MB3759 - RS Components International

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS04–27200–10
ASSP 電源用 (AC / DC コンバータ )
BIPOLAR
スイッチングレギュレータ・コントローラ
（プッシュプル , シングルエンド機能切替え可）
MB3759
■ 概要
MB3759 は周波数固定パルス幅変調方式のスイッチングレギュレータ用コントロール IC です。
スイッチングレギュレータの制御回路に必要とされる機能のほとんどを内蔵していますので , 部品点数削減と , 工数の
軽減が可能となります。
■ 特長
・ 200 mA の負荷駆動可能
・プッシュプル , シングルエンド出力の機能選択が可能
・ダブルパルスが防止されている
・デッドタイムが調整可能
・誤差増幅器の同相入力範囲が広い
・低電源電圧時の出力誤動作防止回路内蔵
・減電圧特性の優れた 5 V 基準電圧を内蔵
・パッケージは SOP 16 ピンが 1 種類
■ アプリケーション
・電源モジュール
・産業用機器
・ AC/DC コンバータなど
Copyright©1986-2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2011.5
MB3759
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
+IN1 1
16 +IN2
−IN1 2
15 −IN2
FB 3
14 VREF
DT 4
13 OC
CT 5
12 VCC
RT 6
11 C2
GND 7
10 E2
C1 8
9 E1
(FPT-16P-M06)
■ ブロックダイヤグラム
アウトプット
コントロール
OC
13
RT 6
OSC
CT 5
Q
T
Q
+IN2 16
+
−IN2 15
−
フィードバック FB 3
2
+
A1
−
A2
C1
9
E1
11 C2
= 0.2 V
デットタイム DT 4
コントロール
誤差増幅器 1
+IN1 1
−IN1 2
8
10 E2
PWM コンパレータ
リファレンス
レギュレータ
12
VCC
14
VREF
7
GND
誤差増幅器 2
DS04–27200–10
MB3759
■ 絶対最大定格
項目
記号
定格値
条件
単位
最小
最大
電源電圧
VCC
⎯
⎯
41
V
コレクタ出力電圧
VCE
⎯
⎯
41
V
コレクタ出力電流
ICE
⎯
⎯
250
mA
増幅部入力電圧
VI
⎯
⎯
VCC + 0.3
V
許容損失 *
PD
Ta ≦＋ 25 °C
⎯
620
mW
動作周囲温度
Ta
⎯
−30
+85
°C
Tstg
⎯
−55
+125
°C
保存温度
＊ : 4 cm 角の両面エポキシ基板に実装時 (1.5 mm 厚 )。
なお , セラミック基板では , 3 cm × 4 cm (0.5 mm 厚 )。
＜注意事項＞絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
電源電圧
VCC
7
15
32
V
コレクタ出力電圧
VCE
―
―
40
V
コレクタ出力電流
ICE
5
―
200
mA
増幅部入力電圧
VIN
−0.3
0 ∼ VR
VCC − 2
V
FB 端子流入電流
ISINK
―
―
0.3
mA
FB 端子流出電流
ISOURCE
―
―
2
mA
基準電圧出力電流
IREF
―
5
10
mA
タイミング抵抗
RT
1.8
30
500
kΩ
タイミング容量
CT
470
1000
106
pF
fosc
1
40
300
kHz
Ta
−30
+25
+85
°C
発振周波数
動作周囲温度
＜注意事項＞推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
DS04–27200–10
3
MB3759
■ 電気的特性
(VCC = 15 V, Ta = +25 °C)
項目
VREF
出力電圧
基
準
電
圧
部
デ
ッ
ド
タ
イ
ム
コ
ン
ト
ロ
｜
ル
誤
差
増
幅
部
出
力
部
条件
IO = 1 mA
規格値
単位
最小
標準
最大
4.75
5.0
5.25
V
入力安定度
ΔVR(IN)
7 V ≦ VCC ≦ 40 V, Ta = +25 ℃
―
2
25
mV
負荷安定度
ΔVR(LD)
1 mA ≦ IO ≦ 10 mA, Ta = +25 ℃
―
−1
−15
mV
温度変化率
ΔVR/ΔT
−20 ℃ ≦ Ta ≦ +85 ℃
―
