Kochi University of Technology Academic Resource Repository
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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠
陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジ
スタ応用に関する研究
島川, 伸一
高知工科大学, 博士論文.
2015-05-29
http://hdl.handle.net/10173/1273
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ETD
Kochi, JAPAN
http://kutarr.lib.kochi-tech.ac.jp/dspace/
Cu(In,Ga)Se2 系薄膜及び ZnO 系酸
化物薄膜における欠陥の光学的評価と
その太陽電池ならびに薄膜トランジスタ
応用に関する研究
2013 年 3 月
島川 伸一
目次
第 1 章 ..................................................................................................................1
序論.......................................................................................................................
1.1 はじめに .......................................................................................................1
1.2 CIGS 薄膜太陽電池の研究の背景 ................................................................1
1.3 CIGS 薄膜太陽電池の研究の目的 ................................................................6
1.4 酸化物薄膜トランジスタの研究の背景 ..............................................................7
1.4.1 多結晶酸化亜鉛と非晶質酸化亜鉛系半導体 ...........................................7
1.4.2 ディスプレイ駆動 TFT への要求性能 .........................................................8
1.4.3 薄膜トランジスタの現状.......................................................................... 12
1.5 酸化物薄膜トランジスタの研究の目的 ............................................................ 14
1.6 本論文の構成 ............................................................................................ 14
参考文献 ...................................................................................................... 16
第 2 章 ................................................................................................................ 18
CIGS 薄膜太陽電池 ...............................................................................................
2.1 はじめに ..................................................................................................... 18
2.2 CIS 系薄膜の基礎物性 .............................................................................. 18
2.2.1 結晶構造 ............................................................................................ 18
2.2.2 格子欠陥と pn 制御 ............................................................................. 22
2.3 CIGS 薄膜太陽電池の構造と動作原理 ........................................................ 25
2.3.1 太陽電池の構造と基本性能パラメータ ..................................................... 25
2.3.2 CIGS 薄膜太陽電池の構造と製造方法 ................................................. 28
2.3.3 CIGS 薄膜太陽電池の接合のバンドモデルと動作原理 .............................. 29
2.4 CIGS 薄膜の形成 ...................................................................................... 30
2.4.1 CIGS 薄膜の形成方法 .......................................................................... 30
2.4.2
多元蒸着法による CIGS 薄膜の形成 ................................................... 31
2.4.3
3 段階法による Cu（In,Ga）Se2 薄膜の形成と組成制御 .......................... 32
2.5 まとめ ........................................................................................................ 35
参考文献 ...................................................................................................... 35
第 3 章 ................................................................................................................ 38
CIGS 薄膜の時間分解 PL 寿命と太陽電池特性 ........................................................
3.1 はじめに ...................................................................................................... 38
i
3.2 CIGS 薄膜太陽電池の高効率化 ................................................................. 39
3.3 時間分解 PL（time-resolved photoluminescence）測定 ............................ 42
3.3.1 時間分解 PL 測定の測定原理 .............................................................. 42
3.3.2 時間分解 PL 法による少数キャリアの評価について ..................................... 44
3.4 低温における CIGS 膜の PL 寿命と太陽電池特性 ......................................... 45
3.4.1 時間分解 PL 測定装置の構成・測定条件 .............................................. 45
3.4.2 77K における発光準位と PL 寿命 .......................................................... 47
3.4.3 PL 寿命と太陽電池セル特性 ................................................................. 48
3.4.4 77K における PL 寿命と発光準位依存性................................................ 51
3.4.5 77K における PL 寿命と太陽電池特性との相関 ....................................... 53
3.5 室温における CIGS 膜の PL 寿命と太陽電池特性 ......................................... 55
3.5.1 室温における時間分解 PL 測定の課題 ................................................... 55
3.5.2 室温における PL 寿命の算出 ................................................................. 55
3.5.3 室温における PL 寿命とセル変換効率との相関 ......................................... 58
3.6 時間分解 PL における PL 寿命の測定エネルギー依存性 ................................. 59
3.6.1 PL 寿命の測定エネルギー依存性 ........................................................... 60
3.6.2 測定エネルギー依存性とキャリアの局在化 ................................................. 61
3.6.3 セル効率とキャリアの局在化の関係 .......................................................... 62
3.7 まとめ ........................................................................................................ 64
参考文献 ...................................................................................................... 64
第 4 章 ................................................................................................................ 66
時間分解 PL を用いたヘテロ接合界面評価による Cd フリーpn 接合 ................................
4.1 はじめに...................................................................................................... 66
4.2 時間分解 PL による CIGS 薄膜の表面改質効果の評価 ................................. 67
4.2.1 溶液法による表面改質及び測定条件 ..................................................... 67
4.2.2 励起波長 355nm による PL 寿命測定 ................................................... 69
4.2.3 CIGS 表面を硫化した太陽電池セル特性 ................................................ 70
4.2.4 表面改質効果のまとめ .......................................................................... 71
4.3.2 実験及び測定条件について.................................................................... 74
4.3.3 バッファ層/CIGS 界面の PL 寿命測定 .................................................... 75
4.3.4 アニール温度と太陽電池セル特性 ........................................................... 81
4.4 まとめ ........................................................................................................ 83
ii
参考文献 ...................................................................................................... 84
第 5 章 ................................................................................................................ 86
アドミッタンス法による CIGS 薄膜太陽電池の評価 ........................................................
5.1 はじめに ...................................................................................................... 86
5.2 アドミッタンス法の測定原理及び測定方法 ....................................................... 87
5.3 アドミッタンス法による欠陥評価 ...................................................................... 92
5.4 まとめ ........................................................................................................ 95
参考文献 ...................................................................................................... 95
第 6 章 ................................................................................................................ 96
酸化物薄膜トランジスタ(TFT)....................................................................................
6.1 はじめに ...................................................................................................... 96
6.2 TFT の構造と動作原理 .............................................................................. 96
6.2.1 TFT の構造について ............................................................................. 96
6.2.2 TFT の動作原理 ................................................................................. 97
6.3 TFT の特性評価方法 ............................................................................... 100
6.4 酸化物 TFT の基礎物性と特徴 ................................................................. 102
6.4.1 酸化亜鉛系半導体の基礎物性 ........................................................... 102
6.4.2 酸化物 TFT の特徴 ........................................................................... 104
6.5 ZnO-TFT の作製プロセス .......................................................................... 105
6.6 まとめ ........................................................................................................ 106
参考文献 .................................................................................................... 107
第 7 章 .............................................................................................................. 108
ZnO-TFT の光リーク電流評価 ..................................................................................
7.1 はじめに ................................................................................................... 108
7.2 酸素分圧が ZnO 膜に与える影響 ............................................................... 108
7.2.1 ZnO 製膜条件 .................................................................................. 108
7.3 酸素分圧と電気特性及び光リーク電流 ........................................................ 111
7.3.1 暗状態での酸素分圧依存性 ............................................................... 111
7.3.2 可視光照射による TFT 特性への影響 .................................................. 117
7.3.2 酸素分圧が欠陥準位密度に与える影響 ................................................ 120
7.4 まとめ ...................................................................................................... 121
参考文献 .................................................................................................... 122
iii
第 8 章 .............................................................................................................. 123
酸化物 TFT の光信頼性評価 ...................................................................................
8.1 はじめに .................................................................................................... 123
8.2 TFT の信頼性劣化メカニズム ..................................................................... 123
8.3 ZnO-TFT の光信頼性評価 ........................................................................ 125
8.4 ITZO-TFT の光信頼性評価 ..................................................................... 129
8.4.1 はじめに ............................................................................................. 129
8.4.2 ITZO-TFT の作製及び基本特性 ........................................................ 129
8.4.3 可視光照射下の光リーク電流 .............................................................. 130
8.4.4. ITZO-TFT の光信頼性結果 .............................................................. 132
8.4.5 デバイスシミュレーションを用いた欠陥解析 ............................................... 136
8.4.6 追加ストレス印加による伝達特性変化の原因推定 .................................. 139
8.5 IGZO-TFT の光信頼性評価..................................................................... 142
8.5.1 はじめに ............................................................................................. 142
8.5.2 IGZO-TFT の作製及び基本特性 ........................................................ 142
8.5.3. IGZO-TFT の光信頼性結果 ............................................................. 144
8.6 まとめ ...................................................................................................... 149
参考文献 .................................................................................................... 149
第 9 章 .............................................................................................................. 151
結論.......................................................................................................................
9.1 はじめに .................................................................................................... 151
9.2 本研究で得られた知見 .............................................................................. 151
9.3 今後の展望 ............................................................................................. 154
業績一覧 ........................................................................................................... 156
iv
第1章
序論
1.1 はじめに
半導体技術を基盤とする電子・光デバイスは 20 世紀後半から、大きく発展し我々の生活に
より便利に快適に変えてきた。これらの電子・光デバイスは、現在ではその恩恵を受けずに生活
することが困難な状況であり、我々の生活スタイルをも変えてきている。また、近年、地球環境
問題の高まりにより、製造業では省エネルギー・創エネルギー・リサイクルといったテーマでの製品
開発が求められている。このように工学における技術開発は、より豊かに快適に環境にやさしくと
いった形で人々の生活を変えていくことが求められている。そういった意味において本研究の対象
である薄膜太陽電池と薄膜トランジスタはそれぞれ、再生可能エネルギーとしての太陽光発電
と省エネルギーデバイスとしての薄型ディスプレイという分野で人々の生活を変化させつつある。
電子・光デバイスの研究開発において、電子と光の相互作用を活用した光学的な評価技
術の開発は非常に重要な意味を持っている。光吸収に伴う電子デバイスの挙動評価は結晶
評価や電気特性評価では解明できない、深い準位の欠陥評価が可能になっている。
本研究においては CIGS 系薄膜の太陽電池応用に向けた課題解決及び酸化亜鉛系酸化
物薄膜トランジスタ(thin film transistor, TFT)のフラットパネルディスプレイ応用を目指して、
光学的な手段を用いた評価を行うことで開発を加速することを目的としている。以下に、その背
景と今後の可能性、および本研究の位置付けについてまとめる。
1.2 CIGS 薄膜太陽電池の研究の背景
21 世紀に入り、地球温暖化や異常気象など、全地球規模の気候の変化が顕著になってく
るにつれて環境問題への人々の関心は高まりつつある。さらに、2011 年 3 月に発生した東日本
大震災における原子力発電所事故の影響でクリーンな再生可能エネルギーが改めて注目され
ている。1997 年に京都にて開催された地球温暖化防止京都会議（気候変動枠組条約第 3
回締結国会議、COP3）において採択された京都議定書が 2005 年に発効され、温室効果ガ
ス（二酸化炭素、フロンガス等）を削減することが求められている。そのために、政府や民間での
水・電気などの節約やリサイクルなどの日常生活での取り組みが行われ、エネルギーや資源に対
1
する人々の意識も変わりつつある。図 1.1(a)に日本の 1 次エネルギー事情を示す。1) 日本での
再生可能エネルギーはまだ小規模であり、今後の発展の余地が大いにある。そのため、エネルギ
ー供給の取り組みにおいても、「電気事業者による新エネルギー等の利用に関する特別措置法
（RPS 法）」が 2003 年から施行され、電気事業者には毎年度、その販売電力量に応じて一
定割合以上の風力、太陽光、地熱、水力、バイオマスなどの新エネルギーから発電される電気
の利用が義務づけられた。これらの新エネルギーの中で最も注目されているのが太陽光発電で
ある。太陽光発電は太陽光を利用する再生可能エネルギーであるため、燃料電池のように水
素を供給する必要もなく、また資源が枯渇する心配が無い。太陽から地球全体に照射されて
いる光エネルギーは、ワット数にして約 180PW（P=ペタ=10 の 15 乗）である。そのうち、地上で
実際に利用可能な量は約 1PW といわれる。これは現在の人類のエネルギー消費量の約 50
倍である。また、太陽光発電は風力発電や水力発電の可動部がないためにメンテナンスも不
要である。さらに火力発電のように発電に伴う二酸化炭素の排出もないため、温室効果ガス排
出量の削減効果がある。図 1.1(b)に各エネルギーの CO2 排出量を示す。
日本の一次エネルギー供給
再生可能エネルギー
6%
原子力
11%
ガス
14% 23780PJ
石油
49%
石炭
20%
1
k
W
h
当
り
の
排
出
量
（
ｇ
）
（資料） 電力中央研究所報告書
800
ｇ-CO2/kWh（送電端）
600
400
200
0
石
炭
火
力
石
油
火
力
LNG
(資料)2005年度 資源エネルギー庁
1000
火
力
太
陽
光
風
力
原
子
力
地
熱
中
小
火
力
図1.1(a)左図：日本の1次エネルギー供給 (b)右図：1kWh当たりのCO2排出量
我が国の太陽光発電の開発は、もともと石油資源の枯渇を補うための新エネルギーとしてス
タートしたが、現在では地球環境問題を解決する手段としての期待も高くなってきている。太陽
光発電の生産と導入において、日本はこの分野のパイオニアの役割を担ってきている。
2
3000000
その他
2500000
Si薄膜
総出荷量（ｋW)
Si多結晶
2000000
Si単結晶
1500000
1000000
500000
0
1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010
年度
図1.2 日本における太陽電池出荷量の推移
単結晶Si
Si系
多結晶Si
バルク系
化合物系
Ⅲ-Ⅴ
(GaAs)
a-Si
太陽電池
Si系
薄膜多結晶Si
Ⅱ-Ⅵ
(CdTe)
薄膜系
化合物系
カルコパイライト
(CuInSe2)
その他
有機、色素
図1.3 各種太陽電池の種類別分類
図 1.2 に日本における太陽電池出荷量を示す。2) 2000 年度から 2010 年度までの 10 年
間に約 20 倍近い伸びを示している。我が国においては経済産業省主導の下、産官学連携に
より太陽光発電の研究開発が進められてきた。1974 年からサンシャイン計画、1993 年からの
3
ニュー・サンシャイン計画において、太陽光発電に関する多くの技術が開発され、現在の太陽電
池生産国として地位が築かれた。
図 1.3 に各種太陽電池の種類別分類を示す。3) 現在、市場で普及している太陽電池はほ
とんどがバルクの単結晶シリコン(Si)や多結晶シリコン(Si)などの結晶シリコン系材料を用いたタ
イプが主流であり、80%を越えるシェアを占めている。結晶シリコン系太陽電池の主な材料であ
るシリコンウェハーは半導体産業から供給されており、以前は規格外品（スクラップシリコン）が太
陽電池用として供給されてきた。急速に伸びる太陽光発電の需要に対して、規格外品だけで
は追いつかず、割高な半導体グレードのシリコンを用いて生産を行わざる得ない状況になってい
る。結晶シリコン系太陽電池メーカーにとって、生産するための材料確保が大きな課題となって
いる。そのため、かねてから開発が進められてきた薄膜系太陽電池の事業化が盛んになりつつあ
る。薄膜系太陽電池の場合、バルクのシリコン太陽電池と異なり、膜厚が 100 分の 1 程度で
済むために材料使用量が少ないという特徴がある。薄膜系太陽電池は材料別に分類すると、
シリコン系、化合物系、その他（有機、色素）の 3 つが上げられる。シリコン系のうち、アモルファス
シリコン(a-Si)太陽電池は現在既に量産が行われており、薄膜多結晶シリコン太陽電池はアモ
ルファスシリコン(a-Si)太陽電池の技術をベースに実用化されている。化合物系太陽電池はⅡⅥ系材料の CdTe（カドニウム・テルライド）を用いた太陽電池やカルコパイライト系材料の
CIS(CuInSe2)を用いた太陽電池がある。CIS はバンドギャップエネルギーを大きくするために In
の一部を Ga に置き換えた Cu(InxGa1-x)Se2 が最も一般的であり、略して CIGS と呼ばれる。
CIGS 薄膜太陽電池は小規模ではあるが一部のメーカーから製品として出荷されるようになった。
これらの他に、将来に向けて研究開発が行われている有機材料や色素材料の太陽電池もあ
る。
吸収係数 （/cm）
106
105
CIS
a-Si
CdTe
104
結晶Si
103
色素
102
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
波長 （μｍ）
図1.4 各種太陽電池材料の吸収係数
4
各種半導体を太陽電池材料として眺めた場合の重要なパラメータは、光吸収係数である。
光吸収係数が大きいほど光吸収層を薄くすることが可能である。結晶シリコンは、間接遷移形
吸収を示し、可視域での光吸収係数が小さいので、太陽光を十分に吸収するには、200～
400μm の厚さ（光路長）を必要とする。一方で薄膜太陽電池に用いられる材料は図 1.4 に
示すように光吸収係数が結晶シリコンと比較して 1 桁から 2 桁大きいために、わずか数μm の
厚さでも光を吸収することが可能である。
カルコパイライト系材料の CIS(CuInSe2)は直接遷移形で、光吸収係数が 1×105cm-1 程
度と既知の太陽電池材料の中では最も大きいために薄膜太陽電池に非常に適している。従っ
て、CIS 系材料を光吸収層に用いた太陽電池は太陽光を効率的に電気に変換することが可
能である。
CIGS 薄膜太陽電池の特長として

薄膜太陽電池の中では最もエネルギー変換 効率が高く、研究レベルでは小面積
(0.5cm2)ながら 20.1%を達成している 4)。

基板として安価なソーダライムガラス（青板ガラス）を用いるためコストを低く抑えることが可
能である。

アモルファスシリコン(a-Si)太陽電池にみられる光照射による初期劣化がなく 5-6)、長期信
頼性に優れている 7)。

CIS（CuInSe2）に Ga や S を添加し混晶化することにより、バンドギャップを制御できるた
め、太陽光のスペクトルに合致したデバイス設計が可能である。

耐放射線特性に優れ、宇宙用太陽電池としての用途が期待できる 8)。
などが挙げられる。
エネルギー変換効率（変換効率もしくは単に効率と言うこともある）は太陽電池の特性を示す
上で最も重要な指標で太陽光の光エネルギーをどれだけ電気エネルギーに変換できるか示す
数値である。エネルギー変換効率が 20%以上の太陽電池はバルクの単結晶シリコンとガリウム
ヒ素(GaAs)を用いた太陽電池だけであり、薄膜系では 20%の効率を達成したのは CIGS だけ
である。
住宅事情が厳しい日本にとって、太陽電池の変換効率向上は重要である。一般家庭にお
ける消費電力を太陽光発電システムで賄うには 3～4kW のシステムが必要である。例えば、
3kW システムの場合に変換効率が 10%と仮定すると設置に必要な屋根面積は 30m2 となる。
しかし、変換効率が 20%になれば設置面積は 15m2 と半分になり設置が容易になる。設置面
積が小さくなるということは日本の住宅の様々な屋根に柔軟に対応することが可能になり、より
普及しやすくなるメリットがある。
5
他のデバイスでは性能が向上した場合はコストアップにつながる場合もあるが、太陽電池の場
合はコストを単位出力あたりの製造コスト（単位：円/W）で表現するため、変換効率向上がコス
トダウンにつながる場合が多い。例として、太陽電池パネル 1 枚の製造コストが 1.5 倍になっても
変換効率が 2 倍に向上すればコストは 1.5/2=0.75 となるため、25%のコストダウンになる。従っ
て、低コスト化と高い変換効率を両立の可能性のある CIGS 薄膜太陽電池に対する期待は
大きい。
CIGS 薄膜太陽電池に関しての事業化は 2005 年からいくつかのメーカーで始まった。9) これ
は、シリコン系太陽電池に比べて研究開発の歴史が浅く、解明できていない点が多いことが原
因と思われる。
CIGS 薄膜太陽電池の事業化にあたっては研究レベルで達成された高効率をいかに量産レ
ベルで再現するかが重要である。そのためには光吸収層である CIGS 薄膜の再現性のある高
品質化が必要となってくる。光吸収層である CIGS 薄膜に入射した光によって発生した電子正孔対は外部に電流の形で電気的エネルギーとして取り出されるが、一部は再結合するために
取り出せない（詳細は第 2 章で述べる）。高品質化には CIGS 薄膜の再結合を低減し、安定
したプロセスで CIGS 薄膜を形成することが重要になってくる。
さらに CIGS 薄膜太陽電池においては CIGS 薄膜層とバッファ層として 0.1μm 以下の薄い
CdS 層で良好な pn 接合を構成しているが、将来的には環境負荷の少ない非 Cd（カドニウム）
化が望まれる。このような CdS 代替バッファ層に関して、これまでも多くの材料が提案されてきて
いるがいずれも CdS 層を用いた場合よりも変換効率が低いという課題がある。CdS 層での構成
と比較して、pn 接合界面でのキャリア再結合が多いことが主な原因と考えられている。そのため
にはまず pn 接合界面の解析による詳細な性質を明らかにすることと非 Cd 化（Cd フリー）材料
による代替バッファ層の開発が重要となってくる。
1.3 CIGS 薄膜太陽電池の研究の目的
前節で述べたように、太陽光発電システムの今後の普及拡大において、結晶シリコン系太陽
電池では賄いきれない太陽電池市場の一翼を担う次世代太陽電池として CIGS 薄膜太陽
電池は期待されている。しかし、CIGS 薄膜太陽電池の研究開発はまだ歴史も浅く、未知な
部分が多い。
CIGS 薄膜太陽電池の事業化のためには前述した 2 つの課題について取り組みが必要とな
ってくる。まず、光吸収層である CIGS 薄膜のキャリア再結合の低減である。従来、CIGS 薄膜
6
の特性評価は最終的には太陽電池としてデバイス化（セル化）を行い、特性評価を実施してき
た。この場合、CIGS 薄膜の特性評価はデバイス化での後工程の影響を受ける可能性がある。
そのためには CIGS 薄膜が形成された時点でのデバイスの特性と相関のある評価方法を開発
することが必要である。本研究はフォトルミネッセンス(photoluminescence, PL)を用いて、
CIGS 薄膜太陽電池の高効率化に求められる CIGS 薄膜の再結合欠陥評価技術を確立し、
デバイス化（セル化）せずともプロセスへのフィードバック可能な評価技術を確立して太陽電池の
高効率化の研究開発を加速することを第 1 の目的とした。
さらに、pn 接合を CIGS 薄膜層と CdS バッファ層で構成している例が多いが、バッファ層の
Cd フリーを行うためにも pn 接合界面の詳細な解析を行うことが必要である。特に pn 接合界
面におけるキャリア再結合を低減するためにも、界面の再結合欠陥の評価が重要である。本研
究では界面における再結合欠陥を同じくフォトルミネッセンス（PL）を利用することで直接または
間接的に評価する技術を確立することで Cd フリーの pn 接合の高品質化に指針を与えること
を第 2 の目的とした。
1.4 酸化物薄膜トランジスタの研究の背景
1.4.1 多結晶酸化亜鉛と非晶質酸化亜鉛系半導体
酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの研究は 1968 年に初めての報告があるが、
その後 2003 年までの 35 年にわたる長きにわたる空白期間が存在しており
9-12)、近年注目を
浴びるようになった材料である。特長はバンドギャップが大きく可視光に対して透明である事、低
温形成しても活性層として機能する事、電子移動度が高いことが挙げられる。酸化物 TFT の
活性層としては、主に多結晶の酸化亜鉛(Zinc Oxide, ZnO)と非晶質酸化物半導体
(amorphous oxide semiconductor, AOS)が研究されてきた。
多結晶酸化亜鉛(ZnO)
近年 ZnO の持つ半導体性、ルミネセンス、触媒作用、フェライト（磁性材料）としての性質が
注目され、世界的に研究開発が活発に行われている。中でも、ZnO の持つ半導体性質は、
近年の活発な電子デバイス開発を背景として、その応用が注目されている。ZnO は室温でバン
ドギャップが 3.37 eV であり、可視光に対して透明である。また、ZnO は Al や Ga などの III
属元素をドーパントとして用いることで、n 型伝導が得られる。これらの特徴を活かすことで、
ZnO をディスプレイやタッチパネル用透明導電膜に応用する研究が盛んである 13)。TFT 応用で
7
はキャリア濃度を透明導電膜に比較して、4～5 桁低減する必要があるために、不純物をドーピ
ングしない真性 ZnO が用いられる。酸素欠損や格子間亜鉛(Zn インタースティシャル)といった
真性欠陥がドナーとして働くために、通常 n 型半導体としての特性を示す。また、製膜条件や
熱処理により導電率、すなわちキャリア濃度が大幅に変化するために電気特性の制御が特に
重要である。
非晶質酸化物半導体(AOS)
非晶質酸化物が注目を集めるようになったのは、2004 年に室温形成された非晶質酸化物を
用いて移動度〜8cm2/Vs を示す TFT が報告されてからである。12) 酸化物は高いイオン性の
結合によって構成されており， 伝導帯は金属イオンの s 軌道で形成され、価電子帯 は酸素
(陰イオン)の 2p 軌道で形成されている．そのために、sp3 混成軌道で形成されている Si と異
なり、電子の伝導路は空間的に広がった球対称である金属の s 軌道から形成されるため、結
晶構造の変化によってキャリア輸送に大きな影響を与えず、高移動度が可能である。14-15) 非
晶質の結晶に対する優位性は、低温で均一な電気特性をもつ薄膜を大面積で実現すること
が可能となることや、粒界での影響がないことが挙げられる。材料としては a-InGaZnO4 が最も
多いが 14-16)、a-ZnSnO17)や a-InSnZnO18)など様々な材料が報告されている。近年ではこれ
らの非晶質酸化物を用いた TFT 及びディスプレイ応用 19-20)が報告されおり、今後の発展が期
待される。
1.4.2 ディスプレイ駆動 TFT への要求性能
近年、フラットパネルディスプレイ(FPD)の普及が進み、特に液晶ディスプレイ(LCD)は携帯
情報端末やパソコンモニターの中小型パネルでは不動の地位を確立し、TV 用大型パネルでも
中心的な位置にある。
LCD の実用化は、1973 年にシャープによって初めて電卓のセグメント表示に LCD が応用か
ら始まり、現在に至っている。1980 年代後半から、非晶質シリコン (a-Si:H) 薄膜トランジスタ
を用いたアクティブマトリックス方式、つまり TFT-LCD が開発、同時に LCD がカラー化された事
により、ノートパソコン、モニターなどの市場が急速に拡大し、LCD 産業が本格的に始まるきっか
けとなった。この LCD 産業の成長に伴い、a-Si TFT 性能向上、低温多結晶シリコン
TFT(LTPS)技術の確立、広視野角技術や高速応答技術の進展、製造ガラス基板拡大、
作製コストの低減などの LCD 作製プロセス技術が発達し、大型できれいな画像表示が可能と
なり、動画表示にも対応出来るようになった。2000 年代になると、電子デバイスの急激な発展
に伴った情報化社会となり、LCD の応用範囲もテレビ、携帯電話、デジタルカメラ、ゲーム機、
8
PDA など様々な分野に拡がり、更なる産業の発展が期待されている。現在、LCD はその性
能、生産技術、応用用途などで、FPD としての揺るぎない地位を確立している。
しかし、さらなる大型化と高精細化に向けては、動画解像度、応答速度、高透過率、コント
ラストなど多くの課題がある。一方、有機 EL ディスプレイ(OLED)はその高い表示品位が映
像表示ディスプレイとして注目を集めている。OLED は電流注入による自発光デバイスであり、
視野角依存性がなく、高速応答、コントラスト比が高いといった映像ディスプレイに要求される性
能を備えている。
以下に、FPD 技術の今後の進展に対して、薄膜トランジスタ(thin film transistor, TFT)
の求められる性能を述べる。
LCD で用いられている TFT アクティブマトリックス駆動は、m×n 個の画素（ハイビジョンの場
合 1920×1080=207 万画素）が RGB からなる 3 個のサブピクセルから構成されるため、～
622 万個の TFT により画像表示を制御する駆動方式が用いられており、RGB それぞれのサブ
ピクセルは１つの TFT と１つの容量から構成され、図 1.5 に示す等価回路で表現される 21)。
信号線
対向電極
液晶(CLC)
容量線
保持容量(Cs)
走査線
TFT
図1.5 LCDの画素等価回路
図 1.5 に示すように走査線（ゲート線）と信号線の交点に TFT が配置され、TFT を介して
液晶(CLC)と、液晶に並列に配置された保持容量(CS)が接続されている。液晶は対向するガラ
ス基板（カラーフィルター基板）に設けられた対向電極との間で容量(CLC)を形成し、保持容量
は容量線に接続されている。TFT から見た負荷は、液晶容量と保持容量の合成容量(CLC＋
Cs)となる。
TFT には、走査線選択時間内に、液晶容量並びに補助容量を所定の電位に充電する能
力が求められる。TFT の選択時間 tS (sec)は、走査線数を n、60 Hz を基準とした駆動フレー
9
ムレート比 m を用いて、
ts 
1
60  m  n
(1.1)
で表され、走査線数の増大（高解像度化）、駆動フレームレート増大とともに TFT の選択時
間 tS が短縮される。一方、画素充電に必要な時定数τ(sec)は、液晶容量 CLC (F)、保持
容量 CS (F)、TFT の ON 抵抗 RTFT (Ω)、を用いて、
  RTFT  (C LC  C S )
(1.2)
で表され、大画面化、すなわち画素容量(CLC + CS)の増大とともに充電に必要な時定数τが
増大する。
TFT の線形領域のドレイン電流 Id は
𝐼𝑑 ≈ μ
𝑊
𝐿
𝐶𝑖 (𝑉𝑔 − 𝑉ｔ ) 𝑉𝑑
(1.3)
飽和領域でのドレイン電流 Id は
𝐼𝑑 = μ
𝑊
2𝐿
2
𝐶𝑖 (𝑉𝑔 − 𝑉ｔ )
(1.4)
で表される。ここで W と L は TFT のチャネル幅とチャネル長を、Ci はゲート絶縁膜の単位容量、
μは電界効果移動度、Vg はゲート電圧、Vd はドレイン電圧、Vt はしきい電圧を表す。
TFT の ON 抵抗 RTFT (Ω)は、線形領域で動作している場合、式(1.3)を変形して、
RTFT 
1
Vd

Id  W (  )
Ci V g V t
L
(1.5)
で表される。TFT による画素の充電が、選択期間内に余裕を持って終了するには、τ <<
tS を満足する必要がある。これより、TFT の要求移動度は、
 
(C LC  C S )
 60  m  n
W
C i (V g  V t )
L
(1.6)
で表わされ、大画面化による画素容量(CLC + Cs)の増大、高精細化による走査線数(n)の
増大、駆動フレームレート比(m)の増大とともに、TFT には高い移動度が要求されることがわか
る 。 NHK が 提 唱 す る 次 世 代 放 送 規 格 で あ る ス ー パ ー ハ イ ビ ジ ョ ン （ 解 像 度 7680 ×
4320=3,318 万画素）ディスプレイにおいては RGB サブピクセルからなる～1 億個の TFT が、
移動度 10 cm2/V･s 以上の性能が必要と試算されており
cm2/V･s)では実現困難な性能が要求されされている。
10
22)、従来の
a-Si TFT(～0.5
信号線
Vdata
供給線
Vdd
カソード
有機EL
駆動TFT
アノード
保持容量(Cs)
走査線
スイッチング
TFT
図1.6 有機EL(OLED)の画素等価回路
有機 EL(OLED)ディスプレイは電流駆動自発光素子であり、１つの画素は最も単純な構
成では図 1.6 に示すように 2 つの TFT と１つの容量からなる等価回路で示される。
画面のピーク輝度 Lmax (cd/m2)は、駆動 TFT のドレイン電流 Id(A)、OLED 層の発光
効率をη(cd/A)、画素ピッチを a(m)、を用いて、
𝐿𝑚𝑎𝑥 =
η×𝐼ｄ
𝐴×𝑎2
(1.7)
で表される。A は定数である。TFT は飽和領域で使用されるため駆動 TFT のドレイン電
流 Id は(1.4)式で表される。ピーク輝度 Lmax の向上には、駆動 TFT の電流駆動能力
（Id）、すなわち移動度の向上が必要である。加えて、大画面化（画素ピッチ a の増大）に伴い
同一輝度実現に必要な Id が増大し、TFT の高移動度化が要求される。また、LCD が 1
画素に一つの TFT であるのに対し、OLED ではスタティック駆動を実現するため最低でも 1
画素にスイッチング TFT と駆動 TFT の二つの TFT が必要である。このため、高移動度
TFT を用いることで TFT のチャネル幅 W を小さくでき、レイアウト上の利点もある。
式(1.7)に示すように、OLED では、画素間の駆動 TFT の電流（Id）ばらつきが輝度ばらつ
きとして視認される。このため TFT には特性の均一性が強く求められると同時に、電流ストレス
に対するしきい電圧 Vt の安定性が強く要求される。Vt の変動により、(1.4)式で示される Id
が変動し、結果として輝度ばらつきとして視認されるためである。
11
1.4.3 薄膜トランジスタの現状
薄 膜 ト ラ ン ジ ス タ （ TFT ） は 半 導 体 材 料 を 用 い て 作 ら れ る 金 属 / 絶 縁 膜 / 半 導 体
（Metal/Insulator/Semiconductor, MIS）電界効果トランジスタであり、薄膜で形成される
ためにその厚さが数 100 nm と非常に薄い特徴を持つことから、LCD などの薄いディスプレイを
駆動する電子回路の一部として重要な役割を担っている。TFT の技術開発は、結晶トランジ
スタと同様に長い歴史を持ち、1930 年の Lilienfed による電流制御素子の提案から、
Sochley や Bardeen らによる TFT のトランジスタ効果の発見に始まり、今日までのめざましい
発展を遂げている。中でも TFT 技術発展の歴史の中で、1975 年に Spear らによって報告さ
れたグロー放電により形成した a-Si:H を利用した a-Si TFT は、TFT 開発に大きな影響を与
えた。Spear らが開発した a-Si TFT 技術は、大面積均一性、再現性、安定性といった半導
体プロセスに適合する優れた技術であり、この発見をきっかけとして、当時盛んに研究開発がな
されていた LCD の画素駆動素子への応用が直ちに試された。この TFT の LCD 駆動素子へ
の応用が起点となり、LCD 産業の発展と共に、TFT 技術の研究開発及び産業への応用が
加速されることとなった。
表 1.1 に次世代ディスプレイ用 TFT 技術の比較を示す。現在実用化されている LCD 駆動
TFT として、テレビなどの大型パネルでは a-Si TFT、携帯電話などに用いられている小型パネ
ルでは低温ポリシリコン TFT が多く用いられている。a-Si:H の製膜にはプラズマ CVD(P-CVD)
法が用いられ、大面積基板への展開が容易であるという特徴を有している。しかしながら、a-Si
TFT の電子移動度は一般的に 1.0 cm2/V･sec 以下であり、1.4.1 で述べたような SHV 対応
LCD や 3D 表示対応 LCD 等の次世代 LCD の駆動には課題を有している。また OLED で
は素子に電流を流し続ける駆動 TFT が高い移動度と電流ストレス安定性を要求しているた
めに、a-Si TFT ではこの点の要求を満たすことが不可能である。
低温 poly-Si TFT(LTPS-TFT)は量産レベルで電子移動度 100 cm2/V･sec を超える性
能が実現されており、周辺駆動回路を内蔵したディスプレイや、タッチパネル等の機能素子をデ
ィスプレイに内蔵化した、システムオンガラス(SOG)の開発が活発である。LTPS-TFT では多結
晶シリコン膜の形成にエキシマレーザ結晶化(ELA)が用いられることが多い。エキシマレーザ結
晶化は高移動度な多結晶シリコン薄膜が、基板への熱ダメージなく形成可能であるという特徴
を有するものの、結晶化領域がレーザの出力により制約されるため、大面積にわたり多結晶シリ
コン薄膜を形成するにはレーザ光をオーバーラップさせる必要がある。このため結晶性がレーザ照
射エネルギーのばらつきに影響され、TFT 特性のばらつきが大きくなるといった課題がある。また、
大型 FPD パネルに必要な第 7 世代（1870×2200mm）以降の大板マザーガラスでの製造が
12
現時点では困難なために OLED 用大型パネルの要求を満たせない。
表 1.1 次世代ディスプレイ用 TFT 技術比較
シリコン
酸化物
有機
非晶質
低温 poly-Si
微結晶
Oxide
Organic
a-Si
LTPS
μc-Si
TFT
TFT
TFT
TFT
TFT
～0.5
～100
1～5
5～50
～1
プロセス温度
～250℃
～500℃
～250℃
室温
室温～100℃
形成方法
P-CVD
P-CVD+ELA
P-CVD
スパッタ
蒸着、塗布
大面積対応
〇
△
△(VHF～RF)
〇
△
（ガラス対応）
(G10)
(G4～G6)
2
移動度(cm /Vs)
生産性
○
(G8)
×（マスク数）
△
△〜○
?
特性ばらつき
小
大
小
小
？
長期信頼性
△
◎
〇
〇
？
TV 用パネルの主
中小型パネルがメ
高移動度・大面
低温・印刷整合
流技術
イン
積・均一性が特
性・低コスト可能
徴。
性。
このように、次世代ディスプレイ駆動用 TFT 応用について課題を有している Si 系 TFT に代
わる高移動度半導体材料として、酸化物半導体を用いた酸化物 TFT が現在注目されている。
11-12,23)
酸化物 TFT は現在までに様々な酸化物材料での TFT 応用の試みがなされてきたが、
次世代ディスプレイへの適応を試された材料については、多結晶構造を持つ ZnO と IGZO に
代表される非晶質酸化物半導体(AOS: amorphous oxide semiconductor)が挙げられる。
酸化物半導体を用いた TFT は第 8 世代マザーガラス（2160×2460mm）に対応するスパッタ
ターゲット材料が出荷され始めるなど、次世代ディスプレイの駆動用 TFT として先んじている。
酸化物半導体は、以下のような特徴を持つことから、これらの要求を満足する新しい半導体
材料として期待されている。

