ショットキー内蔵、パワーMOSFETのご紹介。 DC/DCコンバータの効率を

VISHAY Intertechnology社
ショットキー内蔵、パワーMOSFETのご紹介。
DC/DCコンバータの効率を6%改善 !!
お問い合わせ先/第一マーケティング事業部 VISHAY営業部 03-5462-9629
VISHAY Intertechnology社からシングルチップ化されたパワーMOSFET/ショットキー
ダイオードのご紹介です。従来の同様なモノリシックデバイスを使った回路に比べ、
DC/DCコンバータの効率を最大で6%改善することが可能です。
貴社アプリケーションに是非一度ご検討下さい。
主 な 用 途
SI4624DY SkyFETパワーMOSFETは同期バックコンバータのローサイドMOSFETとして使われます。
● ノートPCのコア電圧や電圧レギュレータモジュール
(VRM)
● コンピュータやサーバのグラフィックカード
● POL電源
● 同期整流
新デバイスは、ダイオードのブレークダウン電圧30Vと、MOSFETのON抵抗3.74mΩを組み合わせ
ております。
製 品 概 要
VISHAYシリコニクス社の新デバイスSI4642DY
より高い効率が得られました。300kHz、6Aの
SkyFETについて、同じコントローラICと同じ
条件では91%を超える効率が得ることがでまし
ハイサイドのMOSFETを使い、競合するシング
た。この高効率は、SI4642DYに内蔵されたシ
ルチップ化されたMOSFET/ショットキーダイ
ョットキーダイオードの順方向電圧と逆回復電
オードや業界標準のディスクリートMOSFETと
荷が共に低いこと、また両デバイスのシングル
ショットキーダイオードの組み合わせとの比較
チップ化により基板上の寄生インダクタンスが
試験を行った結果、SkyFETデバイスを使った
小さくなった事によります。
回路では軽負荷でも重負荷でも従来のデバイス
製品の特長
MOSFETとショットキーダイオードを組み合わ
遮断時の電力損失が大幅に小さくなります。
として基板上に取り付けた場合やMOSFETと
せたシングルチップ化は基盤上のスペースを節
● MOFET自体のボディダイオードと特性によ
ショットキーダイオードを別々のデバイスと
約するだけでなく、個別のデバイスを組み合わ
る逆回復電荷(Qrr)に比較して、ショットキー
して1つのパッケージに組み込んだ場合には
せたり、単に2つのデバイスを1パッケージに組
ダイオードのQrrが小さい。シリコニクスの
避けられない寄生インダクタンスが発生しま
み込んだ場合と比べ以下の3つの面でデバイス
SkyFET技術により、デバイスのQrrが標準的
せん。その結果、SI4642DYではより高い効
自体の性能を向上します。
なMOSFETのボディダイオードの場合より
率と滑らかな波形が得られ、また4.5Vでの
● ショットキーダイオードの順方向電圧
(Vf)は
20%近く小さくなり、これにより軽負荷時の
ON抵抗も同等の1パッケージ化した
コンバータの効率が改善されます。
MOSFET/ショットキーデバイスに比べて
MOSFET自体のボディダイオードによる順方向
電圧よりも大幅に低い。これにより、バックコン
● MOFETのシリコンチップ中にショットキー
バータのデットタイム期間、すなわちMOSFETの
ダイオードを組み込むことにより、個別部品
55%も低くなります。
基本的スペック/パッケージ
SPECIFICATIONS TJ=25℃, unless otherwise noted
Pretemara
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold Voltage
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
Drain-Source On-State Resistance a
Forward Transconductance a
Slobmy
TsnoitidnoC tse
Mni
VDS
VGS=0V, ID=1mA
30
VGS(th)
VDS=VGS, ID=1mA
1.5
IGSS
IDSS
ID(on)
r DS(on)
gfs
Tpy
Mxa
3
VDS=0V, VGS=±20V
±100
VDS=30V, VGS=0V
0.05
0.2
VDS=30V, VGS=0V, TJ=100℃
5.5
50
VGS=10V, ID=20A
0.0031
0.00375
VGS=4.5V, ID=15A
0.0039
0.0047
VDS=15V, ID=20A
108
VDS≧5V, VGS=10V
40
SO-8
Utin
V
S
1
8
D
nA
S
2
7
D
mA
S
3
6
D
A
G
4
5
D
Ω
S
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