±200
±750
μV/ ℃
出力短絡電流
ISC
―
15
40
―
mA
立上り時出力禁止電圧
―
―
―
4.3
―
V
上記ヒステリシス幅
―
―
―
0.3
―
V
fosc
RT = 30 kΩ, CT = 1000 pF
36
40
44
kHz
周波数設定バラツキ
―
RT = 30 kΩ, CT = 1000 pF
―
±3
―
%
周波数入力安定度
―
7 V ≦ VCC ≦ 40 V, Ta = +25 ℃
―
±0.1
―
%
周波数温度変化率
Δfosc/ΔT
−20 ℃ ≦ Ta ≦ +85 ℃
―
±0.01
―
%/ ℃
入力バイアス電流
ID
0 ≦ VI ≦ 5.25 V
―
−2
−10
μA
最大デューティ ( 各出力 )
―
VI = 0
40
45
―
%
発振周波数
発
振
部
記号
0 % デューティ
VDO
―
―
3.0
3.3
V
最大デューティ
VDM
―
0
―
―
V
入力電圧
入力オフセット電圧
VIO
VO (pin3) = 2.5 V
―
±2
±10
mV
入力オフセット電流
IIO
VO (pin3) = 2.5 V
―
±25
±250
nA
入力バイアス電流
II
VO (pin3) = 2.5 V
―
−0.2
−1.0
μA
同相入力電圧範囲
VCM
7 V ≦ VCC ≦ 40 V
−0.3
―
VCC − 2
V
電圧利得
AV
0.5 V ≦ VO ≦ 3.5 V
70
95
―
dB
帯域幅
BW
AV = 1
―
800
―
kHz
同相信号除去比
CMR
VCC = 40 V
65
80
―
dB
出力電流シンク
(3 ピン )
ソース
ISINK
−5 V ≦ VID ≦ −15 mV, VO = 0.7 V
0.3
0.7
―
mA
ISOURCE
15 mV ≦ VID ≦ 5 V, VO = 3.5 V
−2
−10
―
mA
コレクタ遮断電流
ICO
VCE = 40 V, VCC = 40 V
―
―
100
μA
エミッタ遮断電流
IEO
VCC = VC = 40 V, VE = 0
―
―
−100
μA
飽和電圧
エミッタ共通
VSAT(C)
VE = 0, IC = 200 mA
―
1.1
1.3
V
エミッタフォロワ
VSAT(E)
VC = 15 V, IE = −200 mA
―
1.5
2.5
V
VI = VREF
―
1.3
3.5
mA
出力制御端子入力電流
IOPC
（続く）
4
DS04–27200–10
MB3759
（続き）
(VCC = 15 V, Ta = +25 °C)
項目
P
W
M
コ
ン
パ
レ
｜
タ
記号
条件
規格値
最小
標準
最大
単位
入力スレッショルド電圧
VTH
0 % デューティ
―
4
4.5
V
入力シンク電流 (3 ピン )
ISINK
VO (pin3) = 0.7 V
0.3
0.7
―
mA
電源電流 ( 標準接続 )
ICC
V(pin 4) = 2 V, 測定回路図
―
8
―
mA
静止電源電流
ICCQ
V (pin6) = VREF,
入出力端子オープン
―
7
12
mA
tr
RL = 68Ω
―
100
200
ns
tf
RL = 68Ω
―
25
100
ns
tr
RL = 68Ω
―
100
200
ns
tf
RL = 68Ω
―
40
100
ns
ス
イ
ッ
チ
ン
グ
特
性
立上り
時間
立下り
時間
立上り
時間
立下り
時間
エミッタ共通
エミッタ
フォロワ
■ 測定回路図
VCC = 15V
150 Ω /2 W
150 Ω /2 W
VD
TEST
INPUT
DT
VC
30 kΩ
1000 pF
VCC
C1
FB
E1
RT
C2
OUTPUT 1
OUTPUT 2
CT
E2
+IN1
−IN1
+IN2
−IN2 VREF
OC
GND
50 kΩ
DS04–27200–10
5
MB3759
■ 動作波形
CT 端子
電圧
= 3.0 V
VC
VD
=0V
OUTPUT 1
ON
ON
ON
ON
OUTPUT 2
ON
ON
ON
■ 発振周波数
f OSC =
1.2
RT × C T
RT : kΩ
CT : µF
f OSC : kHz
■ 出力論理表
OC 入力
6
出力形式
GND
シングルエンドまたはパラレル出力
VREF
プッシュプル
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■ 標準特性曲線
基準電圧 − 電源電圧特性
基準電圧変動 − 動作周囲温度特性
6
10
3
0
2
−5
ΔVREF(mV)
5
ΔVREF