室温で任意の基板上にデバイスを作製でき、TFT の移動度が 5cm2/Vs 以上と大
きい。

a-Si や有機 TFT と比較し、半分以下の電圧で動作してチャネルコンダクタンスが高く、
13
OFF 電流が低いためにディスプレイのリフレッシュレートを下げられる。そのために TFT
バックプレーンの消費電力を低減し、超低消費電力ディスプレイの実現も期待される。

ワイドバンドギャップ半導体であるために可視光に対して透明である。
このような特徴を持つために LCD や OLED にとどまらず電子ペーパー駆動用素子や次世代
透明デバイスへの応用が期待されている新しい TFT である。
1.5 酸化物薄膜トランジスタの研究の目的
しかしながらガラス基板上に形成する酸化物半導体は非晶質あるいは微結晶構造を有し、
構造乱れや真性欠陥に起因する欠陥準位(サブギャップ準位)をバンドギャップ内に有している。
これらサブギャップ準位は TFT 特性に影響を与えるのみならず、バンドギャップ以下のエネルギー
を持つ可視光照射時の光リーク電流
24)の要因となっており透明トランジスタ実現の課題である。
また、負のゲートバイアスストレス印加時に可視光照射を行うことで大きなしきい値電圧シフトが
生じること
25)も酸化物半導体
TFT のディスプレイ応用に向けた課題として報告されている。通
常の TFT 特性(電気特性)からの評価ではゲート電圧によりフェルミレベルを変調できる範囲、
すなわち伝導帯近傍の欠陥評価に限られ、深い準位や価電子帯近傍の欠陥準位に関する
情報が得られない。そのために可視光の分光照射による TFT の光リーク電流や信頼性の評価
によってサブギャップ準位が電気特性・信頼性に与える影響を明らかにし、また欠陥制御手法を
検討も行い、次世代ディスプレイ応用への課題解決に向けた研究を行うことを目的とする。
1.6 本論文の構成
本論文は 9 章から構成されている。以下に各章の内容を示す。
第 1 章は序論であり、本研究に至るまでの背景や CIGS 薄膜太陽電池及び酸化物薄膜ト
ランジスタの現状と課題を述べ、併せて本研究の目的を述べる。
第 2 章では、まず CIS 系薄膜の結晶構造や格子欠陥等の基礎物性、太陽電池のデバイ
ス構造と動作原理、太陽電池の特性パラメータについて述べている。さらに CIGS 薄膜太陽電
池の構成と製造方法、特に CIGS 薄膜の形成方法について述べる。
第 3 章では CIGS 薄膜太陽電池の高効率に向けて、高効率化を阻む損出原因のメカニズ
ムについて述べる。本研究で主に活用した評価技術である時間分解 PL 法(time-resolved
14
photoluminescence, TRPL)の測定原理について述べる。TRPL による CIGS 膜の少数キャ
リア寿命（PL 寿命）測定結果と太陽電池の変換効率との相関関係についての検討結果につ
いて述べる。さらに、測定された PL スペクトルから、太陽電池特性に対して支配的な発光準位
を検討し、形成段階で評価結果をフィードバックするシステムの確立を目指した取り組みを行っ
た結果についても述べる。
第 4 章では、S を含有する溶液に浸すことにより表面を硫化させて表面改質を行った CIGS
膜を、TRPL による測定を行うことより、表面層でのキャリア再結合がどのように変化するかの検
討結果について述べる。さらに CIGS 膜の表面や界面でのキャリア再結合をできる限り正確に
行うために紫外領域の励起光（波長 355nm）を用いて非 Cd バッファー層(Zn1-xMgxO)との接
合界面の評価を TRPL によって検討した結果について述べる。
第 5 章では、深いエネルギー準位(Deep Level)での活性化エネルギーや欠陥密度分布の
評価方法を確立することを目的として、DLTS 法より装置構成がより簡易的なアドミッタンス
(Admittance Spectroscopy, AS)法を CIGS 薄膜太陽電池の評価に適用した結果につい
て述べる。
第 6 章では、まず、TFT の構造と動作原理及び特性評価方法について述べる。さらに ZnO
系酸化物の基礎物性と、ZnO や AOS の酸化物半導体の特徴と ZnO-TFT の作製方法に
ついて述べる。
第 7 章では、ZnO 薄膜中のサブギャップ準位が TFT 特性ならびに可視光照射時の光リー
ク電流に与える影響に関して検討した結果について述べる。ZnO スパッタ時の酸素分圧を減少
することで伝導帯近傍にドナー欠陥および価電子帯近傍に電子トラップが形成されることや、可
視光照射時の光リーク電流の測定は、深い準位や価電子帯近傍の欠陥準位の評価が可能
であることについて述べる。
第 8 章では、酸化物 TFT の光信頼性について述べる。まず、ZnO-TFT の光リーク電流と
光信頼性の評価を行い、その関連性について検討した結果について述べていく。さらに、移動
度が高い酸化物 TFT として ITZO-TFT を、また ITZO-TFT との比較として IGZO-TFT の
光信頼性について検討を行った結果についても述べていく。
第 9 章では、結論であり、本研究で明らかになった知見を総括して、今後の産業応用への展
開と課題について述べる。
15
参考文献
1) 資源エネルギー庁ホームページ（http://www.enecho.meti.go.jp/）
2) 太陽光発電協会(JPEA) ホームページ(http://www.jpea.gr.jp/)
3) 小長井誠編：薄膜太陽電池の基礎と応用、オーム社(2001).
4) A.Green, K.Emery, Y.Hishikawa and W.Warta: Prog. Photovolt. Res. Appl.
18(2010)346-352.
5) D. L. Staebler and C. R. Wronski : J. Appl. Phys. 51(1980)3262.
6) 岡本博明：応用物理、66(1997)1046.
7) D. E. Tarrant, R. R. Gay, J. J. Hummel, C. Jensen and A. R. Ramos : Solar
Cells. 30(1991)549.
8) T. Hisamatsu and T. L. Jester : Proceedings of Annual Conference of
American Solar Energy Society,(2000)641.
9) G. F. Boesen, J. E. Jacobs, Proceedings of the IEEE, Nov. 2094,（1968）
10) J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K.Saikusa, Y. Ohmaki, I.
Ohkubo, S. Kishimoto, A.Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno,H.
Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42(2003)L347.
11) R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager: Appl. Phys. Lett. 82( 2003) 733.
12) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono:
Nature 432 (2004) 488.
13) 日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第 166 委員会編集，“透明導電膜の技
術”，オーム社, 2006.
14) T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono: J. Disp. Technol. 5 (2009) 468.
15) 雲見日出也：応用物理、79(2010)981.
16) M.Kim, J.H.Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J-S. Park, J.K.Jeong, Y-G.
Mo, and H. D. Kim:Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 212114.
17) M. G. McDowell, R. J. Sanderson, and I. G. Hill: Appl. Phys.Lett. 92(2008)
013502.
18) M. K. Ryu, S. Yang, .-H. .Park,C.-S.Hwang,and .K.Jeong: Appl.Phys.Lett.
95(2009)072104
19) J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B.Park, B. W. Yoo,
J. W. Kim, Y. G. Lee, K. C. Park, S. Y. Lee, J. M. Kim: IEEE,Electron Device
16
Letters. 29(2008)1309.
20) H. Ohara, T. Sasaki, K. Noda, S. Ito, M. Sasaki, Y. Endo, S. Yoshitomi,
J.Sakata, T. Serikawa, and S. Yamazaki : Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010)
03CD02.
21) 古田守、薄膜材料デバイス研究会編：薄膜トランジスタ（コロナ社,2008）
22) Y. Matsueda, Proceedings of the 6th International Thin-Film Transistor
Conference (2010)314.
23) P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr.: Appl. Phys. Lett.,
82 (2003)1117.
24) Y. Kamada, S. Fujita, T. Hiramatsu, T. Matsuda, H. Nitta, M. Furuta, and T.
Hirao, Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2011) 03CB03.
25) H. Oh, S-M. Yoon, M. K. Ryu, C-S. Hwang, S. Yang, and S-H. Ko Park, Appl.
Phys. Lett., 97 (2010) 183502.
17
第2章
CIGS 薄膜太陽電池
2.1 はじめに
Cu(In,Ga)Se2(以下、CIGS と略す)薄膜太陽電池は薄膜系太陽電池の中では最も変換
効率が高く、長期信頼性の実証もされていることから、次世代太陽電池の有力候補として位
置づけられている。1974 年にベル研（米国）が単結晶 CuInSe2(CIS)に CdS を蒸着したヘテ
ロ接合で、当時としては 12%という高い変換効率を報告した 1)のが発端で、これを契機に多くの
研究者によって CIS 系薄膜太陽電池に関する研究が活発に行われてきた。現在では、
CuInSe2(CIS)と CuGaSe2(CGS)との混晶である Cu(In1-XGaX)Se2(CIGS)薄膜太陽電池
で多結晶シリコン太陽電池に匹敵する変換効率 20.1%を達成した
2)3)。CIGS
薄膜太陽電
池の高効率化には光吸収層である CIGS 薄膜及び CIGS 薄膜と窓層・バッファ層との pn 接
合の高品質化が必要不可欠である。高品質化においては、CIGS 薄膜太陽電池の結晶構
造、格子欠陥、太陽電池構造と動作原理などの基礎物性や製造方法を把握しておくことは
重要である。
本章ではまず、CIS 系薄膜の結晶構造や格子欠陥等の基礎物性、太陽電池のデバイス
構造と動作原理、太陽電池の特性パラメータについて述べる。さらに CIGS 薄膜太陽電池の
構成と製造方法、特に CIGS 薄膜の形成方法について述べる。
2.2 CIS 系薄膜の基礎物性
2.2.1 結晶構造
CuInSe2(CIS)はⅠ-Ⅲ-Ⅵ2 族化合物半導体であり、化学結合論的にはⅡ-Ⅵ族化合物
半導体の延長上にあると考えられている。結晶構造はⅡ-Ⅵ族化合物半導体の閃亜鉛紘型
構造を基本とするカルコパイライト（黄銅紘）型構造をとる。カルコパイライト構造とは、図 2.1 の
ように閃亜鉛紘型構造の単位格子を 2 つ重ね合わせて、その中の 8 個のⅡ族元素を 4 個ず
つのⅠ族元素とⅢ族元素で規則的に置き換えた構造である。
18
In
Se
Cu
閃亜鉛鉱構造
カルコパイライト構造
図2.1 CuInSe2の結晶構造
このときⅠ-Ⅵ結合とⅢ-Ⅵ結合の結合長が異なるために、c 軸の長さは a 軸の長さのちょうど
2 倍にはならず、CIS の場合は格子定数 c=1.16nm、a=0.579nm で c/a=2.01 となる。しか
し、高温において結晶構造は閃亜鉛紘型構造をとるが、太陽電池に用いられる
CuInSe2(CIS)はカルコパイライト型の構造を取る。なお、CIS の中で In のサイトを Ga で置き
換えたときには、Ga の原子半径が In よりも小さいために格子定数が小さくなりバンドギャップが
大きくなる。カルコパイライト型 CuInSe2(CIS)は直接遷移形で光吸収係数は図 1.4 に示した
ように 1×105cm-1 程度と既知の太陽電池材料の中では最も大きいため、薄膜太陽電池に適
している。ただし、薄膜では形成方法によっても異なるが、一般的にこの値よりも小さくなる。
図 2.2 は CuInSe2(CIS)バルク結晶に関する Cu2Se-In2Se3 擬 2 元状態図 4)である。この
図からわかるように CuInSe2(CIS)は Cu/In=0.77～1.0 で安定な固溶域をもち、これよりも
Cu 過剰な領域では Cu2-xSe との混在となる。また、Cu/In=0.27～0.51 では欠陥スタナイト
型 Cu In3Se5 の単一層となり、中間領域では Cu In3Se5 相との混在となる。
19
図2.2 CuInSe2バルク結晶のCu2Se-In2Se3擬2元状態図
太陽電池用 CuInSe2(CIS)系材料の組成はわずかに In 過剰組成であり、その典型的な
Cu/In 比は 0.9～0.95 である。In が過剰になると Cu In3Se5 相が生成されるが、CIGS 薄膜
太陽電池では基板として用いられているソーダライムガラスから拡散した Na や構成元素の Ga
の存在により Cu In3Se5 相の生成が抑制され、CuInSe2 相の存在する領域が拡大する 5)ため、
実際の太陽電池に用いることができる Cu/In 比はこれより広くなると推定されている。
表 2.14)に CuInSe2 バルク結晶の基礎的な物性値を示す。この中で注目されるのは線膨張
係数である。c 軸に平行な方向で 8.6×10-6K-1、c 軸に垂直な方向で 11.4×10-6K-1 であり、
この値は基板として多く用いられているソーダライムガラス(SLG)とほぼ等しいため、500℃程度
の高温製膜が必要な CIS 系では基板と膜のはく離を回避できる。
20
表 2.1
CuInSe2 の諸物性値
84.07
平均原子量
禁制帯幅
(eV)
1.04
0.504
イオン度
電子親和力 X
(eV)
4.48
融点
(℃)
986～1005
デバイ温度
(K)
202
格子定数
(nm)
a=0.579, c=1.16
移動度
up(cm2/Vs)
10
un(cm2/Vs)
900
mp/m0
0.73
mn/m0
0.09
(cm-1)
>105
有効質量
光吸収係数
2.70
屈折率
線膨張係数
〃c(K-1)
8.6×10-6
⊥c(K-1)
11.4×10-6
12～15
比誘電率
熱起電力
(μV/K)
640
熱伝導率
(W/cmdeg)
0.037
CIS 系で太陽電池用としての研究開発の対象は主に Cu-(In,Ga)-(S,Se)の組み合わせで
ある。図 2.3 は基本となる 4 つの 3 元化合物 CuInSe2、CuGaS2、CuInS2、CuGaSe2 の格
子定数と禁制帯幅（バンドギャップ、Eg）と示す。同じカルコパイライト型の結晶構造であるため
に CuInSe2 に Ga や S を添加して混晶化することにより禁制帯幅 Eg を 1.04eV から 2.43eV
まで制御することができる 4)。CIGS は CuInSe2 と CuGaSe2 との混晶半導体であり、いまのと
ころ禁制帯幅が 1.10～1.20eV で最も高い変換効率が実現されている。
21
禁制帯幅(eV)
3
CuGaS2
0.535nm
2.43eV
CuGaSe2
0.561nm
1.68eV
2
1
0
0.52
CuInS2
0.552nm
1.5eV
CuInSe2
0.579nm
1.04eV
0.54
0.56
格子定数a(nm)
0.58
図2.3 カルコパイライト半導体の禁制帯幅と格子定数
2.2.2 格子欠陥と pn 制御
CuInSe2 の欠陥には、Ⅰ族元素のサイトにⅢ族元素が置き換わった（またはⅢ族のサイトに
Ⅰ族）アンチサイト欠陥、原子が抜けた空孔(vacancy)、および格子間(interstitial)原子が
考えられている。Zunger らは CIS の点欠陥を第一原理計算に基づき、生成エネルギーと欠陥
準位を算出し表 2.2 で示すような結果 6)を得ている。ここで、VCu は Cu 空孔を表し、InCu は
Cu サイトの In 原子を、Cui は格子間の Cu 原子を表す。図 2.44,6)の欠陥準位の計算値と実
験値を比較したものである。表 2.2 から CuInSe2 では Cu 空孔が生成しやすく、価電子帯の
底から 30meV の浅いアクセプタ準位を形成することがわかる。さらに電気的に中性な( 2VCu－
+InCu2+)複合欠陥も生成しやすく、これによって化学量論的組成からはずれた CuInSe2 や、
CuIn3Se5、CuIn5Se8、などの OVC(ordered vacancy compound)が安定的に存在できる
ことが指摘されている。また CIS が化学量論組成からはずれていても良好な電気的特性を示す
のは、VCu アクセプタと InCu ドナーが相互に打ち消し合った結果である。
22
表2.2 点欠陥と生成エネルギー、欠陥準位
図2.4 欠陥準位の計算値（左）と実験値（右）の比較
23
CIS 系の特徴の 1 つは pn 制御が Cu/In 比によって可能なことである。これは Cu/In 比に
よって固有欠陥の種類と量が異なり、アクセプタ濃度とドナー濃度の差(NA-ND)が正か負によっ
て p 形か n 形かが決まるからである。一般に半導体デバイスでは格子欠陥や不純物のない完
全結晶を目指し、ドナーまたはアクセプタとなる不純物をドーピングして pn 制御を行うが、CIS
系では固有欠陥を利用し、通常 p 形となる Cu/In 比の領域で太陽電池を作製する。図
2.57-9)に抵抗率とキャリア濃度の Cu/In 比依存性を示す。この図からわかるように Cu 過剰な
領域では低抵抗の Cu2-xSe との混在となるために抵抗率とキャリア濃度は急激な変化を呈する。
伝導形はわずかに In 過剰から Cu 過剰の領域で p 形となり、In 過剰領域では n 形となって
いる。しかし、太陽電池用の CIGS 薄膜ではソーダライムガラス基板から拡散した Na や構成元
素の Ga の存在により n 形の Cu In3Se5 相の形成が抑制されるため、実際に用いることのでき
る Cu/In 比はこれよりも広い。
図2.5 CuInSe2の抵抗率(a)およびキャリア濃度(b)のCu/In比依存性
24
2.3 CIGS 薄膜太陽電池の構造と動作原理
2.3.1 太陽電池の構造と基本性能パラメータ
太陽電池は太陽光スペクトルを吸収して価電子帯から伝導帯へ電子を励起し電子-正孔対
（過剰キャリア）を発生させ、電力として外に取り出すことが動作の基本である。図 2.6 に太陽電
池の基本構造、図 2.7 に暗状態、ならびに光照射下の電流－電圧(I-V)特性を示したもので
ある。太陽電池はダイオードから構成されるために暗状態（光を照射しない状態）では電流-電
圧(I-V)特性は図 2.7(a)の①に示した曲線となる。この太陽電池に光を照射すると、光による
生成電流が逆方向に流れるために、図 2.7(a)の②のような曲線を描く。しかし、太陽電池の性
能を論じるときには、図 2.7(a)の第Ⅳ象限に描かれた曲線を図 2.7(b)に示すように第 1 象限に
描くのが一般的である。
図 2.7(b)で示しているように太陽電池の性能は一般に以下のような特性で示される。

開放端電圧 Voc(open circuit voltage)：出力端子を開放した場合に発生した電圧（電
流が 0 の時の電圧）

短絡光電流 Isc(short circuit photo-current density)：出力端子に負荷をかけずに
短絡した状態で流れる電流密度または電流（電圧が 0 の時の電流）

変換効率 η（または Eff ）(energy conversion efficiency)：入射光のエネルギー
Pin(mW/cm2)に対する最大出力 Vop×Iop の割合で定義される。Iop、Vop は最適動
作点における電流、電圧であり、受光面積 S(cm2)とすると、次式で変換効率は表され
る。


Vop  I op
Pin  S
100(%)
(2-1)
曲線因子 FF(curve fill-factor)：Voc×Isc と Vop×Iop の面積比を示し、次式で定義
される。
FF 
Vop  I op
(2-2)
Voc  I sc
25
光エネルギー
－電極
－
n型半導体
p型半導体
負
荷
電
流
＋
＋電極
図2.6 一般的な太陽電池の構造
電
流
Pmax=VOP×IOP
ISC
IOP
電
流
暗電流①
電圧
光照射下②
VOP VOC 電圧
(a)
(b)
図2.7 太陽電池の電流-電圧特性
実際の太陽電池の公称効率測定には、あらかじめ自然太陽光スペクトルを模擬したソーラ
シュミレータを用い、その出力パワーが地上用太陽電池では AM-1.5、100mW/cm2 に設定し
て測定を行う。入射光のエネルギーを 100mW/cm となるように測定した場合、式(2.1)は次の
様に表すことができる。
(2-3)
  Voc  J sc  FF
ただし、Jsc は Isc を面積 S で割った単位面積当たりの短絡光電流密度である。よって測定
によって Voc、Jsc、FF がわかれば、そのすべての積が変換効率ηを与えることになり、これらの
値によって太陽電池の基本性能を議論することができる。
図 2.7 の電流-電圧(I-V)特性の曲線を式で表すと
26
  qV  
I  Jsc  J 0 exp 
  1
  nkT  
(2-4)
J

 n  kT 
  ln  sc  1
Voc  
 q 
 J0

(2-5)
となる式で記述される（Voc は I=0 の場合に対応）。J0 は逆飽和電流密度、n はダイオード因
子、q は電荷素量、V は電圧、k はボルツマン定数、T は絶対温度である。現実的には抵抗成
分を考慮して、太陽電池の性能を記述すると図 2.8 の等価回路と式(2-6)で表される 10)。
  qV  RsI   V  RsI
I  Jsc  J 0 exp 
  1 
Rsh
  nkT  
(2-6)
Rs は発生した電流を端子に集める時に生じる直列抵抗（シリーズ抵抗）であり、Rsh は pn 接
合の漏れ電流に起因する並列抵抗（シャント抵抗）である。短絡光電流密度 Jsc は太陽電池
において光を取り込む窓層と pn 接合部の構造で決まり、特に窓層と光吸収層のバンドギャップ
と光吸収係数に大きく影響を受ける。
Rs
I
Id
Isc
Rsh
V
Vd
図2.8 太陽電池セルの等価回路
開放端電圧 Voc は主に光吸収層のバンドギャップと pn 接合部を含む空乏層付近での再結
合や裏面電極界面での再結合のメカニズムに支配される量である。特に式(2-5)に示したように
逆飽和電流密度 J0 に影響を受けるために、キャリアの拡散長や寿命に敏感な量である。直列
抵抗 Rs は pn 接合の両側に存在する抵抗に相当し、特に表面や裏面の電極膜の抵抗が大
きく関与する。並列抵抗 Rsh は接合の不完全性、例えばピンホールなどが関与して FF に影響
を与える。直列抵抗 Rs や並列抵抗 Rsh などの抵抗の影響を除けば、FF はダイオード因子 n
値と大きく左右される。また n 値は pn 接合部近傍での再結合に大きく影響される。太陽電池
の変換効率測定における電流-電圧データから、等価回路の式(2-6)に当てはめることで特性の
大小の原因を推定すること、特に電圧や電流などの損失原因を推定することが可能である。
27
2.3.2 CIGS 薄膜太陽電池の構造と製造方法
図 2.9 に本研究に用いた CIGS 薄膜太陽電池の構造を示す。太陽電池の構造は
ITO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/Glass である。表 2.3 に CIGS 薄膜太陽電池の構造と、それぞれ
の膜の作製方法を示している。基板にはソーダライムガラス(SLG)を用い、裏面電極（下部電
極）は Mo 膜を RF スパッタリングまたは DC スパッタリングにより形成した。スパッタ圧は
8mTorr(=1.07Pa)、電力 400W で膜厚 0.4～0.8μm である。Mo 膜の上に多元蒸着法を
用いて光吸収層である p 形の Cu(In,Ga)Se2(CIGS)膜を約 2μm 形成する。CIGS 膜の形
成方法については 2.4 節で詳細を述べる。CIGS 薄膜形成後に表面硫化処理とアニールをお
こなった。表面硫化処理とアニールの目的は CIGS の極表面に CIGS より価電子帯レベルが
低い Cu（In,Ga）S2 層が形成することでヘテロ接合界面での再結合の低減を図ることである。
表面硫化処理については第 5 章で詳細に記載している。バッファー層の CdS 膜は化学析出法
(Chemical Bath Deposition)により形成している 11)。CdS 膜の溶液成長は塩化カドミニウム
を含むアルカリ溶液中でチオ尿素が分解することにより起こる。形成温度 80℃で膜厚は 60nm
である。
Au/NiCr
ITO
ZnO
CdS
Cu(In,Ga)Se2
Mo
Glass
図2.9 CIGS薄膜太陽電池の構造
28
表2.3 CIGS薄膜太陽電池の構造と作製方法
構成要素
反射防止膜
グリッド電極
透明電極層
窓層
バッファ層
光吸収層
裏面電極
基板
材料
MgF2(120nm)
Au/NiCr(300nm/50nm)
ITO(150nm)
ZnO(100nm)
CdS(60nm)
CIGS(2μ m)
Mo(400～800nm)
ソーダライムガラス
作製方法
EB蒸着法
EB蒸着法
スパッタ法
スパッタ法
化学析出法
多元蒸着法
スパッタ法
－
CdS 膜は n 型層として p 型 CIGS に対して用いられてきたが、その後の研究で CdS 膜を
形成する際に CIGS 表面が n 型化されることが報告されている
12)。窓層には高抵抗の
ZnO
膜 を RF ス パ ッ タ リ ン グ に よ っ て 、 RF 出 力 400W 、 Ar ガ ス 雰 囲 気 で の ス パ ッ タ 圧
20mTorr(=2.67Pa)として膜厚 0.1μm で形成した。CdS 膜を厚く形成すればピンホールが少
なくなりシャントは低減するが、膜厚増加による CIGS 膜への透過光は減少するために CdS 膜
(Eg=2.4eV)よりバンドギャップが大きく高抵抗 ZnO 膜(Eg=3.2eV)を組み合わすことで、広い
波長範囲での光吸収を行う窓として役割とシャント低減を両立させている。透明電極には
ITO(Indium Tin Oxide)膜を RF スパッタリングにより、出力 400W、Ar ガス雰囲気でのスパ
ッタ圧 4mTorr(=0.53Pa)で膜厚 0.15μm で形成した。透明電極に要求されるのは高透過
率と低抵抗であり、B や Al をドープした ZnO を用いている研究機関もある。測定用の取り出し
電極は NiCr を 50nm、Au を 300nm、電子ビーム蒸着法で形成する。図中では省略したが、
さらに反射防止膜を堆積する場合は MgF2 を 120nm、電子ビーム蒸着法で形成する。
2.3.3 CIGS 薄膜太陽電池の接合のバンドモデルと動作原理
図 2.10 に ITO/ZnO/CdS/CIGS ヘテロ接合の基本的なエネルギーバンド構造を示す 13)。こ
こで ZnO、n 形 CdS、p 形 CIGS のバンドギャップは 3.2eV、2.4eV、1.04～1.68eV である。
ΔEc は CIGS/CdS 界面の伝導帯バンドオフセット（コンダクションオフセット）を表す。ΔEc は光
励起した電子のバリアとして働くが、シミュレーションの結果によれば、ΔEc が 0.4eV 以下であれ
ばセル特性に影響しないことがわかっている
14-15)。ΔEv
は価電子帯バンドオフセットを表し、
-0.8eV の値が報告されている 16)。バンドギャップが 1.04eV の CuInSe2 では、ΔEc は 0.3eV
程度 17)であるが、Cu(In1-XGaX)Se2 の Ga 濃度を増加し、バンドギャップを拡大すると、価電子
29
帯のバンドオフセットは変化せずに、伝導帯のバンドオフセットΔEc が正から負にかわる。ITO 側
からの光入射によって p-CIGS で生成された電子－正孔対は、接合の内蔵電界によって分離
され、電極に起電力が発生して外部に電流として取り出される。この際に一部途中で再結合
す る 光 励 起 キ ャ リ ア が あ る 。 再 結 合 は 基 本 的 に は バ ル ク 内 (A) 、 空 乏 層 内 (B) 、 お よ び
CdS/CIGS 界面(C)で発生する 18)。開放端電圧 Voc は理論的にはこのような再結合の過程
で左右される。高効率化のためにはこのキャリア再結合をいかに減少させることが重要である。
化学析出法(CBD)で作成された CBD-CdS 膜は作成性の際に Cd イオンが CIGS 膜中に拡
散し Cu と置換するため、CIGS 表面が n 形化し、pn 接合が CdS/CIGS 界面に形成される
のではなく、ヘテロ界面からやや内側の CIGS で pn ホモ接合化していると考えられている 12)。こ
のために、CdS/CIGS ヘテロ界面での欠陥準位の影響が少なくなっている。
ITO ZnO CdS
P-CIGS
EC
ΔEC
EF
EV
2.4eV
3.2eV
ΔEV
図2.10 ITO/ZnO/CdS/CIGS太陽電池のバンド構造
2.4 CIGS 薄膜の形成
2.4.1 CIGS 薄膜の形成方法
CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜の形成方法については、これまでに様々な形成方法に関する研
究がおこなわれてきた。高い変換効率が得られている方法は多元蒸着法とセレン化法である。
30
多元蒸着法は Cu、In、Ga、Se の 4 元素をそれぞれ独立した蒸着源から蒸着する方法であ
り、これまでに最も高い変換効率が得られている 3)。
セレン化法は Se が金属と反応しやすいことを利用した方法でスパッタリングにより Cu、In、Ga
のプレカーサ膜を形成し、これを H2Se ガス雰囲気中で熱処理する方法である 19-21)。プレカーサ
膜の形成順序やセレン化の条件により特性が大きく変わるが、プレカーサ膜を形成する方法とし
てスパッタリングを用いるために制御性と再現性が高いことが特徴である。
CIGS 薄膜の形成方法には上記以外にもスプレー法
22)、電着法 23)、レーザーアブレーション
法 24)、微粒子塗布焼結法 25-26)、ハイブリッドスパッタ法 27)などがある。また最近で CIGS の構
成元素やそれらの化合物に機械エネルギーを加えて CIGS 薄膜を形成するメカノケミカル法
28-29)などの低コストプロセスについても研究が行われている。
本研究で用いた CIGS 薄膜は最も高い変換効率が得られている多元蒸着法を用いて形成
を行った。多元蒸着法においては多段階で CIGS 薄膜を形成することにより膜を高品質化させ
ることが一般的である。以下に多元蒸着法による CIGS 薄膜の形成方法について述べる。
2.4.2
多元蒸着法による CIGS 薄膜の形成
CIGS 薄膜太陽電池の作製に関する相変化は図 2.2 に示した Cu2Se-In2Se3 擬 2 元状態
図に基づいて考えられる。太陽電池用 CuInSe2 系材料はわずかに(In,Ga)過剰組成であり、
その典型的な Cu/(In+Ga)比は 0.9 である。しかし、太陽電池への応用を目的として、基板温
度 600℃以下で形成した(In,Ga)過剰組成の CIGS 膜は、粒界等からも多くの欠陥を含んで
いる。一方、Cu 過剰組成で作製すると、相図からも明らかなように Cu2Se の異相を含むが、
完全性の高い CuInSe2 系結晶からなる膜が得られる。これは、523℃以上で異相の Cu2Se
から液相が生じるため、この液相を介して結晶粒が成長するためだと考えられている 30-31)。
欠陥の少ない太陽電池用 CIGS 膜を作製するために、多元蒸着法では大きく分けて 2 つの
方法が提案されている。その一つがバイレイヤー法 32)であり、もう一つが 3 段階法 33-34)である。
いずれの方法も、組成の異なる層を積み上げ、各層の相互拡散により目的組成の CIGS 膜を
形成する。また、完全性の高い結晶を得るために、膜形成過程において一旦 Cu 過剰組成の
膜を作製する。
バイレイヤー法は Boeing 社の Mickelsen らが提唱した 32)方法で Boeing 法とも呼ばれる。
第 1 層として Cu 過剰組成の Cu-In(+Ga)-Se 層を形成する。その後、In 過剰組成の層を第
1 層の上に堆積して最終的に Cu/(In+Ga)比が 1 より小さい、わずかに In(+Ga)過剰組成の
膜を形成する。この方法では、Cu 過剰時に形成された結晶粒の完全性が高いため、最終的
31
に高品質の膜が得られる。
現在最も高い変換効率が得られているのは NREL が提案した 3 段階法 33-34)である。次に 3
段階法における詳細な形成方法と組成制御技術を述べる。
2.4.3
3 段階法による Cu（In,Ga）Se2 薄膜の形成と組成制御
図 2.11 に CIGS 膜形成装置の概略図を示す。ターボ分子ポンプにより高真空に保たれた
真空チャンバーを用いて蒸着を行う物理蒸着法であり、原料となる金属元素はクネーセンセル
（以下 K セルと略す）から供給される。チャンバー内には Cu、In、Ga、Se の K セルが設置され
ており、各 K セルには独立に開閉可能なシャッターが取り付けられている。基板を支持するホル
ダーは面内での温度均一性を上げるために回転可能となっており、裏面からのヒータによって昇
温することが可能な構造である。また裏面から基板温度が測定できるように熱電対が取り付け
られている。
Thermocouple
Power
Supply
Heater
Recorder
Holder
Mo/Glass
Cu(In,Ga)Se2
Cu
Se
In
Ga
図2.11 CIGS形成装置の概略
図 2.12 に 3 段階法による CIGS 膜形成プロセスの概略図を示す 35)。太陽電池用 CIGS
薄膜の基板は 2.3.2 款で述べたように通常ソーダライムガラスにスパッタリングにより Mo 膜を形
成したものを用いている。第 1 段階として、In-Ga-Se 膜を同時蒸着により形成する。標準的な
プロセスでは、このときの基板温度は約 350℃であり、蒸着量は全 In、Ga 量の約 80%である。
32
またこのとき得られる膜の組成は(In,Ga)2Se3 である。第 2 段階として、ヒータへの電力供給量
を増大し、基板温度を上昇させながら Cu、Se を蒸着する。第 2 段階における標準的な基板
の到達温度は約 530°C である。ここで In-Ga-Se 膜と Cu、Se の反応により Cu 過剰の CIGS
膜が形成される。標準的な製膜過程において第 2 段階終了後に膜組成をエネルギー分散型
X 線分析装置(EDX)により評価すると、Cu/(In+Ga)比で約 1.5 が観察される。第 3 段階とし
て、再び In、Ga、Se を蒸着して最終的にわずかに In、Ga 過剰の CIGS 膜を形成する。標準
的な Cu/(In+Ga)比は約 0.9 である。また、標準的な Ga/(In+Ga)比は約 0.3 である。所定
量の In、Ga、Se を蒸着後、Se フラックスのみを照射しながら約 11°C/min で基板温度を下
げ、約 300°C に達したところで Se の照射を終了して室温まで真空チャンバー内で放冷する。
Substrate Temperature (a.u.)
作製している CIGS 膜の標準的な厚さは約 1.8μm である。
3rd Stage
In+Ga+Se
1st Stage
In+Ga+Se
2nd Stage
Cu+Se
Cooling
Se
Deposition Time (a.u.)
図2.12 3段階法によるCIGS膜形成プロセス
図 2.13 に実際のプロセス中における基板温度の推移を示す
36)。第
2 段階後半の矢印の
位置から基板温度が下がり、第 3 段階において基板温度が上昇することがわかる。これは、矢
印の位置において CIGS 表面に Cu2-xSe が形成されたことを示す。このような基板温度の変化
は、以下のように説明できる。矢印点前後における CIGS 膜への熱の出入りを模式的に図
2.14 に示す。
33
1st stage
In+Ga+Se
Substrate Temp. (a.u.)
2nd stage 3rd stage
Cu+Se In+Ga+Se
cooling
Se
Deposition Time (a.u.)
図2.13 3段階法における実際の基板温度の変化
Cu2Se
radiation
radiation
radiation
Mo
CIGS
Mo
Mo
Glass
Glass
Glass
heater
heater
heater
In-rich
Stoichiometry
Cu-rich
CIGS
図2.14 Cu(In,Ga)Se2膜への熱の出入り
CIGS 膜は、主にヒータからの輻射熱を吸収した Mo 膜からの熱伝導により熱せられている。
第 2 段階において、(In,Ga)過剰組成から、Cu(In,Ga)Se2 が化学量論組成に至る間、
CIGS 膜の熱伝導による熱の吸収と輻射による熱の放出の関係は組成および構造の変化に
関わらず極端には変化しない（図 2.4.4(a)、(b)）。Cu 過剰組成になると、上述したように 膜表
面 に Cu2-xSe が 形 成 さ れ る （ 図 2.4.4(c) ） 。 Cu2-xSe か ら の 輻 射 に よ る 熱 の 放 出 は
Cu(In,Ga)Se2 からの放出よりも大きいため、Cu2-xSe が形成された時点で基板温度の低下
が観察される。また第 3 段階における基板温度の上昇は、In、Ga、Se の蒸着により、表面の
Cu2Se が徐々に Cu(In,Ga)Se2 に変化し、輻射による熱放出が減少するためと考えている。し
34
たがって、基板温度を終始測定し、上記のような温度変化を観測することにより、in-situ で組
成変化をとらえて Cu の蒸着速度を見積もることができるため、精密に Cu/(In+Ga)比を制御す
ることが可能となる。
2.5 まとめ
第 2 章をまとめると次のようになる。第 2 章においては、はじめに CIS 系薄膜の基礎物性につ
いて述べた。CuInSe2(CIS)はⅠ-Ⅲ-Ⅵ2 族化合物半導体であり、化学結合論的にはⅡ-Ⅵ
族化合物半導体の延長上にあると考えられ、結晶構造はⅡ-Ⅵ族化合物半導体の閃亜鉛紘
型構造を基本とするカルコパイライト（黄銅紘）型構造をとる。そして太陽電池として用いられる
場合はその組成が重要であり、通常 p 形になる Cu/(In+Ga)比の領域で太陽電池を作製する
ことを述べた。
次に、一般的な太陽電池の構造と基本性能パラメータを述べ、特に太陽電池の性能は電
流－電圧特性から等価回路のパラメータに置き換えて特性を評価できることを述べた。そして
CIGS 薄膜太陽電池の構造と各層の形成方法、バンドモデルと動作原理についても示した。
最後に CIGS 薄膜の形成方法として、多元蒸着法による形成方法について述べた。多元
蒸着法においては、完全性の高い結晶を得るために膜形成過程において一旦 Cu 過剰組成
の膜を形成することに特徴がある。特に最も高い変換効率が得られている 3 段階法については
CIGS 膜形成時の基板から輻射熱による温度変化を観測することにより、in-situ で組成変化
をとらえて Cu の蒸着速度を見積もることで精密に組成を制御することが可能であること述べた。
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21) Y. Nagoya, K. Kushiya, M. Tachiyuki and O. Yamase : Solar Energy
Materials and Solar Cells, 67(2001)247.
22) M. Krunks, V. Mikli, O. Bijakina, H. Rebane, A. Mere, T. Varema and E.
Mellikov : Thin Solid Films, 361-362(2000)61.
23) D. Guimard, N. Bodereau, J. Kurdi, J. F. Guillemoles, D. Lincot, P. P.Grand,
M. BenFarrah, S. Taunier, O. Kerrec and P.Mogensen : Proc. 3rd WCPEC
36
(2003)515.
24) A. Yoshida, N. Tanahashi, T. Tanaka, Y. Demizu, Y. Yamamoto and T.
Yamaguchi, : Solar Energy Materials and Solar Cells, 50(1998)7.
25) C.R.Leidholm, G. A. Norsworthy, R. Roe, A. Halani, B. M. Basol and V. K.
Kapur : Proc. 15th NCPV Photovolt. Prog. Rev. (1998)103-108
26) C.Federic, C. Eberspacher, K.Pauls, J. Serra and J.Zhu : Proc. 15th NCPV
Photovolt. Prog. Rev. (1998)158-163
27) T.Nakada, K. Migita, S.Niki and A.Kunioka : Jpn. J. Appl. Phys.,34
(1995)4715.
28) T.Wada, H.Kinoshita and S.Kawata : Thin Solid Films, 431-432(2003)11.
29) T.Wada and H.Kinoshita : Thin Solid Films, 480-481(2005)92
30) R. Klenk, T. Walter, H. W. Schock and D. Cahen : Adv. Mater. Res,
5(1993)114.
31) S.Niki, P. J. Fons, A.Yamada, Y.Lacrox, H.Shibata, H.Oyanagi, M.Nishitani,
T.Negami and T. Wada
:
Appl. Phys. Lett. 74(1999)1630.
32) R. A. Mickelsen and W. S. Chen :
Appl. Phys. Lett. 36 (1980)371.
33) M. A. Cnotreras, B. Egaas, K. Ramanathan, J. Hiltner, A. Swartzlander,
F.Hasoon and R. Noufi : Progress in Photovoltaics, 7,4(1999)311.
34) A. M. Gabor, J. R. Tuttle, D. S. Albin, M. A. Cnotreras and R. Noufi : Appl.
Phys. Lett., 65(1994)198.
35) 佐藤琢也 : 京都大学大学院工学研究科化学工学専攻 2006 年度博士論文(2006)
36) N. Kohara, T. Negami, M. Nishitani and T. Wada :
34(1995)L1141.
37
Jpn. J. Appl. Phys,
第3章
CIGS 薄膜の時間分解 PL 寿命と太陽電池特性
3.1 はじめに
CIGS 薄膜太陽電池の効率は光吸収層である CIGS 薄膜の特性によって大きく左右される。
CIGS 膜の評価は当初、結晶の基本特性の評価を中心に行われてきた。しかし、これらの結
晶評価技術で得られた CIGS 膜に関する測定結果と、例えばセル化したときの太陽電池の変
換効率との相関関係が必ずしも明確ではないという課題がある。
本章では、まず CIGS 薄膜太陽電池の高効率に向けて、高効率化を阻む損出原因のメカ
ニズムについて述べる。さらに、太陽電池の変換効率に直接影響及ぼす光吸収層での光励起
による少数キャリアの寿命に着目し、光励起による少数キャリアの評価技術として前章で測定
原理を述べた時間分解 PL 法(time-resolved photoluminescence , TRPL)による CIGS
膜の PL 寿命（少数キャリア寿命）測定結果と太陽電池の変換効率との相関関係についての
検討結果について述べる。
PL(photoluminescence)を用いた評価は非破壊での測定が可能であるため、測定した PL
寿命と太陽電池のデバイス特性との相関関係が見出すことができれば、太陽電池の素子化
（セル化）という長いプロセスを経ずに形成直後の評価結果を CIGS 膜形成条件へのフィードバ
ックを行うことが可能である。
CIGS 膜の時間分解 PL 測定についてはいくつかの研究報告が行われている 1-4)。K.Puech
らは 8.5K の温度で CIS 膜の時間分解 PL 測定を行い、In 過剰(In-rich)の CIS 膜の方が
Cu 過剰(Cu-rich)の CIS 膜よりも少数キャリア寿命が長いことを報告している
1) 。また、
R.Weigand らは室温(RT)での測定を行い、太陽電池セルの開放端電圧 Voc や変換効率
Eff が高い場合は CIGS 膜の少数キャリア寿命が長くなると述べている 2-3)。
しかしながら、測定した PL スペクトルはいくつもの発光準位が見られる場合があり、各発光準
位（測定エネルギー）で測定した PL 寿命（少数キャリア寿命）と太陽電池特性との相関はまだ
不明確である。本章では測定された PL スペクトルから、太陽電池特性に対して支配的な発光
準位を検討し、形成段階で評価結果をフィードバックするシステムの確立を目指して取り組みを
行った結果について述べる。
38
3.2 CIGS 薄膜太陽電池の高効率化
第 2 章で述べたように太陽電池の基本性能パラメータは短絡電流 Isc、開放端電圧 Voc、
曲線因子 FF およびこの 3 つを掛け合わせた変換効率 Eff で示される。太陽電池の高効率化
は理論的な限界に実際の性能がいかに近づくかがが求められる。
図 3.1 は禁制帯幅（バンドギャップ）よりも高エネルギーのフォトンが全て吸収され、光電流とし
て寄与すると考えた場合の短絡電流密度 5)を示している。同図には各材料での短絡電流の実
測値も示されている。
図3.1 短絡電流の理論的限界と実測値
さらに図 3.2 に禁制帯幅（バンドギャップ、Eg）と開放端電圧の関係 1)を示している。一般的
には、禁制帯幅が大きいほど開放端電圧は高くなる。単結晶を用いた太陽電池では図 3.2 に
示すように禁制帯幅(eV)から 0.4 を引いた程度の開放端電圧(V)になっている。CdTe や
CIGS などの多結晶薄膜では、禁制帯幅から 0.5eV あるいは 0.6eV を引いた程度の値となっ
ている。これは、多結晶ではもともと単結晶ほど膜質が優れないこと、結晶粒界などで再結合が
発生しやすく暗電流が流れる要因が多いためと推定されている。
39
図3.2 バンドギャップ（禁制帯幅）と開放端電圧
図3.3 開放端電圧と曲線因子の関係
図 3.3 は、実測された開放端電圧と曲線因子 FF の関係 1)を示したものである。実線は、
直列抵抗やシャント抵抗などの影響を無視して、ダイオード因子 n から予測される曲線因子を
40
開放端電圧の関数として計算したものである。理論的には、開放電圧が大きいほど、曲線因
子は大きくなるとされている。単結晶系では、n=1.1～1.3 と報告されている。
CIGS 薄膜太陽電池の場合、図 3.2 から短絡電流密度は理論値に近い値まで達成されてい
る。しかし、開放端電圧 Voc は単結晶系に比較して禁制帯幅から 0.5eV 以上、引いた程度の
値となっている。そのために、いかに開放端電圧を禁制帯幅から 0.4eV まで上げることができるか
が高効率化には重要である。また曲線因子 FF ではダイオード特性因子 n と密接な関係があ
るとされており、単結晶系と比較して大きい n=1.4 をいかに下げることが曲線因子 FF の向上の
ためには重要である。CIGS 薄膜太陽電池の高効率化はこれらの 2 つのパラメータをどれだけ向
上させられるかという課題に取り組むことである。
開放端電圧 Voc の電圧損出の主な要因として、キャリア再結合が挙げられる。図 3.4 は
ZnO/CdS/CIGS ヘテロ接合太陽電池のキャリア再結合の過程 6)を示す。太陽光入射によって
発生した電子－正孔対は、接合内の内蔵電界によって分離され外部に電流として取り出され
るが、一部は途中で再結合する光励起キャリアがある。この再結合が電圧損出の主な要因で
ある。再結合は(A)バルク内での再結合、(B)空乏層内での再結合、(C)接合界面での再結合、
の 3 つに分けられ、それぞれの再結合を低減することが電圧の改善になる。また曲線因子 FF の
損出要因としては同じく、(C)接合界面での再結合が上げられる。これらのキャリア再結合を低
減することが高効率化の重要な問題である。さらに高効率化の研究開発を支える評価は電圧
や曲線因子の損出原因であるキャリア再結合を、バルクや空乏層および接合界面で定量的に
評価できる技術として確立することが重要である。
図3.4 ZnO/CdS/CIGSヘテロ接合太陽電池のキャリア再結合過程
41
3.3 時間分解 PL（time-resolved photoluminescence）測定
光吸収層での光励起による少数キャリアの寿命は太陽電池の変換効率に直接的に影響を
及ぼすことが知られている。そこで、光励起による少数キャリアの寿命に着目した評価技術として
時間分解 PL 法(time-resolved photoluminescence, TRPL)による光吸収層の評価に
取り組んだ。まず、本節では時間分解 PL 法の測定原理について述べる。
3.3.1 時間分解 PL 測定の測定原理
光吸収によって高いエネルギー状態に上げられた電子や正孔はある寿命の間に再結合して消
滅していく。そのとき、エネルギーを熱の形で放出する場合を非輻射再結合(non-radiative
recombination)、光の形で放出する場合は輻射再結合(radiative recombination)と呼
んでいる。レーザなどの光による励起による輻射再結合をフォトルミネッセンス
(Photoluminescence, PL)3)と呼び、半導体の結晶性評価に多く用いられている。照射光が
定常光の場合は観測される PL も定常光となり、このような定常 PL のスペクトルを測定する手
法を定常 PL 法という。一方、照射光がパルス光の場合は、観測される PL は時間ともに減衰
する。このような、PL の過渡現象を観測する手法を時間分解 PL 法 8)という。定常 PL 法は半
導体中の不純物の同定や定量などが主な用途であるが、時間分解 PL 法は時間と共に減衰
する PL 寿命（少数キャリアライフタイム：PL の減衰時定数）を測定することによって、半導体中
の格子欠陥や不純物などによる影響度合いを見積もることができる。図 3.5 に定常 PL 法と時
間分解 PL 法の測定概要の比較を示している。
PL 寿命はナノ秒（10 億分の 1 秒）のオーダーをもつ。これを計測する技術としては、大きく
分けて、ストリークカメラ法と時間相関単一光子計数法の 2 つがよく用いられる方法である。スト
リークカメラ法はピコ秒レーザと組み合わせることにより、ピコ秒～ナノ秒領域の PL 寿命測定に
適している。一方、時間相関単一光子計数法は時間分解能ではストリークカメラ法に一歩譲
るものの、感度や測定精度、PL 強度のダイナミックレンジが広い点では優れており、サブナノ秒
～マイクロ秒領域での PL 寿命測定に適している。
本研究では、CIGS 膜の時間分解 PL 測定に単一光子計数法を用いた。その基本的な考
え方を図 3.6 に示す。単一光子計数法 9)では「1 回の励起事象による光子 1 個の発光確率
分布が、励起によって発する全光子の時間軸上での実験の強度分布になる」という概念に基
づいている。順番に、①パルスレーザなどの一つの励起パルス光に対して、1 個以下の蛍光光子
を観測し、②励起パルス光と蛍光との時間差Δt を横軸にとって、検出頻度を縦軸として積算
42
する③ヒストグラムが得られて、蛍光強度（PL 強度）の時間変化を再現することとなっている。
得られたヒストグラムが、時間分解 PL の減衰曲線となり、この曲線からフィッティング演算を行い、
定常PL
PL intensity
求めた減衰時定数τが PL 寿命となる。
PLスペクトルを測定
Energy(eV)
PL intensity
短パルスレーザを
使用
時間分解発光ス
ペクトルを測定
（ピーク強度の減
衰曲線を測定）
Energy(eV)
PL intensity
時間分解PL
Fit  A1 exp  t  1   A2 exp  t  2  ・・・(1)
減衰曲線からフィッティングの
演算を行い、減衰時定数τ を算出
time(ns)
図3.5 定常PL測定と時間分解PL測定の概略
43
intensity
パルス励起で発生するPLの
時間変化
励起光
A
蛍光
B
time
△ｔ
１光子
counts
A
●一つの励起パルス光に対して、１個
以下の蛍光光子を観測
●パルス光の繰り返し時間内のどこか
に１個以下の蛍光光子が検出される
状態
●遅延光量の時間依存性は、光子の
捕獲確率に相当
●Ａでは捕獲確立は高く、Ｂでは低い
●励起光と蛍光の時間差△ｔを横軸に
とり、 検出頻度を縦軸として積算
●ヒストグラムが得られ、蛍光強度の
時間変化を再現
B
．．．
time
図3.6 単一光子計数法
3.3.2 時間分解 PL 法による少数キャリアの評価について
半導体において測定される PL 寿命（PL 減衰時定数）8)は一般に次式で表される。
1
1
1



