VISHAY Intertechnology社 ショットキー内蔵、パワーMOSFETのご紹介。 DC/DCコンバータの効率を6%改善 !! お問い合わせ先/第一マーケティング事業部 VISHAY営業部 03-5462-9629 VISHAY Intertechnology社からシングルチップ化されたパワーMOSFET/ショットキー ダイオードのご紹介です。従来の同様なモノリシックデバイスを使った回路に比べ、 DC/DCコンバータの効率を最大で6%改善することが可能です。 貴社アプリケーションに是非一度ご検討下さい。 主 な 用 途 SI4624DY SkyFETパワーMOSFETは同期バックコンバータのローサイドMOSFETとして使われます。 ● ノートPCのコア電圧や電圧レギュレータモジュール (VRM) ● コンピュータやサーバのグラフィックカード ● POL電源 ● 同期整流 新デバイスは、ダイオードのブレークダウン電圧30Vと、MOSFETのON抵抗3.74mΩを組み合わせ ております。 製 品 概 要 VISHAYシリコニクス社の新デバイスSI4642DY より高い効率が得られました。300kHz、6Aの SkyFETについて、同じコントローラICと同じ 条件では91%を超える効率が得ることがでまし ハイサイドのMOSFETを使い、競合するシング た。この高効率は、SI4642DYに内蔵されたシ ルチップ化されたMOSFET/ショットキーダイ ョットキーダイオードの順方向電圧と逆回復電 オードや業界標準のディスクリートMOSFETと 荷が共に低いこと、また両デバイスのシングル ショットキーダイオードの組み合わせとの比較 チップ化により基板上の寄生インダクタンスが 試験を行った結果、SkyFETデバイスを使った 小さくなった事によります。 回路では軽負荷でも重負荷でも従来のデバイス 製品の特長 MOSFETとショットキーダイオードを組み合わ 遮断時の電力損失が大幅に小さくなります。 として基板上に取り付けた場合やMOSFETと せたシングルチップ化は基盤上のスペースを節 ● MOFET自体のボディダイオードと特性によ ショットキーダイオードを別々のデバイスと 約するだけでなく、個別のデバイスを組み合わ る逆回復電荷(Qrr)に比較して、ショットキー して1つのパッケージに組み込んだ場合には せたり、単に2つのデバイスを1パッケージに組 ダイオードのQrrが小さい。シリコニクスの 避けられない寄生インダクタンスが発生しま み込んだ場合と比べ以下の3つの面でデバイス SkyFET技術により、デバイスのQrrが標準的 せん。その結果、SI4642DYではより高い効 自体の性能を向上します。 なMOSFETのボディダイオードの場合より 率と滑らかな波形が得られ、また4.5Vでの ● ショットキーダイオードの順方向電圧 (Vf)は 20%近く小さくなり、これにより軽負荷時の ON抵抗も同等の1パッケージ化した コンバータの効率が改善されます。 MOSFET/ショットキーデバイスに比べて MOSFET自体のボディダイオードによる順方向 電圧よりも大幅に低い。これにより、バックコン ● MOFETのシリコンチップ中にショットキー バータのデットタイム期間、すなわちMOSFETの ダイオードを組み込むことにより、個別部品 55%も低くなります。 基本的スペック/パッケージ SPECIFICATIONS TJ=25℃, unless otherwise noted Pretemara Static Drain-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Gate-Source Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-State Drain Current a Drain-Source On-State Resistance a Forward Transconductance a Slobmy TsnoitidnoC tse Mni VDS VGS=0V, ID=1mA 30 VGS(th) VDS=VGS, ID=1mA 1.5 IGSS IDSS ID(on) r DS(on) gfs Tpy Mxa 3 VDS=0V, VGS=±20V ±100 VDS=30V, VGS=0V 0.05 0.2 VDS=30V, VGS=0V, TJ=100℃ 5.5 50 VGS=10V, ID=20A 0.0031 0.00375 VGS=4.5V, ID=15A 0.0039 0.0047 VDS=15V, ID=20A 108 VDS≧5V, VGS=10V 40 SO-8 Utin V S 1 8 D nA S 2 7 D mA S 3 6 D A G 4 5 D Ω S Top View トーメンエレクトロニクス ホームページへ
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