基準電圧変動
4
基準電圧変動
基準電圧 V REF (V)
VREF
ΔVREF (mV)
IO = 1 mA
5
VCC = 15 V
IO = 1 mA
0
−10
−20
1
0
0
10
20
30
40
−30
−25
0
電源電圧 VCC (V)
+25
+50
+75
+100
動作周囲温度 Ta (°C)
発振周波数− RT, CT 特性
1M
500 k
VCC =15 V
発振周波数 fosc (HZ)
200 k
100 k
CT = 470 pF
50 k
1000 pF
20 k
10 k
0.01μF
5k
0.1μF
2k
1k
5 k 10 k 20 k
100 k 200 k 500 k
RT (Ω)
最大デューティTON/T(%)
最大デューティ−デッドタイムコントロール電圧特性 ( プッシュプル )
0
10
VCC = 15 V
Ta = 0°C
CT = 1000 pF
RT = 30 kΩ
Ta = +25°C
Ta = +70°C
OC = VREF
20
30
40
最大デューティ−デッドタイムコントロール電圧特性 ( シングルエンド )
最大デューティTON/T(%)
2k
0
20
VCC = 15 V
Ta = 0°C
CT = 1000 pF
RT = 30 kΩ Ta = +25°C
OC = GND
Ta = +70°C
40
60
80
100
50
0
1
2
3
デッドタイムコントロール電圧 VD (V)
0
1
2
3
デッドタイムコントロール電圧 VD (V)
（続く）
DS04–27200–10
7
MB3759
（続き）
電圧利得−周波数特性
誤差増幅器出力電圧−出力電流特性
0.8
VCC = 15 V
ΔVO = 3 V
5
Ta = 0°C
80
低レベル出力電圧 VOL (V)
電圧利得 AV (dB)
90
70
60
50
40
30
20
VCC = 15 V
Ta = +25°C
Ta = +70°C
0.6
高レベル出力電圧 VOH (V)
100
4
VOH
Ta = +70°C
0.4
3
Ta = 0°C
Ta = +25°C
VOL
0.2
2
10
0
10
0
100
1k
10 k
100 k
1
0
0
1M
0.5
5
周波数 f (HZ)
1.0
10
エミッタ飽和電圧−エミッタ出力電流特性
1.8
1.2
1.0
Ta = +25°C
VCC = 15 V
エミッタ飽和電圧 VSAT (E) (V)
VCC = 15 V
コレクタ飽和電圧 VSAT（C）(V)
IOL
IOH
出力電流 IOL, IOH (mA)
コレクタ飽和電圧−コレクタ出力電流特性
Ta = 0°C
0.8
Ta = +70°C
0.6
Ta = 0°C
1.6
Ta = +25°C
1.4
Ta = +70°C
1.2
1.0
0.4
0
50
100
150
0
200
50
100
150
コレクタ出力電流 IC (mA)
エミッタ出力電流 IE (mA)
低電源電圧時誤動作防止回路特性
電源電流−電源電圧特性
200
10
6
ICC
電源電流 ICC,ICCQ (mA)
5
出力電圧 VOUT (V)
1.5
15
5V
4
400 Ω
3
VOUT
8
2
7.5
ICCQ
5
2.5
1
0
0
0
1
2
3
4
基準電圧 VREF (V)
5
6
0
10
20
30
40
電源電圧 VCC (V)
（続く）
8
DS04–27200–10
MB3759
（続き）
許容損失−動作周囲温度特性
許容損失−電源電圧特性
1000
(IO, IR)
(mA)
(200, 10)
許容損失 PD (mV)
800
(100, 10)
(200, 5)
(100, 5)
600
(100, 0)
400
(0, 0)
200
1000
許容損失 PD (mW)
Ta = +25°C
800
600
SOP
400
200
0
0
0
10
20
30
電源電圧 VCC (V)
DS04–27200–10
40
0
+20
+40
+60
+80
+100
動作周囲温度 Ta (°C)
9
MB3759
■ 基本的な考え方
スイッチングレギュレータは , 高い効率を得ることができます。ここでは , チョッパ方式を例にその動作原理について考
えます。
図において , D は Q がオフの間 , インダクタンス L の電流経路を形成しています。Q は出力を定常状態で保つような周
波数でコントロールされ , スイッチング動作を行っています。Q がオンしている間スイッチング素子は飽和状態となり , オ