r
 nr
(3.1)
τr は輻射再結合寿命、τnr は非輻射再結合寿命である。さらに非輻射再結合寿命はバル
ク領域の再結合での寄与と界面（表面）領域での再結合の寄与に分離でき、次式で表すこと
ができる。
1


1
r

1

b
nr

1
S
 nr
(3.2)
ここでτbnr はバルク領域での非輻射再結合寿命、τSnr は界面（表面）領域での非輻射再結
合寿命である。バルク領域に不純物や格子欠陥などの非輻射再結合中心が多い場場合は
τbnr が小さくなり、その結果、測定される PL 寿命τは小さくなる。更に、界面（表面）状態が
44
悪く（多数のダングリング・ボンドの存在など）、界面での非輻射再結合中心が多い場合はτSnr
が小さくなり、この場合も測定される PL 寿命τは小さくなる。従って、光吸収層の PL 寿命が
短い場合には、不純物や格子欠陥などの影響により光励起による少数キャリアの寿命が短くな
り、太陽電池の変換効率も低くなることが予測される。
CIGS 薄膜太陽電池の場合、高効率化のためには光照射によって p 形の CIGS 膜で発生
した小数キャリアを、空乏層内や光吸収層内で再結合する前に素早く外部に電流として取り
出すことが必要である。少数キャリアの長寿命化、即ち再結合抑制に関して、傾斜型バンド構
造など光吸収層の構造を工夫することによっても一定の効果はあるが、最も効果的なのは、
CIGS 膜の再結合欠陥の低減・高品質化による少数キャリアの長寿命化である。
3.4 低温における CIGS 膜の PL 寿命と太陽電池特性
3.4.1 時間分解 PL 測定装置の構成・測定条件
本節では低温(77K)において測定した CIGS 膜の PL 寿命と太陽電池特性との相関につい
て検討する。実際に測定を行った時間分解 PL 測定の単一光子計数法 9)を用いた実験装置
の構成を図 3.7 に示す。最初にレーザの光パルスの一部をフォトダイオードでトリガーパルスとして
捕 ら え る 。 こ の ト リ ガ ー パ ル ス は 、 波 高 弁 別 器 (DISCRIM) を 通 っ て 時 間 電 圧 変 換 器
(Time-to-Amplitude Converter, TAC)のスタート入力へ送られ、TAC のコンデンサー充電
が開始される。一方、光パルスにより試料が励起され、それに引き続き蛍光が放出される。励
起事象ごとにせいぜい 1 個の光子だけで検出されるように、分光器の開口(aperture)を調整す
る。この光子より生じた信号で、TAC は充電を停止し、コンデンサーの電荷に比例した、いわゆ
るスタートパルスとストップパルスの間の時間間隔に比例した大きさのパルスを出力する。蛍光に
よるパルスを、横軸に時間、縦軸が光電子パルス計数値であるヒストグラム上に、各蛍光時間
に対応させて計数(counts)していく。このような操作から得られるヒストグラムが試料からの蛍光
の減衰曲線である。このような減衰曲線をもとに演算処理を行うことによって、PL 寿命が算出
できる。
45
YAG Laser
t
sample
t
Photodiode
MONOCHROMATOR
t
Cooled
MCP-PMT
DISCRIM.
AMPLIFIER
stop
ＣＦ DISCRIM.
start
DELAY
TAC
counts
COUNTER
t
DISCRIM：波高弁別器
ＣＦ DISCRIM：定比波高弁別器
TAC：時間電圧変換器
図3.7 時間分解PL測定装置の構成図
表 3.1 に実際の測定条件を示す。実際の測定はまず試料の PL スペクトルを測定し、得られ
たスペクトルから特定の波長を選択し、その波長（エネルギー）での時間分解 PL を測定して、減
衰曲線を得る。その減衰曲線と式(3.3)のフィッティングによって減衰時定数を求め、PL 寿命と
している。
Fit  A1 exp  t  1   A2 exp  t  2 
46
・・・・(3.3)
表 3.1 測定条件
レーザ励起波長
532 nm
試料への励起出力
6mW
パルス幅(FWHM)
700ps
繰り返し周波数
15.5KHz
測定可能温度
77K、RT
スペクトル測定波長
950～1350nm（0.92～1.30eV）
3.4.2 77K における発光準位と PL 寿命
図 3.8 に 77K における代表的な p 型半導体の輻射再結合過程を示す。弱励起状態では
①ドナーアクセプタペア発光準位（DA ペア発光:donor-to-acceptor）、②FA 発光準位
（free-to-acceptor）の 2 つが支配的であり、③バンド端発光はほとんど観測されない。ここでは
欠陥に起因するような深い準位の発光は省いている。
②free-to-acceptor
Donor
①
Acceptor
①donor-to-acceptor
②
③
PL Intensity
Ec
Ev
③バンド間発光
①
②
Energy
PLスペクトル例
図3.8 代表的なp型半導体の輻射再結合過程
DA ペア発光と FA 発光では、励起光強度を変化させた場合の PL 発光強度の変化に差が
ある。DA ペア発光は一定の発光強度で飽和する。理由は少数キャリアであるドナー準位がキ
ャリアで飽和するためである。これに対して励起光強度を上げてキャリア濃度を増加させると、FA
発光の発光強度は比例して大きくなってくる。その特徴を図 3.9 に示す。
47
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
励起光強度:小
励起光強度:小
FA発光（伝導帯-アクセプタ遷移）
FA発光（伝導帯-アクセプタ遷移）
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
励起光強度:大
励起光強度:大
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
PL強度(a.u.)
DAペア発光
DAペア発光
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
励起光強度:小
励起光強度:小
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
PLｴﾈﾙｷﾞｰ（eV)
励起光強度:大
励起光強度:大
図3.9
励起光強度を変化させた場合のPLスペクトルの特徴
図4.2.3　励起光強度を変化させた場合のPLスペクトルの特徴
図4.2.3　励起光強度を変化させた場合のPLスペクトルの特徴
DA ペア発光の距離 r だけ離れたドナーとアクセプタの場合、ドナーに電子がアクセプタに正孔
がある状態から、電子と正孔が再結合し基底状態に移る際に放出する発光エネルギーは次の
式で表される 7,11)。
e2
h  E g  ( Ea  Ed ) 
4    r
・・・(3.4)
Ea はアクセプタ活性化エネルギー、Ed はドナー活性化エネルギー、εは静的誘電率である。
発光強度は対の数と遷移確率の積に比例するが、励起光強度が大きくなると対発光するドナ
ーとアクセプタとの平均距離ｒが小さくなって、発光ピークエネルギーは高エネルギー側にシフトして
いく（ブルーシフト）。逆に、そのような場合は DA ペア発光であるということがわかる。また距離 r
が小さい対の方は遷移確率が大きく、発光の減衰時間は短くなる。
伝導帯の電子密度や価電子帯の正孔密度は励起パルス印加後、一般に短時間で平衡状
態に戻るが、DA ペア発光の電子・正孔対は局在しているために比較的長い時定数で減衰す
ることが知られている。
3.4.3 PL 寿命と太陽電池セル特性
はじめに、形成条件がほぼ同じ方法の CIGS 膜の中でほとんど同様な断面及び表面を有す
る 2 種類の試料を取り上げ、77K において PL のスペクトルを測定した。図 3.10 に変換効率
14.7%と 4.2%が得られた CIGS 膜の SEM 像、測定に用いた CIGS 膜をセル化した時の変
換効率の測定結果を表 3.2 に示す。2 つの膜の結晶粒径はほぼ同等であるが，効率は 10%
の差があり，結晶粒径と変換効率には直接的な相関は見いだせない。
48
(a) CZ581
(b) CZ572
図3.10
測定した試料の断面及び表面SEM写真
表 3.2 試料の変換効率結果
Sample No.
CZ581
CZ572
Eff. (%)
14.65
4.16
Jsc (mA/cm2)
33.56
31.24
Voc (V)
0.607
0.426
FF
0.719
0.312
さらに 2 つの試料を 77K で測定した PL スペクトルを図 3.11 に示す。図 3.11(a)、(b)に示し
た PL スペクトルからはどちらの試料にも 2 つのピークが表れている。得られた PL スペクトルから、
それぞれのピークエネルギーで PL 寿命の測定を行った。低エネルギー側のピークの減衰曲線を
図 3.12 に示す。図 3.12 に示すように PL 強度の時間減衰曲線から(3.3)式で演算によるフィッ
ティングを行い、時定数τを求めて PL 寿命を算出した。表 3.3 は実際に測定した減衰曲線に
(3.3)式で演算によるフィッティングを行い、時定数τを求めて試料間で比較した結果である。
49
PL Intensity(a.u.)
2.0E+05
1.6E+05
1.2E+05
8.0E+04
4.0E+04
0.0E+00
0.90
2.0E+05
PL Intensity(a.u.)
77K
(a) CZ581
1.6E+05
1.00
1.10
Energy(eV)
1.20
1.30
77K
(b) CZ572
1.2E+05
8.0E+04
4.0E+04
0.0E+00
0.90
1.00
1.10
Energy(eV)
1.20
1.30
図3.11 測定した試料のPLスペクトル
TRPL Counts
1.0E+03
(a)CZ581
τ1=26.75ns
1.0E+02
1.0E+01
(b)CZ572
τ1=6.45ns
1.0E+00
0
100
200
300
Time(ns)
400
500
図3.12 時間減衰曲線 (a)CZ581（1.05eV) (b)CZ572(1.078eV)
50
表 3.3 減衰曲線のフィッティングより求めた試料の PL 寿命比較結果
τ1(ns)
τ2(ns)
1.05
26.75
196.19
77K
1.19
0.43
1.93
CZ572
77K
1.078
6.45
30.11
CZ572
77K
1.215
0.35
1.72
Sample
試料温度
測定エネルギー(eV)
CZ581
77K
CZ581
No.
表 3.3 から試料の PL スペクトルのピークについては、低エネルギー側ピーク(1.05～1.078eV )
の PL 寿命は比較的ゆっくりと減衰しているため、前述した特徴より低エネルギー側ピークは DA
ペア発光、1.19～1.215eV のピークは FA 発光だと推定される。1.19～1.215eV では PL 寿
命の差がほとんどない。しかし、1.05～1.078eV における PL 寿命τ1 は、CZ581 が、CZ572
の約 4 倍、τ2 は 6 倍長い。一方、前述したように図 3.10 の断面 SEM より結晶粒や表面状
態に顕著な差違は見られなかった。セル化にした場合の変換効率は CZ581 が 14.65%、
CZ572 が 4.16%であり、大きな違いがあり 77K におけるτ1 を活用することによって、CIGS 膜
の形成段階で高変換効率の可能性のある光吸収層であるか否かを選別できる可能性がある
ことを示している。また PL 寿命は結晶粒の大きさとは関係が薄いと思われる。
3.4.4 77K における PL 寿命と発光準位依存性
77K において、PL スペクトルのどの発光準位が太陽電池特性に対して相関があるかを検討
した。3.4.2 款で述べた発光の特徴を踏まえて、77K における励起光強度を変化させたときに
PL スペクトルの変化を図 3.13 に示す。
図 3.13 より 2 つのピークが観察されている。このうち 1.061eV 付近のピーク(a)は励起光強度
を増加させた場合にピーク位置が高エネルギー側にシフトするブルーシフト現象が観察され、この
ピークは DA ペア発光であると考えられる。また 1.109eV 付近のピーク(b)は、励起光強度を増
加させると PL 強度が飽和せず増加したため FA 発光であると考えられる。
51
PL Intensity(Normalized)
1.2
1
CZ732
(a)
77K
(b)
0.8
0.6
×1
×2
×4
0.4
0.2
0
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
Energy(eV)
1.20
1.25
図3.13 励起光強度を変化させた場合のPLスペクトル(77K、CZ732)
それぞれのピークトップ位置で PL 寿命を測定した結果を図 3.14 に示す。ピーク(a)の PL 寿
命τ1 は 29.4ns、ピーク(b)のライフタイムτ1 は 2.9ns であった。なおこの試料の効率は 14.8%
である。この様に DA ペア発光と FA 発光では TRPL ライムタイムに大きな違いが見られた。ここ
で、FA 発光の PL 寿命は非常に短く、時間分解 PL 測定システムの限界に近いことから、値に
は大きな誤差が存在すると考えられる。
1.0E+03
TRPL　Counts
77K
1.0E+02
(a)
τ1=29.4ns
(b)
τ1=2.9ns
1.0E+01
1.0E+00
0
50
100
Time(ns)
150
図3.14 ピーク(a)及び(b)での時間減衰曲線
52
200
3.4.5 77K における PL 寿命と太陽電池特性との相関
DA ペア発光準位での減衰曲線より PL 寿命τ1 を算出して太陽電池特性との相関を調べ
た。CIGS 膜の組成比が Cu/(In+Ga)比が 0.80～0.98、Ga//(In+Ga)比が 0.25～0.35 の
範囲で相関を検討した。短絡電流密度 Jsc、開放端電圧 Voc 及び変換効率 Eff の 3 つのパ
ラメータと PL 寿命τ1 の関係を図 3.15 に示した。短絡電流密度 Jsc は明確な相関は見られ
なかったが、開放端電圧 Voc と変換効率 Eff は DA ペア発光準位で測定した PL 寿命τ1 と
相関があることがわかる。開放端電圧 Voc は空亡層での欠陥に大きく影響されるパラメータであ
るために、PL 寿命τ1 は CIGS 膜の欠陥を間接的に見ていると思われる。
77K においてはドナ-アクセプタペアの電子、正孔対は遷移確率が小さいため比較的長い時
定数で減衰する
10)。この時に非発光再結合中心（欠陥）が多い場合は、励起されて発生した
電子、正孔対は非発光再結合中心に捕獲され、発光しない確率が高くなる。このために、発
光寿命を見ている PL 寿命τ1 は短くなる。例えば非発光再結合中心を介しての遷移確率が
発光の遷移確率と同じ場合、見かけ上の発光寿命は半分になることが計算で求められる。FA
発光（伝導帯-アクセプタ発光）の場合は励起パルス後、伝導帯電子密度や価電子帯正孔密
度が短時間で平衡状態に戻るため、非発光再結合中心（欠陥）の量による発光寿命の差が
明確に表れないと考えられる。
53
Jsc(mA/cm2 )
45
(a)
40
35
30
25
77K
20
15
0.8 0
Voc(V)
0.7
10
20
30
40
50
(b) TRPL　lifetime　τ 1 (ns)
60
0.6
0.5
0.4
77K
0.3
Efficency(%)
0.2
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
(c) TRPL　lifetime　τ 1 (ns)
60
77K
0
10 20 30 40 50
TRPL　lifetime　τ 1(ns)
60
図3.15 TRPLライフタイムτ1と太陽電池特性
(a)短絡電流密度(b)開放端電圧(c)効率
54
3.5 室温における CIGS 膜の PL 寿命と太陽電池特性
3.5.1 室温における時間分解 PL 測定の課題
時間分解 PL 法を用いて、低温（77K）で測定された CIGS 膜での少数キャリアの PL 寿命
と太陽電池の変換効率との間に相関関係があることを 3.4 節で述べた。しかし、試料を分割し
て、77K の液体窒素の中で測定する場合は、試料の大きさの制限や測定後に太陽電池セル
やモジュールにすることは不可能であるなどの課題がある。室温で基板の分割なしでの評価が
可能になれば、太陽電池のセル化・モジュール化前に CIGS 膜の良否判断が可能になる。その
ために、室温において CIGS 膜の PL 寿命測定及び評価を検討した。
一般的に、室温での PL による測定は非輻射再結合（非発光再結合）が支配的になるため
に PL のスペクトルの強度(Intensity)が低温での測定と比較して低いことや、PL 寿命を算出
するための減衰曲線の時間も短くなるためにフィッティングする際に解析時間が長くなるなどの課
題が予測される。本節では、まず室温における PL 寿命の算出方法について検討する。さらに
検討した方法で算出した PL 寿命と太陽電池のセル化した時の特性との相関を検討した結果
について述べる。
3.5.2 室温における PL 寿命の算出
前述したとおり、室温においては PL スペクトルの強度（Intensity）が低温での測定と比較し
て低いことや、ライフタイムを算出するための減衰曲線の時間も短くなるために式(3.3)でたたみ
込みフィッティング（①）する際に解析時間が長くなるなどの課題がある。そこで、同様のスクリーニ
ング効果を持つ簡素化したフィッティング方法を検討した。具体的にはたたみ込みを考慮しない
フィッティング（tail-fitting：②）とさらに第二成分(τ２)を考慮しないフィッティング（1/e フィッティン
グ：③）である。図 4.3.1 を用いて具体的に説明する。
方法①は前節で説明した通常のフィッティングであるが、実は励起パルス光には早い時刻（約
3ns 位置）と遅い時刻（約 13ns の位置）の成分が存在する（Excitation1）。そのために、早い
時刻で励起されたキャリアの再結合による発光と遅い時刻で励起されたキャリア再結合の発光
の波が重なる（Emission1）。そのために正確な PL 寿命を算出する場合は通常はレーザのた
たみ込み成分を考慮し、式(3.3)を用い fitting を行い、τを算出している。図 3.16①の例では
τ1＝0.407ns と算出される。
55
①通常fitting（レーザたたみ込み成分考慮）
TRPL Counts
1000
RT
100
10
Emission1
Excitation1
Fitting1
励起
パルス
τ 1=0.407ns
1
0
5
10
15
20
Time(ns)
②tail-fitting（たたみ込み無視、2成分対応は可）
1000
TRPL Counts
RT
100
Emission1
Fitting1
10
τ 1=0.973ns
1
0
5
10
15
20
Time(ns)
③1/eから算出
TRPL Counts
1000
RT
A exp  t   の式より
1/eになる時間を算出
τ =1.875ns
Emission1
100
10
たたみ込み無視、
1成分のみ対応
1
0
5
10
15
20
Time(ns)
図3.16 TRPLライフタイム算出方法
これに対して方法②は、畳み込み成分を考慮しないで式(3.3)を用いてフィッティングする方法
である。この方法では、77K などの低温の場合はレーザパルス幅と比較して時間減衰曲線が長
いため、たたみ込み成分を考慮した場合（通常 fitting）と比べても、ライフタイムτ1 にはほとんど
差はない。しかし、室温での測定の場合は時間減衰曲線が短いため、解が出ない場合がある。
図 3.16②の例ではτ1＝0.973ns と算出される。
56
さらに、方法③は、畳み込み成分や 2 成分目を考慮せずに、以下の式(3.5)を用いてフィッティン
グする方法である。
y  A exp  t  
・・・・・(3.5)
この方法では、式(3.5)より PL の強度が最初の 1/e(36.8%)になるときの時間をτとしている。
励起時間幅も考慮されていないので、時定数が励起パルス幅に対して大きな差がないときには
比較的長い値に計算され、図 3.16③の例ではτ＝1.875ns と算出された。
実際の試料において①～③の算出方法でライフタイムの測定エネルギー依存性を検討した結
果を図 3.17 に示す。この図より、どの方法でも同様な測定エネルギー依存性の傾向があるとと
もに、測定のばらつきも同程度であることがわかる。さらに、①～③の方法について評価した結果
のまとめを表 3.4 に示す。
20000
2.5
18000
RT
2.0
1
③1/eから算出
PL　Intensity
14000
12000
1.5
10000
②tail-fitting
8000
1.0
6000
4000
TRPL　Lifetime　τ
16000
0.5
①通常fitting
2000
0
0.90
0.0
1.00
1.10
Energy(eV)
1.20
1.30
図3.17 室温での測定例(T6315、Eff=14.55%)
表 3.4
ライフタイム算出方法比較
精度
解析時間
①たたみ込み
高
長い
②tail-fitting
中
一部長い
③1/e
低
短い
解析時間は③の 1/e で算出する方法が短くて簡易的である。①は精度が高いが、decay の
横軸の時間が 10ns 以下では、解析時間が非常に長く掛かる。②も①と同じく時間が 10ns 以
57
下では解析時間が長く掛かる場合がある。③は測定時間が非常に短くてすむが、τの絶対値
は本来の値から 1.4ns 程度ずれる。しかしながら、測定値のばらつきにおいては①や②と大きな
違いは見られず、スクリーニングのために変化量を把握するには十分な精度が得られると考えら
れる。室温で測定した場合には、できる限り早い時間において PL 寿命を算出できる方が望ま
しいという点を考慮すると③の方法が適した方法と言える。
3.5.3 室温における PL 寿命とセル変換効率との相関
前述の③の方法を用いて室温におけるτを算出した場合のセル効率と相関を検討する。例
として 2 種類の PL スペクトルと対応する PL 寿命の測定エネルギー依存性を図 3.18 に示した。
PL 寿命の測定エネルギー依存性についての詳細は次節で検討するが、効率が高い試料は
PL 寿命の測定エネルギー（波長）依存性が強い傾向にあり、効率の低い試料では測定エネル
ギー依存性はほとんど見られない。
さらに、室温における PL スペクトルのピーク位置での PL 寿命と短絡電流密度 Jsc、開放端
電圧 Voc 及び変換効率 Eff の 3 つのパラメータとの関係を図 4.3.4 に示す。
2.0
8000
1/eから算出
6000
1.5
1.0
4000
0.5
2000
0
12000
1.0
1.1
Energy(eV)
1.2
RT
2.0
10000
8000
1/eから算出
6000
1.0
0.5
0
1.3
1.5
4000
2000
0.0
0.9
2.5
Lifetime　τ (1/e)(ns)
RT
10000
PL　Intensity
PL　Intensity
12000
F2594(RT)
Eff=9.92%
F2594(RT)
14000
2.5
Lifetime τ (1/e)(ns)
T6980(RT) Eff=14.95%
T6980(RT)
14000
0.0
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Energy(eV)
図3.18 室温におけるPLスペクトルとPL寿命
室温でも 77K と同じく、PL 寿命と開放端電圧 Voc と変換効率 Eff には明らかに相関関係
が見られる。この結果、室温での TRPL 測定によって、デバイス化・モジュール化前に非破壊で
CIGS 膜の良否判断が可能になった。
58
Jsc(mA/cm2 )
Voc(V)
Efficency(%)
45
(a)
40
35
30
25
20
15
0.8 0.5
(b)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
18 0.5
16
(c)
14
12
10
8
6
4
2
0
0.5
RT
1.0
1.5
τ (ns)(1/e)
2.0
RT
1.0
1.5
τ (ns)(1/e)
2.0
RT
1.0
1.5
τ (ns)(1/e)
2.0
図3.19 TRPLライフタイムτ1と太陽電池特性
(a)短絡電流密度(b)開放端電圧(c)効率
3.6 時間分解 PL における PL 寿命の測定エネルギー依存性
3.4 節では測定温度 77K において、時間分解 PL 法による CIGS 膜の PL スペクトルと時
間減衰曲線を測定して PL 寿命を算出した。77K での測定の場合は DA ペア発光が支配的
であり、DA ペア発光準位（測定エネルギー）で測定した PL 寿命がセル変換効率と強い相関を
持つことがわかった。さらに 3.5 節で室温での TRPL 測定を検討し、PL スペクトルのピーク位置
で測定した PL 寿命とセル変換効率とが 77K と同様の相関関係があることがわかった。室温測
59
定では図 3.18 に示したように、セル化したときの変換効率が高い CIGS 膜において PL 寿命の
測定エネルギー依存性が見られた。本節では、77K と室温において、セル化した場合に変換効
率が高い試料と低い試料での測定エネルギー依存性を検討した。
3.6.1 PL 寿命の測定エネルギー依存性
セル変換効率の異なる 2 つの試料(a)（セル効率 14.8%）、(b)（セル効率 9.9%）について、
77Ｋにおける PL スペクトルと PL 寿命τ1 の測定エネルギー依存性を図 3.20 に示す。(b)では
PL ピークが明確には分離していないが、幅の広い 2 つのピークが重なっているためだと思われ、と
もに 1.06eV の位置が DA ペア発光と考えられる。それぞれの PL スペクトルにおいて、DA ペア
発光のピーク付近のエネルギー位置で PL 寿命を測定したところ、(a)ではエネルギー依存性が
明確に現れ、低エネルギー側になるにしたがって PL 寿命が 3ns から 40ns に約１桁増大する
現象が観測された。また、(b)においても同様に PL 寿命が 2ns から 10ns に増大する現象が観
測された。
図 3.21 に室温における PL スペクトルと PL 寿命τ1 の測定エネルギー依存性を示す。(a)、
(b)ともに 1.12eV を中心にとする幅の広いひとつの発光が観測される。この発光のピーク付近の
エネルギー位置で PL 寿命を測定したところ、(a)ではエネルギー依存性が明確に現れ、低エネ
ルギー側になるにしたがって PL 寿命が 0.5ns から 1.75ns に増大する現象が観測された。しか
しながら、(b)においては PL 寿命が 0.6ns から 0.8ns とあまり変化が見られなかった。
他の例でも同様の傾向が見られ、効率の高い試料ほど室温の PL 寿命に、測定エネルギー依
存性が見られることがわかった。その原因については、3.6.3 款で述べる。また、77K と室温では
PL 寿命が 10-20 倍異なり、室温において短くなることがわかる。この傾向はその他の例でも同
様に確認された。
60
30
20
10
PL Intensity(a.u.)
40
Lifetime τ 1 (ns)
PL Intensity(a.u.)
77K
(b)
77K
40
30
20
10
0
Lifetime τ 1 (ns)
50
50
(a)
0
0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25
Energy(eV)
0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25
Energy(eV)
0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25
Energy(eV)
(b)
RT
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
Lifetime　τ 1 (ns)
RT
PL　Intensity(a.u.)
(a)
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
Lifetime τ 1 (ns)
PL Intensity(a.u.）
図3.20 77KにおけるPLスペクトルとTRPLライフタイムの測定エネルギー依存性
(a)CZ732 Eff=14.8%、(b) F2594 Eff=9.9%
0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25
Energy(eV)
図3.21 室温におけるPLスペクトルとTRPLライフタイムの測定エネルギー依存性
(a)CZ732 Eff=14.8%、(b) F2594 Eff=9.9%
3.6.2 測定エネルギー依存性とキャリアの局在化
ここでは PL 寿命の測定エネルギー依存性の原因について考察を行う。
Cu(In,Ga)Se2 は CuInSe2 と CuGaSe2 との混晶である。その組成比は今回の試料では
Ga/(In+Ga)比で 30%近くであり、必然的に発生する In と Ga による材料組成揺らぎにより、
バンドギャップが面内で揺らいでいる。77K などの低温の場合は励起されたキャリアの熱エネルギ
ーが小さく、バンドギャップ揺らぎで容易にキャリアが低エネルギー領域に局在化する。局在中心
位置のキャリアは、周りからキャリアが供給されるために PL 寿命（発光寿命）が長く観測されると
考えられる。ところが室温になると、キャリアが局在エネルギーより大きな熱エネルギーを持つように
61
なり、キャリアの局在化の影響が小さくなることから、測定エネルギー依存性が小さくなる
11-12)。
（図 3.22 参照）。また、非輻射再結合が増えるので PL 寿命（発光寿命）が短くなる。
77Kの場合
輻射再結合
Ec
非発光再結合中心
Ev
局在化でキャリアが供給され
寿命が長くなる。
室温の場合
非輻射再結合
Ec
Ev
熱励起によってキャリアの局在化の影響
は小さくなり、非輻射再結合が増え、寿
命は短くなる
図3.22 温度によるキャリアの局在化の相違
3.6.3 セル効率とキャリアの局在化の関係
セル化したときの効率が高い試料と低い試料の測定エネルギー依存性の原因について考察す
る。セル効率 14.8%の試料は 77K と室温の両方において、測定エネルギー依存性が見られる。
しかし、セル 9.9%の試料は 77K においては測定エネルギー依存性が少し見られるが、室温にお
いては測定エネルギー依存性がほとんど見られない。
一般的には局在の深さが大きい試料の方が高温まで局在効果が見られるが、CIGS の場合、
局在の深さが大きいほど太陽電池効率が高いのは考えにくい。そこで、図 3.23 のように非発光
再結合中心（欠陥）の量の違いに起因するモデルを推定した。
62
セル化したときに高効率なサンプル
輻射再結合
Ec
非発光再結合中心
Ev
キャリアの局在化により、
ライフタイムが長くなる。
セル化したときに低効率なサンプル
Ec
非発光再結合中心
Ev
非輻射再結合
図3.23 効率差による測定エネルギー依存性の説明図
このモデルでは、高効率の試料は非発光再結合中心（欠陥）が少なく、低温では低エネルギ
ー状態にキャリアが局在する。室温においては、キャリアがバンドギャップの揺らぎを越えて移動す
るが、非発光再結合中心（欠陥）が少なく再結合確率が低いため、結果的にはバンドギャップ
の底付近で発光する確率が高くなる。このために低エネルギー側での再結合速度が長くなる現
象が観測されることとなる。
また、このモデルでは低効率の試料は非発光再結合中心が非常に多いため、室温のエネルギ
ーでバンドギャップの揺らぎを越えて移動しているキャリアが、移動中に非発光再結合中心にトラ
ップされると考えられる。このためにエネルギー依存性があまり見られなくなる推定される。
63
3.7 まとめ
時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)による CIGS 膜の測定・評価に関する本章をまとめると
次のようになる。
CIGS 薄膜太陽電池の高効率に向けて、高効率化を阻む損出原因のメカニズムについて述
べた。さらに、高効率化の研究開発を支える評価は電圧や曲線因子の損出原因であるキャリ
ア再結合を、バルクや空乏層および接合界面で定量的に評価できる技術として確立することが
重要であることを述べた。
低温(77K)の CIGS 膜の時間分解 PL による評価では、CIGS 膜の SEM や組成分析結
果などからではデバイス化した場合の太陽電池の優劣が予測できない場合でも、時間分解 PL
法による PL 寿命を測定することによって、CIGS 膜を形成した段階で、高変換効率の太陽電
池の作製が可能な CIGS 膜を選別することが可能であることを見出した。
さらに 77K において、発光準位（測定エネルギー）によるライフタイムと太陽電池特性の相関
について検討を行い、ドナーアクセプタペア（DA ペア）発光準位で測定した PL 寿命τ1 は変換
効率 Eff と開放端電圧 Voc に相関があることを示した。
次に室温において、CIGS 膜の PL スペクトルと時間減衰曲線が測定し、77K 同様にライフ
タイムとセル変換効率などの特性との相関を調べた。室温での測定の場合は PL スペクトル強
度が低く時間減衰曲線が短いために、PL 寿命算出方法は従来の fitting では解析時間が長
く掛かる場合があるため、時間減衰曲線の counts が最高値から 1/e になる時間で算出した。
この方法は簡便であり、PL 寿命τを容易に算出できる。PL スペクトルのピークで測定した PL
寿命τと変換効率 Eff と開放端電圧 Voc とは 77K と同様、明らかに相関関係が見られる。
最後に低温(77K)と室温においてのセル化した場合の変換効率が高い試料と低い試料での
PL 寿命の測定エネルギー依存性の検討を行った。低温(77K)においての PL 寿命の測定エネ
ルギー依存性は、In と Ga の組成揺らぎに伴いバンドギャップの極小が発生し、その場所にキャ
リアが局在化するために発生すると考えられる。室温において高効率試料にのみ測定エネルギ
ー依存性が観測された。この原因としては非発光再結合中心（欠陥）が少ないため再結合の
確率が低く、低エネルギー側の再結合速度が長くなるためと考えられる。
参考文献
1) K. Puech, S. Zott, K .Leo, M. Ruckh, and H. -W. Schock :
64
Appl. Phys. Lett. ,
69 (1996) 3375.
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3) B. Ohnesorge, R. Weigand, G.. Bacher, A. Forchel, W. Riedl, and F. H. Karg. :
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技術情報誌 Readout 第 02 号(1991) 27-36
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出版センター(1988)
10) 入江泰三、遠藤三郎 : 「半導体基礎工学Ⅱ」、工学図書（株）, (1993)
11) C. Sasaki, H. Naito, M. Iwata, H. Kudo, Y. Yamada, T. Taguchi, T. Jouichi, H.
Okagawa, K. Tadatomo and H. Tanaka : J. Appl. Phys., 93 (2003)1642
12) 佐々木千治 , 岩田政樹 , 山田陽一 , 田口常正 , 渡辺智 , M. S. Minsky , 竹内
哲也 , 山田範秀 : 山口大学工学部研究報告第 52 巻第 1 号 (2001) 57-61
65
第4章
時間分解 PL を用いたヘテロ接合界面評価による Cd フリーpn 接合
4.1 はじめに
CIS 系薄膜太陽電池においては p 形の CIGS 膜と n 形のバッファ層との pn 接合の高品質
化が特性に大きな影響を及ぼすため、良好な pn 接合を形成することで接合界面での再結合
を抑制し、特性を向上させることが重要である。CIGS 薄膜太陽電池は、化学析出法(CBD)
で形成された CdS 膜を用いて、良好な pn 接合を形成し、高効率化を達成されてきた。しかし、
Cd は有害な元素なため近年 Cd を用いないバッファ層の開発が盛んに行われている 1)。 その
ため、CIGS 膜との界面でのキャリア再結合がどのように変化するかを評価して最適な非 Cd バ
ッファ層（Cd フリーバッファ層）を開発することが求められている。
時間分解 PL(time-resolved photoluminescence : TRPL)は CIGS 膜のバルクや界
面での少数キャリアの寿命評価に有効な方法である。CIGS 膜の少数キャリアの表面再結合を
定常 PL によって、PL スペクトラムの Intensity（強度）で評価した例はいくつか挙げられる
2-3)
が、時間分解 PL を用いて評価した例はまだ少ない。時間分解 PL を用いた表面再結合の評
価例としては、波長が 800nm の励起光源を用いて、CdS 膜のパッシベーションによる CIGS 膜
の PL 寿命の変化を評価した例が挙げられる 4)。しかし、CIGS 膜の表面や界面でのキャリア再
結合を評価するためには、できる限り CIGS 表面付近で吸収される波長の励起光源を望まし
い。本章では CIGS 膜の表面や界面でのキャリア再結合をできる限り正確に行うために紫外領
域の励起光（波長 355nm）を用いて、CIGS 膜の表面処理や接合界面の評価を検討した結
果について述べる。
具体的にはまず、S を含有する溶液に浸すことにより表面を硫化させて表面改質を行った
CIGS 膜を、時間分解 PL(time-resolved photoluminescence)法による測定を行うことよ
り表面層でのキャリア再結合がどのように変化するかの検討結果について述べる。さらに、Cd フリ
ーバッファ層として Zn1-xMgxO を用い、Zn1-xMgxO/CIGS 界面においての形成直後及び 150
～300℃のアニールによる PL 寿命の変化を測定し、スパッタリングによる形成に伴うダメージとそ
の回復に最適なアニール温度の検討を行った結果について述べる。
66
4.2 時間分解 PL による CIGS 薄膜の表面改質効果の評価
4.2.1 溶液法による表面改質及び測定条件
CIGS 薄膜太陽電池においては p 形の CIGS 膜と n 形のバッファ層・窓層との pn 接合界面
の高品質化が特性に大きな影響を及ぼす。良好な pn 接合を形成するためには、界面での再
結合を抑制し、特性を向上させることが重要である。これまでにⅡ族元素のドーピングによる
CIGS 表面の n 形化 5-7)や CIGS 表面を硫化してバンドギャップを拡大することで再結合を抑
制することが試みられてきた。CIGS 表面の硫化による改質の方法としては、①セレン化法で
CIGS 膜を形成後、H2S ガス雰囲気で表面を硫化させる 8)、②CIGS 膜を、S を含有する溶
液に浸すことにより表面を硫化させる 9)、③In2S3 を蒸着して CIGS 膜の表面を硫化させる 10)、
の 3 つの方法が提案されており、いずれの方法でも硫化による表面改質で開放端電圧 Voc や
曲線因子 FF などの特性が向上している。
CIGS 膜表面の硫化による改質によって特性が向上する理由として、①CIGS より価電子
帯レベルが低い Cu（In,Ga）S2 層が形成されることによる正孔（ホール）に対する障壁（ホールバ
リア）効果 9)、②CIGS 表面の Se 空孔やダングリングボンドのパッシベーションによる表面再結合
低減効果 8)、の 2 つの効果が提案されている。しかし、特性の向上の確認は、セル化（デバイス
