close

Enter

Log in using OpenID

P-Channel Power MOSFET, -12V

embedDownload
注文コード No. N A 1 1 8 2 A
データシート No.NA1182 をさしかえてください。
ECH8308
P-Channel Power MOSFET
http://onsemi.jp
–12V, –10A, 12.5mΩ, Single ECH8
特長
・ ロードスイッチング用途に最適
・ 1.8V 駆動
・ 保護ダイオード入り
・ 低オン抵抗
・ ハロゲンフリー対応
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース電圧
条件
定格値
unit
− 12
V
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
±10
V
ドレイン電流(DC)
ID
− 10
A
ドレイン電流(パルス)
チャネル温度
IDP
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
許容損失
PW ≦ 10μs, duty cycle ≦ 1%
− 40
A
1.6
W
150
℃
− 55 ∼+ 150
℃
セラミック基板 (900mm2 × 0.8mm) 装着時
最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能的動作に
関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
製品と外形に伴う情報
外形図
unit : mm (typ)
7011A-002
・パッケージ名
・JEITA, JEDEC
・最小梱包単位
ECH8308-TL-H
Top View
パッキングタイプ:TL
0.25
2.9
0.15
8
:ECH8
::3,000 pcs./reel
マーキング
5
JK
2.3
Lot No.
TL
4
1
0.65
0.3
電気的接続図
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
0.07
0.9
0.25
2.8
0 to 0.02
Bottom View
ECH8
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
September, 2013
8
7
6
5
1
2
3
4
60612 TKIM/62508PE TIIM TC-00001486 No. A1182-1/7
ECH8308
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ID= − 1mA, VGS=0V
ドレイン・ソースしゃ断電流
IDSS
IGSS
VDS= − 12V, VGS=0V
VGS(off)
⏐yfs⏐
RDS(on)1
VDS= − 6V, ID= − 1mA
VDS= − 6V, ID= − 5A
ID= − 5A, VGS= − 4.5V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)2
入力容量
RDS(on)3
Ciss
ID= − 3A, VGS= − 2.5V
ID= − 1A, VGS= − 1.8V
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
ターンオン遅延時間
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
立ち上がり時間
td(on)
tr
ターンオフ遅延時間
td(off)
下降時間
総ゲート電荷量
tf
Qg
ゲート・ソース電荷量
Qgs
ゲート・ドレイン電荷量
Qgd
ダイオード順電圧
VSD
定格値
min
typ
− 12
指定回路において
VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 10A
− 0.4
12
− 10
μA
±10
μA
− 1.3
V
21
S
9.2
12.5
mΩ
14
20
mΩ
22
33
mΩ
2300
pF
720
pF
550
pF
24
ns
130
ns
230
ns
195
ns
26
nC
4.0
nC
7.1
IS= − 10A, VGS= 0V
unit
V
VGS= ± 8V, VDS=0V
VDS= − 6V, f=1MHz
max
− 0.79
nC
− 1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --6V
VIN
0V
--4.5V
ID= --5A
RL=1.2Ω
VOUT
VIN
D
PW=10μs
D.C.≦1%
G
ECH8308
P.G
50Ω
S
Ordering Information
Device
ECH8308-TL-H
パッケージ名
最小梱包単位
memo
ECH8
3,000pcs./reel
Pb Free and Halogen Free
No. A1182-2/7
ECH8308
ID -- VDS
--2
--1
0
0
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
ID= --1A
--3A
--5A
30
25
20
15
10
5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
2
=
Ta
2
°C
--25
75
°C
C
5°
1.0
7
5
2
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
ドレイン電流, ID -- A
2
3
15
= --5A
4.5V, I D
V GS= --
10
5
0
--60 --40
--20
Ciss, Coss, Crss -- pF
tf
100
7
tr
5
20
60
80
100
120
140
160
IT13604
VGS=0V
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT13606
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3
Ciss
2
1000
Coss
7
Crss
5
td(on)
3
40
5
td(off)
2
0
IS -- VSD
7
5
2
10
--0.01
3A
, I D= --
--2.5V
V GS=
ダイオード順電圧, VSD -- V
7
3
--1.8
IT13602
--1.8V
V GS=
0
VDD= --6V
VGS= --4.5V
1000
--1.6
20
5 7 --10
IT13605
SW Time -- ID
2
--1.4
--1A
, I D=
25
--0.01
7
5
3
2
--0.001
3
--1.2
30
3
2
3
3
--1.0
周囲温度, Ta -- °C
VDS= --6V
10
7
5
--0.8
RDS(on) -- Ta
35
IT13603
ソース電流, IS -- A
順伝達アドミタンス, ⏐yfs⏐ -- S
--8
--0.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
7
5
--0.4
Ta=
75
35
--0.2
°C
25°C
40
0
IT13601
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--1.0
--25°
C
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9
0
スイッチングタイム, SW Time -- ns
25°
C
VGS= --1.2V
--2
--4
°C
--3