フしている間は遮断状態となっていますので , シリーズレギュレータのパストランジスタのように常時アクティブ状態に
あるのに比べ , スイッチング素子の損失は非常に小さくなります。
Q が導通している間 , 入力電圧 VIN は LC 回路に供給され , Q が遮断されると L に蓄えられたエネルギーは , D を通して
負荷に供給されます。そして , LC 回路は入力を平滑して出力電圧を供給します。
ここで , 出力電圧 VO は次式で与えられます。
VO =
Ton
Ton
VIN =
VIN
Ton + Toff
T
Q : ON
L
Q
VIN
D
Q : OFF
C
VO
RL
Q : スイッチング素子
D : フライホイールダイオード
上式より , 入力電圧の変動はデューティサイクル (Ton/T) をコントロールすることにより補償できます。今 , VIN が減少
すれば制御回路がデューティサイクルを大きくするように働き , 出力電圧は一定に保たれます。
L を流れる電流は , Q がオンの間は入力より出力に流れ , オフの間は D を通して供給されます。そのため , 平均入力電流
IIN は出力電流と Q のデューティサイクルとの積に等しくなります。
IIN =
Ton
IO
T
Q のスイッチング損失や D の損失を考えなければ , 変換効率は理想的に次のようになります。
PO
× 100 (%)
PIN
V O × IO
=
× 100
VIN × IIN
VIN × IO × Ton / T
=
× 100
VIN × IO × Ton / T
= 100 (%)
η=
理想的な変換効率は 100 (%) となります。しかし , 実際にはスイッチング素子などでの損失があり , これらの損失を少な
くするためには , 実用的な範囲においてスイッチング周波数を下げたり , 出力電圧と入力電圧の比を最適に設計するなど
の検討が必要です。
10
DS04–27200–10
MB3759
■ スイッチング素子
1. スイッチングトランジスタの選定
スイッチングレギュレータの成否を決定するのは , スイッチングトランジスタだと言っても過言ではありません。一般
にトランジスタを選ぶには下記を基準に考えます。
・耐圧
・電流
・電力
・速度
耐圧 , 電流 , 電力は , 使おうとするトランジスタの ASO(Area of Safe Operation : 安全動作領域 ) がそれをカバーしている
かどうかを調べます。
速度 ( スイッチング速度 : 上昇時間 tr, 蓄積時間 tstg, 下降時間 tf) は , 効率に関係し電力にも影響します。
図は , チョッパ方式とインバータ方式におけるトランジスタの負荷線と VCE − IC 波形です。
チョッパ方式の場合 , ダイオードがコレクタをクランプしているため比較的扱いやすい回路です。ただ , ターンオン直後
にピークが見えますが , これはダイオードによるものですので後述することにします。
一方 , インバータ方式の場合は , 2 次側のダイオードでクランプされていますが , 1 次側から見るとリーケージインダク
タンスが存在しています。これにより , インダクティブスパイクが発生し , VIN の 2 倍の電圧に加算される格好になります
ので十分注意が必要です。
インバータ方式
チョッパ方式
IN VCE
IC
IN
L
VO
D1 L
Q
VO
C
D
C
D2
IC
IC
on
on
off
VCE
off
VCE
VIN
VIN 2 VIN
VCE
Ton
VCE
Ton
2 VIN
VIN
t
t
IC
IC
Ton
t
DS04–27200–10
Ton
t
11
MB3759
下図は , スイッチング用パワートランジスタの順バイアス時 ASO 特性の一例です (2SC3058A)。
使おうとするトランジスタにおいて , その ASO 特性が負荷線を完全に満足するかを見ます。次に , 下記条件が満たされ
ているかどうかを確認し , 満足していればスイッチング動作は安全に行えると考えてよいでしょう。
・オン状態の ASO を規定するときに , 選定したオン時間を上回らないこと
・オフ状態の ASO を規定するときに , 選定した条件を満足すること
・ジャンクション温度によるディレイティングが行われていること
スイッチングトランジスタの場合 , ジャンクション温度はスイッチング速度に密接な関係があります。
これは , 温度が上昇してくるとスイッチング速度が遅くなるためで , スイッチング損失にも影響を与えます。
順バイアス安全動作領域
2SC3058A (450 V, 30 A)
TC = +25°C
50
