プッシュプル回路用

注文コード No. N 4 4 9 6
FP203
No.
N4496
81000
FP203
特長
PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
プッシュプル回路用
・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が
可能である。
・FP203 は、2SB1122 相当のチップと 2SD1622 相当のチップを同一パッケージ内に収容したものである。
( )内は PNP の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
(−)60
(−)50
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
(−)5
(−)1
V
A
コレクタ電流（パルス）
ベース電流
ICP
IB
(−)2
(−)0.2
A
A
コレクタ損失
全損失
PC
PT
0.75
1.0
W
W
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB=(−)50V, IE=0
min
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
IEBO
hFE
VEB=(−)4V, IC=0
VCE=(−)2V, IC=(−)100mA
利得帯域幅積
出力容量
fT
Cob
VCE=(−)10V, IC=(−)50mA
VCB=(−)10V, f=1MHz
typ
140
max
(−)100
unit
nA
(−)100
400
nA
150
(12)8.5
MHz
pF
次ページへ続く。
単体品名表示：203
NPN
6
4.5
3.4
2.8
0.5 1.8 0.5
7
6 1.0
5
0.5 1.57
2.5
4.25max
(Top view)
4
3
1.0
2
1
5
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
4
3
2 1
0.3
0.4
0∼0.1
0.2
1.75
1.75
3.5
1.2
0.7
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1.5
0.2min
PNP
7
外形図 2097B
(unit : mm)
0.5
電気的接続図
1 : Base 1(PNP TR)
2 : Collector 1(PNP TR)
3 : Emitter Common
4 : Collector 2(NPN TR)
5 : Base 2(NPN TR)
6 : Collector 2(NPN TR)
7 : Collector 1(PNP TR)
SANYO : PCP5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
81000 GI IM / 72393 TH 寿◎丹野 A8-9727 No.4496-1/4
FP203
前ページより続く。
min
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間
V(BR)EBO IE=(−)10µA, IC=0
ton
指定回路において
蓄積時間
下降時間
tstg
tf
IC=(−)10µA, IE=0
IC=(−)1mA, RBE=∞
typ
max
unit
(− 180)120(− 400)250
(−)0.9 (−)1.2
mV
V
(−)60
(−)50
V
V
(−)5
40
V
ns
(300)350
30
ns
ns
〃
〃
スイッチングタイム測定回路図
IB1
PW=20µs
D.C.≦1%
OUTPUT
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
RL
+
+
100µF
470µF
VBE= --5V
VCC=25V
10IB1= --10IB2=IC=500mA
（PNPの場合極性逆）
IC -- VCE
--1.0
2
--1
mA
A
--10m
--8mA
NPN
8m
A
9m
--4mA
--0.6
--0.4
--2mA
--1mA
--0.2
0
--1
--2
--3
0.6
3mA
2mA
0.4
1mA
IB=0
0
--4
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
--5
0
1
2
3
4
ITR10887
IC -- VBE
1200
PNP
VCE= --2V
NPN
VCE=2V
1000
--800
Ta=7
5°C
25°C
--25°C
--600
--400
--200
800
600
Ta=75
°C
25°C
--25°C
コレクタ電流, IC -- mA
--1000
コレクタ電流, IC -- mA
5
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR10886
IC -- VBE
--1200
4mA
0.2
IB=0
0
5m A
m
コレクタ電流, IC -- A
--6mA
6mA
A
7m
A
0.8
A
10
--0.8
コレクタ電流, IC -- A
IC -- VCE
1.0
PNP
400
200
0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
--1.2
ITR10888
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
1.2
ITR10889
No.4496-2/4
FP203
hFE -- IC
1000
7
Ta=75°C
3
5
25°C
2
--25°C
100
7
5
3
2
10
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
5 7 --1000
コレクタ電流, IC -- mA
--25°C
100
7
5
3
2
2
3
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
2 3
ITR10891
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10890
f T -- IC
5
PNP
VCE= --10V
NPN
VCE=10V
3
利得帯域幅積, f T -- MHz
3
利得帯域幅積, f T -- MHz
2
7
5
5 7 10
f T -- IC
5
2
100
7
5
3
2
2
100
7
5
3
2
10
10
5
7
2
--10
3
5
7
2
--100
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
5
7
2
10
3
5
7
2
100
3
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10892
Cob -- VCB
5
5
ITR10893
Cob -- VCB
5
PNP
f=1MHz
NPN
f=1MHz
3
出力容量, Cob -- pF
3
出力容量, Cob -- pF
25°C
Ta=75°C
3
10
7
5
2
10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
7 --1.0
2
3
5
7
2
--10
3
5
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
7 --100
ITR10894
VCE(sat) -- IC
--1000
PNP
IC / IB=10
7
5
3
2
--100
°C
25
7
C
5°
=7
C
Ta
5°
--2
5
3
2
--10
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
7 --1000
2
ITR10896
5
7
2
1.0
3
5
7
2
10
3
5
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV
5
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV
NPN
VCE=2V
7
直流電流増幅率, hFE
直流電流増幅率, hFE
5
hFE -- IC
1000
PNP
VCE= --2V
7 100
ITR10895
VCE(sat) -- IC
1000
NPN
IC / IB=10
7
5
3
2
100
7
C
25°
5
3
C
5°
=7
a
T
C
5°
--2
2
10
5
7
10
2
3
5
7 100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
7 1000
2
ITR10897
No.4496-3/4
VBE(sat) -- IC
--10
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
FP203
PNP
IC / IB=10
7
5
3
2
--1.0
25°C
Ta= --25°C
7
75°C
5
3
2
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
3
5
7 --1000
コレクタ電流, IC -- mA
NPN
IC / IB=10
7
5
3
2
1.0
25°C
Ta= --25°C
7
75°C
5
3
2
2
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10898
ASO
3
VBE(sat) -- IC
10
7 1000
2
ITR10899
PC(NPN) -- PC(PNP)
0.8
2
コレクタ電流, IC -- A
7
5
DC
3
2
0.1
コレクタ損失, PC(NPN) -- W
µs
300
s
1m
s
m
10
1.0
op
er
ati
on
7
5
3
Ta=25°C
1パルス（PNPは、負号省略）
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時 1unit
2
0.01
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
0.4
0.2
0
5
7
ITR10900
PC -- Ta
1.2
0.6
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時
0
0.2
0.4
0.6
コレクタ損失, PC(PNP) -- W
0.8
ITR10901
コレクタ損失, PC -- W
1.0
0.8
全
損
失
片
側
動
作
0.6
0.4
0.2
0
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR10902
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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際に同法に基づく輸出許可が必要です。
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がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。
PS No.4496-4/4

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