化）によって行われており、表面硫化がキャリア再結合にどう影響を与えているかは、十分には確
認されていない。
表面層の改質時間を変えて表面に形成される硫化層の膜厚を制御した CIGS 膜に対して、
紫外領域の励起光（波長 355nm）を用いて時間分解 PL 法による CIGS 膜の PL スペクトラ
ムと時間減衰曲線から PL 寿命を測定し、表面硫化がキャリアの再結合にどのように影響を与
えているかの検討を行った結果について述べる。
CIGS 膜表面を硫化させる方法は Y.Hashimoto らによって報告されている 9)。 本節ではこ
の成果をもとに CIGS 膜の表面改質を試みた。
CIGS 膜 の 表 面 処 理 に 使 用 す る 溶 液 は 塩 化 イ ン ジ ウ ム (InCl3) 、 チ オ ア セ ド ア ミ ド
(CH3CSNH2)からなる。この溶液を HCl で pH=1.95 に調整した。これらの試薬を室温で調整
し、表面処理する際の液の温度を 70℃とした。具体的な処理条件を表 4.1 に示す。ここでは S
含有溶液による処理時間（浸漬時間）を変えることで、Cu（In,Ga）S2 層の膜厚を制御した。
表 4.2 に各試料での硫化処理時間を示す。
67
表 4.1 CIGS 膜表面硫化条件
InCl3(M)
チオアセトアミド(M)
液の温度(℃)
pH
処理時間
0.005
0.1
70
1.95
10 秒～5 分
表 4.2
CIGS 膜の表面処理の膜厚条件
試料
硫化処理時間
(a)
T7671-4-1
なし
(b)
T7671-4-3
10sec
(c)
T7671-4-4
60sec
試料 T7671-4 の表面改質された膜厚は以前に TEM によって確認した膜厚 9)から推定す
ると、処理時間 60sec で 20nm、10sec で 5nm 以下となる。この試料を室温において、CIGS
膜の PL スペクトルと PL 寿命τ1 を測定した。TRPL の測定条件は表 4.3 の通りである。PL
寿命τ1 は式(3.3)によって算出をおこなった。
表 4.3 TRPL 測定条件
355nm
レーザ励起波長
試料への励起出力
1mW
パルス幅(FWHM)
700ps
繰り返し周波数
15.5KHz
測定温度
RT(300K)
スペクトル測定波長
950～1350nm（0.92～1.30eV）
68
4.2.2 励起波長 355nm による PL 寿命測定
レーザを照射したときにレーザ波長によって光の CIGS 膜への侵入深さは変化する。励起波
長 355nm の場合、吸収係数の違いから、励起光は薄膜の極表面である 10～20nm 付近で
吸収される。そのために表面での再結合などの影響を確認することが可能である。なお、Cu
（In,Ga）S2 層のバンドギャップは 1.5eV 以上であるために、測定波長の範囲では Cu（In,Ga）
S2 層のバンド端付近の発光は、測定不可能である。
図 4.1 に励起波長 355nm での各試料の PL スペクトルを示す。as-grown の状態ではまっ
たく発光せず、S 含有溶液による表面処理時間が 10 秒（厚さ 5nm）の場合の PL 強度が最も
高くなっている。これは、Cu（In,Ga）S2 層が吸収領域に比べて厚くなりすぎると、レーザ光はほと
んどが Cu（In,Ga）S2 層で吸収されるため、Cu（In,Ga）Se2 層での光吸収によるキャリア励起
が生じないためと考えられる。
さらに as-grown のピークである 1.127eV での時間減衰曲線の変化と PL 寿命の変化を図
4.2 に示す。なお as-grown の状態では発光しなかったため時間減衰曲線の測定が不可能で
あった。
RT
PL Intensity(a.u.)
(b) treatment
10sec
(c)treatment
60sec
(a) as-grown
0.95
1.00
1.05
1.10 1.15
Energy(eV)
1.20
1.25
図4.1 硫化処理したCIGS膜のPLスペクトル（波長355nm）
69
TRPL Counts(a.u.)
RT
(c)treatment 60sec
τ1=1.21ns
(b)treatment 10sec
τ1=1.43ns
0
5
10
Time(ns)
15
20
図4.2 硫化処理したCIGS膜の時間減衰曲線（励起波長355nm）
(E=1.107eV)
図 4.2 の時間減衰曲線と PL 寿命τ1 は PL 強度と同じく、S 含有溶液による表面処理時
間が 10 秒の場合が最も PL 寿命が高いが、時間減衰曲線からは見て大きな差はない。表面
処理時間が長く Cu（In,Ga）S2 層が厚い場合は、Cu（In,Ga）S2 層でのキャリア再結合が増
加し、PL 寿命が短くなった可能性がある。
4.2.3 CIGS 表面を硫化した太陽電池セル特性
実際に表面硫化した試料を用いてセルを試作し、太陽電池特性を比較した。試作した太陽
電池セルは 2.3 節に述べた構成であり、断面は図 2.9 に示した通りである。基板上に Mo 裏面
電極を RF 若しくは DC スパッタ法で作製し、その上にインライン蒸着法で Cu(In,Ga)Se2 膜を
作製した。CIGS 膜に対して表 4.1 のように時間を変えて 0～60 秒の硫化処理を行った。その
上にバッファ層として CdS と ZnO をそれぞれ溶液析出法及びスパッタ法により積層し、さらに透
明導電膜として ITO をスパッタ法により形成し、最後に蒸着法により取り出し電極の Au/NiCr
を積層して太陽電池を試作した。詳細は 2.3 節で述べた通りである。試作したセルの太陽電池
特性は、ソーラシミュレータ(AM1.5,100mW/cm2,25OC)を用いて測定した。結果を表 4.4 に
示す。
70
表 4.4 硫化処理時間を変化させたセルの特性
試料 No.
処理時間
Eff.(%)
(秒)
Jsc
Voc
(mA/cm2)
(V)
FF
T6296-9EF1234
0
8.5
31.4
0.434
0.623
T6296-8EF1234
5
10.7
34.8
0.469
0.654
T6296-3EF1234
10
11.2
35.7
0.483
0.653
T6296-4EF1234
20
11.3
35.6
0.484
0.654
T6296-6EF1234
30
11.3
35.9
0.482
0.652
T6296-7EF1234
60
11.3
35.7
0.486
0.653
表 4.4 の結果より、CIGS 膜の表面硫化によって短絡電流密度 Jsc、開放端電圧 Voc、曲
線因子 FF の 3 つのパラメータ全てで改善が見られた。Voc と FF の改善は CIGS/CdS のヘテ
ロ界面での再結合が改善されたことが理由と考えられる。処理時間が 10 秒～60 秒の試料で
はいずれの場合も硫化処理の時間による特性の差はほとんど無くほぼ一定であり、硫化処理の
有無が重要であることが確認された。この結果からも表面硫化した場合にはセル特性が向上す
ることがわかる。
4.2.4 表面改質効果のまとめ
測定した as-grown と表面硫化した試料の PL 寿命から、S を含有する溶液による硫化は
表面再結合を低減し、PL 寿命の向上に効果があることがわかった。これは図 4.3 により、
CIGS より価電子帯レベルが低い Cu（In,Ga）S2 層が形成され、正孔（ホール）に対する障壁
（ホールバリア）の効果
9)により、励起されたキャリアが表面再結合せずに輻射再結合で発光す
る割合が増えたこと示している。今回は 0.92～1.30eV の範囲の発光を評価しているために、バ
ンドギャップが 1.5eV 以上の Cu（In,Ga）S2 層の発光は測定できないことから、Cu（In,Ga）S2
層との界面付近の CIGS 層を評価したことになる。硫化が進むと CIGS 層へ届くレーザ光が少
なくなるために PL スペクトルのピーク強度が低下しており、この結果からも表面が硫化されている
ことが確認できた。
さらに、太陽電池セルの結果から、CIGS 表面層を硫化することで特性が向上していることが
確認された。これは CIGS の表面を改質することで CIGS/CdS のヘテロ界面での再結合が抑
制されたためと考えられる。
71
Cu(In,Ga)S2
P-CIGS
P-CIGS
電子
電子
表面再結合
準位
Ec
表面再結合
準位
Ec
Ev
Ev
励起光
正孔
励起光
正孔
ホールバリア
図4.3 ホールバリア効果の説明
4.3 時間分解 PL を用いた Zn1-xMgxO/CIGS 界面の評価
4.3.1 Cd フリーバッファ層 Zn1-xMgxO 膜
CIGS 薄膜太陽電池の高効率化は化学析出法で形成された CdS 膜を用いて達成されて
きた。しかし、Cd は有害な元素なため近年 Cd を用いない窓層・バッファ層の開発が盛んに行わ
れている
1)。窓層・バッファ層としてまず要求されている条件は、①CIGS
膜より広いバンドギャッ
プ、②n 形あるいは真性半導体、である。加えてヘテロ pn 接合という点から①バンド整合、②
格子整合、2 つの点を考慮しなければならない。特にバンド整合は T.Minemoto らの報告
11)
により、CIGS 膜と窓層・バッファ層のコンダクションバンドオフセットが CIGS 膜より 0～0.4eV 高
い場合に良好な変換効率が得られることがわかっている。CdS 膜は、CIGS/CdS 界面のコンダ
クションバンドオフセット（伝導帯の差）ΔEc が CIGS 膜のバンドギャップが 1.1～1.2eV のとき
0.2eV 前後の値となり、0～0.4eV というバンド整合の条件を満たし、また格子定数が 5.818Å
で CuInSe2 の格子定数 5.782Åと近いために良好な格子整合となることで、これらの 2 つの条
件を満たし最適といえる。しかし、CdS は短波長領域に光吸収があり、より広いバンドギャップ
（禁制帯幅）をもつバッファ層のほうが有利である。これまでに、CdS 代替バッファ層として多くの
材料が提案されてきているが、比較的高い変換効率が得られているのは Zn 化合物系と In 化
合物系である。Zn 化合物系の材料でもっともポピューラーな ZnO 系材料である。しかし ZnO
72
のコンダクションバンド（伝導帯）は CIGS のコンダクションバンドより 0.2eV 程度低いことが報告
11)されており、効率の低下要因となる。そこでバンドギャップの拡大によるコンダクションバンドの制
御を図るために ZnO と MgO の混晶膜 Zn1-xMgxO を用いて CdS フリーバッファ層としての検
討を行った。
Zn1-xMgxO 膜は ZnO ターゲットと MgO ターゲットを使用し、組成比の制御が可能な 2 元ス
パッタ法を用いて作製した。図 4.4 に示す 2 元 RF マグネトロンスパッタ装置を用いて形成し、Zn
と Mg の組成比は ZnO と MgO の各ターゲットへの印加電力により制御した。形成条件はスパ
ッタ圧 2.7Pa、ZnO の RF パワーを 200W とし、MgO の RF パワーを 120W として組成を制
御し、バンドギャップを CIGS とのコンダクションバンドオフセットが 0.2eV 程度になるように形成し
た。
基板ホルダー
基板
シャッター
Ar
ZnO
MgO
真空
ターゲット
RFパワー
～
～
図4.4 Zn1-xMgxO膜の形成に用いた2元スパッタ装置
73
4.3.2 実験及び測定条件について
化学析出法で形成された CdS 膜は CIGS 膜に形成時にほとんどダメージを与えていないと
考えられるが、Zn1-xMgxO 膜はスパッタリングで形成されるために CIGS 膜に形成時にダメージ
を与えていると思われる。そのために Zn1-xMgxO 膜が、CIGS 膜へ形成時にどの程度ダメージを
与え、またどのようにしてダメージから回復するかを知ることは重要である。窓層・バッファ層を形
成した場合に発生するダメージによる界面欠陥を評価するために、CIGS 膜との界面でのキャリ
ア再結合がどのように変化するかを評価して最適な Cd フリーバッファ層を開発することが求めら
れている。Pn 接合界面でのキャリア再結合をできる限り正確に行うために紫外領域の励起光
（ 波 長 355nm ） を 用 い て 評 価 を 行 う 。 Cd フ リ ー バ ッ フ ァ 層 Zn1-xMgxO を 用 い 、
Zn1-xMgxO/CIGS 界面においての形成直後及び 150～300℃のアニールによる PL 寿命の変
化を測定し、スパッタリングによる形成に伴うダメージとその回復に最適なアニール温度の検討を
行う。
まず、Zn1-xMgxO/CIGS、CdS/CIGS 及び CIGS 膜単体の 3 種類の試料を用意した。ガラ
ス基板の上に Mo 膜が付いた試料に 2.4 節で述べた多元蒸着法で CIGS 膜(T7667)を形成
し、その一部に Zn1-xMgxO 膜及び CdS 膜を形成した。Zn1-xMgxO 膜の形成 11)は 4.3.1 款
節に述べたスパッタリングで行い膜厚は約 150nm、CdS 膜の形成は 2.3 節で述べた溶液成長
を 用 い た 方 法 で 行 い 膜 厚 は 60nm で あ る 。 表 4.5 に 試 料 の 概 要 を 示 す 。 な お 、
Zn1-xMgxO/CIGS、CdS/CIGS はそれぞれのバッファ層を形成前に 4.2 節で取り上げた表面
硫化の処理を行っている。
次に PL 寿命を求めるための TRPL の測定条件を表 7.2.2 に示す。TRPL の測定装置の
概要は第 3 章で述べている。またアニールは 150℃、200℃、250℃、300℃の順に N2 雰囲気
でそれぞれの温度で 10 分間おこなった。PL 寿命τ1 の算出は式(3.3)に基づいている。
表 4.5 測定試料の概要
試料
構成
(a)
T7667-58
Zn1-xMgxO(150nm)/CIGS
(b)
T7667-46
CdS(60nm)/CIGS
(c)
T7667-51
CIGS
74
表 4.6 TRPL 測定条件
355nm
レーザ励起波長
試料への励起出力
1mW（355nm）
パルス幅(FWHM)
700ps
15.5KHz
繰り返し周波数
77K
測定温度
スペクトル測定波長
950～1350nm（0.92～1.30eV）
4.3.3 バッファ層/CIGS 界面の PL 寿命測定
励起波長 355nm(3.492eV)を用いた PL 測定の場合は吸収係数の違いから、励起光は
CIGS 薄膜の極表面である 10～20nm で吸収される。そのために表面や界面での再結合など
の影響を確認することが可能である。図 4.5 に 77K における Zn1-xMgxO/CIGS 界面の各アニ
ール温度での PL スペクトルを示す。Zn1-xMgxO/CIGS 界面の場合、Zn1-xMgxO のバンドギャ
ップが 3.50eV 前後で形成されるために励起光の一部が吸収されている可能性があるが、ほぼ
CIGS のバンドギャップ付近の発光を測定している。As-grown の状態からアニールを 150℃、
200℃、250℃、300℃と変化させた場合を示した。As-grown の場合は発光が弱く、150℃
から 250℃にまでアニール温度を変化させると、キャリアの界面再結合が減少して、発光が大き
くなったと思われる。さらに図 4.6 に 77K における Zn1-xMgxO/CIGS 界面の各アニール温度で
の時間減衰曲線を示す。測定エネルギーE=1.024eV における時間減衰曲線から算出した
PL 寿命τ1 を示した。
75
PL Inten s i ty (a .u.)
77K
250℃
200℃
300℃
150℃
As-grown
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
Energy(eV)
1.15
1.20
図4.5 Zn1-xMgxO/CIGSの各温度におけるPLスペクトル（励起波長355nm）
77K
300℃
τ 1=9.1ns
250℃
TRPL Counts(a.u.)
τ 1=29.8ns
200℃
τ 1=23.4ns
150℃
τ 1=9.8ns
As-grown
τ 1=8.3ns
0
50
100
time(ns)
150
200
図4.6 Zn1-xMgxO/CIGSの各温度における時間減衰曲線(E=1.024eV)
76
図 4.6 の時間減衰曲線からは、図 4.5 における PL スペクトルの発光強度の変化と同様な
傾向が見られる。PL 寿命τ1 は As-grown の場合は短いが、アニール温度を 200℃、250℃
と上げると PL 寿命は上昇する。これは、形成の際に界面に発生した界面欠陥（非発光再結
合中心）がアニールによって減少したことを示している。CIGS 膜の上に Zn1-xMgxO 膜を形成し
た時に発生する界面欠陥の原因としては、次の 2 つの点が考えられる。まず、Zn1-xMgxO 膜を
スパッタリングで形成したことによるスパッタダメージであり、次に Zn1-xMgxO 膜と CIGS 膜の格子
不整合である。Zn1-xMgxO の格子定数は ZnO の格子定数 a0=3.24Åよりやや大きい程度と
推定され、CIS の格子定数は a0=5.78Åであるために格子不整合による欠陥の発生が考えら
れる。これらの界面欠陥がアニールによって補償されて、PL スペクトルの強度や PL 寿命が上昇
したと推定される。
次に Zn1-xMgxO/CIGS 界面との比較のために、図 4.7 に 77K における CdS/CIGS 界面
の各アニール温度での PL スペクトルを示す。CdS/CIGS 界面の場合は CdS のバンドギャップ
が 2.4eV のために励起光(355nm)の一部が吸収されていると思われるが、CdS の膜厚は
60nm と薄いため CIGS のバンドギャップ付近の発光をとらえることができている。PL スペクトル
は、As-grown の状態からアニールを 150℃、200℃、250℃、300℃と変化させた場合を示し
た。200℃もしくは 250℃付近で PL スペクトルの強度は大きくなり、300℃では低下している。
アニール温度を上げると相対的に高いエネルギーでの発光が強まる傾向にある。さらに図 4.8 に
77K における CdS/CIGS 界面の各アニール温度での時間減衰曲線を示す。測定エネルギー
E=1.024eV における時間減衰曲線から算出した PL 寿命τ 1 を示した。PL 寿命は
As-grown の状態のτ 1=28.1ns から、150℃の時にτ 1=33.3ns の最大値を取り、そして
250℃の時にはτ1=6.9ns まで低下している。アニール温度が 150℃の時に、最も界面での再
結合が少ない、つまり再結合欠陥が少ない状態になると思われる。この PL 寿命の測定結果か
ら、Zn1-xMgxO/CIGS 界面と比較すると、CdS/CIGS 界面は、CdS 膜の形成による界面の
再結合欠陥の発生は少ないと思われる。理由として、①CdS 膜の形成が溶液法を用いている
ために、スパッタリングを用いている Zn1-xMgxO と比較して形成時のダメージが小さい、②CdS
の格子定数(a0=5.818Å)と CIS の格子定数(a0=5.782Å)が近いために格子整合がよく、格
子不整合による界面の再結合欠陥の発生が少ない、の 2 点が考えられる。
さらに Zn1-xMgxO/CIGS 界面におけるアニールの有効性について考察する。アニール温度が
250℃の時に PL 寿命がτ1=29.8ns となり、CdS/CIGS 界面での値にほぼ近くなっている。つ
まり、Zn1-xMgxO 膜の形成により、界面に再結合欠陥が発生した Zn1-xMgxO/CIGS 界面は、
適切なアニールをおこなうことにより再結合欠陥が減少し、CdS/CIGS 界面に近い状態になる
ことが可能であること示している。
77
さらに Zn1-xMgxO/CIGS 界面では 300℃のアニールで、CdS/CIGS 界面では 250℃で PL
スペクトルの強度や PL 寿命が低下している。これは高温になると、Zn1-xMgxO の Zn イオンや
CdS の Cd イオンが CIGS 膜内に不必要に拡散し、再結合欠陥化していると思われる。
Zn1-xMgxO/CIGS 界面で Zn イオンが多く拡散すると再結合欠陥化することはわかっている。
CIGS 膜自体は 300℃の温度でも、PL 寿命は低下しない。
図 4.9 に 77K における CIGS 表面の各アニール温度での PL スペクトルを、図 7.3.6 に 77K
における CIGS 表面の各アニール温度での時間減衰曲線を示す。励起光（波長 355nm）は、
ほぼ表面付近で吸収されているために、この結果は CIGS 膜表面の表面再結合を表している
と思われる。CIGS 膜自体は As-grown から 200℃のアニールまでは表面再結合が多く、PL
寿命は短い。アニール温度を 300℃まで上げていくと、酸化などが原因で発生した非発光再結
合中心が減少して、発光強度が大きくなり PL 寿命も上昇したと思われる。
Zn1-xMgxO/CIGS 界面では、200℃では PL 寿命τ1=23.4ns になっているが、CIGS 表
面は 200℃で PL 寿命τ1=10.0ns であり、Zn1-xMgxO 膜が CIGS 膜のパッシベーションする
ことにより、界面の非発光再結合中心を低減させていることがわかる。バッファ層のパッシベーショ
ン効果は CdS/CIGS 界面でも同様に PL 寿命τ1 の上昇から確認されている。
図 4.11 にアニール温度を横軸に、Zn1-xMgxO/CIGS 界面と CdS/CIGS 界面での PL 寿
命を比較した。この接合界面での PL 寿命と太陽電池のセル特性の相関を次款で検討する。
78
77K
PL In te nsi ty (a .u.)
250℃
200℃
300℃
150℃
As-grown
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
Energy(eV)
1.15
1.20
図4.7 CdS/CIGSの各温度におけるPLスペクトル（励起波長355nm）
TRPL Counts(a.u.)
77K
τ 1=7.9ns
300℃
τ 1=6.9ns
250℃
τ 1=31.5ns
200℃
τ 1=33.3ns
150℃
τ 1=28.1ns
0
50
As-grown
100
time(ns)
150
200
図4.8 CdS/CIGSの各温度における時間減衰曲線(E=1.024eV)
79
77K
PL Intensity(a.u.)
300℃
250℃
200℃
As-grown
0.90
0.95
1.00
150℃
1.05
1.10
Energy(eV)
1.15
1.20
TRPL Counts(a.u.)
図4.9 CIGSの各温度におけるPLスペクトル（励起波長355nm）
77K
τ 1=33.2ns
300℃
τ 1=25.0ns
250℃
τ 1=10.0ns
200℃
τ 1=6.3ns
150℃
τ 1=6.2ns
0
50
As-grown
100
time(ns)
150
200
図4.10 CIGSの各温度における時間減衰曲線(E=1.024eV)
80
40
TRPL lifwtime τ1(ns)
35
CdS/CIGS
Zn1-xMgxO/CIGS
30
25
20
15
10
5
0
Asgrown
150
200
250
300
Annealing temperature(℃)
図4.11 Zn1-xMgxO/CIGS、CdS/CIGSの各アニール温度におけるPL寿命
4.3.4 アニール温度と太陽電池セル特性
実際に Zn1-xMgxO/CIGS の pn 接合のセルを試作し、アニール温度を変えて比較した。試作
した太陽電池セルの断面図を図 4.12 に示す。Zn1-xMgxO 膜の作製条件は 4.3.1 款で述べ
た条件であり、その他の膜の作製条件は 2.3 節と同様である。
セル作製後、電気炉でアニールを行った。アニールは窒素雰囲気中、150～350℃、3 分間
行った。電気炉を所定の温度に加熱した後、セルを入れて所定の時間アニールし、終了後セル
を直ちに電気炉から取り出した。
太陽電池特性は、光スペクトル AM1.5 の条件で光強度 100mW/cm2 の疑似太陽光を照
射し、電流－電圧特性を測定して、開放電圧(Voc)、短絡電流(Jsc)、曲線因子(FF)の各値
と変換効率(Eff)を求めて評価した。
81
Au/NiCr
ITO
Zn1-xMgxO
Cu(In,Ga)Se2
Mo
Glass
図4.12 Zn1-xMgxO/CIGS 薄膜太陽電池の構造
図 4.13 に結果を示す。アニール温度が 150℃の時はアニールをしなかったときと比べてほとん
ど変化はなかった。アニール温度が 200℃の時には、わずかに特性が向上した。アニール温度が
250℃の時には、変換効率(Eff)が大きく向上し、アニール温度がさらに 300、350℃と温度が
高くなると変換効率は低下した。短絡電流(Jsc)と曲線因子(FF)は 250℃で最大値を示し、
開放電圧(Voc)は 300℃で最大値を示した。短絡電流は 250℃を超えると徐々に低下し、曲
線因子は急激に低下した。開放電圧は 300℃を超えると急激に低くなった。この結果から、アニ
ー ル 時 間 が 3 分 間 の 時 、 ア ニ ー ル 温 度 は 250 ℃ が 最 適 で あ る と 考 え ら れ る 。 こ れ は
Zn1-xMgxO/CIGS 界面の PL 寿命の結果と一致している。
なお、この比較結果は一般的な CIGS 太陽電池の変換効率が 10%以上あることと比較して、
全体的に低い。これはアニール時間が短いことに起因するためと思われる。別の実験でアニール
温度を 250℃で 10 分間アニールした場合は、変換効率 16.2%12)になっており、アニール時間
等の条件を今後検討する必要がある。
82
30
Jsc (mA/cm2)
Efficiency (%)
10
8
6
4
2
0
0
100
200
20
10
0
300
0
100
200
300
Anneal temperature (℃)
Anneal temperature（℃）
0.6
0.6
0.4
0.3
FF
Voc (V)
0.5
0.2
0.4
0.2
0.1
0.0
図 4.13
0
100 200 300
Anneal temperature（℃）
0.0
0
100 200 300
Anneal temperature（℃）
Zn1-xMgxO/CIGS 薄膜太陽電池のセル特性とアニール温度の関係
4.4 まとめ
第 4 章をまとめると以下のようになる。
本章では Cd フリーバッファ層の研究開発のために、紫外光励起による時間分解 PL を用い
て、CIGS 膜の改質された表面やバッファ層と CIGS 膜の界面における少数キャリアの再結合の
評価を行った。
まず、CIGS 表面層を改質し Se を S に置換（硫化）した場合の PL 寿命を測定し、表面硫
83
化によるキャリアの再結合の影響を調べた。測定した as-grown と表面硫化した試料の PL 寿
命から、S を含有する溶液による硫化は表面再結合を低減し、PL 寿命の向上に効果があるこ
とがわかった。CIGS より価電子帯レベルが低い Cu（In,Ga）S2 層が形成され、正孔（ホール）に
対する障壁（ホールバリア）の効果により、励起されたキャリアが表面再結合せずに輻射再結合
で発光する割合が増えたこと示している。
太陽電池セルの結果から、CIGS 表面層を硫化することで特性が向上していることが確認さ
れた。これは CIGS の表面を改質することで CIGS/CdS のヘテロ界面での再結合が抑制され
たためと考えられる。
さらに、Cd フリーバッファ層として Zn1-xMgxO 膜を用いて、Zn1-xMgxO/CIGS 界面の形成に
よるダメージとアニールによる回復を紫外光励起による時間分解 PL の PL 寿命測定によって評
価を行った。Zn1-xMgxO/CIGS 界面は形成時にはダメージによる影響で CIGS 膜とほぼ同じ
程度 PL 寿命しかないが、250℃程度のアニールを行うことにより、CdS/CIGS 界面と近い、PL
寿命まで回復する。これは Zn1-xMgxO 膜形成時のスパッタリング等によるダメージがアニールに
よって回復し、非発光再結合中心（界面欠陥）が低減したことを示している。また、この結果は
太陽電池形成後のアニールによるセル特性の結果と一致している。
さらに、紫外光励起による時間分解 PL はセル化によるデバイス評価まで行うことなく、バッファ
層の CIGS 膜との界面の表面再結合の評価に有効な方法であることがわかった。
参考文献
1) 中田時夫 : 応用物理、74(2005)3331.
2) K. Ramanathan, R. Noufi, J. Granata, J. Webb and J. Keane: Solar Energy
Materials and Cells, 55 (1998) 15.
3) T. Wada, S. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Nishiwaki, T. Sato, T. Negami and M.
Nishitani: Proc. 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar
Energy Conversion, Vienna, 1998, p403.
4) B.Teichert, T.Franz, K.Puech, S.Zott, K.Leo, R.Herberholz and H.W.Schock :
Proc. 14th European Photovoltaic solar conference, Barcelona, Spain, 30
June-4 July 1997,p1262.
5) K. Ramanathan, R. Noufi, J. Granata, J. Webb and J. Keane : Solar Energy
Materials and Cells., 55 (1998) 15.
84
6) K. Ramanathan, H. Wiesner, S. Asher, D. Niles, R. N. Bhattacharya, J.
Keane, M. A. Contreras and R. Noufi : Proc. 2nd World Conference and
Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, 1998, p477.
7) T. Wada, S. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Nishiwaki, T. Sato, T. Negami and M.
Nishitani : Proc. 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar
Energy Conversion, Vienna, 1998, p403.
8) K.Kushiya, M.Tachiyuki, T.Kase, Y.Nagoya, I.Sugiyama, O.yamase and
H.Takeshita : Proceedings of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar
Energy Conversion Vinnea, Austria, 6-10 July 1998, Vol. 1, 424-427
9) Y.Hashimoto, S.Nishiwaki, T.Negami and T.Wada : J. Appl. Phys., 39 (2000)
Suppl. 39-1, 415-417.
10) D.Ohashi, T.Nakada and A.Kunioka: Solar Energy Materials and Cells.,
67(2001)261
11) T. Minemoto, T. Matsui, H. Takakura, Y. Hamakawa, T. Negami, Y.
Hashimoto, T. Uenoyama and M. Kitagawa : Sol. Energy Mater. Sol. Cells.,
67(2001)83.
12) T. Negami, T. Aoyagi, T. Satoh, S. Shimakawa, S. Hayashi, Y. Hashimoto:
Proceedings of the 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New
Orleans, USA, 2002, p. 656.
85
第5章
アドミッタンス法による CIGS 薄膜太陽電池の評価
5.1 はじめに
CIGS 薄膜太陽電池の高効率化の課題はいくつか挙げられるか、その中で重要な課題として
CIGS 膜とバッファ層との pn 接合を含む空乏層内での欠陥によるキャリア再結合が挙げられる。
高効率化のためには再結合低減が必要であるが、しかし現在まで、空乏層内でのキャリア再結
合欠陥の解明は十分におこなわれているとは言い難い。第 3 章、第 4 章、で取り上げた時間分
解 PL（time-resolved photoluminescence, TRPL）は CIGS 膜や CIGS 膜とバッファ層と
の pn 接合において、少数キャリアの寿命（PL 寿命）を測定することにより、間接的に再結合欠
陥を評価している。しかし、再結合欠陥を評価するためにはより直接的な方法によって深いエネ
ルギー準位(Deep Level)の評価技術を確立する必要があり、特に活性化エネルギー（エネル
ギー準位）、欠陥密度分布、キャリアの捕獲係数を測定により求める必要がある。定常 PL の
場合、スペクトルのピーク位置（測定エネルギー）を温度変化させて測定することにより活性化エ
ネルギー（エネルギー準位）は求める 1)ことは可能であるが、欠陥密度などの算出はできない。
深い エネ ル ギー 準位の 評価技術として もっとも知られ て い るのは DLTS(Deep Level
Transient Spectroscopy)法 2)である。DLTS は、パルス電圧を半導体の pn 接合に与え、2
つの定まった時刻におけるキャパシタンス（容量値）の差を温度に対して測定し、信号処理を行
うことによって、活性化エネルギー（エネルギー準位）、欠陥密度分布、キャリア捕獲係数を得ら
れる方法である。
さらに装置構成において LCR メータを用いることにより、DLTS 法より簡易的なアドミッタンス
(Admittance Spectroscopy、AS)法 3-4)が T.Walter らによって提案されている。アドミッタンス
法は、ショックレー、リードとホールによって提案された速度方程式で表された欠陥準位でのキャリ
アの振る舞いを基に pn 接合のキャパシタンス(C)とコンダクタンス(G)を、AC 信号の周波数およ
び温度を変化させながら測定することで活性化エネルギー及び欠陥密度を求める方法である。
本章では、深いエネルギー準位(Deep Level)での活性化エネルギーや欠陥密度分布の評価
技術を確立することを目的として、DLTS 法より装置構成がより簡易的なアドミッタンス
(Admittance Spectroscopy、AS)法を CIGS 薄膜太陽電池の評価に適用した結果につい
て述べる。
86
5.2 アドミッタンス法の測定原理及び測定方法
測定原理の基本となる自由キャリアに対する深いエネルギー準位の動的な振る舞いは、つまり
欠陥準位におけるキャリアの放出と捕獲のイメージは図 5.1 に示すようなショックレー、リードとホ
ールによって提案されたモデル（SRH 模型）5)によって表される。また、キャリアの振る舞いを速度
方程式で表すと式(5.1)のようになる。
n
①
βｎ
Ec
Nt
③
ET
nt
②
④
βｐ
Ev
p
図5.1 欠陥準位におけるキャリヤ放出および捕獲のイメージと欠陥密度
電子捕獲係数
正孔捕獲係数
自由電子密度
欠陥準位の
空き準位密度
自由正孔密度
欠陥準位に占める
電子密度
dnt
  n n N t  nt    p pnt   n N c nt  exp  EC  E  kT 
dt
欠陥準位に電子が
① 占める確率
正孔と再結合する
②欠陥準位の電子
欠陥準位から伝導帯に
③ 上がる欠陥準位の電子
  p N v  N t  nt   exp  E  EV  kT 
④ 価電子帯から欠陥準位に上がる
正孔に捕らえられた電子
87
・・・(5.1)
①は電子捕獲の工程を表しており、欠陥準位を占める電子数を示している。②は正孔捕獲
の工程を表しており、正孔と再結合する欠陥準位の電子数を示している。③は電子放出の工
程を表しており、欠陥準位から伝導帯に上がる欠陥準位の電子数を示している。④は正孔放
出の工程を表しており、価電子帯から欠陥準位に上がる正孔に捕らえられた電子数を示してい
る。
式(5.1)で表された欠陥準位でのキャリアの振る舞い（速度方程式）を基にアドミッタンス法
(Admittance spectroscopy)は、pn 接合のキャパシタンス(C)とコンダクタンス(G)を、AC 信号
の周波数および温度を変化させながら測定することで活性化エネルギー及び欠陥密度を求める
方法である。
図 5.2 に AC 信号をデバイスに印加した場合の pn 接合におけるキャリアの捕獲及び放出の
関係を示す。pn 接合をキャパシタンスとコンダクタンスの並列回路と仮定し、キャパシタンスの変
化から欠陥評価を行う。具体的には順バイアス時には、pn 接合に注入されたキャリアが欠陥に
捕獲され、また逆バイアスを印加すると捕獲されたキャリアが放出される。この時、欠陥準位はコ
ンデンサの役割を果たし、周波数を上げると追従できなくなってくる。この周波数の変化によるキ
ャパシタンスの変化を測定する。
さらに図 5.3 に示したように温度変化によってキャリア活性化の割合を変化させ、AC 信号によ
るキャパシタンスの変化を利用して、欠陥準位の評価を行う。
次に実際の測定方法について説明する。まず、図 5.4 に実際の測定のセットアップを示す。
CIGS 薄膜太陽電池の ITO 側と Mo 側の電極にそれぞれ 2 端子ずつ、4 端子法で LCR メ
ータ（HP4284A）に接続する。この状態で周波数を変化させ、C（キャパシタンス）と G（コンダク
タンス）を温度毎(100K～320K)に測定する。
88
C
G
pn接合を
C（容量）－G（抵抗）
並列回路として扱う
AC signal
CB
DL
EF
VB
順バイアス
平衡状態
逆バイアス
図5.2 AC信号印加時の欠陥準位におけるキャリアの振る舞い
低温
高温
EC
EC
中性
EV
EV
価電子帯に存在する正孔数少
価電子帯に存在する正孔数多
図5.3 P形半導体における温度変化によるキャリアの活性化
89
Au/NiCr
周波数（100Hz～1MHz）
ITO
LCRメータ(HP4284A)
ZnO
CdS
Cu(In,Ga)Se2
Mo
Glass
クライオスタット（100K～320K）
図5.4 LCRメータによるCIGS薄膜太陽電池のC-G測定概略
ωco
ln(ω/T2）
キャパシタンスC
高温
低温
温度 1/T
周波数f
図5.5 C-fグラフから活性化エネルギーを求める方法
次に図 5.5 のように C（キャパシタンス）－f（周波数）のグラフを作成し、cutoff 角周波数：ω
co を求める。周波数を上げると欠陥においてキャリアの捕獲・放出が追従できなくなり、キャパシ
タンスが低下する。実際にはω・dC/dωの最大値（追従できなくなる点に相当する）を求めて、
ωco とする。実際には図 5.5 と式(8.2)に示すように温度を変化させた結果からωco を求めるこ
とにより、欠陥準位の活性化エネルギー(EA)を求めることができる。
90
CO  2eT   T 2  exp  E A kT 
・・・(5.2)
ここでξは放出係数、k はボルツマン係数、T は温度である。式(8.2)を基に図 8.2.5 のように
アレニウスプロットを作成して活性化エネルギー(EA)および放出係数(ξ)求める。
また欠陥密度分布は次に示す式(8.3)と式(8.4)によって求められる。式(5.3)(5.4)の係数と計
算モデルを図 5.6 に示す。
 T2 
E    kT  ln  0 
  
