技術ロードマップ・技術トレンド 生産開始時期 半導体業界は、回路線幅の微細化 を実現するリソグラフィ分野をロード マップで定めており、将来の目標達 成のために、克服すべき課題を示 しています。それにあわせてレジス ト材料を開発していきます。 Flash hp 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 107nm 65nm世代 90nm 76nm 45nm世代 64nm 57nm 51nm 32nm世代 45nm 40nm 36nm 22nm世代 32nm 28nm KrF ArF Dry ArF 液浸(純水) 二重露光 ArF 液浸(高屈折率液体) EUV # of metal levels (Logic) i-line (365nm) Dielectric film (1990) k-constant Conductor (Memory) 2007年度は45nm世代が始まり、露光 技術がArFドライ露光から液浸露光へ シフトしています。22nm世代以降の露 光技術としては、有力候補であるダブ ルパターニング (二重露光)を用いた ArF液浸露光があります。今回の発表 はこの方法で使用するフリージング材 についてです。 10 11 CVD-Low-k 2.9 12 Next generation Low-k KrF (248nm) 2.4 Aluminum 13 2.1 (1995) Cu Cu Conductor (Logic) 200nm ArF (193nm) (2003) 70nm 500nm ArF 液浸 (2007) ダブルパターニング (二重露光) (2009) Same Scale 28nm 45nm
© Copyright 2024 Paperzz