--6
--25
--4
--8
°C
--5
75
--6
--10
Ta
=
--7
--12
--4.5V
ドレイン電流, ID -- A
--8
VDS= --6V
--1.5V
ドレイン電流, ID -- A
--8.0V
--9
ID -- VGS
--14
--2.5V
--3.5V --1
.8V
--10
3
2
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
ドレイン電流, ID -- A
5 7 --10
2
3
IT13607
0
--2
--4
--6
--8
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--12
IT13608
No. A1182-3/7
ECH8308
VGS -- Qg
--4.5
VDS= --6V
ID= --10A
--4.0
ASO
PW≦10μs
IDP= --40A
3
1m
2
8
10
12
14
16
18
20
総ゲート電荷量, Qg -- nC
22
24
26
IT13609
PD -- Ta
1.8
s
6
)
°C
25
4
a=
2
(T
0
n
0
Operation in this
area is limited by RDS(on).
--1.0
7
5
2
m
2
3
--0.5
s
io
--1.0
3
at
--1.5
0m
er
--2.0
10
op
--2.5
s
ID= --10A
10
--3.0
--10
7
5
C
ドレイン電流, ID -- A
--3.5
D
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
7
5
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
--0.1
--0.01
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10 2 3
IT13610
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
1.6
許容損失, PD -- W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT13611
No. A1182-4/7
ECH8308
エンボステーピングの情報
ECH8308-TL-H
No. A1182-5/7
ECH8308
Outline Drawing
Land Pattern Example
ECH8308-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
mm
* For reference
Unit: mm
2.8
0.6
0.4
0.65
No. A1182-6/7
ECH8308
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
ON Semiconductor and the ON logo are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC owns the rights to a number
of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of SCILLC’s product/patent coverage may be accessed at
www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no
warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the
application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental
damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual
performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical
experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use
as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in
which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for
any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors
harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or
death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the
part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
(参考訳)
ON Semiconductor 及び ON のロゴは Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) の登録商標です。
SCILLC は特許、
商標、
著作権、
トレードシークレット ( 営業秘密 ) と他の知
的所有権に対する権利を保有します。SCILLCの製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf.
SCILLCは通告なしで、本書記載の製品の変更を行うことがあります。SCILLCは、いかなる特定の目的での製品の適合性について保証しておらず、また、お客様
の製品において回路の応用や使用から生じた責任、特に、直接的、間接的、偶発的な損害に対して、いかなる責任も負うことはできません。SCILLCデータシー
トや仕様書に示される可能性のある「標準的」パラメータは、アプリケーションによっては異なることもあり、実際の性能も時間の経過により変化する可能性がありま
す。「標準的」パラメータを含むすべての動作パラメータは、ご使用になるアプリケーションに応じて、お客様の専門技術者において十分検証されるようお願い致しま
す。SCILLCは、その特許権やその他の権利の下、いかなるライセンスも許諾しません。SCILLC製品は、人体への外科的移植を目的とするシステムへの使用、生命維持を
目的としたアプリケーション、また、SCILLC製品の不具合による死傷等の事故が起こり得るようなアプリケーションなどへの使用を意図した設計はされておらず、また、
これらを使用対象としておりません。お客様が、 このような意図されたものではない、 許可されていないアプリケーション用にSCILLC製品を購入または使用した場合、
たとえ、SCILLCがその部品の設計または製造に関して過失があったと主張されたとしても、 そのような意図せぬ使用、 また未許可の使用に関連した死傷等から、直接、
又は間接的に生じるすべてのクレーム、費用、損害、経費、および弁護士料などを、お客様の責任において補償をお願いいたします。また、SCILLCとその役員、従業員、
子会社、関連会社、代理店に対して、いかなる損害も与えないものとします。
SCILLCは雇用機会均等/差別撤廃雇用主です。この資料は適用されるあらゆる著作権法の対象となっており、いかなる方法によっても再販することはできません。
PS No. A1182-7/7
Author
Document
Category
Uncategorized
Views
3
File Size
202 KB
Tags
1/--pages
Report inappropriate content