・・・(5.3)
U d2
  dC 1
N t E   


w qU d  E fn  E 
d
kT


w
EC
Efn∝
Ud
EV
C :キャパシタンス
Ud :拡散電位
W :空乏層幅
Efn∝:n形層でのフェルミ準位
Eω ：角周波数ωの時の価電子帯
からのエネルギー差
P形
PN接合
欠陥密度
N形
・・・(5.4)
価電子帯からのエネルギー差 Eω
図5.6 pn接合の計算モデル
91
5.3 アドミッタンス法による欠陥評価
実際の CIGS 薄膜太陽電池のセル（ITO/ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo/ガラス基板、面
積=0.48cm2）を用いてアドミッタンス法による欠陥評価を行った。表 5.1 と図 5.7 に太陽電池セ
ルの I－V 特性を示す。このセルにおいて 100K～320K における C（キャパシタンス）-f（周波数）
測定を行った結果を図 5.8 に示す。周波数がより高周波に上がっていくと、欠陥においてキャリア
の捕獲－放出のサイクルが追従できなくなり、キャパシタンスが低下していることが観測される。
表 5.1 試料のセル特性
Sample No.
T5061CD12
13.7
Jsc (mA/cm2)
37.5
Voc (V)
0.585
FF
0.622
Current Density(mA/cm2 )
Eff. (%)
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
Voltage(V)
0.8
図5.7 CIGS薄膜太陽電池セルのI-V特性（T5061CD12）
92
1.4E-07
1.2E-07
320K
8.0E-08
200K
6.0E-08
4.0E-08
100K
2.0E-08
0.0E+00
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
Frequency(Hz)
図5.8 C（キャパシタンス）-f（周波数）測定結果
1.0E+02
ω /T2(/SK2)
C/area (F/cm2)
1.0E-07
1.0E+01
EA=82.5meV
1.0E+00
2.0E-03
EA=136meV
3.0E-03
4.0E-03
Inverse 1/T(/K)
図5.9 ωcoから作成したアレニウスプロット
93
5.0E-03
図 5.8 から cutoff 角周波数を求め、図 5.9 に示すようにアレニウスプロットから、直線の傾き
を求めた結果、活性化エネルギーEA は 2 種類あり、一つは 82.5meV、もう一つは 136meV で
あった。さらに、式(5.3)と式(5.4)を用いて求めた欠陥密度分布を図 5.10 に示す。横軸のエネ
ルギーE は価電子帯のバンド端からのエネルギー差である。EA=82.5、136meV の両方の欠陥
密度は、約 6×1016cm-3eV-1 と見積もることができる。このセルは比較的浅い準位に欠陥があ
ることがわかる。
1.0E+17
3
Defect Density Nt(E)(/cm ・eV)
EA = 136meV
1.0E+16
EA = 82.5meV
1.0E+15
0.0
0.1
0.2
0.3
Energy　E(eV)
0.4
0.5
図5.10 欠陥密度分布
図 5.10 に示した欠陥準位の結果を他の報告からの値と比較してみる。まず、EA=82.5meV
の欠陥準位に相当する点欠陥として考えられるのは VCu （Cu 原子が抜けた空孔）である。
CuInSe2 では VCu は 30～85meV 付近のエネルギー準位で報告されており 6)7)、今回の測定
結果は VCu の報告例の範囲内である。
次に EA=136meV の欠陥準位に相当する点欠陥として考えられるのは VIn（In 原子が抜け
た空孔）が挙げられる。文献値からも 120～190meV 付近のエネルギー準位であることが多く報
告 6)されている。また同じアドミッタンス法を用いて CuInSe2/CdS/ZnO の欠陥準位を求めた結
果でも 123±4meV と報告 8)されている。
今回の結果からは深い準位(Deep Level)での欠陥準位は測定されなかった。これは今回測
94
定に用いた太陽電池が比較的高めの変換効率を有しており、深い準位での再結合が少ない
ためと考えられる。
5.4 まとめ
第 5 章をまとめると以下のようになる。
本章の取り組みにより、LCR メータを活用して従来の DLTS 法より簡易的に空乏層（pn 接
合）における再結合欠陥の活性化エネルギー、欠陥密度の評価が可能になった。実際の
CIGS 薄膜太陽電池の活性化エネルギーとして、EA=82.5meV と EA=136meV の欠陥準位
を測定し、従来の研究結果と近いことを確認した。今後の課題としては、DLTS など既存の測
定法で求めた結果との比較を行い、測定方法や計算式の妥当性の検証が挙げられる。
さらにアドミッタンス法を、Cd フリーバッファ層（n 層）を用いた pn 接合の評価や ZnO や ITO
のスパッタダメージの評価など適用し、形成時のダメージを低減するプロセスの実現に応用してい
くことを今後検討していくことが必要である。
参考文献
1) S. Zott, K. Leo, M, Ruckh and H. W. Schock : J. Appl. Phys., 82 (1997)356
2) D. V. Lang : J. Appl. Phys., 45 (1974)3023
3) T. Walter , R. Herberholz, C. Muller and H. W. Schock : J. Appl. Phys., 80
(1996) 4411
4) J. Kneisei, K. Siemer, I. Luck and D. Braunig : J. Appl. Phys., 88 (2000) 5474
5) 河東田隆編著 : 半導体評価技術、産業図書(1989).
6) S. B. Zhang, S-H Wei, A. Zunger and H. Katayama-Yoshida : Phys.
Rev.B. ,57(1998) 9642
7) R. Kimura, T. Mouri, T. Nakada, S. Niki, Y. Lacroix, T. Matsuzawa, K.
Takahashi and A.Kunioka : Jpn.J. Appl. Phys., 38 (1999)289
8) R. Herberholz, M. Igalson and H. W. Schock : J. Appl. Phys., 83 (1998) 318
95
第6章
酸化物薄膜トランジスタ(TFT)
6.1 はじめに
酸化物半導体はこれまでに様々な材料が研究されてきたが、FPD(flat panel display、薄
型ディスプレイパネル)などの実用研究としてディスプレイの試作までされた材料については、ほぼ
酸化亜鉛(ZnO)と非晶質酸化半導体(amorphous oxide semiconductor, AOS)に限
定 さ れ て お り 、 FPD や 太 陽 電 池 の 透 明 電 極 に 使 わ れ て い る 透 明 導 電 性 酸 化 物
(transparent conductive oxide, TCO)と重なる材料系である。シリコン(Si)など、既に実
用化されている半導体と比較して、「低温で製膜しても TFT のチャネル領域として機能し、低
温半導体としては移動度が高い」「ソース・ドレイン電極を直接金属オーミック電極でとっても
OFF 電流が低い」「バンドギャップ(Eg)が大きく透明である」ことが注目され、透明電子デバイス
としての研究や非晶質シリコン(a-Si:H)などの低温デバイス材料の代替としての次世代ディスプ
レイへの応用研究が進められてきた。
本章ではまず TFT の構造や動作原理、特性評価技術について述べ、さらに低温大面積用
デバイス材料としての ZnO 系酸化物の諸物性や酸化物 TFT(Oxide TFT)の特徴及びその
作製方法について述べる。
6.2 TFT の構造と動作原理
6.2.1 TFT の構造について
チャネル層に半導体を用いる TFT の場合、チャネル層に対してゲート電極が上部、下部に
配置される構造がある。図 6.1 のように、チャネル層に対して上部にゲート電極が配置される構
造をトップゲート構造、下部に配置される構造をボトムゲート構造と呼ぶ。一般的に、Si を用い
た TFT においてトップゲート構造では、ゲート電極をマスクとした不純物注入によりソース・ドレイ
ン領域を自己整合（セルフアライン）形成出来るために、寄生容量を抑制し、高速回路動作の
要求に適していることから、poly-Si TFT ではこの構造を用いることが多い。一方、ボトムゲート
構造は、絶縁膜層とチャネル層の真空中での連続製膜により界面での欠陥を減らすことが可
96
能である構造により、a-Si TFT ではこの構造が採用されている。このように、TFT の構造につい
ては、デバイス性能、作製プロセスなどといった要素に応じた構造を決定する必要がある。
ソース・ドレイン
半導体
ゲート
半導体
ゲート絶縁膜
ガラス
ガラス
ゲート
ソース・ドレイン
ゲート絶縁膜
Bottom-gate構造
Top-gate構造
図6.1 TFT構造の分類
ZnO 薄膜を用いた酸化物 TFT の場合、トップゲート構造では ZnO 薄膜が膜厚の増加に
伴って成長するために薄膜の下部よりも上部の方が、結晶性が向上する傾向のために薄膜上
部がチャネルとなるトップゲート構造が TFT の性能を向上させる可能性がある。しかし、ZnO に
代表される酸化物半導体を用いた TFT では、水素等による還元性を有するガスに対して、非
常に反応性が高く、この還元作用によって酸化物薄膜の特性が大きく影響される事が多い。
PE-CVD( plasma enhanced chemical vapor deposition)法による絶縁膜の製膜では、
原料ガスとして、SiH4 ガスや NH3 ガスを用いており、製膜時に生成されるプラズマ中には多量
の水素を起因とした還元成分が存在する。この為、PE-CVD 法によって ZnO 薄膜上に絶縁
膜を製膜する際、その製膜条件は ZnO に対して影響を及ぼさない範囲において、大きく制限を
受ける。ボトムゲート型の TFT 構造では、ゲート絶縁膜の製膜を ZnO 薄膜の製膜以前に行う
為、先述したような製膜条件の制限が無い。この点については、ボトムゲート構造が有利である
と考えられる。またディスプレイ応用の点から、大型 TV 用の a-Si TFT の代替を考慮すると、ボ
トムゲート構造が有利と思われる。
6.2.2 TFT の動作原理
図 6.2 にトップゲート型 TFT の基本構造を示す。TFT は、電界効果トランジスタの一種で
あるため、ゲート・ソース・ドレインの 3 端子から構成されている。ゲート電極とチャネル領域の間に、
97
ゲート絶縁膜が配置されており、また、チャネル領域の左右両端にドーピング領域であるソース・
ドレイン領域が配置される。一般的に、ゲートはキャリアの移動を制御する門、チャネルはキャリア
の通り道、ソースはチャネルが流れ出る箇所、ドレインは吸い込まれるところとして理解される。
TFT には、通常の MOSFET と同様にチャネル領域に於いてのキャリアの移動が電子によって
行われる n 型 TFT と、正孔によって p 型 TFT の 2 種類がある。ここでは、主に n 型 TFT に
ついての動作原理について触れるが、プラスとマイナスや電子と正孔などを入れ替えることで p 型
TFT についても同様の理解が出来る。
以下に TFT の動作原理を、(a)ゲート電圧のみを印加した場合、(b）ドレインにわずかに電圧
を印加した場合、(c)ソース－ドレイン間により高い電圧を印加した場合、(d)更に高い電圧を印
加した場合、の 4 つ状態について説明する。1)
ﾁｬﾈﾙ領域
ゲート端子
ゲート絶縁膜
ｿｰｽ領域
ﾁｬﾈﾙ領域
ｹﾞｰﾄ端子
ｿｰｽ領域
ﾄﾞﾚｲﾝ領域
ﾄﾞﾚｲﾝ領域
絶縁基板
(a) 断面図
(b) 平面図
図6.2 TFTの基本構造
(a) ゲート電圧のみを印加した場合
最初に、ゲート電位（Vg）を印加し、ソース電位（Vs）とドレイン電位（Vd）を同電位とした場
合を考える。ゲート電位を印加する事で、チャネル領域とゲート領域間の平行平板キャパシタに
より、チャネル表面に電荷が発生する。この電荷は、自由に移動ができるキャリアであるので、チ
ャネル表面の電位は全て Vs となる。チャネルに発生した電荷密度は、キャパシタンスの式
Q=CV により、
𝑞𝑎 = 𝑐𝑖 𝑉𝑔𝑠
𝜀
𝑐𝑖 = 𝑡𝑖
𝑖
(6.1)
(6.2)
ここで、qa はチャネル領域における単位面積当たりの総電荷密度、ci はゲート絶縁膜の単位面
積 当 た り の キ ャ パ シ タ ン ス 、 i は ゲ ー ト 絶 縁 膜 の 誘 電 率 、 ti は ゲ ー ト 絶 縁 膜 の 膜 厚 、
Vgs=Vg-Vs は、ゲート－ソース間電圧(gate-source voltage)である。
電荷密度には、自由に動くことのできるキャリアの電荷密度 qc と、半導体薄膜からとらえられた
98
捕獲順位の電荷密度 qt(trap state)がある。qc は次のように表わされる。
𝑞𝑐 = 𝑞𝑎 − 𝑞𝑡 = 𝑐𝑖 𝑉𝑔𝑠 − 𝑞𝑁𝑡 = 𝑐𝑖 (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ ) (6.3)
𝑁𝑡 =
𝑐
𝑞𝑡
𝑞
−1
𝑉𝑡ℎ = ( 𝑞𝑖 )
(6.4)
𝑁𝑡 (6.5)
ここで、q は素電荷、Nt は捕獲キャリア密度、Vth はしきい電圧(threshold voltage)である。
この Vth により、式(6.3)のように簡単な式で表すことができる。
(b) ドレインにわずかに電圧を印加した場合
次に、Vd が Vs に対してわずかに高い電圧を印加した場合を考える。このとき、チャネル領域
のキャリアは、電界 E に比例した速度で移動するので、ドレイン電流(drain current)Ids は
式(6.3)を用いて次のように表わされる。
Ids = Wqc  = Wqc E = μ
W
L
ci (Vgs − Vth )Vds = (Vgs − Vth )Vds (6.6)
ここで、W はチャネル幅(channel width)、L はチャネル長(channel length)、は E との
比 例 定 数 で あ り 移 動 度 (mobility) と 呼 ぶ 。 Vds=Vd － Vs は ソ ー ス － ド レ イ ン 電 圧
(drain-source voltage)である。Ids は、下式に示すを用いることで、簡潔に表わす事が出来
る。
=
W
L
ci (6.7)
(c) ソース－ドレイン間により高い電圧を印加した場合（線形領域）
ソース－ドレイン領域に更に高い電圧を印加した場合、チャネル領域にはソース端からドレイン
端まで電位の分布 Vc(y)が生じる。これにより、式(6.1)や、(6.3)における Vgs をゲート－チャネ
ル間電圧 Vgc(y)=Vgs－Vcs(y)に置き換える必要がある。qa と qc には、チャネル内での分布
が生じ、
q a = ci (Vgs − Vcs (y)) (6.8)
q c = ci {(Vgs − Vcs (y)) − Vth } (6.9)
と表わされる。ここで、Vth は一定とした。ドレイン電流(Ids)は、電界 E(y)=∂Vcs(y)/ ∂y に比
例して、次のように表わされる。
99
Ids = Wq c 
∂Vcs (y)
∂y
= Wci (Vgs − Vcs (y) − Vth )
∂Vcs (y)
∂y
(6.10)
電流連続の条件から、Ids はチャネル内で常に一定である。このことから、
Ids =
Wci
y
1
{(Vgs − Vth )Vcs (y) − 2 Vcs (y)2 }
(6.11)
となり、y=L の場合を除けば、
1
Ids =  {(Vgs − Vth )Vds − 2 Vds2 } (6.12)
が得られる。なお、式(6.12)が得られるトランジスタの動作領域を、線形領域と呼ぶ。
(d) 更に高い電圧を印加した場合（飽和領域）
更に高い電圧 Vds＞Vgs－Vth を印加すると、Vps(yp)=Vgs－Vth となる条件となる電
圧が必ず存在する。この Vps をピンチオフ電圧という。このピンチオフ電圧はドレイン端近傍で存
在し、ypL である。yp から L の間では、式(6.9)の右辺が正に出来なくなるので、ドレイン端近
傍のチャネル領域には、キャリアがほとんど存在しない。このような領域をピンチオフ領域という。
ピンチオフ領域においても、y＜yp においては線形領域の条件が成り立つので、Ids は式(6.11)
のように表わす事が出来る。ここで、より良くピンチオフ領域の性質を調べるために、式(6.11)を
以下のように変形する。
Ids =
Wci
2y
2
[(Vgs − Vth )2 − {(Vgs − Vth ) − Vcs (y)} ] (6.13)
Ids はチャネル内で場所によらず一定であり、ピンチオフ電位条件を用いれば
Ids =
Wci
2yp

(Vgs − Vth )2 ≈ 2 (Vgs − Vth )2 (6.14)
が得られる。この状態が成立する領域を飽和領域といい、Ids は Vds に依存せず、Vgs で決定
される。
6.3 TFT の特性評価方法
図 6.3 に TFT の典型的な伝達特性と出力特性を示す。これらの特性を評価することによって
TFT の性能を評価することが可能になる。
伝達特性とは、ドレイン(D)‐ソース(S)間電圧(Vds)を一定とし、ゲート(G)‐ソース(S)間電圧
100
(Vgs)に対してのドレイン‐ソース間電流(Ids)を測定したものである。出力特性とは、上記の
VdsとVgsが入れ替わり、ある一定のVgsを印加した状態で、Vdsを0Vから正電圧方向へスイ
ープした場合に流れるIdsを測定したものである。デバイスの性能は伝達特性から導かれる移動
度で議論されることが多い。線形領域と飽和領域との伝達特性の式から移動度をそれぞれ以
下のように導出した。
線形領域
Ids =
𝜇𝑙𝑖𝑛 𝑊𝐶𝑖
1
{(Vgs − Vth )Vds − 2 Vds2 } (6.15)
𝐿
𝜕𝐼
𝜇𝑙𝑖𝑛 𝑊𝐶𝑖
𝑔𝑚 = 𝜕𝑉𝑑𝑠 =
𝐿
𝑔𝑠
μ𝑙𝑖𝑛 = 𝑊
𝑉𝑑𝑠 (6.16)
𝑔𝑚
𝐶𝑉
𝐿 𝑖 𝑑𝑠
(6.17)
飽和領域
Ids ≈
μ𝑠𝑎𝑡 W𝐶𝑖
2L
𝜕 √𝐼𝑑𝑠
𝜕𝑉𝑔𝑠
2
(Vgs − Vth )
=√
μsat =
𝜇𝑠𝑎𝑡 𝑊𝐶𝑖
Vd=0.1V
Vd=20.1V
(6.20)
-5
8.0×10
8.0E-05
Vgs=10V
Vgs=12.5V
Vgs=15V
Vgs=17.5V
Vgs=20V
35
25
10-7
1.0E-07
20
10-9
1.0E-09
15
10-11
1.0E-11
10
Ida(A)
Ids(A)
-5
6.0×10
6.0E-05
30
μ(cm2/Vs)
Ids(A)
2
∂√Ids
)
𝜕Vgs
1 W
C
2 iL
40
10-5
1.0E-05
(6.19)
2𝐿
(
10-3
1.0E-03
(6.18)
-5
4.0×10
4.0E-05
-5
2.0×10
2.0E-05
5
10-13
1.0E-13
0
-10
-5
0
5
Vgs(V)
10
15
0
0.0E+00
0
20
(a)伝達特性
5
10
Vds(V)
(b)出力特性
図6.3 酸化物TFTの典型的な特性
101
15
20
ここで、lin は線形領域における移動度、sat は飽和領域における移動度を示す。図 6.3 か
ら、移動度がゲート電圧によって大きく変動していることがわかる。また線形領域において伝達特
性が直線性を示さず、しきい値電圧を導出することが困難である。2) そのために、酸化物 TFT
の動作を適切に表現するには従来の MOSFET のモデルを用いた解析は不適切である。 3)
MOSFET におけるしきい値電圧は、デバイスの動作状態として表面界面で半導体の導電型
が反転する時、すなわち n 型トランジスタでは電子密度がアクセプタ密度と等しくなる時のゲート
電圧を表している。1) 一方、TFT では電圧無印加時において活性層にもともとキャリアがほとん
ど存在しないために、反転状態での定義は適切ではない。これらの理由から TFT のしきい値電
圧には様々な定義があり、統一した見解には達していない。さらに、酸化物 TFT は特異な伝
達特性を示すことから、しきい値電圧を議論する際には、特定な電流値におけるゲート電圧
Vgs の値を用いることが多い。
また S 値は、しきい値電圧以下の領域での，ゲート電圧(Vgs)に対するドレイン電流(Ids)の
変化率のことで，TFT の伝達特性の傾きS = ∆Ids ⁄∆Vgs から導出する事が可能である。ここで
は、S 値（V/dec）はドレイン電流が 10 倍増加するときの Vgs の変化量と定義して導出を行っ
た。また、TFT はスイッチング素子であるために、ドレイン電流がほとんど流れない所謂 OFF の
状態についても、評価を行わなければならない。TFT の OFF 状態に於ける電流と ON 状態に
於けるドレイン電流との比（ON/OFF 比）もスイッチング素子としての TFT の性能を示す指標の
一つとして挙げられる。その他にも、基板内での TFT 特性の均一性や、ゲート電圧をマイナスか
らプラスに変化させた時の伝達特性とプラスからマイナスに変化させた時の伝達特性との差（ヒス
テリシス）なども重要な評価指標である。
6.4 酸化物 TFT の基礎物性と特徴
6.4.1 酸化亜鉛系半導体の基礎物性
酸化亜鉛(ZnO)は図 6.4 に示すように、ウルツ鉱型構造で六方晶の結晶を持ち、その比抵
抗は Al3+や In3+ドープ時には 10-4Ω･cm、Li1+ドープ時には 1010Ω･cm と、10 の 14 乗も
変化する。導電膜としても誘電膜としても開発が進められている興味深い材料である。また、室
温で 3eV 以上のバンドギャップを有するワイドバンドギャップ材料である。従って、電子デバイス
用材料として、特に透明性や高耐圧を必要とされるものへの応用に適している。表 6.1 の ZnO
102
の諸物性値を示す。4-5)
Interstitial Zinc, Zni
Zinc vacancy, VZn
Interstitial Oxygen, Oi
Oxygen vacancy, VO
Zn-on-O antisite, ZnO
Zn
O
図6.4 酸化亜鉛(ZnO)の結晶構造と主な結晶欠陥
表 6.1 酸化亜鉛(ZnO)の諸物性値
結晶構造
六方晶系（ウルツ鉱型構造）
a=3.250Å c=5.207Å
Zn-O 間 1.99Å
イオン半径
Zn2+ 0.74Å O2- 1.24Å
融点
1975℃
密度
5.7 g/cm3
1.9〜2.0
屈折率
比誘電率
8.12
有効質量
0.318m0(電子)
0.5m0(ホール)
バンドギャップ
3.37eV(RT)
最大移動度
＞200cm2/V・s（電子）
スパッタリング法で形成された ZnO 薄膜は一般的に多結晶構造を有し、基板に垂直に c 軸
配向した柱状構造をとる。ZnO に代表される酸化物半導体は酸素欠損(Vo)や格子間亜鉛
(Zni)といった真性欠陥がシャロードナーとなり、不純物をドーピングしない状態においても、製膜
条件や熱処理により導電率、特にキャリア濃度が大幅に変化することが報告されている。
103
ZnO の欠陥形成に関しては、図 6.5 に示すように第一原理計算を用いた理論計算が報告さ
れている。6-7) Oba らは n 型 ZnO が Zn-rich 条件で形成された場合に格子間亜鉛(Zni)や
亜鉛のアンチサイト欠陥(Zno)、酸素欠損(Vo)が生じやすい事を計算している。この報告からも
ZnO の電気特性の制御には欠陥制御が非常に重要であることが分かる。
(a) 各欠陥の形成エネルギー
(b) 各欠陥のエネルギー準位
図6.5 第一原理計算から求めたn型ZnOの欠陥形成エネルギーとエネルギー準位
6.4.2 酸化物 TFT の特徴
本節では酸化物 TFT(Oxide TFT)の特徴について説明する。酸化物 TFT は現在までに
様々な酸化物材料での TFT 応用の試みがなされてきたが、FPD への適応を試された材料に
ついては、多結晶構造を持つ ZnO と InGaZnO に代表される非晶質酸化物半導体
(amorphous oxide semiconductor, AOS)が多く、FPD や太陽電池の透明電極として使
われている透明導電酸化物(transparent conductive oxide, TCO)と共通点が多い材料
系である。以下に Si と比較して酸化物半導体が異なる点を要約する。1)