IC (Pulse) max.
単一パルス
IC max.
D
.C
10
5
s
1m
ms
コレクタ電流 IC (A)
.
10
µs
00
=5
Pw
20
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
5
10
20
50 100 200
500 1000
コレクタ • エミッタ電圧 VCE (V)
2. ダイオードの選定
ダイオードは , スイッチング速度を十分考慮して選ぶ必要があります。とくに , チョッパ方式の場合は効率とノイズに関
係しスイッチングレギュレータの性能を大きく左右します。
ダイオードの逆方向回復時間がトランジスタのターンオン時間よりも遅れると , 負荷電流の 2 倍以上もの突入電流が流
れ , 効率を下げ , ノイズ ( スパイク ) の原因となります。
ダイオードを選ぶ目安としては , 逆方向回復時間 trr がトランジスタの tr よりも十分に速いものを選ぶと良いでしょう。
12
DS04–27200–10
MB3759
■ 実用回路での応用
1. 誤差増幅器の利得調整
FB 端子 (3 ピン ) に外部回路を接続したり , 増幅器の利得調整を行う場合 , バイアス電流が大きくならないよう注意す
る必要があります。FB 端子 (3 ピン ) は , シンク電流によりローレベルにバイアスされるため , 外部回路からシンク能力を
超える電流が流れ込むと出力信号のデューティサイクルに制限を与えます。
利得調整に適した回路構成を示します ( 下図を参照してください )。
また , 出力段に容量性負荷がある場合は , 応答時間に影響を及ぼすため , 極力容量性負荷を避けるような設計が必要で
す。
OUT
R1
+
Vo
VREF
−
RIN
R2
RF
2. 発振器の同期動作
発振器は , CT 端子 (5 ピン ) と GND 端子 (7 ピン ) を接続することにより発振を停止できます。また , 外部より信号を供
給する場合は , 内部発振器は停止させ CT 端子 (5 ピン ) に入力してください。
この方法を利用して , 複数の IC を同期動作させることができます。ひとつの IC をマスタとし , ほかの IC を図のように
接続することにより , 同期動作が可能です。
スレーブ
マスタ
RT
DS04–27200–10
CT
VREF RT
CT
13
MB3759
3. 休止期間の設定方法
負荷変動等により FB 端子電圧が三角波電圧以下になる可能性があります。この時 , 出力トランジスタがフルオンに近い
状態になります。これを防止するために出力トランジスタの最大デューティを設定します。そのために, 下図のようにVREF
電圧より抵抗分圧にて DT 端子 (4 ピン ) 電圧を設定してください。
DT 端子電圧が三角波電圧よりも低いとき , 出力トランジスタはオンとなります。最大デューティの計算式は三角波振
幅≒ 3.0V, 三角波下限電圧≒ 0.0 V, DT オフセット電圧 ( ≒ 0.2V) のとき次のようになります ( 他チャネルも同様です )。
・プッシュプル時
最大デューティ(%)
=
3.0V - (Vdt + 0.2V)
3.0V
50 =
=
3.0V - (Vdt + 0.2V)
3.0V
100 =
2.8V - Vdt
3.0V
50
・シングルエンド時
最大デューティ(%)
2.8V - Vdt
3.0V
100
また , 最大デューティ設定を必要としない場合は Vdt=0.0 V の電圧設定にしてください。
・DT で休止期間を設定する場合
Vdt(V)=
Rb
Ra + Rb
VREF
VREF 14
Ra
DT
4
Rb
Vdt
「■ 標準特性曲線」の「最大デューティ−デッドタイムコントロール電圧特性」を参考にしてください。
14
DS04–27200–10
MB3759
4. ソフトスタート
デッドタイムコントロール (DT) 端子 (4 ピン ) を使用してソフトスタート機能を設けることができます。
VREF
Cd
DT
Rd
ソフトスタートのかけ方
電源投入時 Cd は , まだチャージされず DT 入力は VREF 端子 (14 ピン ) に吊られ , 出力トランジスタをオフする方向へ行
きます。次に , Cd Rd の定数で DT 端子 (4 ピン ) の入力電圧が低下し , 出力のパルス幅は徐々に増加し制御系を安定に動作
させます。
この場合 , デッドタイムとソフトスタートを同時に行いたい場合は , OR 接続にしてください。
VREF
Cd
R1
DT
Rd
R2
