1.0
A
W
Tc=25℃
30
150
W
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
min
800
max
unit
V
1.0
± 100
mA
nA
5.5
V
mS
10
Ω
pF
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=800V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 30V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=0.5A
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
RDS(on)
Ciss
ID=0.5A, VGS=15V
VDS=20V, f=1MHz
7.5
300
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
85
40
3.5
370
1.5
2.3
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
0.8
2.5
2
1.2
7.0
7.0
5.5
3
0.5
1
0.6
7.5
0.8
1.6
2.3
2
0.5
0.85
1.2
0.5
1
pF
pF
次ページへ続く。
6.5
5.0
4
0.5
0.85
0.7
0.6
740
外形図 2092B
(unit : mm)
2.3
1.5
6.5
5.0
4
5.5
外形図 2083B
(unit : mm)
unit
V
3
1.2
0∼0.2
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
SANYO : TP
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62000 TS IM ◎祝田 TA-3024 No.6600-1/4
2SK2631
前ページより続く。
min
typ
max
unit
総ゲート電荷量
ターンオン遅延時間
Qg
td(on)
VDS=200V, ID=1A, VGS=10V
指定回路において
8
12
nC
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td(off)
〃
〃
8
27
ns
ns
下降時間
ダイオード順電圧
tf
VSD
〃
IS=1A, VGS=0
16
0.82
ns
V
1.2
（注）ゲート・ソース間には保護ダイオードは入っていないので取り扱いには充分注意すること。
単体品名表示：K2631
スイッチングタイム測定回路図
VDD=200V
15V
0V
VIN
ID=0.5A
RL=400Ω
VIN
PW=1µs
D.C.≦0.5%
D
VOUT
G
2SK2631
RGS
50Ω
P.G
S
ID -- VDS
3.0
15V
10V
Tc= --25°C
1.6
8V
2.0
1.5
7V
1.0
VDS=10V
1.8
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
2.5
1.4
25°C
1.2
1.0
75°C
0.8
0.6
0.4
0.5
VGS=6V
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
45
Tc=25°C
ID=1.0A
14
0.5A
12
10
0.1A
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
5
18
20
IT02481
10
15
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT02479
RDS(on) -- VGS
16
0
50
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ID -- VGS
2.0
20
IT02480
RDS(on) -- Tc
18
16
14
12
0V
10
=1
GS
,V
8
5V
=1
S
, VG
.5A
=0
ID
.5A
=0
ID
6
4
2
0
--75
--50
--25
0
25
50
75
ケース温度, Tc -- °C
100
125
150
IT02482
No.6600-2/4
2SK2631
順伝達アドミタンス, yfs -- S
ゲート・ソースしゃ断電圧, VGS(off) -- V
yfs -- ID
10
7
5
VDS=10V
3
2
3
75°C
2
0.1
7
5
°C
--25
Tc=
C
25°
1.0
7
5
3
2
0.01
2
0.1
3
5
7
2
1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
3
2
1
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IT02484
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
順電流, IF -- A
4
1000
--25°
75°
C
25°C
Tc=
Ciss
3
2
Coss
100
7
Crss
5
3
C
0.1
7
5
3
2
2
10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
0
1.4
スイッチングタイム, SW Time -- ns
8
7
6
5
4
3
2
1
1
2
3
4
5
6
7
総ゲート電荷量, Qg -- nC
8
2
ID=1A
1.0
7
5
1m
s
1
DC 0ms
op
er
ati
on
3
2
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
0.1
7
5
Tc=25°C
1パルス
2
3
td (off)
3
2
tf
td(on)
10
tr
7
5
2
3
5
7
2
1.0
IT02488
PD -- Ta
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
3
0.01
1.0
30
IT02486
5
ドレイン電流, ID -- A
許容損失, PD -- W
10µs
10
0µ
s
25
VDD=200V
VGS=15V
1.2
IDP=3A
3
20
7
IT02487
ASO
10
7
5
15
SW Time -- ID
3
0.1
0
0
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
100
VDS=200V
ID=1A
9
5
IT02485
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
5
5
0.01
7
5
3
2
ドレイン電流, ID -- A
6
ケース温度, Tc -- °C
VGS=0
1.0
7
5
3
2
2
VDS=10V
ID=1mA
IT02483
IF -- VSD
10
7
5
3
2
VGS(off) -- Tc
7
0
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7 1000
IT02489
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT02491
No.6600-3/4
2SK2631
PD -- Tc
40
35
許容損失, PD -- W
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT02490
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6600-4/4

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