酸化物半導体は室温で作成しても半導体として機能する。またソース電極・ドレイン電極
を金属オーミック電極でとっても反転動作せず、オフ電流が低く抑えられるために、高温プロ
セスを必要としない。⇔ poli-Si ではソース領域・ドレイン領域の pn 接合と活性化に高温
が必要。a-Si の最適な製膜温度は 250℃程度で、温度が下がると特性が劣化する。

特別な欠陥不活性化処理を必要としない。⇔poli-Si、a-Si を半導体と使う場合には、
Si の未結合手がつくる捕獲準位が問題となる。特に a-Si の場合は、未結合手を終端化
することは必須である。

高 い 電 子移 動度 が得ら れ る。 TFT に 使用 され る低 温多 結晶 ZnO の 移動 度 は
10cm2/(V・s)程度との報告が一般的であるが、単結晶では室温で〜200cm2/Vs が得ら
104
れており、将来的にはさらに高い移動度が期待されている。AOS では、アモルファスにもかか
わらず、10 cm2/Vs の移動度が容易に得られ、TCO 材料では 60 cm2/Vs 近いホール移
動度が報告されていることから、さらに高い移動度も期待されている。⇔a-Si の移動度は 1
cm2/Vs 以下で低い。
以上のような特徴を持つために新しい低温大面積用デバイス材料として、LCD、OLED にと
どまらず電子ペーパー駆動用素子や、次世代透明デバイスへの応用が期待されている。
6.5 ZnO-TFT の作製プロセス
4 インチ無アルカリガラス基板上にボトムゲート型の ZnO-TFT を作製した。図 6.6 に、
ZnO-TFT の作製プロセスと TFT の設計図を示す。最初に DC スパッタリング法を用いてゲート
電極材料に Cr を 50nm 製膜し、フォトリソグラフィーでパターンを形成し、ウェットエッチングで加
工を行った。その後、ゲート絶縁膜には、SiOx/SiNx の積層絶縁膜を PE-CVD 法により
50/100nm 製膜した。SiOx 上での ZnO の製膜と、SiNx 上での製膜を比較した場合、得られ
る ZnO 薄膜は、SiOx 上で製膜した ZnO 薄膜がより結晶成長し、また、ZnO/SiOx 界面に注
目すると、ZnO の初期成長段階における ZnO の結晶が良好である。このために Bottom-gate
型 TFT におけるチャネル形成部である ZnO 下部/絶縁膜界面での結晶化促進を目的として、
SiOx 層をチャネル界面形成のゲート絶縁膜として採用した。8-9) また、SiNx は SiOx に比べ、誘
電率が 1.5 倍程度大きい為に、ゲート絶縁膜全体の誘電率を増加させることを目的として
SiNx を選択した。ゲート絶縁膜上に、ZnO 薄膜を製膜する前に、絶縁膜表面の清浄化を目
的として、希フッ酸水溶液による基板洗浄を行った。洗浄後に rf マグネトロンスパッタ装置のチャ
ンバーに移し、十分に基板加熱を行った後に活性層として ZnO を 40nm 製膜した。連続でエッ
チストッパーとして SiNx を PE-CVD 法により 25nm 製膜を行った。SiNx/ZnO 積層膜を形成
後、フォトリソグラフィーによるアイランド形成を行った。ここでは、SiNx、ZnO のパターニングには
同一のフォトマスクを用い、一括でドライエッチングによる加工を行った。その後、層間絶縁膜とし
て SiNx を 200nm 製膜し、ドライエッチングにより ZnO とソース・ドレイン電極をコンタクトさせる
ためのコンタクトホールを形成した。ソース・ドレイン電極は ITO(Indium Tin Oxide)を用い、
ITO 製膜後にドライエッチングで電極パターニングを行った。最後に PE-CVD 法で保護膜（オー
バーコート）である SiNx を 200nm 製膜し、測定用のコンタクトホールを形成した。TFT のサイ
ズはコンタクトホール間の距離と幅で定義し、特に明記しない場合はチャネル長が 20μm、チャ
ネル幅は 50μm である。
105
【ボトムゲートZnO-TFT作製プロセスフロー】
(1) ゲート電極 形成
ゲ ー ト電極
(2) 絶縁膜層 形成
(3) 半導体層（酸化亜鉛：ZnO） 形成
(4) 保護膜層 形成
(5) コンタクトホール 形成
ガラ ス基板
絶縁膜層
半導体層（ZnO）
保護膜層
コ ンタクトホール
コンタクトホール
(6) ソース・ドレイン（SD）電極 形成
SD電極
ZnO
(7) オーバーコート 形成
オー バーコート
コンタクトホール（測定端子）
［断面図］
［TFT設計図］
図6.6 ZnO-TFTの作製プロセスとTFTの設計図
6.6 まとめ
第 6 章をまとめると以下のようになる。
本章ではまず、TFT の構造と動作原理及び特性評価方法について述べた。構造ではトップゲ
ート構造とボトムゲート構造について、ZnO を用いた場合の利点について述べた。特性評価方
法については、酸化物 TFT の動作を適切に表現するには従来の MOSFET のモデルを用いた
解析では不適切であり、酸化物 TFT は特異な特性を示すことから、しきい値電圧を議論する
際には、特定な電流値における Vgs の値として定義することとした。酸化亜鉛系半導体の物性
に関しては、ZnO の欠陥形成について、第一原理計算を用いた理論計算結果から電気特性
の制御には欠陥制御が非常に重要であることを述べた。最後に、ZnO を代表とする酸化物半
106
導体の特徴と ZnO-TFT の作製方法を述べた。
参考文献
1) 薄膜材料デバイス研究会編：薄膜トランジスタ（コロナ社,2008）
2) R. L. Hoffman: J. Appl. Phys. 95(2004) 5813.
3) R. L. Hoffman: Solid-State Electron, 49(2005)648
4) 日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第 166 委員会編集，“透明導電膜の技
術”，オーム社(2006).
5) 八百隆文編：ZnO 系の最新技術と応用、シーエムーシー出版(2007)
6) F. Oba, S.R.Nishitani, S.Isotani, H. Adachi, and I.Tanaka: J. Appl. Phys., 90
(2001) 824.
7) M.Willander, O. Nur, J.R.Sadaf, M.I. Qadir, S. Zaman, A. Zainelabdin,
N.Bano, and I. Hussain: Materials. 3 (2010) 2643.
8) T. Hiramatsu, M. Furuta, H. Furuta, T. Matsuda,and T. Hirao : Jpn. J.Appl.
Phys. 46(2007) 3319.
9) T. Hirao, M. Furuta, H. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, H. Furuta, H. Hokari,
M.Yoshida, H.Ishii, and M. Kakegawa: IEEE Trans. Electron Devices, 55
(2008) 3136.
107
第7章
ZnO-TFT の光リーク電流評価
7.1 はじめに
ZnO-TFT に代表される酸化物半導体薄膜トランジスタ(Thin-film Transistor：TFT)は
現在主流の非晶質シリコン(a-Si:H)TFT に比較して高い電子移動度が得られ、かつ大面積
基板への展開が可能と考えられることから、次世代フラットパネルディスプレイ(FPD)のスイッチン
グ素子として注目され近年研究開発が活発化している。これらディスプレイ応用に加え、酸化
物半導体はバンドギャップ(Eg)が大きいことを活かした透明トランジスタが実現でき、新たなアプ
リケーションの創出が期待されている。しかし、非晶質や多結晶酸化物薄膜は多くの欠陥を含
有し、バンドギャップ内に欠陥準位（サブギャップ準位）が形成される。これらサブギャップ準位は
TFT の電気特性に影響を与えるのみならず、バンドギャップ以下のエネルギー光照射下での光
リーク電流 1)や可視光照射下における信頼性 2)にも影響を与えることが明らかになってきた。酸
化物 TFT の特徴である透明性を活かした透明デバイスの創出にはこれらサブギャップ準位が電
気特性・信頼性に与える影響を明らかにすると同時に、欠陥制御手法の研究が不可欠である。
本章では ZnO TFT の ZnO 製膜(スパッタリング)時の酸素分圧を変化させることでサブギャップ
準位を変化させて TFT 特性、光リーク電流に関して検討した結果について述べる。
7.2 酸素分圧が ZnO 膜に与える影響
7.2.1 ZnO 製膜条件
ZnO 膜の製膜には、rf マグネトロンスパッタ法を用いた。マグネトロンスパッタ法は、LCD 製造
プロセスにおいて用いられている大型基板に適応可能な製膜手法である。マグネトロンスパッタ
法でガラス基板上に製膜された ZnO 薄膜は、一般的に多結晶構造を有し、基板に垂直に c
軸が配向した柱状構造を有する。また、酸素空孔（VO）あるいは格子間亜鉛（Zni）といった真
性欠陥によるキャリア生成が ZnO 薄膜の電気特性(キャリア濃度)に大きく影響する。これら真
性欠陥の生成は製膜時の酸素分圧に大きく依存するため、本実験では ZnO スパッタ製膜時
の酸素分圧(P(O2))をパラメータに設定し、酸素分圧を変化させた ZnO による TFT を作製し、
電気特性ならびに可視光照射下における特性影響に関して検討した。
108
表 7.1 に実験で使用した ZnO 製膜条件を示す。さらに、表 7.1 に示した ZnO 薄膜を活性
層に用いたボトムゲート型 ZnO-TFT を第 6 章の図 6.6 で述べたプロセスフローで作製した。
表 7.1 ZnO 製膜条件
ターゲット
ZnO セラミック（4 インチφ）
投入電力
180W
基盤温度
150℃
T/S 距離
88mm
製膜圧力
1.0Pa
ガスフローレート
Ar/O2=10/2,10/5,10/10,10/15,10/30(sccm)
（酸素分圧 P(O2)）
P(O2)=0.17,0.33,0.50,0.60,0.75(Pa)
製膜レート
〜10nm/min
7.2.2 結晶性と化学量論比について
図 7.1 に ZnO 製膜条件と結晶性の関係を示す。XRD 評価により、すべて(002)配向であ
ることを確認している 3)。図 7.2 は XRD パターンから Scherrer の式
D=
0.94𝜆
𝛽𝑐𝑜𝑠𝜃
(7.1)
を用いて計算した(002)方向における結晶子サイズ(D)と製膜速度の酸素流量依存性であ
る。ここで、λは X 線の波長、βは XRD ピークの半値幅(rad)、θはピークの位置を示す。図
7.2 に示すように、ZnO 薄膜の結晶子サイズは酸素流量の増大と共に減少する。製膜速度
も、酸素流量が増加するにしたがって徐々に減少する傾向を示す。酸素空孔(VO)あるいは格
子間亜鉛(Zni)といった真性欠陥によるキャリア生成が ZnO 薄膜の電気特性に大きく影響す
る。これら真性欠陥の生成は製膜時の酸素分圧(P(O2))に大きく依存する。
109
XRD intensity (arb.unit)
(002)
P(O2)=0.75 Pa
P(O2)=0.60 Pa
P(O2)=0.33 Pa
20
30
40
2q (deg.)
50
60
70
80
90
図 7.1 酸素分圧(P(O2))が変化させて製膜した ZnO 薄膜の XRD
25
Deposition rate (nm/min)
Deposition rate
Average crystallite size
15
20
18.1
10
15.9
15
13.6
5
10
0
5
Average crystallite size (nm)
20
0
20
40
O2 flow rate (sccm) [Ar=10 sccm]
図 7.2 ZnO 薄膜 の製膜速度と（002）の XRD ピークより得られた結晶子サイズの酸素流量
依存性
さらに、化学量論比や ZnO 膜中の過剰元素について評価するために、昇温脱離ガス分析
(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)を用いて、ZnO 膜からの脱離ガスを測定した。
図 7.3 に、酸素分圧(P(O2))を変えて製膜した ZnO 膜の亜鉛(Zn)と酸素(O)の TDS 測定結
110
果を示す。 P(O2)が低い状態で製膜すると Zn の脱離が支配的に生じているが、P(O2)が高い
状態では O の脱離が主に測定された。P(O2)が高くなると製膜に寄与する O の増加によって
Zn-rich（亜鉛過剰）な条件から O-rich（酸素過剰）な条件へと変化し、脱離モードに違い生
じたと考えられる。反応性スパッタリング法で製膜した ZnO での P(O2)によって化学量論比が変
化する事が報告されており
4)、反応に寄与する酸素の存在量と関係すると考えられる。また、
6.4 節で述べたが、Zn-rich の場合は格子間亜鉛(Zni)や亜鉛のアンチサイト欠陥(Zno)、酸素
欠損(Vo)が生じやすいことが報告されている。
7.3 酸素分圧と電気特性及び光リーク電流
7.3.1 暗状態での酸素分圧依存性
TFT において、活性層及び界面に存在する欠陥準位は、その電気特性に対して様々な影
響を与える。活性層中の欠陥準位はドナー型欠陥、アクセプタ型欠陥、中性欠陥に分けられ
る。アクセプタ型欠陥はフェルミ準位（Ef）より下では負に帯電し、上では中性になり、またドナー
型欠陥は Ef より上では正帯電し、下では中性となるとのそれぞれ特徴がある 5)。これまでに、Si
系 TFT については、これら欠陥準位が特性に及ぼす影響について様々な研究成果が報告さ
れている 6-7)。また、ZnO-TFT や IGZO-TFT 等に代表される酸化物半導体を用いた TFT に
ついても、欠陥と TFT 特性の相関についての研究がデバイスシミュレーションなどを用いて近年
その研究が活発化している。IGZO-TFT におけるシミュレーション結果から、アクセプタ型欠陥が
伝導帯(Ec)から裾状の準位が形成されると、TFT の伝達特性に於ける S 値の劣化や ON 電
111
流の低下が起こることが報告されている。8) また、Ec から深い準位でガウシアン分布をとる欠陥
準位密度は、伝達特性に於ける立ち上がり電圧が正にシフトする事が報告されている。 8) 一
方、Ec から 0.1 eV 程度の浅い準位に形成されたドナー型欠陥は、立ち上がり電圧の負へのシ
フトを起こし、また、0.5 eV 付近に形成された欠陥準位は、sub-threshold 領域にハンプが生
じる事が報告されている 9)。このように欠陥準位と TFT 特性には密接な繋がりがあり、その解析
と低減は不可欠である。
半導体の欠陥形成は製膜方法や製膜条件と大きく関係している。そのために、ZnO 製膜(ス
パッタリング)時の酸素分圧(P(O2))を変化させることで欠陥準位を変化させて TFT を作製し評
価を行った。
図 7.4 は ZnO 製膜時の P(O2)=0.17-0.75Pa の間で変化させた場合の ZnO-TFT の伝
達特性である。作製した ZnO-TFT は、それぞれ N2 雰囲気中でのアニール処理を 3 時間行い、
そのアニール温度は、それぞれ P(O2)=0.17Pa では 330C、P(O2)=0.33Pa では 360C、
P(O2)=0.50-0.75Pa では 375C である。アニール温度が異なるのは、各酸素分圧により最適
な温度が異なるためである。図 7.4 に示すように、ZnO 製膜時の P(O2)=0.50-0.75 Pa では
伝達特性にほとんど変化が見られないのに対し、P(O2)=0.33 Pa では伝達特性の負シフトが
観察され、P(O2)=0.17 Pa ではさらに顕著な負シフトが見られる。ZnO TFT の伝達特性の変
化(サブスレッショルド領域の”hump”)は、P(O2)があるしきい値(本実験では P(O2)<0.5 Pa)で
明確に見られはじめ、P(O2)の減少とともに顕著になる。これらの伝達特性の変化は、前述した
シミュレーション結果より Ec 近傍でのドナー型欠陥の増加が予想される。
図 7.4 ZnO 製膜時の酸素分圧を変化させた場合の TFT の伝達特性
112
次に TFT からの抽出したサブギャップ準位（欠陥準位）密度のエネルギー分布について、作
製した ZnO-TFT の容量電圧(C-V：capacitance-voltage)特性から評価 10)を行った。
まず、測定を行った C-V 特性の評価方法について説明を行う。図 7.5 に C-V 特性評価に
用いた測定系を示す。測定信号は、lock-in amplifier により AC 変調され、Voltage
source により昇圧された DC 成分の電位が測定対象である TFT に印加される。測定された
出力電流は、Current amplifier により増幅され、Lock-in amplifier で印加された AC 電
圧と等しい周波数でサンプリングされる。また測定周波数は、1 kHz と非常に低いために TFT
は常に準平衡状態になり、半導体層中のポテンシャル分布を常にフラットな状態にする事で、
欠陥準位がキャリアの捕獲・放出を行う時間を十分にとれる。
V
Lock-in Amplifier
EG & G 7265
AC
V
Voltage Source
Keithley 230
AC + Vg
Source TFT
Gate
I
Current Amplifier
Keithley 428
Cg(s+d)
I
Drain
Probe station
I
Shield box
図 7.5 C-V 特性の測定系
次に、C-V 特性からの欠陥準位の抽出方法について説明を行う。ここでの C-V 特性とは、
作製した TFT についてゲート絶縁膜と ZnO 薄膜間の容量のゲート電圧依存性を示しており、
測定は短絡したソース－ドレイン電極を接地とし、DC オフセット電位と AC 昇電圧をゲート電
極に印加することで行っている。最初に、C-V 特性から表面ポテンシャルs を求める。図 7.6 に
TFT に正のゲート電圧が印加された時のエネルギーダイヤグラムを示す。ゲート電圧 Vg とs
は、
𝑄 = 𝐶𝑖 (𝑉𝑔 − 𝛹𝑠 )
の関係が成立する。Ci はゲート絶縁膜の容量である。式(7.1)を微分することで、
113
(7.1)
𝐶=
∂𝑄
∂𝑠
= Ci (1 −
)
∂𝑉𝑔
∂𝑉𝑔
(7.2)
が得られ、更に
∂𝑠
𝐶
=1−
∂𝑉𝑔
𝐶𝑖
(7.3)
となる。C は実測により得られた容量であり、式（7.3）を積分すると、
𝑉𝑔
𝑠 = ∫ (1 −
0
𝐶
) d𝑉𝑔
𝐶𝑖
(7.4)
となることで、C-V 特性よりs を求める事が出来る。また、ガウスの法則を用いて、表面電界強
度(∂/ ∂𝑥)𝑠 は、以下の様に求められる。
𝜕
𝜀
( ∂𝑥 ) = ( 𝑖⁄𝜀 ) (𝑉ｇ − 𝑠 ) /𝑡𝑖
𝑠
ｓ
(7.5)
i、s は、それぞれゲート絶縁膜、半導体層の比誘電率であり、ti はゲート絶縁膜の膜厚を示
す。次にs と(∂/ ∂𝑥)𝑠 から膜中の欠陥準位密度 Dt を抽出する。
∂2 

=−
2
∂𝑥

(7.6)
で表されるポアソン方程式から
 = 𝑞(−𝑛 − 𝑁𝑡 )

𝑛 = 𝑁𝑖 exp ( )
𝑘𝑇
(7.7)

