高温逆バイアス試験装置

高温逆バイアス試験装置
パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温、
高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測
定評価します。
IGBT 、パワー MOSFETを中心としたパワー半導体
の G 端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス
電圧としてC−E 、D−S 間に数 100 ∼ 3000Vを印加、
Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングしま
す。ロギングデータは CSV 形式のファイルに保存し経
時変化を評価できます。
高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温に
よる加速をおこないます。そのため 350℃の高温下で
試験に対応できる独自開発のセラミック材料や、
コンタク
トピン材料を使用した耐熱ソケット冶具をご用意してい
ます。また、冶具部分にて電圧印加を順方向に変えることも
高温逆バイアス試験装置
でき逆バイアス試験とバイアス試験の 2 種類の試験が
行えます。高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適し
たさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半
導体評価専用チャンバーを用意しています。
高温逆バイアス試験では、高電圧、高温度をストレスと
するためデバイス保護、作業者の安全にも留意し、
さら
にユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします。
この装置は IGBT 、パワー MOSFET 、ダイオードに限
らず、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使
いいただけます。
内槽
システムブロック図
ラック
チャンバー
TEG ボード
電流測定回路
保護ヒューズ
C
直流電源装置
0V∼＋3,000V
デバイス
PC
E
PLC
G
直流電源装置
−35V∼＋35V
電流測定回路
無停電電源
C
デバイス
E
G
F11E22L01 （2010 年 11 月現在）

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