STマイクロエレクトロニクス サイリスタ＆ACスイッチ 各種ダイオード • ACスイッチ • トライアック • アプリケーション専用サイリスタ • サイリスタ(SCR) ACスイッチ ACスイッチ • ACS Triac (トライアック) • ACS ロジック・レベルゲート STは、最大定格電圧が1200V、最大定格オン電流が120Aのサイリ スタおよびACスイッチ･デバイスを、小型表面実装パッケージから ハイパワー放熱絶縁/非絶縁パッケージまで幅広く取り揃えていま す。 ACスイッチ･レンジに新たに加わったSMBflatパッケージは、SOT223より小型であり、デバイス･レンジ0.8A、SCR、トライアック、およ びACSタイプをターゲットとしています。SMBflatとSOT-223が完全な 互換性を持ち、製造上の柔軟性を向上させられるように、PCBを設 計することができます。 STのACS™およびACSTデバイスは、信頼性に優れた革新的な特定用途向けデバイス（ASD）技術を駆使して、家電 製品および産業用制御アプリケーション向けに特化して開発されたスイッチです。 極めて高いスイッチ･オフ機能を維持しながら、ロジック･レベルのデバイスをマイクロコントローラから直接駆動する ことが可能です。 ランダム･トランジェントに対する過電圧保護機能を内蔵しているため、外付けMOV保護を必要とせず、IEC 610004-4および4-5規格に規定されている安全をもたらします。 トライアック トライアック • DIAC(ダイアック) 標準/ス内バレス・トライアック • 自動電圧切替えスイッチ • 高性能トライアック トライアックはACアプリケーションの制御に使用されます。 単純なON/OFFスイッチ として使用可能であり、（電子制御による）高い柔軟性と高い信頼性を提供しなが ら、電気機械式リレーを置き換えます。 簡単な位相制御回路を使用して、AC負荷 の電力レベルを制御することも可能です。 STのポートフォリオには、汎用スタンダード構成で最大定格電圧800V-最大オン電 流（RMS）40Aのデバイスや、スナバレス™・テクノロジーによる高い整流特性を持 つTシリーズや、苛酷な環境で使用するための高温用トライアックなどがあります。 これらは、誘導負荷を駆動するときのインラッシュ状態を管理できるため、電気製 品に使用される汎用モータ･ドライバのリファレンスになっています。 これらは、樹脂成形またはセラミックの絶縁/非絶縁スルーホール･パッケージお よび表面実装パッケージで供給されます。 クアドラント アプリケーション専用サイリスタ トライアック • 点火装置用サイリスタ • 電力制御/監視ドライバ用 サイリスタ A.S.D.（特定用途向けディスクリート）テクノロジーは、フル･プレーナ･プロセスを使 用する垂直集積パワー･テクノロジーです。 マスキング･プロセスをチップの両面 に適用するため、エピタキシャル･ベースや水平構造と比べて高い電流密度が得 られます。 デバイスの極めて優れた耐性によって信頼性が向上するとともに、アプリケーショ ン専用の設計によって性能が向上します。 たとえば、EMIフィルタ機能はディスク リート回路によるものより優れています。 それらを集積することによって部品点数が1/2～1/6に減少し、通常はディスクリー ト部品と関連する高い電圧および電流密度性能を維持しながら、PCBの小型化と コストの削減が可能になります。 その製品群には、街路照明用HIDイグニッション 用製品、ガスおよびオイル･ボイラ用点火装置、誘導バラスト蛍光灯点灯装置な どが含まれます。 サイリスタ(SCR) サイリスタ(SCR) • ロジック・レベル・ ゲート・サイリスタ(SCR) • 標準＆高感度サイリスタ • 高アンド対応サイリスタ サイリスタは、パルス･モードまたは半波ブリッジ回路に使用されるスイッチング･ デバイスです。最大定格電流および電圧（いずれもRMS）がそれぞれ50A、1200V であるSTのSCRは、様々なスルーホールおよび表面実装パッケージで供給されま す。ゲート電流トリガが極めて低いため、高感度サイリスタを容易に駆動できます。 高感度サイリスタは、低消費電力が必須である低出力アプリケーションに適して います。 標準サイリスタは、バッテリ電圧制御、電源のクローバ保護、モータ制御などの汎 用スイッチング･アプリケーションに最適です。 