𝑁𝑡 = ∫ 𝐷𝑡 d
0
と仮定した境界条件を用いて、半導体層全体の膜厚方向のポテンシャルを裏面界面から表
面界面まで逐次計算する。ここで、n はキャリア密度の空間分布、ni は真性キャリア密度、Nt
は膜中及び界面におけるトラップ電荷密度である。ポアソン方程式から得られたs とが C-V 特
性から求められた値と等しくなるように、0 と Nt を最適化する。この過程を各ゲート電圧に対し
て繰り返し行う事で、膜及び界面全体の Dt のエネルギー分布を抽出する。
114
Ec
ψs
Ef
Ei
ψ
Vg
Ev
Gate
Gate
ZnO
insulator
Back surface
図 7.6 正のゲート電圧下でのエネルギーダイヤグアム
前述した欠陥準位の抽出理論を用いて C-V 特性から欠陥準位のエネルギー分布を求めた。
図 7.7 に P(O2)を変化させた場合の各 TFT の C-V 特性を示す。ZnO 製膜の P(O2)が
0.50Pa 以上の TFT の C-V 特性は、図 7.4 の伝達特性と同様に TFT 間で特性の大きな
違いは見られない。一方、P(O2)が 0.33Pa 以下の TFT では、伝達特性のハンプに対応して
C-V 特性が負にシフトしている。図 7.8 は、各 TFT の C-V 特性から求めたゲート電圧と表面
ポテンシャルの関係である。C-V 特性のシフトに対応してゲート電圧と表面ポテンシャルの関係
が変化している。図 7.9 はこれらの結果を基に算出した欠陥準位密度の伝導帯からのエネルギ
ー(Ec-E)依存性を示したものである。P(O2)が減少によりハンプ(hump)がみられる TFT では
(EC-E)=0.3～0.6 eV の範囲でサブギャップ準位の増大が見られ、デバイスシミュレーションの結
果とあわせて考えるとこれら増大した欠陥はドナー型欠陥である。
これら結果が示すように ZnO 製膜時の P(O2)は暗状態における TFT の伝達特性に影響を
与えることが明らかになった。これは TFT が n チャネル動作をしているため主に伝導帯近傍に形
成されるサブギャップ準位の影響を受けるためである。
115
Gate-channel capacitance [pF]
1.4
1.2
1.0
0.17 Pa
0.33 Pa
0.50 Pa
0.60 Pa
0.75 Pa
0.8
0.6
0.4
-10
-5
0
5
Gate voltage [V]
10
図 7.7 各 TFT の C-V 特性
Ec-Ef [eV]
0
0.2
0.17 Pa
0.33 Pa
0.50 Pa
0.60 Pa
0.75 Pa
0.4
0.6
0.8
-10
-5
0
5
Gate voltage [V]
10
図 7.8 各 TFT のゲート電圧と表面ポテンシャルの関係
1020
-3
-1
Trap density [cm eV ]
1021
1019
1018
0.17 Pa
0.33 Pa
0.50 Pa
0.60 Pa
0.75 Pa
1017
1016
1.0
0.8
0.6
0.4
Ec-E [eV]
0.2
0
図 7.9 各 TFT から抽出した欠陥準位密度のエネルギー分布
116
7.3.2 可視光照射による TFT 特性への影響
前項では ZnO 製膜時の P(O2)が暗状態における TFT 特性への影響を考察した。図 7.9
に示した欠陥準位密度分布は TFT 特性から算出したものであり、逆に言えば、ゲート電圧に
よりフェルミレベルを変調できる範囲、すなわち伝導帯近傍のデータに限られ、さらに深い準位や
価電子帯近傍の欠陥準位に関する情報は得られない。そこで、可視光照射下での TFT 特性
を評価し、より深い準位に与える P(O2)の影響を検討した。
106
1.E+06
Absorption Coefficient(cm-1)
0.17Pa
400nm
0.33Pa
105
1.E+05
104
1.E+04
0.60Pa
0.75Pa
430nm
460nm
103
1.E+03
2.5
3.0
3.5
Energy(eV)
4.0
図 7.10 ZnO 薄膜の光吸収特性
図 7.10 に ZnO 薄膜の光吸収特性を示す。P(O2)が変化することによる光吸収特性の差は
ほとんどない。また P(O2)が 0.60、0.75Pa の時、光吸収係数から求めた光学バンドギャップは
3.28eV である。吸収係数は光学バンドギャップよりエネルギーが小さくなるにつれ減少し、3.0
eV 以下のエネルギーでは 103 cm-1 以下に減少する。
可視光照射下での伝達特性測定は図 7.11 に示すように外光が遮蔽されたシールドボックス
内で行い、光源にはキセノンランプを用いた。光照射はキセノンランプの光を分光器（モノクロメー
ター）で各照射波長に分光し、光ファイバーを通じて測定試料に均一に照射した。照射強度は
0.2mW/cm2 とし、Vds=10V で測定を行った。
117
Xenon Light
Source
Single
Monochromator
Light
(0.2 mW/cm2)
S
Semiconductor
Parameter analyzer
(Agilent 4156C)
D
G
TFT
Shielded box
図 7.11 光照射下の TFT 特性測定系
10-4
10-5
(a)
(b)
10-6
10-7
10-8
400nm
10-9
430nm
400nm
10-10
10-11
10-12
430nm
460nm
460nm
10-13
10-4
10-5
(c)
(d)
10-6
10-7
10-8
10-9
10-10
10-11
10-12
400nm
400nm
430nm
430nm
460nm
460nm
10-13
図 7.12 酸素分圧を変化させた場合の ZnO-TFT の光リーク電流(a) P(O2)=0.17Pa,(b)
P(O2)=0.33Pa,(c) P(O2)=0.60Pa,(d) P(O2)=0.75Pa
118
10-4
10-5
10-6
370nm
10-7
400nm
10-8
10-9
430nm
10-10
10-11
460nm
Band-gap
10-12
10-13
図 7.13 照射した光エネルギーと ZnO-TFT の光リーク電流(Vg=－10V)
図 7.12 に P(O2)=0.17,0.33,0.60,0.75Pa にて製膜した ZnO-TFT に光照射した時の伝達
特性（光リーク電流）を示す。波長が 430nm 以下の場合、光リーク電流は全ての TFT で増加
している。また、光リーク電流は P(O2)の減少に伴って増加している。図 7.13 は照射した光のエ
ネルギーを横軸に、ゲート電圧が Vg=－10V の際の光リーク電流を縦軸に示している。光リーク
電流は照射した光エネルギーが 2.7eV を超えると増加し始めており、可視から近紫外光照射
時のリーク電流に明確な差が見られる。P(O2)の減少、特に P(O2)=0.17Pa の時に可視から近
紫外光照射時の光リーク電流が増大している。この光リーク電流の起源としては、λ
=460nm(2.69eV)の光照射ではほとんど差が見られないことから、図 7.9 の伝導帯近傍のドナ
ー準位の影響とは考えにくく、P(O2)の減少により価電子帯近傍にも欠陥準位が形成されてい
ることを示唆している。
図 7.14 に実験結果から想定される ZnO 中のサブギャップ準位（欠陥準位）を示す。伝導帯
近傍(EC-E)~0.5 eV の準位は図 7.9 に示したドナー欠陥であり、価電子帯近傍(EC-E)=2.8
〜3.2 eV の欠陥は占有された電子トラップと考えられる。これら双方の欠陥は P(O2)の減少とと
もに増大し、伝導帯近傍の欠陥は暗状態での TFT 特性に影響し、価電子帯近傍の欠陥は
可視～近紫外外光照射時のリーク電流の起源となっていると考えられる。価電子帯近傍に高
密度の電子トラップが形成されることは非晶質酸化物半導体である a-InGaZnO でも報告さ
れている 11)。
119
Ec
E(hν) ＜Eg
Donor-like traps
p(O2)=
0.75Pa
hν
p(O2)=0.17Pa
Electron traps
VB tail
Ev
図 7.14 想定される ZnO 中のサブギャップ準位
7.3.2 酸素分圧が欠陥準位密度に与える影響
図 7.4 ならびに図 7.14 に示したように ZnO 製膜時の P(O2)を減少することにより、価電子帯
(EV)ならびに伝導帯(EC)近傍に形成される欠陥準位密度が増大することを明らかにした。
P(O2)の減少により欠陥準位密度が増大することより ZnO 中の酸素欠損(VO)が増大している
ことが示唆される。しかしながら、スパッタリング製膜では ZnO セラミックをターゲットとして用いてい
るにもかかわらず、欠陥準位密度が強く P(O2)に依存する要因を明らかにするため、酸素同位
体をスパッタリングガスに用い、ZnO 膜中に存在する酸素がターゲット由来であるか、製膜雰囲
気由来であるかを調べた。プロセスガスに用いている O2 ガスに酸素の質量数 18 の同位体であ
る
18O2
ガスを用いた製膜を行い、気相反応により膜中に取り込まれている酸素について、二次
イオン質量分析（SIMS：Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer）を用い評価
を行った。
ZnO 膜中に存在する酸素の 18O ならびに 16O 濃度を調べた結果を図 7.15 に示す。スパッタ
ガスに Ar と酸素(16O)を用いた場合、膜中の 18O 濃度は同位体存在比(~0.2%)程度である。
スパッタリングガスを Ar と同位体酸素(18O)に変更することで ZnO 膜中の 18O 濃度は 2 桁以
上増大し、ZnO 製膜時の雰囲気からの酸素取り込みが膜中酸素濃度に大きく影響しているこ
とが明らかとなった。Ar と同位体酸素(18O)をスパッタリングガスに用い、P(O2)を 0.75 Pa から
0.33 Pa に減少することにより膜中の 18O 濃度(スパッタガス由来)が減少する一方で、16O 濃度
(ターゲット由来)が増大した。これらの結果から、ZnO 薄膜中の酸素は主にターゲット表面もしく
120
はスパッタ中におけるスパッタガスに含まれる酸素とターゲット元素の Zn の酸化反応によるもので
あると考えられる。図 7.3 の TDS の結果を併せて、ZnO 製膜時の P(O2)の減少により、膜中
酸素濃度が減少して形成された酸素欠損(Vo)が欠陥準位の起源となっていると考えられる。
18
O, 16O intensity (arb. unit)
1.E+08
O16 [Ar+O18 at p(O18)=0.75 Pa]
O18 [Ar+O18 at p(O18)=0.75 Pa]
O16 [Ar+O18 at p(O18)=0.33 Pa]
O18 [Ar+O18 at p(O18)=0.33 Pa]
O16 [Ar+O16 at p(O16)=0.75 Pa]
O18 [Ar+O16 at p(O16)=0.75 Pa]
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
1.E+03
0
20
40
60
80
100
Depth (nm)
図 7.15 ZnO 薄膜中の 16O、18O 濃度(SIMS)
7.4 まとめ
第 7 章をまとめると以下のようになる。
ZnO 薄膜中のサブギャップ準位が TFT 特性ならびに可視光照射時の光リーク電流に与える
影響に関して検討した。ZnO スパッタ時の酸素分圧を減少することで、伝導帯近傍にドナー欠
陥および価電子帯近傍に電子トラップが形成されることを示した。これらドナー欠陥や電子トラッ
プの形成には ZnO 膜中に存在するスパッタガス由来の酸素が大きく影響していることを示した。
また、これら伝導帯近傍のドナー欠陥準位密度は暗状態の TFT 特性、特にサブスレッショル
ド特性に影響を与えること、価電子帯近傍の電子トラップは光リーク電流に影響を与えることを
明らかにした。
さらに、可視光照射時の光リーク電流の測定は、ゲート電圧によりフェルミレベルを変調できる
範囲すなわち伝導帯近傍の欠陥準位のみの評価から、深い準位や価電子帯近傍の欠陥準
位の評価が可能であることを示した。
酸化物 TFT のディスプレイ応用にはこれらの価電子帯近傍の電子トラップの低減が重要に
121
なってくる。
参考文献
1) Y. Kamada, S. Fujita, T. Hiramatsu, T. Matsuda, H. Nitta, M. Furuta, and T.
Hirao ：Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2011) 03CB03.
2) H. Oh, S-M. Yoon, M. K. Ryu, C-S. Hwang, S. Yang, and S-H. Ko Park ：Appl.
Phys. Lett. 97 (2010) 183502.
3) M. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, H. Furuta, and T. Hirao : J.
Non-cryst. Sol. 354(2008) 1926
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Compd.
509 (2011) 1774.
5) 薄膜材料デバイス研究会編：薄膜トランジスタ（コロナ社,2008）
6) K.Yamaguchi: J. Appl. Phys. 89 (2001)590
7) T. Sameshima and M. Kimura: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006)1534
8) H.-H. Hsieh, T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, and C.-C. Wu, Appl. Phys.
Lett. 92 (2008) 133503.
9) J. Jeong and Y. Hang: Proc. 6th Int. TFT Conf. (2010)pp.182
10) M. Kimura, T. Nakanishi, K. Nomura, T. Kamiya, and H.Hosono: Appl. Phys.
Lett. 92 (2008) 133512.
11) T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono : J. Disp. Tech. 5 (2009) 468-483.
122
第8章
酸化物 TFT の光信頼性評価
8.1 はじめに
酸化物半導体薄膜トランジスタ(Thin-film Transistor、TFT)は現在主流の非晶質シリ
コン(Amorphous Silicon、a-Si:H)TFT に比較して高い電子移動度が得られ、かつ大面積
基板への展開が可能と考えられることから、次世代フラットパネルディスプレイ(FPD)のスイッチン
グ素子として注目され近年研究開発が活発化している。しかし、非晶質や多結晶酸化物薄膜
は多くの欠陥を含有し、バンドギャップ内にサブギャップ準位（欠陥準位）が形成される。これらサ
ブギャップ準位は TFT の電気特性に影響を与えるのみならず、バンドギャップ以下のエネルギー
光照射下での光リーク電流 1)や可視光照射下における信頼性
2-4)にも影響を与えることが明ら
かになってきた。次世代ディスプレイの中でも OLED においては、第 1 章に述べたようにしきい値
電圧に対して高い安定性が要求されているために、バイアスストレスに対する TFT 特性の信頼
性評価が重要である。また LCD においてもバックライト光源の影響を考慮した光信頼性評価
が必要である。これら光照射下においての劣化メカニズムの原因は十分に解明されているとは言
い難い。本章では酸化物 TFT の光信頼性評価を行い、劣化メカニズムの解明と信頼性向上
のため一助とすることを目的とする。まず、非晶質シリコン TFT の劣化メカニズムについての現在
までの報告例を述べる。次に第 7 章において光リーク電流の評価を行った ZnO-TFT において
光 信 頼 性 評 価 の 結 果 を 述 べ る 。 さ ら に 電 気 特 性 が 優 れ た InSnZnO(ITZO)-TFT 、
InGaZnO(IGZO)-TFT を用いた光信頼性評価の結果についても述べる。
8.2 TFT の信頼性劣化メカニズム
次世代ディスプレイ応用に向けて、第 1 章で述べたように酸化物 TFT においては電気的バイ
アスストレス印加における信頼性が重要である。加えて酸化物 TFT では光照射下での負のゲ
ートバイアスストレス印加時(Negative bias illumination stress、NBIS)にしきい値電圧が
極めて大きく負側にシフトすることがディスプレイ応用に向けた課題として報告されている。2)
酸化物 TFT の光照射下での信頼性を論ずる前に、現在までに報告されている非晶質シリコ
ン TFT の信頼性劣化メカニズム（伝達特性のしきい値シフト）について、まず述べる。
123
非晶質シリコン TFT での BTS(Bias-temperature-stress)信頼性評価における直流ゲー
ト電圧ストレスに対するしきい値電圧(Vt)のシフトは主に 2 つの要因が報告されている 5-6)。
(1) ゲート絶縁膜(SiNx)もしくはゲート絶縁膜と半導体の界面(a-Si:H/SiNx)への電荷注入
(charge trapping)。Vt シフトの場合、S 値は変化しない。
(2) バイアス印加による半導体層(a-Si:H)の欠陥形成(defect creation)。a-Si:H 膜中の弱
い結合の切断と未結合手生成。Vt シフトの場合は、S 値の劣化を伴う（高くなる）。
さらに伝達特性のしきい値電圧のシフトは拡張された指数関数の式で表すことができる。7)
|∆𝑉ｔ | = |∆𝑉0 | {1 − 𝑒𝑥𝑝 [− (
𝑡𝑆𝑇 𝛽
𝜏
) ]} (8.1)
ここで、ΔV0 は無限時間における Vt シフト量であり、(Vg-stress-Vt-initial)のα 乗に比例する。
Vg-stress は印加ストレス電圧、Vth-initial はストレス印加前の初期特性におけるしきい値電圧
を示しており、α は界面状態に関連するパラメータである。また、tST はストレス印加時間，τ
はキャリア捕獲に要する時間、β は拡張された指数関数の指数を示す。この式では，τ とβ
が大きいほど TFT の信頼性が高いと判断が可能である。
酸化物 TFT のバイアス印加での直流バイアス印加でのしきい値電圧シフトのメカニズムについ
ては、必ずしも明確ではないが、(8.1)式を用いた解析は a-IGZO を用いた TFT でいくつも行わ
れており 7-9)、酸化物 TFT においてはゲート絶縁膜や半導体膜との界面への電荷捕獲が生じ
る場合のモデルとして有効ではないかと思われる。
酸化物 TFT においては光照射下での負のゲートバイアスストレス印加時(Negative bias
illumination stress、NBIS)にしきい値電圧が極めて大きく負側にシフトすることについての
原因は十分に解明されているとは言い難いが、現時点では次のような劣化メカニズムが提案さ
れている。
(1) 周囲の環境（湿気等）によって発生した捕獲準位に起因する。10-11)
(2) 光励起により発生した正電荷（Vo+、Vo2+、もしくは正孔）が電界によりドリフトしてゲート絶
縁膜もしくはゲート絶縁膜と活性層との界面に捕獲される（トラップされる）ことに起因する。
この場合は電荷トラップであるために、S 値は変化しない。4,10)
(3) 活性層に捕獲準位が形成されて正電荷がトラップされたことに起因する。2)
(4) (1)と重なるが、光励起で発生した正孔（ホール）が電界により拡散してゲート絶縁膜もしく
はゲート絶縁膜と活性層との界面に捕獲された（トラップされた）ことことに起因する場合。
Nomura らは、パーシベーション層を形成することにより、バックチャネル側の光励起が抑制
されてしきい値の負シフトが小さくなると報告している。12)
これら光照射下における TFT 特性の不安定性の要因は必ずしも明確でないが、第 7 章で
124
述べた ZnO 薄膜中のサブギャップ準位、特に価電子帯近傍の電子トラップ（図 7.14 参照）が
可視光照射時の光リーク電流に影響を与えていることが想定されている。そのために次節では、
ゲートバイアスストレス印加時に波長の異なる光照射を行い、信頼性に与えるサブギャップ準位
の影響を評価した。
8.3 ZnO-TFT の光信頼性評価
前節での述べた通り、ZnO 薄膜中のサブギャップ準位、特に価電子帯近傍の電子トラップが
可視光照射時の光リーク電流に影響を与えていることが想定されるために、ゲートバイアスストレ
ス印加時に波長の異なる光照射を行い、信頼性に与えるサブギャップ準位の影響を評価した。
信頼性評価に用いた ZnO-TFT の ZnO 薄膜は P(O2)=0.75Pa であり、その他は表 7.1 に示
した条件で製膜した。まず光リーク電流の評価を行い、その後信頼性評価を実施した。光リーク
電流の測定条件は 7.3 節と同様である。光リーク電流と光信頼性評価の測定系は図 7.11 に
示している。
10-3
10-4
10-5
10-6
10-7
10-8
10-9
10-10
10-11
10-12
10-13
(a)
(b)
Band-gap
400nm
430nm
460nm
DARK
図8.1 (a)ZnO-TFTの光リーク電流 (b)照射光エネルギーと光リーク電流(Vgs=-10V)
図 8.1 に光リーク電流の結果を示す。前章でも述べたとおり、ZnO のバンドギャップは 3.28eV
ではあるが光リーク電流は 2.7eV を越えるところから増加している。この結果は価電子帯近傍の
電子トラップが可視～近紫外外光照射時のリーク電流の起源と推定される。
125
次に光照射の有無ならびに波長の影響を評価した信頼性を行った。ZnO-TFT における光
信頼性評価の流れ及び測定条件を図 8.2 に示す。信頼性試験はゲート電圧(Vgs)を－20V、
ソース・ドレイン電圧は接地電位とし、室温で 8,000 秒のストレスを印加し、伝達特性の変化よ
りしきい値電圧のシフト量を算出した。また、ゲート電圧印加時にそれぞれ異なる波長(λ=430,
460, 530, 630nm)を照射し、さらに照射無状態(Dark)も測定した。
初期
伝達特性
測定
NBIS
最後
8000秒までの繰り返し
伝達特性
測定
ストレス
印加
伝達特性
測定
暗状態
光照射
暗状態
暗状態
Vds=20.1V
Vgs= -10~20V
Vgs= -20V
Vds= 0V
印加
Vds=20.1V
Vgs= -10~20V
Vds=20.1V
Vgs= -10~20V
Time counts
照射波長 λ=430,460,530,630nm
図8.2 ZnO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の流れ
1.E-03
10-3
Vgs=-20V 8000s印加(Dark)
1.E-03
(a)
1.E-04
1.E-05
10-5
1.E-05
1.E-06
10-6
1.E-06
1.E-07
10-7
1.E-07
Vds=20.1V
1.E-08
10-8
1.E-08
Ids(A)
Ids(A)
1.E-04
10-4
Vgs=-20V 8000s印加(460nm)
10-9
1.E-09
(b)
Vds=20.1V
initial
100s
1000s
5000s
8000s
initial 1.E-09
100s 1.E-10
1000s
5000s 1.E-11
8000s
1.E-12
10-10
1.E-10
10-11
1.E-11
10-12
1.E-12
10-13
1.E-13
-10
-5
0
5
10
Vgｓ(V)
1.E-13
15 20 -10
-5
0
5
10
Vg(V)
15
図8.3 ZnO-TFTの光信頼性評価(NBIS)のおける伝達特性の変化
(a)光照射無(dark)、(b)460nm照射
126
20
(a)移動度μ 変化率
1.8
DARK
460nm
530nm
S値(V/dec)
μ変化率
1.4
630nm
430nm
(b)S値
1.0
0.6
0.2
10
10
ΔVgs at Ids=1nA(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
10
102
103
101
100
1000
Stress times(s)
104
10000
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
DARK
460nm
0
110
630nm
430nm
530nm
101
102
103
10
100
1000
Stress time(s)
104
10000
(c)しきい値電圧シフト
DARK
460nm
630nm
430nm
530nm
Vds= 20.1V
Vgs(stress)= -20V
1100
102
103
101
100
1000
Stress time(s)
図8.4 負バイアスストレス印加における
伝達特性パラメータの光照射依存性
104
(a)移動度μ変化率、(b)S値、(c)しきい
10000
値電圧シフト
図 8.3(a)に光照射を行わない暗状態(Dark)、図 8.3(b)に 460nm（青）の波長を照射した
場合の伝達特性の変化を示す。光照射を行わない暗状態ではやや正方向のシフトが見られ、
逆に 460nm(青）光照射では伝達特性が負方向に平行にシフトしている。図 8.4 に各波長と
暗状態での 3 つの TFT パラメータ変化の時間依存性を示した。移動度μの変化率（図 8.4(a)）
は各波長で大きな変化は見られない。また、図 8.4(b)に示したように S 値は 630nm の 2000
〜6000 秒の間を除き、変化は見られない。しきい値電圧は第 6 章で述べたように、特定な電
流値(Ids=1nA)における Vgs の値として比較した。図 8.4(c) に示すように光照射を行わない
暗状態ではやや正方向へのしきい値シフトが見られた。一方、630 nm（赤）、530 nm（緑）の
光照射下においてはしきい値シフト量および傾向ともに暗状態と優位差がない結果が得られて
いる。しかしながら、460 nm 光照射においてはしきい電圧の負シフトが見られており、赤や緑光
照射とは明確に異なる傾向を示した。また波長を 430nm にすることでしきい値の負シフトはより
顕著になった。
上記の結果を踏まえて、ZnO-TFT の NBIS の劣化メカニズムについて考察する。第 7 章で
述べた価電子帯近傍(EC-E)=2.8〜3.2 eV の電子トラップは光リーク電流だけではなく、この結
果から可視光照射下での TFT 信頼性にも大きく影響を与えていることが想定される。図
127
8.4(b)から、S 値が変わらないために、劣化メカニズムは界面において正電荷がトラップされたこと
が原因と推定される。
図 8.5 に今回の結果からの推定される劣化メカニズムを示す。まず負バイアスストレス印加さ
れた状態でバンドギャップより小さいエネルギーが低い光が照射され、価電子帯近傍の電子トラ
ップ(Vo)から電子が励起される（図 8.5(a)）。電子が光励起されて価電子帯近傍に発生した正
電荷（Vo+、Vo2+もしくは正孔）がゲート絶縁膜と半導体膜（活性層）との界面にドリフトされてい
く（図 8.5(b)）。そのために光照射下での負バイアスストレス印加状態から暗状態での伝達特性
の測定状態になったときに、界面付近に正電荷が多くチャージされているために、電子濃度が増
加（フェルミ準位が上昇）して、伝達特性の立ち上がりが負にシフトしていく。この結果、NBIS の
際にしきい値電圧が大きく負シフトしていくと思われる。
今回の結果は光リーク電流の結果と併せて、ZnO-TFT の NBIS における劣化メカニズムは
価電子帯近傍の電子トラップ起因であることがより明確になった。8.2 節で述べた劣化メカニズ
ムの(2)または(4)と同様に、光励起により発生した正電荷が界面にトラップされことを裏付けるも
のである。一方、界面にチャージされた正電荷が固定電荷(Vo+ 、Vo2+)なのか自由正孔(free
hole)が主体であるのかは、今回の結果だけでは区別することはできない。この点が今後の課題
である。
Vo
Vo+ ,Vo2+
At negative Vg bias
(a)
GI
electron
hole
E(hν) ＜Eg
(b)
Gate
EC
Ef
Ei
E(hν) ＜Eg
Semiconductor
Semiconductor
Gate
GI
EC
Ef
Ei
hν
EV
EV
図8.5 NBISの際のしきい値電圧の負シフトのメカニズム
128
hν
8.4 ITZO-TFT の光信頼性評価
8.4.1 はじめに
前節までは ZnO-TFT を取り上げてきたが、移動度は 10cm2/Vs を越える程度であり、また
盛んに研究されている IGZO-TFT の移動度も 10〜20cm2/Vs 程度である。しかし、スーパー
ハイビジョン等の次世代ディスプレイにはさらに高い移動度が求められている。 13) そのために、よ
り移動度が高い AOS の TFT 材料として InSnZnO (ITZO)を用いて TFT を作製し、光信頼
性 評 価 を 行 う こ と と し た 。 ITZO-TFT は Fukumoto ら の 発 表
14) に よ れ ば 移 動 度 が
30.9cm2/Vs もあり、次世代ディスプレイ用 TFT の材料として可能性を秘めている。しかし、まだ
信頼性については十分な評価が行われていない。そのために、ZnO-TFT と同様に光リーク電
流と光信頼性に関して評価を行い、その伝達特性変化に関して考察を行った。
Source (ITO)
SiOx
Drain (ITO)
SiOx
ITZO
SiOx
Gate (Cr)
Glass
図8.6 作製したITZO-TFT
8.4.2 ITZO-TFT の作製及び基本特性
図 8.6 に作製した ITZO-TFT の断面構成図を示す。基本プロセスは 6.5 節とほぼ同様で
ある。4 インチガラス基板上に DC スパッタリング法を用いてゲート電極材料に Cr を 50nm 製膜
し、フォトリソグラフィーでパターンを形成後、ウェットエッチングで加工を行った。ゲート絶縁膜には、
SiOx を PE-CVD 法により 350℃で 150nm 製膜した。活性層は出光興産製 ITZO ターゲッ
トを用いて rf マグネトロンスパッタ装置により、温度は 150℃、ガス流量は Ar/O2=15/15sccm、
製膜圧力は 1.0Pa で 45nm 製膜した。フォトリソグラフィーによるアイランド形成を行い、その後
にエッチストッパーとして SiOx を PE-CVD 法により 200nm 製膜を行った。SiOx 膜を形成後、
ドライエッチングにより ITZO とソース・ドレイン電極とをコンタクトさせるためのコンタクトホールを形
129
成した。ソース・ドレイン電極は Indium Tin Oxide(ITO)を用い、ITO 製膜後にドライエッチン
グで電極パターニングを行った。最後に PE-CVD 法で保護膜（オーバーコート）である SiOx 製
膜し、測定用のコンタクトホールを形成した。TFT 完成後に N2 雰囲気下で 350℃1 時間のア
ニールを行った。チャネル長(L)が 20μm、チャネル幅(W)は 50μm である。
図 8.7 に作製した ITZO-TFT の伝達特性を示す。Vds=20.1V の時の移動度μは
39.3cm2/Vs、S 値は 0.14V/dec となっている。
1.E-02
10-2
Vds=0.1V
Vds=20.1V
1.E-04
10-4
Ids(A)
1.E-06
10-6
1.E-08
10-8
10-10
1.E-10
10-12
1.E-12
10-14
1.E-14
-10
-5
0
5
10
Vgs(V)
15
20
図8.7 ITZO-TFTの伝達特性
8.4.3 可視光照射下の光リーク電流
図 8.8 に ITZO 薄膜 45nm の光吸収特性を示す。光吸収係数から求めた光学バンドギャッ
プは約 2.8eV である。吸収係数は光学バンドギャップよりエネルギーが小さくなるにつれ減少し、
2.65 eV 以下のエネルギーでは 103 cm-1 以下に減少する。
次に波長の異なる(λ=400〜590nm)光を照射し、Vds=10V の時の伝達特性を測定し、
発生した光リーク電流を調べた。光照射下での測定系は図 7.11 と同じであり、照射強度は
0.2mW/cm2 で評価を行った。図 8.9(a)に ITZO-TFT に光照射した時の伝達特性（光リーク
電流）を示す。図 8.9(b)に照射した光のエネルギーを横軸に、ゲート電圧が Vg=－10V の際の
光リーク電流を縦軸に示している。光リーク電流は照射した光エネルギーが 2.6eV を越えたとこ
ろから増加しているが、バンドギャップに近い価電子帯近傍の光リーク電流は図 8.1 で示した
ZnO-TFT と比べて低いレベルである。この結果は ITZO 薄膜の価電子帯近傍のトラップ準位
130
密度が低いことを示唆している。
Absorption coefficient(cm-1)
106
1.E+06
105
1.E+05
430nm
104
1.E+04
460nm
500nm
103
1.E+03
2.0
2.5
3.0
3.5
Energy(eV)
4.0
図8.8 ITZO薄膜の光吸収特性
1.0E-04
10-4
(a)
1.0E-08
10-8
Vd=10V
on-to-off
1.0E-05
10-5
Ids(A)
1.0E-06
10-6
1.0E-09
10-9
Dark
590nm
560nm
530nm
500nm
460nm
430nm
400nm
1.0E-07
10-7
1.0E-08
10-8
1.0E-09
10-9
1.0E-10
10-10
10-11
1.0E-11
Ids(A)
1.0E-03
10-3
(b)
Vgs=-10V
on-to-off
1.0E-10
10-10
400nm
Band-gap
10-11
1.0E-11
10-12
1.0E-12
460nm
430nm
10-12
1.0E-12
10-13
1.0E-13
10-13
1.0E-13
-20
-10
0
Vgs(V)
10
20
1.8
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2
DARK
Photon Energy(eV)
図8.9 (a)ITZO-TFTの光照射下での伝達特性（光リーク電流）(b)照射した光エネルギーと
ITZO-TFTの光リーク電流(Vgs=－10V)
131
8.4.4. ITZO-TFT の光信頼性結果
次に、光照射有無ならびに照射波長の影響を考慮した信頼性評価を行った。信頼性評価
の手順を図 8.10 に示す。ゲート電圧 Vgs= -20V、Vds=0V として、室温で積算 10,000 秒の
ストレスを印加した。ゲート電圧ストレス印加時にそれぞれ異なる波長 (λ= 460, 530,
590nm)の光を照射した 。伝達特性は 光照射下のスト レス 印加を中断し、暗状態に て
Vds=0.1V を、次に Vds=10.1V という順番で、Vgs=-10〜20V の範囲において測定し、その
特性変化を確認した。
初期
測定
NBIS
10000秒までの繰り返し
ストレス
印加
最後
測定
測定
暗状態
光照射
暗状態
暗状態
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vgs= -20V
印加
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
Time counts
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
照射波長 λ=460,530,590nm
図8.10 ITZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の流れ
図 8.11 に ITZO-TFT の光信頼性(Negative bias illumination stress、NBIS)の結果
を示す。暗状態 (Dark)で測定した伝達特性の変化も示している（図 8.11(a)、(e)）。興味深
いことに、Vds が 0.1V と 10.1V で異なる伝達特性の変化となっている。Vds=0.1V の時には、
照射光のエネルギーが増加すると伝達特性では ON 電流の低下が発生している。具体的には
波長が 530nm と 460nm の場合、ドレイン電流 Ids が 100pA を越えたところから、伝達特性
曲線は ON 電流が低下する形に変形している。Vds=10.1V の際は暗状態では立ち上がり電
圧は負にシフトしていたが、照射光のフォトンエネルギーが増加すると正の方向にシフトしている。
132
1.E-02
10-4
1.E-04
(c) Vds=0.1V
530nm
1.E-04
10-6
1.E-06
1.E-06
1.E-06
1.E-06
Ids(A)
10-8
1.E-08
1.E-08
10-10
1.E-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-12
Ids(A)
1.E-02
(b) Vds=0.1V
590nm
1.E-04
Ids(A)
1.E-02
(a)Vds=0.1V
1.E-04
Dark
Ids(A)
Ids(A)
10-2
1.E-02
1.E-08
initial
100s
1.E-10
1000s
5000s
1.E-12
10000s
(d) Vds=0.1V
460nm
1.E-08
1.E-10
1.E-12
10-14
1.E-14
1.E-14
1.E-14
1.E-14
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
-2
1.E-02
1.E-02
1.E-02
1.E-02
10
1.E-04
Dark
10-10
1.E-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-12
1.E-04
530nm
1.E-06
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
1.E-08
(g) Vds=10.1V
1.E-04
590nm
1.E-06
1.E-06
10-6
1.E-08
10-8
(f) Vds=10.1V
1.E-08
initial
100s
1.E-10
1000s
5000s
10000s
1.E-12
(h) Vds=10.1V
460nm
1.E-06
Ids(A)
(e) Vds=10.1V
1.E-04
10-4
1.E-08
1.E-10
1.E-12
1.E-14
1.E-14
10-14
1.E-14
1.E-14
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
図8.11 ITZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
次に TFT パラメータ変化の時間依存性を調べた。Vds=0.1V の場合は Ids=100pA 前後か
ら、伝達特性が変化しているために、パラメータを次の様に定義して考察を行った。第 6 章で述
べたとおり、しきい値電圧は特定な電流値(Ids=1nA)における Vgs の値、 S 値はしきい値電
圧以下のゲート電圧に対するドレイン電流の変化率として 10pA から 100pA の値で計算して
いる。今回、しきい値電圧を 2 種類とし、Vg1 として Ids=10pA の Vgs の値を、Vg2 として
Ids=1nA の値を定義した。さらに S 値は、SS1 は 1〜10pA の値、SS2 は 1〜10nA の値で
それぞれ計算した。図 8.12 に移動度μ変化率、図 8.13 に S 値(SS1,SS2)の変化を、図
8.14 にしきい値電圧の変化(ΔVg1,ΔVg2)を示す。
133
Vds=0.1V
Dark
530nm
1.8
590nm
460nm
1.4
1.0
(b)
Vds=10.1V
Dark
590nm
530nm
460nm
1.0
0.6
0.6
0.2
100
101
102
103
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
Stress time(s)
0.2
100
101
102
103
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
Stress time(s)
図8.12 ITZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
移動度μ変化率 (a)Vds=0.1V、(b)Vds=10.1V
3.5
2.0
1.5
Dark
530nm
590nm
460nm
3.0
2.5
(b) Vds=0.1V
Dark
530nm
590nm
460nm
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
3.51.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 3.51.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04
Stress time(s)
(c) Vds=10.1V
(d) Vds=10.1V
Stress time(s)
3.0
3.0
Dark
590nm
Dark
590nm
2.5
2.5
530nm
460nm
530nm
460nm
2.0
1.5
SS2(V/dec.)
SS1(V/dec.)
2.5
3.5
(a) Vds=0.1V
SS2(V/dec.)
3.0
SS1(V/dec.)
μ変化率
1.4
(a)
μ変化率
1.8
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
100
101
102
103 1.E+04
104
100
101
102
103 1.E+04
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Stress time(s)
Stress time(s)
図8.13 ITZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
S値(SS1、SS2）の変化 (a)(b)Vds=0.1V、(c)(d)Vds=10.1V
134
Vds=0.1V
Dark
530nm
590nm
460nm
ΔVg2@1nA
ΔVg1@10pA
10.0 1
9.0 (c)
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
1010
(a)
10
100
1000
Stress
time(s)
Vds=10.1V
Dark
590nm
530nm
460nm
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
(b) Vds=0.1V
10000 10.0 1
9.0 (d)
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
1010
104
10000
Dark
530nm
590nm
460nm
10
100
1000
Stress
time(s)
Vds=10.1V
Dark
590nm
530nm
460nm
10000
10101
104
10000
ΔVg2@1nA
ΔVg1@10pA
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
1
1010
2
10
103
100
1000
Stress time(s)
2
10
103
100
1000
Stress time(s)
図8.14 ITZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
しきい値電圧の変化(ΔVg1、ΔVg2） (a)(b)Vds=0.1V、(c)(d)Vds=10.1V
まず、Vds=0.1V の場合の伝達特性変化について述べる。図 8.11 より、波長 530nm の場
合は、1000s を越えると伝達特性曲線の形状は変化が始まっている。これが波長 460nm にな
ってフォトンエネルギーが高くなると 100s を越えると、変化が始まっている。図 8.13 から、530nm
の場合、SS2 は 1,000s を越えたあたりから値が大きくなって劣化し始めたことを示しており、これ
が 460nm では 100s を越えると SS2 の値が大きくなって劣化し始めたこと、つまり捕獲準位（欠
陥準位）が形成されたことを示唆している。図 8.14 に示したしきい値電圧シフトにおいても、波
長 530nm では 1,000s を越えたあたり、波長 460nm では 100s を越えるとからΔVg2 のみ正
方向に大きく変化をしており、SS2 と同様の傾向を示している。これは、伝導帯近傍に捕獲準
位が形成されたことが推定される。
次に、Vds=10.1V の場合の伝達特性変化について述べる。図 8.11 より、波長 530nm の
場合は 1,000s を越えると伝達特性曲線は正方向にシフトしている。これが波長 460nm になっ
てフォトンエネルギーが高くなると 100s を越えると、正方向にシフトしている。530nm の場合は、
135
ほぼ平行に正方向にシフトしているが、460nm の場合は正方向にシフトしているだけでなく、
ON 電流が大きく低下している。これは図 8.13 の SS1 と SS2 を比較すると、Dark と 590nm
の波長ではは SS1 も SS2 も大きく変化していない。しかし、460nm の場合、SS2 は 1,000s
を越えたあたりより、劣化している。さらに、図 8.14 に示したしきい値電圧シフトのΔVg1 とΔVg2
は 530nm では 1,000s を越えたときから負から正方向に、460nm では 100s を越えたときから
正方向にシフトしている。530nm では 1,000s を越えた時から正孔の捕獲準位から電子の捕
獲準位が支配的になり始めたことを示唆している。
8.4.5 デバイスシミュレーションを用いた欠陥解析
前節での Vds=0.1V において、光照射下(530nm、460nm)での負バイアスストレス印加
1000s 以降で伝達特性曲線の ON 電流が低下した結果については、伝導帯近傍に捕獲準
位（トラップ準位）が形成されたことが示唆される。そのためにバンドギャップ内での捕獲準位につ
いて検討を行った。
Ec
Ec
中性
正帯電
Ef
Ef
中性
負帯電
Ev
Ev
アクセプタ型捕獲準位
ドナー型捕獲準位
図8.15 捕獲準位の帯電型
捕獲準位は、帯電型としては、アクセプタ型捕獲準位(acceptor-like trap state)とドナー型
捕獲準位(donor-like trap state)がある。アクセプタ型捕獲準位は、フェルミレベル(Ef)より下
では負帯電し、上では中性になるものとして定義できる。ドナー型捕獲準位は、 Ef より上では
正帯電し、下では中性になるものとして定義できる。図 8.15 にその模式図を示す。15) 電気特
性に大きな影響を与えるのは、バンドギャップ中の捕獲準位である。伝導帯(Ec)や価電子帯
136
(Ev)から離れたミッドギャップ近くの捕獲準位を、深い準位(deep state)といい、それぞれの近く
に分布した捕獲準位を、浅い準位(shallow state)という。また、あるエネルギーにピークを持ち、
ガウス型に分布した準位をガウス型準位(Gaussian state)といい、Ec や Ev から指数関数
的に減少していく捕獲準位を、裾状準位(tail state)という。
次に、伝達特性と捕獲準位の関係を明らかにするために、捕獲準位密度(DOS: Density
of state)モデル 16-17)に基づくデバイスシミュレーションソフトウェア ATLAS(Silvaco, Inc)を用い
て、劣化原因の解析を行った。TFT 中に生成される捕獲準位を仮定し、伝達特性実測値と
の比較を行うことでバンドギャップ内の捕獲準位の状態を解析することで伝達特性の変化の原
因を推定することを目的とした。仮定した捕獲準位は、バンドギャップ端にみられる裾状態および
バンドギャップ中にみられるガウス分布を持った準位であり、それぞれドナー型，アクセプタ型捕獲
準位を用いた。非晶質の構造不規則性に起因する裾状態は，アクセプタ・ドナー型でそれぞ
れ、
𝐸−𝐸𝑐
ｇ 𝑇𝐴 = 𝑁𝑇𝐴 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐸
𝑇𝐴
) (8.2)
𝐸 −𝐸
ｇ 𝑇𝐷 = 𝑁𝑇𝐷 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐸𝑉 ) (8.3)
𝑇𝐷
と表される。このうち、E は捕獲準位のエネルギー，EC と EV は伝導帯と価電子帯のエネルギ
ー、NTA はアクセプタ型捕獲密度、NTD はドナー型捕獲密度、ETA および ETD はそれぞれ裾状
態の減衰長を示す。ガウス分布準位は、アクセプタ型の捕獲準位密度およびドナー型捕獲準
位密度を用いる。これらガウス分布の捕獲準位密度は、
𝐸𝐺𝐴 −𝐸 2
ｇ𝐺𝐴 = 𝑁𝐺𝐴 exp [− (
𝑊𝐺𝐴
) ] (8.4)
𝐸−𝐸𝐺𝐷 2
ｇ𝐺𝐷 = 𝑁𝐺𝐷 𝑒𝑥𝑝 [− (
𝑊𝐺𝐷
) ] (8.5)
と表現することができる。ここで、EGA および EGD はアクセプタ型およびドナー型ガウス分布捕
獲準位密度のエネルギー準位、NGA, NGD は捕獲準位密度の最大値、WGA, WGD はガウス
分布の半値幅を示す。これらの下付き文字はそれぞれ、T, G, A, そして D が裾状態(Tail)、
ガウス分布(Gaussian)、アクセプタ(Acceptor)、ドナー(Donor)を表している。
H.Hsieh らによれば、活性層の捕獲準位密度に関しての IGZO-TFT におけるシミュレーショ
ン結果から、アクセプタ型捕獲準位が伝導帯(Ec)から裾状に形成されると、TFT の伝達特性
に於ける S 値の劣化や ON 電流の低下が起こると報告されている。17) また、伝導帯から深い
準位でガウシアン分布をとる欠陥準位は、伝達特性に於ける立ち上がり電圧を正にシフトさせ
137
る事が報告されている。また n チャネルモードで酸化物 TFT が動作することも考慮して、伝導帯
近傍のアクセプタ型のガウス分布捕獲準位を変化させて、DOS 分布と伝達特性の変化を調べ
た。
CASE
①
EGA(eV)
WGA(eV)
16
0.5
0.3
17
0.5
0.04
17
0.3
0.04
17
0.2
0.04
3.0×10
②
8.0×10
③
8.0×10
④
8.0×10
1.E-02
10-2
(a)
ドナー型
捕獲準位
（共通）
アクセプタ型
捕獲準位
DOS(cm-3 eV-1)
DOS(cm-3 eV-1)
1019
1E+19
1.E-04
10-4
1018 ④ ③ ②
1E+18
1.E-06
10-6
Ids(A)
1017
1E+17
①
1.E-10
10-10
1015
1E+15
1.E-12
10-12
1014
1E+14
0.4
0.8
1.2 1.6
Ec-E(eV)
2
2.4
①
④
1.E-08
10-8
1016
1E+16
0
(b) Vds=0.1V
Ids(A)
1020
1E+20
NGA(cm-3)
③
②
1.E-14
10-14
-10 -5 0 5 10 15 20
2.8
Vgs(V)
図8.16 (a)アクセプタ型捕獲準位を変化させた場合のバンドギャップ内のDOS分布図
(b)シミュレーションで計算された伝達特性
表8.1 シミュレーションに用いたパラメータ
Symbol
NC
Nv
NGA
NGD
NTA
NTD
Value
5.0×10
18
18
5.0×10
variable
1.3×10
11
Unit
Description
-3
Effective Conduction band DOS
cm
-3
Effective Valence band DOS
cm
-3
-1
Total density for acceptor-like states in a Gaussian distribution
-3
-1
Total density for donor-like states in a Gaussian distribution
cm eV
cm eV
18
-3
-1
cm eV
Density of tail state at E c
19
-3
-1
Density of tail state at E v
1×10
9×10
variable
cm eV
eV
WGD
0.3
eV
Decay energy for donor-like states
EGA
variable
eV
Peak energy for acceptor-like states
EGD
Eg
0.5
2.8
eV
eV
Peak energy for donor-like states
Band gap at the 300 K
WGA
Decay energy for acceptor-like states
138
図 8.16(a)にアクセプタ型ガウス分布捕獲準位を変化させた場合の DOS 分布、図 8.16(b)
に DOS 分布に基づき得られた、Vds=0.1V の時の伝達特性を示す。また、シミュレーションで共
通に用いた捕獲準位設値を表 8.1 に示した。CASE③〜④の結果から、伝導帯近傍にアクセ
プタ型ガウス分布捕獲準位が形成されると伝達特性では ON 電流が低下することが分かる。そ
れゆえ、Vds=0.1V の時の IZTO-TFT の伝達特性は 530nm(2.34eV)では 1000s 以上、さ
らにフォトンエネルギーが高い 460nm(2.69eV)では 100s 以上の負バイアスストレス印加状態で
の光照射により、伝導帯近傍にアクセプタ型捕獲準位が生成されて、伝達特性では ON 電流
が低下し、伝達特性曲線が大きく変形したと推定される。
8.4.6 追加ストレス印加による伝達特性変化の原因推定
8.4.5 款までの結果から、Vds=0.1V 測定時の伝達特性変化は伝導帯近傍にアクセプタ型
捕獲準位の生成で説明が可能である。しかし、Vds=10.1V ではフォトンエネルギーが高くなると、
伝達特性の立ち上がりが正方向に平行に移動しており、伝導帯近傍でのアクセプタ型捕獲準
位の生成では現象が説明できない。波長 530nm では 1000s を越えた時から、波長 460nm
では 100s を越えた時から、伝達特性の立ち上がりが負から正方向に平行に移動している。伝
導帯から深い準位でガウシアン分布をとるアクセプタ型捕獲準位が生成された場合に、立ち上
がり電圧が正方向に平行シフトすることが報告されている。 18) Vds=10.1V の場合の伝達特
性変化の劣化メカニズムを推定するために、さらに 2 種類の信頼性評価を行った。
(a) 光照射下での 10000 秒の負バイアスストレス印加(NBIS)の信頼性評価終了後、光照
射無状態（暗状態）での負バイアスストレス印加(Negative bias stress、NBS)を
10000 秒の信頼性評価を実施する。
(b) 光照射下での 10000 秒の負バイアスストレス印加(NBIS)の信頼性評価終了後、光照
射のみ(Illumination stress、IS)を 10000 秒行う信頼性評価を実施する。
(a)の評価は、Vds=0.1V の測定の際に生成されていたと推測される伝導帯近傍の捕獲準
位から電子を負のゲートバイアス印加により、払い出すことが目的である。(b)の評価は、光照射
により伝導帯近傍に捕獲準位が再び生成されるどうかを確認することが目的である。(a)、(b)共
に NBIS の場合は、波長を 460nm(2.69eV)で評価を行った。
139
(b)NBIS→IS
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
1.E-06
1.E-08
10-8
10-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-08
1.E-06
10-6
1.E-06
NBS
initial
100s
1000s
5000s
10000s
Vds=0.1V
1.E-08
10-8
1.E-10
initial
100s
1000s
1.E-12
5000s
10000s
1.E-10
10-10
1.E-06
1.E-06
10-6
1.E-12
10-12
Ids(A)
1.E-06
10-6
1.E-04
10-4
1.E-02
NBIS
Vds=0.1V1.E-04
1.E-02
10-2
Ids(A)
Ids(A)
(a)NBIS→NBS
1.E-02
NBIS
Vds=0.1V1.E-04
1.E-04
10-4
1.E-02
10-2
1.E-08
IS
Vds=0.1V
initial
100s
1000s
5000s
10000s
1.E-10
initial
100s
1000s
1.E-12
5000s
10000s
1.E-08
10-8
1.E-08
1.E-08
10-8
1.E-06
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
1.E-06
10-6
Ids(A)
Ids(A)
1.E-14
1.E-14
10-14
10-14
1.E-14
1.E-14
-10
-5
0
5
10
15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
1.E-02
1.E-02
1.E-02
1.E-02
10-2
10-2
NBIS
IS
NBIS
NBS
Vds=10.1V
Vds=10.1V
1.E-04
1.E-04
10-4 Vds=10.1V 1.E-04
10-4 Vds=10.1V 1.E-04
1.E-08
10-10
1.E-10
1.E-10
10-10
1.E-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-12
10-12
1.E-12
1.E-12
1.E-14
10-14
1.E-14
10-14
1.E-14
1.E-14
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
図8.17 (a)NBIS→NBSの伝達特性の変化 (b)NBIS→ISの伝達特性の変化
図 8.10(a)に NBIS 評価後に NBS を行った時の伝達特性の変化を示す。この測定では伝
導帯近傍の捕獲準位から電子を払い出すことを意図していたが、結果からは NBIS 評価後に
NBS に移った時には、伝導帯近傍にアクセプタ型捕獲準位が存在していないと推定される。
NBIS での測定において Vds=10.1V の測定では、伝導帯から深い準位でガウシアン分布をと
るアクセプタ型捕獲準位が生成されたことにより、立ち上がり電圧が正方向に平行シフトしたこと
を示唆している。
図 8.10(b)に NBIS 評価後に IS を行った時の伝達特性の変化を示した。この結果からは、
伝達特性曲線の ON 電流低下は光照射によって伝導帯近傍にアクセプタ型捕獲準位が生成
されることによって発生したと思われる。
これまでの結果から、ITZO-TFT の光信頼性での伝達特性の変化について考察を行った。
今回の伝達特性の変化の特徴は測定順(Vds=0.1V→Vds=10.1V)で現象が異なることと、
照射する波長のフォトンエネルギーが高くなると、負から正方向にシフトしていることである。
140
Vds=0.1V の場合は波長 530nm では 1,000s を越えた時から、波長 460nm では 100s
を越えた時から、伝達特性において ON 電流が大きく低下している。これは 8.4.5 款の結果によ
れば、光照射によって、伝導帯近傍にアクセプタ型の捕獲準位が生成されたことに起因すると
推定される。
Vds=10.1V の場合は波長 530nm では 1,000s を越えた時から、波長 460nm では 100s
を越えた時から、伝達特性の立ち上がりが負から正方向にほとんど平行にシフトしている。これ
は、深い準位でガウシアン分布をとるアクセプタ型捕獲準位が生成されたことに起因すると推定
される。
光 照 射が 1,000s を越えて 、Vds=0.1V の 場合は 伝達特性の ON 電流の 低下、
Vds=10.1V の場合は伝達特性が正方向にシフトする場合の劣化メカニズムについては次の様
に推定した。図 8.18 に推定されるメカニズムを示す。なお、この場合の光照射は 530nm、
460nm といったフォトンエネルギーが高い場合を想定している。

光照射下での負バイアスストレス印加で、アクセプタ型の捕獲準位が伝導帯近傍に形
成される（図 8.18(a)）。

次に、Vds=0.1V での伝達特性の測定で Vgs が正バイアスに印加され、フェルミ準位は
エネルギーが上昇、アクセプタ型の捕獲準位は電子で占有される（図 8.18(b)）。そのた
めに、伝達特性の曲線に変形が発生し、ON 電流が低下する。

Vds=0.1V での伝達特性測定終了後、アクセプタ型の捕獲準位のエネルギーレベルが
フェルミ準位より下に下がって安定化する（図 8.18(c)）。そのために、Vds=10.1V での伝
達特性の測定では立ち上がり伝達が正にシフトして、伝達特性曲線が正方向に平行
に近い形でシフトする。

