プレスリリース Vol. 1 イエナオプティックレーザダイオード社は、1 バーあたり 500W の出力を達成しました (2006 年 1 月 19 日発表) GaAs（ガリウム砒素）を用いたバー形状の高出力半導体レーザの性能は、現在も発達し続けています。イエナオプティックグループに属する、イエナオプティックレーザダイオード社（JENOPTIK GmbH・高出力半導体レーザの製造会社・独イエナ）とイエナオプティック Laserdiode ダイオードラボ社（JENOPTIK Diode Lab GmbH・高出力半導体レーザバー素材の製造会社・独ベルリン）の二社は、緊密に連携を取り合い、共に高出力半導体レーザの開発及び製造を行なっています。 2005年の初めより、イエナオプティックレーザダイオードラボ社では高品質の高出力半導体レーザバー素材を製造し、継続して改良を重ねています。イエナオプティックレーザダイオード社は、この高出力半導体レーザバー素材を採用し、 1バーあたり最大120W（CW動作）を標準製品として製造販売しています。これをスタック化することにより、最大3kW出力を獲得可能です。このタイプの高出力半導体レーザバー素材に対して、更なる極限試験を試みています。高出力半導体レーザバー素材の実装技術と冷却技術の開発の結果、 2005年8月には10mm幅の高出力半導体レーザバーよりCW発振454Wの世界最高出力を達成し、更なる改良により電流値540Aにて出力509Wに到達しました。このことは、単に世界記録を更新したことのみならず、高出力半導体レーザバー素材の高効率性、コーティング技術の高さ及び、高出力半導体レーザとしての実装技術、冷却技術の高さを証明しています。この研究は、BMBF基金の支援を受けたVDIプロジェクトにて行なわれました。このプロジェクトの達成目標は、高出力半導体レーザの信頼性を向上させるとともに、現在商業的に利用できる50-100Wの出力を、2007年末までに倍増することです。イエナオプティックレーザダイオード社及びイエナオプティックダイオードラボ社では、今後も高出力半導体レーザの性能向上に努めていきます。イエナオプティックレーザダイオードジャパン（株）〒146-0083 東京都大田区千鳥 3-19-20 TEL) 035732-3325FAX) 03-5732-3326 E-m ail)[email protected] URL) w w w .jold-ja pan.co.jp