ダイオード 各種ダイオード • 電界効果整流ダイオード • 車載用ダイオード • ショットキー・バリア・ダイオード • シリコン・カーバイド・ダイオード • 超高速整流ダイオード STは、あらゆる市場要件に応えるショットキー･ダイオードや超高 速整流ソリューションを提供します。 STの最新開発製品のMシリー ズ・ダイオードは、アバランシェ耐圧が改善され、低背の PowerFLAT™パッケージにおいて電流値の増大が可能になりまし た。 flip-chipやSOD-923パッケージに格納された小信号ショットキー・ダ イオードにより、特に携帯通信機器の厳しい省スペース要件を満 たすことが可能です。 パワー・コンバータ・アプリケーションにおいては、シリコン・ダイ オードが動作温度と電力密度の限界に達していますが、STの第1 世代および第2世代のシリコン・カーバイド製品は、信頼性を提供 することができます。 電界効果整流ダイオード STは電界効果整流ダイオードと呼ばれる新しいタイプのデバイスをリリースしました。第1世代のデバイスは定格45V で、任意のシリコン・サイズでクラス最高のVF/IRを達成する独自技術をベースにして開発されています。 このFERDと呼ばれる技術を使用するIF=30Aのデバイスは、リーク電流の値を維持したまま、従来の30Aショットキー･ ダイオードに比べて順方向の電圧降下（VF）を約140mV低減しています。 STは、さまざまな電流 (IF) 定格、小型パッケージ、および耐電圧 (VR) 向上を通じて、この新しいダイオード技術の応 用範囲拡大に取り組んでいきます。 車載用ダイオード STのショットキー･ダイオードのポートフォリオは、AEC-Q101規格に適合しており、多くの車載機能で使用されている DC-DCコンバータを対象にしています。 これらの車載専用製品は、-40 °C～+150 °Cまでの接合部温度で動作する ことが保証されています。品名の末尾に付加されたYは、その整流ダイオードの車載バージョンであることを示します。 これらのオートモーティブ･グレード製品は、最も厳格である国際的な自動車品質要件に準拠するために、ダイ･レベ ルと完成品レベルで特別なスクリーニング･マトリックスを実施しています。 ショットキー・バリア・ダイオード STの小信号およびパワー･ショットキー製品には、堅牢なアバランシェ対応技術で製造された15V～200V （STPS60SM200Cの場合）のダイオードが含まれます。 電力変換に使用する新しいMシリーズと低VFシリーズは、前世代のダイオードに比べVFが最大100 mV低いため、 80+やEnergy Starなどの環境標準への対応を可能とします。 さらに、変換効率の向上とパッケージの小型化が同時に実現されています。 新しいPowerFLAT™パッケージのデバ イスでは、電力密度が向上しました。 STのダイオードは、その堅牢な技術によって太陽光パネル用ジャンクション･ボックスのバイパス機能に最適であり、 主に、D²PAKおよび新しいPowerFLAT™パッケージに収容された45Vデバイスが使用されています。 最近、STは、特にセミスリムまたはスリム･タイプのノートPC用アダプタに適した新しいナロー･リードのTO-220ABパッ ケージを発表しました。 このパッケージは、リード･ショルダが狭まったためにPCB内に完全に挿入できます。定格が 60 V、80 V、100 V、および120 Vのパワー･ショットキー整流ダイオードはこのパッケージですでに供給しており、それ 以外のダイオードも供給する予定です。 ショットキー・バリア・ダイオード • シグナル・ショットキー・ダイオード • パワー・ショットキー・ダイオード シグナル・ショットキー・ダイオード STの小信号ショットキー･ダイオードは、このファミリで最も汎用的なデバイスです。 このダイオードは、信号ルーティ ング･タスク、レール･ツー･レール保護のほか、バランスト･ミキサやデモジュレータなどのRFアプリケーションに使用 されます。 100mAを超えるデバイスでは、コンバータのアプリケーション分野に整流用途やディスクリートのOR機能 が結合されています。 どのパッケージも、アキシャル･パッケージと表面実装パッケージともに供給可能です。 パワー・ショットキー・ダイオード パワー・ショットキー・ ダイオード • 中VF＆IRパワー・ ショットキー • 低VFパワー・ショットキー • 高温パワー・ショットキー STのパワー･ショットキー･ダイオードは、低電圧ドロップ特性を兼ね備えており、リカ バリー損失がゼロもしくはごくわずかです。 