Vds=10.1V での伝達特性の測定が終了し、再び光照射と負バイアスストレス印加が
行われると、アクセプタ型の捕獲準位は伝導帯近傍にエネルギーレベルを上昇させる（図
8.18(d)）。
低温でオゾンアニールを行った IGZO-TFT において、捕獲準位がフェルミ準位(Ef)より高いエ
ネルギーレベルからフェルミ準位(Ef)以下のエネルギーレベルに緩和することが報告されており 19)、
類似した現象が発生したと推定される。
今回の結果は 8.2 節で述べた劣化メカニズムと大きく異なっている。波長 530nm の場合を例
にとると、Vds=0.1V、10.1V 共に 1,000s まではしきい値電圧は負にシフトしており、S 値
(SS1,SS2)の値の変化が小さいことから、界面に光励起によって生成された正電荷がチャージさ
れることが主体になっていると思われる。しかし、1,000s 以上では生成された伝導帯近傍のアク
セプタ型捕獲準位の影響が強まり、Vds=0.1V では ON 電流の低下、Vds=10.1V では立ち
141
上がり電圧が正方向に平行にシフトしたと推定される。ITZO-TFT の場合はバンドギャップ近
傍の光リーク電流が、ZnO-TFT と比較して低いレベルにあり、光励起によって生成される正電
荷が少ないことも、他の酸化物 TFT と異なり、しきい値電圧の負シフトがほとんど発生しなかっ
たこと原因の一つと思われる。
また、光照射によってなぜ伝導帯近傍にアクセプタ型捕獲準位が生成したのか、そして、その
原因はプロセス条件なのか、もしくは活性層などの材料なのかを解明していくことが今後の課題
である。
(a)光照射
+負ゲートバイアス
(b)Vds=0.1Vの
測定開始直後
Ec
Acceptor-like traps
Ef
(c)Vds=0.1V測定終了後
Vds=10.1V測定前
Ec
(d)測定後再光照射
Ec
Ec
Ef
Ef
Vgs
Ef
hν
hν
Deep traps
Ev
Ev
Ev
Ev
図8.18 推定されるメカニズム(a)光照射下で負ゲートバイアス印加 (b)Vds=0.1Vの時
の伝達特性測定 (c)Vds=10.1Vの時の伝達特性測定時 (d)測定後再光照射
8.5 IGZO-TFT の光信頼性評価
8.5.1 はじめに
前節においては ITZO-TFT の光照射下での信頼性評価における伝達特性の変化に対して、
DOS モデルからの原因の推定を行った。本節においては、ITZO-TFT とほぼ同様なプロセスで
作製した IGZO-TFT の光照射下での信頼性評価(Negative bias illumination stress、
NBIS)を行い、前節の結果との比較を行った。
8.5.2 IGZO-TFT の作製及び基本特性
IGZO-TFT の構成は活性層を ITZO 膜から IGZO 膜に変えただけで図 8.6 において示し
た断面図とほぼ同様である。基本プロセスは 6.5 節とほぼ同様である。4 インチガラス基板上に
142
DC スパッタリング法を用いてゲート電極材料に Cr を 50nm 製膜し、フォトリソグラフィーでパター
ンを形成後、ウェットエッチングで加工を行った。ゲート絶縁膜には、SiOx を PE-CVD 法により
350℃で 150nm 製膜した。活性層の製膜条件は、DC スパッタリング装置を用い、ガス流量は
Ar/O2=29.4/0.6sccm、製膜圧力は 1.0Pa で 45nm 製膜した。フォトリソグラフィーによるアイラ
ンド形成を行い、その後にエッチストッパーとして SiOx を PE-CVD 法により 200nm 製膜を行っ
た。SiOx 膜を形成後、ドライエッチングにより IGZO とソース・ドレイン電極とをコンタクトさせるた
めのコンタクトホールを形成した。ソース・ドレイン電極は Indium Tin Oxide(ITO)を用い、
ITO 製膜後にドライエッチングで電極パターニングを行った。最後に PE-CVD 法で保護膜（オー
バーコート）である SiOx 製膜し、測定用のコンタクトホールを形成した。TFT 完成後に N2 雰囲
気下で 350℃1 時間のアニールを行った。チャネル長(L)が 20μm、チャネル幅(W)は 50μm で
ある。
図 8.19 に作製した IGZO-TFT の伝達特性を示す。Vds=20.1V の時の移動度μは
16.6cm2/Vs、S 値は 0.40V/dec となっている
1.0E-02
10-2
Vds=0.1V
Vds=20.1V
1.0E-04
10-4
Ids(A)
1.0E-06
10-6
1.0E-08
10-8
10-10
1.0E-10
10-12
1.0E-12
10-14
1.0E-14
-10
-5
0
5
10
Vgs(V)
15
図8.19 IGZO-TFTの伝達特性
143
20
8.5.3. IGZO-TFT の光信頼性結果
次に、ITZO-TFT と同様に光照射有無ならびに照射波長の影響を考慮した信頼性評価を
行った。図 8.20 に信頼性評価の手順を示す。ゲート電圧 Vgs= -20V、Vds=0V として、室温
で積算 10,000 秒のストレスを印加した。ゲート電圧ストレス印加時にそれぞれ異なる波長(λ=
460, 530, 630nm)の光を照射した。伝達特性は光照射下のストレス印加を中断し、暗状態
にて Vds=0.1V を、次に Vds=10.1V という順番で、Vgs=-10〜20V の範囲において測定し、
その特性変化を評価した。
初期
測定
NBIS
10000秒までの繰り返し
ストレス
印加
最後
測定
測定
暗状態
光照射
暗状態
暗状態
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vgs= -20V
印加
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vds=0.1V
Vgs= -10~20V
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
Time counts
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
Vds=10.1V
Vgs= -10~20V
照射波長 λ=460,530,630nm
図8.20 IGZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の流れ
図 8.21 に IGZO-TFT の光信頼性(Negative bias illumination stress、NBIS)の結
果を示す。暗状態 (Dark)で測定した伝達特性の変化も示している（図 8.21(a)、(e)）。
Dark の場合は Vds=0.1V、Vds=10.1V 共にしきい値電圧のシフトは少ない。光照射の波長
が 630nm ではしきい値電圧の負シフトが発生し、530nm では負シフトの傾向が小さくなってい
る。460nm の時に Vds=0.1V では伝達特性曲線に ON 電流が低下する形での変形が、
Vds=10.1V では正方向に立ち上がり電圧がシフトしており、ITZO-TFT と同様な現象が生じ
ている。
144
1.E-02
1.E-02
10-2
1.E-02
1.E-02
10-6
1.E-06
1.E-06
1.E-06
1.E-06
Ids(A)
10-8
1.E-08
1.E-08
10-10
1.E-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-12
Ids(A)
(c) Vds=0.1V
530nm
1.E-04
Ids(A)
(b) Vds=0.1V
630nm
1.E-04
Ids(A)
Ids(A)
1.E-04
10-4
(a)Vds=0.1V
Dark
1.E-04
1.E-08
initial
100s
1.E-10
1000s
5000s
1.E-12
10000s
(d) Vds=0.1V
460nm
1.E-08
1.E-10
1.E-12
10-14
1.E-14
1.E-14
1.E-14
1.E-14
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20-10 -5 0 5 10 15 20-10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
-2
1.E-02
1.E-02
1.E-02
1.E-02
10
1.E-04
Dark
1.E-08
10-10
1.E-10
1.E-10
10-12
1.E-12
1.E-12
10-14
1.E-14
(g) Vds=10.1V
1.E-04
530nm
1.E-08
initial
100s
1.E-10
1000s
5000s
10000s
1.E-12
(h) Vds=10.1V
460nm
1.E-06
1.E-06
Ids(A)
1.E-08
10-8
1.E-04
630nm
1.E-06
Ids(A)
Ids(A)
Ids(A)
1.E-06
10-6
(f) Vds=10.1V
Ids(A)
(e) Vds=10.1V
1.E-04
10-4
1.E-08
1.E-10
1.E-12
1.E-14
1.E-14
1.E-14
-10 -5 0 5 10 15 20-10 -5 0 5 10 15 20-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
Vgs(V)
図8.21 IGZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
次に TFT パラメータ変化の時間依存性を調べた。光照射波長が 460nm、Vds=0.1V の場
合は Ids=100pA 前後から伝達特性が変化しているために、パラメータを前節と同じく、次の様
に定義した。しきい値電圧を 2 種類とし、Vg1 として Ids=10pA の Vgs の値を、Vg2 として
Ids=1nA の値を定義した。さらに S 値は、SS1 は 1〜10pA の値、SS2 は 1〜10nA の値で
それぞれ計算した。図 8.22 に移動度μ変化率、図 8.23 に S 値(SS1,SS2)の変化を、図
8.24 にしきい値電圧の変化(ΔVg1,ΔVg2)を示す。
145
Vds=0.1V
Dark
530nm
1.8
630nm
460nm
1.4
1.0
(b)
Vds=10.1V
Dark
630nm
530nm
460nm
1.0
0.6
0.6
0.2
100
101
102
103
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
Stress time(s)
0.2
100
101
102
103 1.E+04
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Stress time(s)
図8.22 IGZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
移動度μ変化率 (a)Vds=0.1V、(b)Vds=10.1V
3.0
2.0
1.5
Dark
530nm
630nm
460nm
3.0
2.5
(b) Vds=0.1V
Dark
530nm
630nm
460nm
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
3.51.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 3.51.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04
(c) Vds=10.1V
(d) Vds=10.1V
Stress time(s)
Stress time(s)
3.0
3.0
Dark
630nm
Dark
630nm
2.5
2.5
530nm
460nm
530nm
460nm
2.0
1.5
SS2(V/dec.)
SS1(V/dec.)
2.5
3.5
(a) Vds=0.1V
SS2(V/dec.)
3.5
SS1(V/dec.)
μ変化率
1.4
(a)
μ変化率
1.8
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
100
101
102
103 1.E+04
104
100
101
102
103 1.E+04
104
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Stress time(s)
Stress time(s)
図8.23 IGZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
S値(SS1、SS2）の変化 (a)(b)Vds=0.1V、(c)(d)Vds=10.1V
146
Vds=0.1V
Dark
530nm
630nm
460nm
ΔVg2@1nA
ΔVg1@10pA
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
(a)
1
10
(c)
100
1000
Stress time(s)
Vds=10.1V
Dark
630nm
530nm
460nm
10000
1
1010
104
10000
ΔVg2@1nA
ΔVg1@10pA
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
1010
2
10
103
100
1000
Stress time(s)
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
(b) Vds=0.1V
Dark
530nm
1
630nm
460nm
100
1000
Stress time(s)
(d) Vds=10.1V
Dark
630nm
530nm
460nm
10
10
10
10
101
102
103
100
1000
Stress time(s)
10000
104
10000
図8.24 IGZO-TFTの光信頼性評価(NBIS)の結果(Vgs=-20V)
しきい値電圧の変化(ΔVg1、ΔVg2） (a)(b)Vds=0.1V、(c)(d)Vds=10.1V
まず、Vds=0.1V の場合の伝達特性変化について述べる。図 8.22 によれば、波長 460nm の
場合には移動度μ変化率は 1,000s を越えた時から、大きく低下していく傾向にあるが、その他
の波長では移動度μの変化率は小さい。図 8.23 では波長 460nm の場合のみ、SS1 は
3000s を越えた時から、SS2 は 100s を越えた時から値が大きくなり、劣化傾向が見られる。こ
れは、捕獲準位（欠陥準位）が形成されたことを示唆している。図 8.24 に示したしきい値電圧
の変化は、ΔVg1 とΔVg2 共に波長 630nm では負の方向にシフトしており、これが 530nm で
は負シフトの変化が小さくなっている。波長 460nm ではΔVg1 では 1,000s を越えた時から負か
ら正方向に、ΔVg2 では 500s を越えた時から正方向に大きくシフトしている。
次に、Vds=10.1V の場合の伝達特性変化について述べる。図 8.22 より、波長 460nm の
場合には移動度μ変化率は 3,000s を越えた時から大きく低下していく傾向にある。その他の
波長では、移動度μの変化率は小さい。図 8.23 では SS1、SS2 共に大きな変化はしていな
い。これは、Vds=10.1V の伝達特性の立ち上がりがチャージトラップ（電荷捕獲）起因によって
147
平行に負または正にシフトしていることを示唆している。図 8.24 に示したしきい値電圧の変化は、
ΔVg1 とΔVg2 共に波長 630nm では負の方向にシフトしており、これが 530nm では負シフトの
変化が小さくなっており、また 1000s を越えるとほぼ一定である。波長 460nm の場合では、しき
い値電圧シフトのΔVg1 とΔVg2 は 460nm では 100s を越えたときから正方向にシフトしている。
これらの結果から、伝達特性変化の劣化メカニズムを推定する。
Vds=0.1V の場合は、波長 460nm においては伝達特性曲線が変形し、ON 電流が低下し
ている。この場合のメカニズムは図 8.18 に示した劣化メカニズムと同様に、光照射によりアクセプ
タ型の捕獲準位が生成したと推定される。
Vds=10.1V の場合は、しきい値電圧が正にシフトしている。この場合のメカニズムは図 8.18
に示したメカニズムと同様、Vds=10.1V の測定の際にはアクセプタ型の捕獲準位のエネルギー
レベルがフェルミ準位より下に安定化することにより発生すると推定される。
波長 530nm の場合は、Vds=0.1V、10.1V 共に波長 630nm と比較して変化は小さいが、
しきい値電圧が負にシフトしている。これは、波長 530nm の光照射下では 460nm の場合と
異なり、伝導帯近傍に生成されるアクセプタ型捕獲準位による影響が小さく、図 8.5 で示した
電子トラップ（捕獲準位）と推定される酸素欠損(Vo)の影響により、負シフトしていると思われる。
波長が 630nm から 530nm、460nm とフォトンエネルギーが高くなるとサブギャップ準位である
酸素欠損(Vo)の影響よりも 1000s 以上の長いスパンでの光照射で発生したアクセプタ型捕獲
準位の影響が大きくなり、Vds=0.1V では伝達特性曲線が変形して ON 電流が低下し、
Vds=10.1V では伝達特性曲線が平行に負方向から正方向にしていると思われる。
現在までの IGZO-TFT の光信頼性(Negative bias illumination stress、NBIS)の報
告では、8.2 節で述べたように光励起により発生した正電荷がゲート絶縁膜との界面で捕獲（ト
ラップ）されることにより、負の方向に伝達特性が平行に移動することが知られている。今回の結
果では図 8.18 で示したようにフォトンエネルギーが高い、波長が 460nm での光照射が 1,000s
以上になると伝導帯近傍にアクセプタ型の捕獲準位が生成し、また一定時間後にアクセプタ型
の捕獲準位のエネルギーレベルがフェルミ準位より下に安定化し、また光照射後にエネルギーレ
ベルがフェルミ準位より上になると推定される。この現象は現在までは報告されておらず、前節の
ITZO-TFT でも同様な現象が発生しているために活性層材料の影響は小さくプロセス条件が
主な原因であると推定される。今後の課題としては、ITZO-TFT と IGZO-TFT の両方で発生
した伝達特性変化の原因を探るために、プロセス条件をより検討する必要がある。
148
8.6 まとめ
第 8 章をまとめると以下のようになる。
本章では酸化物 TFT の可視光照射時の信頼性について検討を行った。まず、非晶質シリ
コン TFT における信頼性劣化メカニズム（伝達特性のしきい値シフト）に触れ、酸化物 TFT に
おいても、非晶質シリコン TFT の劣化メカニズムをベースに検討されていることを述べた。
次に ZnO-TFT の光リーク電流と光信頼性の評価を行い、その関連性について検討した。
光照射下での負ゲートバイアス印加での伝達特性は光エネルギーが大きくなるとしきい値電圧
の負シフトが増大する傾向であり、光リーク電流の結果と一致している。このメカニズムは第 7 章
でも述べた価電子帯近傍の電子トラップ（捕獲準位）が関与している。トラップから発生した電
荷がドリフトにより、界面にチャージされてしきい値電圧が負シフトしていくことを述べた。
また、移動度が高いと期待されている ITZO-TFT の光信頼性の評価を行い、伝達特性の特
性曲線の変化について検討を行った。伝達特性の変化に対して、DOS モデルをベースとしたデ
バイスシミュレーションを用いて、フォトンエネルギーが高い波長を長時間照射することにより生成
したアクセプタ型捕獲準位が原因であることを述べた。さらに、IGZO-TFT においても光信頼性
評価を行い、伝達特性の変化についてフォトンエネルギーが高い場合は ITZO-TFT と同様な
変化が発生しているために活性層材料の影響は小さく、プロセス条件が主な原因であり、今後
検討する必要があることを述べた。
参考文献
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14) E. Fukumoto, T. Arai, N. Morosawa, K. Tokunaga, Y. Terai, T. Fujimori and T.
Sasaoka: J. Soc. Inf. Display. 19(2011)867.
15) 薄膜材料デバイス研究会編：薄膜トランジスタ（コロナ社,2008）
16) E. N. Cho, J. H. Kang, C.E.Kim, P. Moon, I.Yun : IEEE Trans. Device and
Materials Reliability. 11 (2011) 112.
17) J.Jeong, Y.Hong : IEEE Trans, Electron Devices. 59(2012)710
18) H.-H. Hsieh, T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, and C.-C. Wu : Appl. Phys.
Lett. 92 (2008) 133503.
19) K. Ide, Y. Kikuchi1, K. Nomura, M. Kimura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl.
Phys. Lett. 99(2011)093507.
150
第9章
結論
9.1 はじめに
本章では、本研究の総括を行い、得られた知見をまとめる。
CIGS 薄膜太陽電池は薄膜系太陽電池の中では最も変換効率が高く、長期信頼性の実
証もされていることから、次世代太陽電池の有力候補となっている。CIGS 薄膜太陽電池の事
業化拡大には CIGS 薄膜の高品質化による高効率化と CdS フリーバッファ層の開発が求めら
れている。本研究は CIGS 薄膜太陽電池の高効率化に求められる CIGS 薄膜の再結合低
減を支える欠陥評価技術と、Cd フリーバッファ層を用いた pn 接合の高品質化に指針を与える
ために界面における再結合欠陥の評価技術に関して、光学的な方法を用いて取り組みを行い、
多くの知見を得た。
酸化物 TFT は、移動度が高いことやチャネルコンダクタンスが高くて OFF 電流が低いために
低消費電力ディスプレイの実現が期待できるために次世代ディスプレイに対応可能であり、さら
にワイドバンドギャップ半導体であるために透明デバイスへの応用にも注目集める技術である。し
かし、酸化物半導体は非晶質あるいは微結晶構造を有し、構造乱れや真性欠陥に起因する
欠陥準位(サブギャップ準位)をバンドギャップ内に有している。本研究では、そのために可視光の
分光照射による TFT の光リーク電流や信頼性の評価によってサブギャップ準位が電気特性・信
頼性に与える影響を明らかにし、また欠陥制御手法を検討も行い、次世代ディスプレイ応用へ
の課題解決に対して知見を得た。以下に、その内容を簡単にまとめる。
9.2 本研究で得られた知見
第 2 章では、CIS 系薄膜の結晶構造や格子欠陥等の基礎物性、太陽電池のデバイス構造
と動作原理、太陽電池の特性パラメータについて述べた。CuInSe2(CIS)はⅠ-Ⅲ-Ⅵ2 族化合
物半導体であり、化学結合論的にはⅡ-Ⅵ族化合物半導体の延長上にあると考えられている。
結晶構造はⅡ-Ⅵ族化合物半導体の閃亜鉛紘型構造を基本とするカルコパイライト（黄銅紘）
型構造をとる。Cu(In,Ga)Se2(CIGS)は CuInSe2 と CuGaSe2 との混晶半導体であり、禁制
帯幅 Eｇを 1.04eV から 2.43eV まで制御することができ、禁制帯幅が 1.10～1.20eV で最も
151
高い変換効率が実現されている。CIS 系の特徴の 1 つは pn 制御が Cu/In 比によって可能な
ことであり、固有欠陥を利用し、通常 p 形となる Cu/In 比の領域で太陽電池を作製する。
さらに CIGS 薄膜の形成法として、高効率が可能な 3 段階法について述べた。この方法はま
ず第 1 段階として In-Ga-Se 膜を同時蒸着により形成し、第 2 段階として、基板温度を上昇さ
せながら Cu、Se を蒸着して Cu 過剰の CIGS 膜が形成する。第 3 段階として、再び In、Ga、
Se を蒸着して最終的にわずかに In、Ga 過剰の CIGS 膜を形成する。この方法では、Cu 過
剰時に形成された結晶粒の完全性が高いため、最終的に高品質の膜が得られる。
第 3 章ではまず、CIGS 薄膜太陽電池の高効率に向けて、高効率化を阻む損出原因のメカ
ニズムについて述べた。さらに、高効率化の研究開発を支える評価は電圧や曲線因子の損出
原因であるキャリア再結合を、バルクや空乏層および接合界面で定量的に評価できる技術とし
て確立することが重要であることを述べた。
低温(77K)の CIGS 膜の時間分解 PL による評価では、CIGS 膜の SEM や組成分析結
果などからではデバイス化した場合の太陽電池の優劣が予測できない場合でも、時間分解 PL
法による PL 寿命を測定することによって、CIGS 膜を形成した段階で、高変換効率の太陽電
池の作製が可能な CIGS 膜を選別することが可能であることを見出した。さらに 77K において、
発光準位（測定エネルギー）によるライフタイムと太陽電池特性の相関について検討を行い、ド
ナーアクセプタペア（DA ペア）発光準位で測定した PL 寿命τ1 は変換効率 Eff と開放端電圧
Voc に相関があることを示した。また、室温においても同様に相関があることを示した。
最後に低温(77K)と室温において、セル化した場合の変換効率が高い試料と低い試料での
PL 寿命の測定エネルギー依存性の検討を行った。低温(77K)では PL 寿命の測定エネルギー
依存性は、In と Ga の組成揺らぎに伴いバンドギャップの極小が発生し、その場所にキャリアが
局在化するために発生すると考えられることを述べた。室温では高効率試料にのみ測定エネル
ギー依存性が観測されたが、この原因としては非発光再結合中心（欠陥）が少ないため再結
合の確率が低く、低エネルギー側の再結合速度が長くなるためと推定されることを述べた。
第 4 章ではまず、CIGS 表面層を改質し Se を S に置換（硫化）した場合の PL 寿命を測定
し、表面硫化によるキャリアの再結合の影響を調べた。測定した as-grown と表面硫化した試
料の PL 寿命から、S を含有する溶液による硫化は表面再結合を低減し、PL 寿命の向上に
効果があることがわかった。CIGS より価電子帯レベルが低い Cu（In,Ga）S2 層が形成され、正
孔（ホール）に対する障壁（ホールバリア）の効果により、励起されたキャリアが表面再結合せずに
輻射再結合で発光する割合が増えたこと示している。
太陽電池セルの結果から、CIGS 表面層を硫化することで特性が向上していることが確認さ
れた。これは CIGS の表面を改質することで CIGS/CdS のヘテロ界面での再結合が抑制され
152
たためと考えられる。
さらに、Cd フリーバッファ層として Zn1-xMgxO 膜を用いて、Zn1-xMgxO/CIGS 界面の形成に
よるダメージとアニールによる回復を紫外光励起による時間分解 PL の PL 寿命測定によって評
価を行った。Zn1-xMgxO/CIGS 界面は形成時にはダメージによる影響で CIGS 膜とほぼ同じ
程度 PL 寿命しかないが、250℃程度のアニールを行うことにより、CdS/CIGS 界面と近い、PL
寿命まで回復する。これは Zn1-xMgxO 膜形成時のスパッタリング等によるダメージがアニールに
よって回復し、非発光再結合中心（界面欠陥）が低減したことを示している。また、この結果は
太陽電池形成後のアニールによるセル特性の結果と一致している。
さらに、紫外光励起による時間分解 PL はセル化によるデバイス評価まで行うことなく、バッファ
層の CIGS 膜との界面の表面再結合の評価に有効な方法であることがわかった。
第 5 章では、深いエネルギー準位(Deep Level)での活性化エネルギーや欠陥密度分布の評
価方法を確立す ることを目的として 、 DLTS 法より装置 構成が簡易的な ア ドミッ タン ス
(Admittance Spectroscopy, AS)法を CIGS 薄膜太陽電池の評価に適用した結果につい
て述べた。LCR メータを活用して従来の DLTS 法より簡易的に空乏層（pn 接合）における再
結合欠陥の活性化エネルギーと欠陥密度の評価を行い、CIGS 薄膜太陽電池の活性化エネ
ルギーとして、EA=82.5meV と EA=136meV の欠陥準位を測定し、従来の研究結果と近いこ
とを確認した。
第 6 章では、まず、TFT の構造と動作原理及び特性評価方法について述べた。構造ではト
ップゲート構造とボトムゲート構造について、ZnO を用いた場合の利点について述べた。特性評
価方法については、酸化物 TFT の動作を適切に表現するには従来の MOSFET のモデルを
用いた解析では不適切であり、酸化物 TFT は特異な特性を示すことから、しきい値電圧を議
論する際には、特定な電流値における Vgs の値として定義することとした。酸化亜鉛系半導体
の物性に関しては、ZnO の欠陥形成について、第一原理計算を用いた理論計算結果から電
気特性の制御には欠陥制御が非常に重要であることを述べた。最後に、ZnO を代表とする酸
化物半導体の特徴と ZnO-TFT の作製方法を述べた。
第 7 章では、ZnO 薄膜中のサブギャップ準位が TFT 特性ならびに可視光照射時の光リーク
電流に与える影響に関して検討した。ZnO スパッタ時の酸素分圧を減少することで、伝導帯近
傍にドナー欠陥および価電子帯近傍に電子トラップが形成されることを示した。これらドナー欠
陥や電子トラップの形成には ZnO 膜中に存在するスパッタガス由来の酸素が大きく影響してい
ることを示した。また、これら伝導帯近傍のドナー欠陥準位密度は暗状態の TFT 特性、特にサ
ブスレッショルド特性に影響を与えること、価電子帯近傍の電子トラップは光リーク電流に影響を
与えることを明らかにした。
153
さらに、可視光照射時の光リーク電流の測定は、ゲート電圧によりフェルミレベルを変調できる
範囲すなわち伝導帯近傍の欠陥準位のみの評価から、深い準位や価電子帯近傍の欠陥準
位の評価が可能であることを示した。
第 8 章では、酸化物 TFT の可視光照射時の信頼性について検討を行った。まず、非晶質シ
リコン TFT における信頼性劣化メカニズム（伝達特性のしきい値シフト）に触れ、酸化物 TFT
でもこのメカニズムをベースに検討されていることを述べた。
次に ZnO-TFT の光リーク電流と光信頼性の評価を行い、その関連性について検討した。
光照射下での負ゲートバイアス印加での伝達特性は光エネルギーが大きくなるとしきい値電圧
の負シフトが増大する傾向であり、光リーク電流の結果と一致している。このメカニズムは第 7 章
でも述べた価電子帯近傍のトラップが関与している。トラップから発生した電荷がドリフトにより、
界面にチャージされてしきい値電圧の負シフトしていることを述べた。
また、移動度が高いと期待されている ITZO-TFT の光信頼性の評価を行い、伝達特性の
特性曲線の変化について検討を行った。伝達特性の変化に対して、DOS モデルをベースとした
デバイスシミュレーションを用いて、フォトンエネルギーが高い波長を長時間照射することにより、
生成したアクセプタ型捕獲準位が起因していることを述べた。さらに、IGZO-TFT においても光
信頼性評価を行い、伝達特性の変化についてフォトンエネルギーが高い場合は ITZO-TFT と
同様な変化が発生しているために活性層材料の影響は小さく、プロセス条件が主な原因であり、
今後検討する必要があること述べた。
9.3 今後の展望
CIGS 薄膜太陽電池は太陽電池の大量普及に必要な「高効率」「低コスト」「劣化しない」
の 3 条件を満たしている。今回確立した CIGS 薄膜及び CIGS 薄膜とバッファ層で形成された
pn 接合界面の再結合欠陥を時間分解 PL で評価する技術は、デバイス化（セル化）せずとも
プロセスへのフィードバック可能なために、CIGS 薄膜の高品質化による太陽電池の特性向上と
バッファ層の Cd フリー化の開発をさらに加速することに貢献できる技術である。
また、酸化物 TFT は優れた電気特性と可視透明性に加えて、大面積化に対応できる既存
の量産装置との適合性も高い。本研究で対象とした光照射による酸化物 TFT の光リーク電
流と光信頼性の評価技術により、通常の TFT 特性では評価することができなかった、深い準
位や価電子帯近傍の欠陥準位の情報を得ることが可能になった。また、酸素に起因する製膜
条件を制御することにより、深い準位や価電子帯近傍欠陥が制御できることがわかった。今回
154
の結果により、酸化物 TFT の応用が現在よりも移動度が高く、また安定性が求められる高精
細液晶ディスプレイ(LCD)や有機 EL ディスプレイ(OLED)、フレキシブルディスプレイなどの次世
代ディスプレイに対してさらに進むと思われる。
155
業績一覧
学術論文
1) S.Shimakawa, K.Kitani, S.Hayashi, T.Satoh, Y.Hashimoto, Y.Takahashi and
T.Negami,
“Characterization
of
Cu(In,Ga)Se2
thin
films
by
time-resolved
photoluminescence”,Physica staues solidi(a),203,No.11(2006)pp. 2630-2633
2) S.Shimakawa, Y.Hashimoto, S.Hayashi, T.Satoh and T.Negami,
“Annealing effects on Zn1-xMgxO/CIGS interface characterized by ultraviolet
light exited time resolved photoluminescence”, Solar Energy Materials &
Solar cells ., 92(2008)pp. 1086-1090
3) S.Shimakawa, Y.Kamada, T.Kawaharamura, D.Wang, C.Li,
S.Fujita,
T.Hirao, and M.Furuta,
“ Photo-leakage current of TFTs with ZnO channels formed at various
oxygen partial pressures under visible light irradiation”,Japanese Journal
of Applied Physics., 51(2012)03CB04
4) S.Shimakawa, D.Wang, and M.Furuta,
” Photo Induced Negative Bias Instability of Zinc Oxide Thin-Film
Transistors” ,Japanese Journal of Applied Physics., 51(2012)108003.
学会発表
1) S.Shimakawa, K.Kitani, S.Hayashi, T.Satoh, Y.Hashimoto, Y.Takahashi and
T.Negami,
“Characterization of Cu(In,Ga)Se2 thin films by time-resolved
photoluminescence” ,15th International Conference Ternary and
Multinary Compounds.(2006.3)(Kyoto, Japan) [Poster presentation]
156
2) S.Shimakawa, Y.Kamada, T.Kawaharamura, D.Wang, C.Li, S.Fujita,
T.Hirao, and M.Furuta,
“Photo-Leakage Current and Hysteresis of the ZnO TFTs under Visible
Light Irradiation” ,18th international Workshop on Active-Matrix Flatpanel
Displays and Devices, (2011) (Kyoto, Japan) [Oral presentation]
3) S.Shimakawa, D.Wang, and M.Furuta,
“Photo-induced Bias Instability of Zinc Oxide Thin-Film Transistors”,8th
International Thin-Film Transistor Conference (Lisbon, Portugal, from 30 to
31 January 2012) [Poster presentation]
共著論文
1) T.Negami, T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Nishiwaki, S.Shimakawa and
S.Hayashi,
”Large-area CIGS absorbers prepared by physical vapor deposition”, Solar
Energy Materials and Solar Cells, 67(2001)pp. 1-9
2) T.Satoh, S.Hayashi, S.Nishiwaki, S.Shimakawa, Y.Hashimoto, T.Negami
and T.Uenoyama,
”Fabrication of Cu(In,Ga)Se2 by in-line evaporation composition
monitoring method using heat radiation” ,Solar Energy Materials and Solar
Cells, 67(2001)pp. 203-207
3) S.Nishiwaki, T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Shimakawa, S.Hayashi, T.Negami
and T.Wada,
”Preparation of Cu(In,Ga)Se2 thin films from Cu-Se/In-Ga-Se precursors for
high-efficiency solar cells” ,Solar Energy Materials and Solar Cells,
67(2001)pp. 217-223
4) T.Negami, T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Shimakawa, S.Hayashi, M.Muro,
H.Inoue and M.Kitagawa,
”Production technology for CIGS thin film solar cells” Thin Solid Films.,
403-404(2002)pp. 197-203
157
5) S.Nishiwaki, T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Shimakawa, S.Hayashi, T.Negami
and T.Wada,
”Preparation of Zn doped Cu(In,Ga)Se2 thin films by physical vapor
deposition for solar cells”, Solar Energy Materials and Solar Cells,
77(2003)pp. 65-71
6) T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Shimakawa, S.Hayashi and T.Negami,
“Cu(In,Ga)Se2 solar cells on stainless steel substrates covered with
insulating layers”, Solar Energy Materials and Solar Cells., 75(2003)pp.
65-71
7) T.Satoh, Y.Hashimoto, S.Shimakawa and T.Negami,
”Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells on Flexible Stainless-Steel Foils”, Solid State
Phenomena, 93(Polycrystalline Semiconductors Ⅶ)(2003)pp. 127-132
8) Y. Kamada, M. Furuta, T. Hiramatsu, T. Kawaharamura, D. Wang,
S.Shimakawa, C. Li, S. Fujitaa, and T. Hirao,
“Study on oxygen source and its effect on film properties of ZnO deposited by
radio frequency magnetron sputtering”, Applied Surface Science,258, Issue
2,(2011)pp 695-699
9) M. Furuta, Y. Kamada, M. Kimura, S.Shimakawa,T. Kawaharamura,
D.Wang, C. Li, S. Fujita, and T. Hirao,
“Photocurrent and Persistent Photoconductivity in Zinc Oxide Thin-Film
Transistors under UV-light Irradiation”, Japanese Journal of Applied
Physics., 50 (2011) 110204
158
謝辞
本研究は筆者がパナソニック株式会社本社 R＆D 部門に在籍時の 1998 年〜2006 年の
間に行った CIGS 薄膜太陽電池の研究開発と、2011 年 4 月から 2013 年 3 月の博士後期
課程在学中に行った酸化物薄膜トランジスタの研究をまとめたものです。多くの方々の御指導、
御協力を賜りました。ここに深く感謝致します。
本研究の遂行にあたり、高知工科大学環理工学群 古田守教授には終始懇切丁寧な御
指導、御鞭撻を賜りましたこと、謹んで感謝申し上げます。また、本論文をまとめるにあたり、有
益なご助言をいただきました高知工科大学システム工学群 八田章光教授、眞田克教授、
古田寛準教授ならびに同環境理工学群百田佐多生准教授に深く感謝致します。
CIGS 薄膜のフォトルミネッセンスに関しましては、山口大学工学部 田口常正教授ならびに
山田陽一教授に御指導を賜りました。ここに深く感謝致します。
CIGS 薄膜太陽電池、特に CIGS 薄膜の製膜プロセスに関しましては、龍谷大学理工学部
和田隆博教授にご指導を賜りました。ここに深く感謝致します。
また、高知工科大学 平尾孝名誉教授には、先生がパナソニック株式会社在籍時に CIGS
薄膜太陽電池のプロジェクトに関わっておられた縁もあり、終始暖かい励ましをいただきました。こ
こに深く感謝致します。
龍谷大学理工学部 木村睦教授には C-V 測定を用いた解析に関してご協力をいただきまし
た。深く感謝致します。
CIGS 薄膜太陽電池の研究は、パナソニック株式会社本社 R＆D 部門で行ったものであり、
本研究の機会を与えていただきました、デバイス担当役員上野山雄博士、元先端技術研究
所所長 山崎攻博士、元先行デバイス開発センター所長 竹中信之博士、元先行デバイス
開発センターグループマネジャー 橋本伸博士に厚く感謝致します。
また、CIGS 薄膜太陽電池の研究を進めるにあたり上司として御指導をいただきました、元先
行デバイス開発センターチームリーダー 根上卓之博士に深く感謝いたします。さらに元先行デ
バイス開発センター知財担当主幹技師 高橋康仁博士には化合物半導体の物性について御
指導いただきました。ここに深く感謝致します。
CIGS 薄膜太陽電池の研究開発プロジェクトにおいて御協力いただきました、パナソニック株
159
式会社先行デバイス開発センター 林茂生氏、橋本泰宏博士、佐藤琢也博士、同生産技
術研究所 東田隆亮氏、室真弘氏、井上浩伸氏、安本浩文氏（所属は 2006 年プロジェクト
終了時点）、木谷王彦氏（現：ソニー㈱）を始めとする関係各位に厚く感謝致します。
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社、西田亨社長、坪香智昭顧問、西村和行グループマ
ネジャー、笠井勉チームリーダー、今井宏主幹技師、吉本政仁主幹技師、米倉ユニットリーダ
ー、同品質保証グループ グループマネジャー 秋山浩二博士、及びパナソニック株式会社
AVC ネットワーク社 OLED 事業推進室開発グループ 竹澤浩義グループマネジャーには本研
究の遂行と本論文をまとめるにあたり、多大なる御理解をいただきました。関係各位に厚く感謝
致します。
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社、元第二設計部主管 小関秀夫博士には薄膜トラン
ジスタの基礎をついて御指導いただきました。ここに深く感謝致します。
高知工科大学ナノテクノロジー研究所 川原村敏幸講師には、大学での研究生活を進める
にあたり、有益な助言やサポートをいただき、深く感謝します。高知工科大学ナノテクノロジー研
究所、王大鵬助教にはサンプル作製から測定まで研究活動全般のサポートをいただきました。
厚く感謝します。同古田研究室博士前期課程の戸田達也さん、同博士後期課程の Jiang
Jingxin さんには、実験やシミュレーションのサポートをいただき、厚く感謝します。
高知工科大学ナノテクノロジー研究所 新田紀子講師には、いつも暖かい励ましをいただきま
した。厚く感謝致します。
高知工科大学環境理工学群事務室 種田眞由理さん、同研究支援部西山右貴子さんに
は高知での研究生活を事務面からサポートしていただきました。ご協力に感謝します。
CIGS 薄膜太陽電池の研究開発は新エネルギー・産業技術開発機構のプロジェクトとして進
められたものであり、関係各位に感謝致します。
最後に本研究を遂行するにあたり、常日頃より私を励まし支えてくれた両親と妻波子、長女
真季子に感謝します。
160

プログラム - キヤノングローバル戦略研究所

1 フランスのシンクタンク Institut français des relations internationales

1 【第 4 回】 2013 年 12 月 25 日ダイヤモンドオンライン掲載 これが世界

原子力問題を総合的に解決する事業環境整備法策定を

第14回PAC政策シミュレーション「邦人保護と危機管理」

農業復興のための土地利用計画の策定と農業特区の活用

開催日時：2012 年 3 月 16 日（金）14:00〜17:15 開催場所：東京ビック

Mouselab による進化ゲーム的環境における繰り返し囚人のジレンマの研究

企業はなぜ農地を取得できないのか？

車載対応 TFT 液晶ディスプレイTV LC-10RV1