5. 出力電流制限方法 ( 検出抵抗を出力側に入れるフォールドバック型 )
(1)
一般的な例
VREF
RS
VO
IO
VO
R3
VO1
R1
+
VIO
D
−
R4
R5
R2
0
GND
DS04–27200–10
0
IL3 IL2
IL1
IO
15
MB3759
・初期制限電流 IL1
VO >
R4
VREF となり
R3 + R4
ダイオードが逆バイアスされているため ,
R1
RS IL1 =
VO – VIO
R1 + R2
VIO
R1
VO
∴IL1 =
–
RS
R1 + R2 RS
(1) 式 ( ただし ,R2 >> R1)
となります。ただし , VIO はオペアンプの入力オフセット電圧で −10 mV ≦ VIO ≦ +10mV となり IL1 のバラツキ要因とな
ります。そのため , 例えば IL1 のバラツキを ±10% 以内に抑えようとした場合 , オフセット電圧のバラツキ要因だけを考え
ても , (1) 式より ,
1
VIO
R1
IO =
( R2 >> R1 )
( VO + VEE ) −
RS R1 + R2
RS
は少なくとも 100 mV 以上の設定が必要です。
・変極点 IL2
R4
VREF − VD を代入します (VD はダイオードの順方向電
ダイオードが順バイアスとなる点のため , (1) 式の VO に
R3 + R4
圧 )。
IL2 =
VIO
R1 R4 / (R3 + R4) · VREF – VD
–
R1 + R2
RS
RS
・最終制限電流 IL3
VO = 0 時の制限電流は , R2 ≫ R1 の場合 RS の両端電圧と R5 の両端電圧がバイアスする点となります。
R4R5 VREF − R3R5 VD − R4R5 VD
RS IL3 =
− VIO
R3R4 + R3R5 + R4R5
VIO
1
1
R4
(2) 式
(
VREF − VD ) −
∴IL3 =
RS
RS 1 + (R 3 // R 4) / R5 R3 + R4
R3//R4 は R3, R4 の並列抵抗で R3R4/(R3 + R4) です。ここで , R3//R4 ≪ R5 のとき (2) 式は ,
IL3 C =
VIO
1
R4
(
VREF – VD ) –
RS
RS R3 + R4
となります。
また , R3, R4, R5 とダイオード D は VO = 0 時の制限電流 IL3 を決定するとともに , 電源投入時のスタータの
役目も兼ねています。
・スタータ回路について
下図のように R3, R4, R5, D のスタータ回路がない場合 , 電流制限回路動作後の出力電流 IO は ,
IO =
VIO
VO
R1
−
RS
R1 + R2 RS
となります。電源投入時などで VO = 0 のとき , 出力電流は IO = −VIO/RS となり , オフセット電圧 VIO が正の場合 , 出力電
流は負で制限され , 出力電圧が立ち上がらなくなります。
そのため , 検出抵抗を出力側に入れるフォールドバック型の場合 , 後述する方法を除きスタータ回路は必ず入れてくだ
さい。
VO
RS
IO
VO
R1
VIO > 0
VIO < 0
VO
+
VIO
−
R2
GND
0
16
IL1
IO
DS04–27200–10
MB3759
(2) ダイオードを省略した例
VREF
VO
IO
R1
R4
>
R1+R2
R3+R4
RS
VO
R3
VO
R1
+
VIO
R1
R4
<
R1+R2
R3+R4
R4
−
R2
0
GND
IO
IL1
0
電流制限後の出力電流 IO は ,
IO =
1
R1
R4
R4
[(
–
VREF – VIO ] (R2 >> R1)
) VO +
RS R1 + R2 R3 + R4
R3 + R4
となります。ここで , VO ＞ VREF の場合 , R3, R4 を通して基準電圧源に電流が流れ込みますが , 基準電圧の安定化上
200 μA 以下になるよう設計してください。
(3) 外部に安定した負電源がある場合
RS
IO
VO
VO
VO
R1
+
VIO
VO∗
−
R2
−VEE
0
0
I L5
I L1
IO
電流制限後の出力 IO は ,
IO =
1
VIO
R1
(VO + VEE) –
(R2 >>R1)
RS R1 + R2
RS
となります。出力が瞬時ショートのとき , VO ＊が過渡的に負電圧となる場合があります。このとき , オペアンプの入力に
−0.3 V 以下の電圧が印加されないよう R1 に印加される電圧を 300 mV 以下に設定してください。
DS04–27200–10
17
MB3759