動作範囲は15～200Vおよび1～240Aで あるため、OR-ingや48Vコンバータから、バッテリ充電器、溶接機器までのあらゆるア プリケーションのニーズをカバーします。 これらには、改善したアバランシェ耐性が指 定されています。 最新のデバイスは、60V、80V、120Vの中間VFおよびIR、ならびに200Vパワー･ショット キー･ダイオードです。 これらは、業界標準の外形を持つスルーホールおよび表面実装パッケージで提供さ れています。この他、ソーラー･パネル･ジャンクション･ボックス向け設計として、30V および45Vバイパス･ダイオード用に高電力密度化した新しいPowerFLAT™パッケー ジといった、幅広いパッケージで提供されます。 STが発表した最新のパッケージは、 セミスリムまたはスリム型ノートPC用アダプタで使用するのに特に適したナロー・リー ドTO-220ABパッケージです。 このパッケージはリード・ショルダが狭いため、PCB内部 に完全に挿入できます。現在、このパッケージでは定格が60V、80V、100V、および 120Vのパワー・ショットキー整流ダイオードが対応しており、その他のダイオードでも まもなく利用できるようになる予定です。 新しい200 Vパワー･ショットキー･ダイオードLED照明アプリケーション向け STのSTPS2200 2 A、200 Vパワー･ショットキー･ダイオードは、白熱電球の代替となるLED電球に使用されるフライバッ ク電源に最適です。厚さ1 mmのSMBパッケージとSMBflatパッケージに封止されたこの部品は、PCBの小型化に重要 な役割を果たします。街路灯のアプリケーションでは、STPS2200をフリーホイール･ダイオードとして使用することによ り，バック･トポロジによるドライバ回路の効率を向上させることができます。 直管型の照明機器のような大電力アプリケーション向けには、標準的な超高速ダイオードよりも高効率な，2 x 10 A コモン･カソード構成のSTPS20200Cが、フォワード･トポロジを含むLED照明用スイッチング電源の消費電力低減に役 立ちます。STPS20200Cはさまざまなパッケージに封止されています。 シリコン･カーバイド（SiC）ダイオード STのシリコン･カーバイド（SiC）ダイオードは、Siより優れたSiCの物理特性を利用しています。動的特性は4倍優れ、順 方向電圧VFは15 %低くなっています。 逆回復時間が短いSTのSiCダイオードは、SMPSアプリケーションに加え、太陽エネルギー変換やEV/HEVの充電ス テーションといった新しい分野のほか、溶接機器やエアコンなどのアプリケーションでの省エネに大きく貢献していま す。 STのSiC製品ポートフォリオは、ハロゲン･フリーのTO-247パッケージに収容された20 A / 600 Vのダイオードを含んで おり、4～12 AまでのスルーホールおよびSMDパッケージ製品に拡張しています。 今では、STの6 A / 1200 Vのデバイスと650 VシリーズのSiCダイオードは第2世代に入りつつあります。 超高速整流ダイオード 超高速整流ダイオード • 200V/300V/400V 超高速整流ダイオード • 600V超高速整流 ダイオード • 800V/1000V/1200V 超高速整流ダイオード STは、順電圧降下 (VF) と逆回復時間 (trr) の様々なトレードオフを含む逆電圧 200~1200Vのファストリカバリ・ダイオードのラインナップを提供しており，あらゆる アプリケーションで最高の性能を実現します。 また，力率改善 (PFC) および太陽光発電用インバータにおいて，シリコン・カーバ イド (SiC) 技術に代わるコスト効率の高い選択肢として、STは第2世代のタンデム・ ダイオードを投入しました。 すべてのST製品で、リーク電流の低減により最大175℃の動作接合部温度範囲を 保証しています。 EMIフィルタ＆シグナル・コンディション EMIフィルタ＆シグナル・コンディション • EMIフィルタ＆ESDプロテクション • RFフロント・エンド向けIPD • アンテナ・チューナ STのIPAD、IPD、およびスマート･アンテナ･チューナの製品群は、 ESDプロテクション、EMIおよび同相モード･フィルタリング、ライン終 端、大容量コンデンサ、カプラ搭載のRF受動部品、ハイ/ローバン ド･フィルタ、バラン、ダイプレクサ、LTEバンド･チューニングといっ た部品や機能をQ値の高いRFチューナブル･キャパシタと共に集積 しています。 