高温逆バイアス試験装置パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温、高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測定評価します。 IGBT 、パワー MOSFETを中心としたパワー半導体の G 端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてD−S 間に数 100 ∼ 3,000V の逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。ロギングデータはCSV 形式のファイルに保存し経時変化を評価できます。高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温による加速をおこないます。高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適したさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半導体評価専用チャンバーをご用意しています。高温逆バイアス試験では、高電圧、高温度をストレスと高温逆バイアス試験装置するためデバイス保護、作業者の安全にも留意し、さらにユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします。この装置は IGBT 、パワー MOSFET 、ダイオードに限らず、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使いいただけます。 350℃の高温下で試験に対応できる独自開発のセラミック材料や、コンタクトピン材料を使用した 350℃耐熱ソケット冶具をご用意しています。内槽システムブロック図ラックチャンバー TEG ボード電流測定回路保護ヒューズ D 直流電源装置 0V∼＋3,000V デバイス PC S PLC G 直流電源装置 −35V∼＋35V 電流測定回路無停電電源 D デバイス S G 主な仕様型式ドレイン電源 0 ∼ 2000V または 0 ∼ 3000V ゲート電源 0 ∼± 30V または 0 ∼± 35V チャンネル数温度制御 DUT ボード 12ch・24ch・48ch DUT ボード槽内接続タイプ 200℃または 350℃ 耐熱ボード 200℃または 350℃ YF11E24L01 （2012 年 11 月現在）