6. 電源電圧供給回路例
(1) ツェナダイオードによる供給
VIN
VIN
VZ
R
VCC
C
VZ
VCC
MB3759
MB3759
VCC = VIN − VZ
VCC = VZ
(2) 三端子レギュレータによる供給
三端子 REG.
AC
VCC
MB3759
7. 出力トランジスタの保護回路例
MB3759 は , モノリシック IC の性質上サブストレート (7 ピン ) に対し , ダイオード電圧 ( ≒ 0.5 V) 以上の負電圧が印加
された場合 , IC 内部に寄生効果が生じ , 回路動作異常を引き起こします。
したがって , IC 内の出力トランジスタで直接トランスなどを駆動する場合 , 次のような対策を施してください。
(1) ショットキーバリアダイオードにより , 出力トランジスタから寄生効果を除く
8
9
11
SBD
10
18
DS04–27200–10
MB3759
(2) ダイオードのアノード側にバイアスを持たせ , 出力トランジスタの低レベル側をクランプする
8
14
11
7.5 kΩ
= 0.7 V
1.2 kΩ
0.1 µF
(3) バッファトランジスタを介して , トランスを駆動する
VCC
8
9
DS04–27200–10
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MB3759
8. 回路例
(1) チョッパ方式
1Ω
AC 100 V
+
15 V
+
+
24 V
2.5 A
1 mH
50 Ω
2 kΩ
10 kΩ
16 kΩ
VCC
10 kΩ
100 kΩ
0.22 μF
2.2 kΩ
FB
E1
−IN1
C1
+IN1
C2
5.6 kΩ
5.1 kΩ
−IN2
RT
+IN2
CT
DT
300 Ω
5.1 kΩ
2200 μF
E2
VREF
10 μF
+
47 kΩ
+
GND
OC
20 kΩ
2200 pF
5 kΩ
0.1 Ω
20
DS04–27200–10
MB3759
(2) インバータ方式
AC 100 V
+
15 V
+
+
A
24 V
2.5 A
33 Ω
+
100Ω
2200 µF
0.1 Ω
100Ω
33 Ω
B
A
10 kΩ
VCC
10 kΩ
16 kΩ
100 kΩ
0.22 µF
2.2 kΩ
5.6 kΩ
+ 10 µF
47 kΩ
5.1 kΩ
FB
E1
−IN1
C1
+IN1
C2
VREF
E2
−IN2
RT
+IN2
CT
OC
DT
20 kΩ
GND
300 Ω
5.1 kΩ
5 kΩ
REF
2200 pF
B
DS04–27200–10
21
MB3759
■ 使用上の注意
・プリント基板のアースラインは，共通インピーダンスを考慮し設計してください。
・静電気対策を行ってください。
・半導体を入れる容器は，
静電気対策を施した容器か，導電性の容器をご使用ください。
・実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は，導電性の袋か，容器に収納してください。
・作業台，工具，測定機器は，アースを取ってください。
・作業する人は，人体とアースの間に 250 kΩ ∼ 1 MΩ の抵抗を直列にいれたアースを使用してください。
・負電圧を印加しないでください。
・− 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合，LSI に寄生トランジスタが発生し，誤動作を起こすことがあります。
22
DS04–27200–10
MB3759
■ オーダ型格
型格
MB3759PF
DS04–27200–10
パッケージ
備考
プラスチック・SOP, 16 ピン
(FPT-16P-M06)
23
MB3759
■ RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 )
富士通セミコンダクターの LSI 製品は , RoHS 指令に対応し , 鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと , 特定臭素系難燃剤 PBB
と PBDE の基準を遵守しています。
この基準に適合している製品は , 型格に “E1” を付加して表します。
■ 製品捺印 ( 鉛フリー品の場合 )
MB3759
XXXX XXX
E1
SOP-16
INDEX
鉛フリー表示
■ 製品ラベル ( 鉛フリー品の場合の例 )
鉛フリー表示