これらの製品は、携帯機器、セット・トップ・ボックス、車載エンター テインメント機器、携帯型医療機器、スマート･メータなどのアプリ ケーションに最適です。 EMIフィルタ＆ESDプロテクション EMIフィルタ＆ESDプロテクション • ECMFシリーズ（IPAD） • HDMIシリーズ (IPAD) • USB用IPAD • オーディオ＆ビデオ用IPAD • コンピュータ＆コンスーマ機器IPAD • ディスプレイ＆カメラ＆キーパッド用 IPAD • メモリ＆SIMカード用IPAD • 標準マルチライン･バス用IPAD • 高密度静電容量 (IPAD) STは、モバイル通信やマルチメディア･アプリケーション（マイク、 メモリ･カード、HDMIやUSBインタフェースなど）に使用するインタ フェース向けに特に開発された、EMIフィルタとESD保護の統合 デバイスを広範なポートフォリオで提供します。 パラレル･インタフェースとアナログ･インタフェースにはEMIロー パス･フィルタ（EMIFシリーズ）が対応し、差動バスにはコモン モード･フィルタ（ECMF™シリーズ）を使用します。 いずれも高性能ESD保護機能を集積しており、残留クランプ電 圧が極めて低くなっています。 EMIFシリーズとECMF™シリーズのいずれにも、CSPパッケージと プラスチック･パッケージを提案しています。 RFフロント・エンド用IPD RFフロント・エンド用IPD • カプラ • ダイプレクサ • バラン • バンド･パス･フィルタ アンテナ・チューナ アンテナ・チューナ • RF用チューナブル・ キャパシタ • RFFE&SPI制御IC STのアンテナ･チューニング制御ICと同調コンデンサICは、バリウム、ストロンチウ ム、およびチタン酸塩（BST）からなる強誘電材料をベースとしており、高い品質と 信頼性を提供します。この新しい材料の採用は、RFの同調技術を携帯無線市場 で利用可能にするブレークスルーです。 STは、上記の同調技術を元に開発した3つの製品シリーズを市場に投入していま す。 ・ディスクリート同調コンデンサ：STPTICシリーズ ・統合型アンテナ･チューナ･モジュール：複数の同調コンデンサと高いQ値のイン ダクタをLGAモジュールに封止したSTRAFTシリーズ ・同調制御IC：STPTICシリーズとSTRAFTシリーズの両方を駆動できるSTHVDACシ リーズ。これらのアンテナ同調制御ICは、SPI、またはMIPI Allianceが開発した新し い無線周波数フロント･エンド（RFFE）インタフェースを介して制御できます。 プロテクション・デバイス プロテクション・デバイス • EOS 10/1000μs サージ･プロテクション • EOS 8/20μs サージ･プロテクション • ESDプロテクション • 電流制御用IC • 車載用プロテクション • 雷サージ･プロテクション STのプロテクション･デバイスのポートフォリオは、下記のように、 広範囲なあらゆる業界をもれなくサポートします。 EOSサージ･プロテクション ESDプロテクション 雷サージ･プロテクション 車載用プロテクション 電流制御用IC STプロテクション･デバイスは全ての認証に合格しており、自動車、 コンピュータ、コンスーマ、産業、通信分野など、要求が厳しい市 場での電子基板上の電気的危険に対する国際的な保護規格に 適合し、かつ、それ以上の耐性を有しています。 STが擁する最先端のテクノロジーの例を以下に示します。 ・雷サージに対する大電流クローバー保護（TVSクローバー･ダイ オードおよびIC（Trisil™）による） ・電源サージおよびESDに対する高効率クランプ保護 ESD保護 （TVSクランプ･ダイオードおよびアレイ （Transil™）による） ・その他のアプリケーション固有の保護には、以下のものなどがあ ります。 シリアル電流制御用IC、サーマル･シャットダウン、CMOS、 SPIインタフェース ・フロースルーµDFN、WLCSP、PowerQFNなどの標準および先進的 かつ革新的なパッケージは実装面積を最小限に抑えるため、レイ アウト･オプションの改善に役立ちます。
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