JEITA 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 規格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
24
1/1
0605 - Z01A
1000
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
DS04–27200–10
MB3759
■ MB3759PF 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
IR ( 赤外線リフロー ) ・手半田付け ( 部分加熱法 )
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱∼ 2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング (125 °C , 24 h) を実施の上 ,
8 日以内に処理願います。
5 °C ∼ 30 °C, 70％RH 以下 ( 出来るだけ低湿度 )
保管条件
【実装方法の各条件】
(1) IR ( 赤外線リフロー )
260 °C
255 °C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
H ランク：260 °C Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d’) 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 170 °C ∼ 190 °C, 60s ∼ 180s
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 260 °C Max
255 °C up 10s 以内
：温度 230 °C up 40s 以内
or
温度 225 °C up 60s 以内
or
温度 220 °C up 80s 以内
：自然空冷または強制空冷
( 注意事項 ) パッケージボディ上面温度を記載
(2) 手半田付け ( 部分加熱法 )
コテ先温度：Max 400 °C
時間
：5 s 以内 / ピン
DS04–27200–10
25
MB3759
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・SOP, 16ピン
(FPT-16P-M06)
プラスチック・SOP, 16ピン
（FPT-16P-M06）
+0.25
リードピッチ
1.27 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
5.3 × 10.15 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
2.25 mm MAX
質量
0.20 g
コード（参考）
P-SOP16-5.3×10.15-1.27
注1）*1印寸法はレジン残りを含む。
注2）*2印寸法はレジン残りを含まず。
注3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
+.010
+0.03
*110.15 –0.20 .400 –.008
0.17 –0.04
+.001
16
.007 –.002
9
*2 5.30±0.30
7.80±0.40
(.209±.012) (.307±.016)
INDEX
Details of "A" part
+0.25
2.00 –0.15
+.010
.079 –.006
1
"A"
8
1.27(.050)
0.47±0.08
(.019±.003)
0.13(.005)
(Mounting height)
0.25(.010)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
+0.10
0.10 –0.05
+.004
.004 –.002
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F16015S-c-4-9
単位：mm（inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
26
DS04–27200–10
MB3759
MEMO
DS04–27200–10
27
MB3759
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集プロモーション推進部

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