無電解Agめっきの特徴 ブラックパッドなどの層間剥離が無い 無電解Ni特有のPb混入が無い 半田付け性、接合強度に優れている 電気抵抗が低い 高周波基盤へのFinal-Finish処理として有望 ワイヤーボンディングも条件によって可能 無電解Ａｇめっき工程 クリーナ エッチング プレディップ 無電解Ａｇ めっき仕様 Ａｇめっき厚 めっき方法 Ａｇめっき外観 下地 ０．１～０．８μｍ 置換型めっき 無光沢 Ｃｕ素材 無電解Ａｇめっき皮膜構造 2Ag 置換反応プロセスでめっき 2e- 処理液の酸にて、Ｃｕを溶解し、その電 位をもって、Ａｇが置換する。 有機膜 Cu2+ 有機膜 Cu Ａｇ自体は、有機膜で覆われており、析 出したＡｇも有機膜で覆われる。 この析出した有機膜が、耐ﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ、 耐変色性に優れている。 無電解Ａｇめっきの表面状態 FE-SEMによる表面観察 ×２０００ ×１００００ ワイヤーボンディング性 プル強度(25μ ｍ Au-Wire) Ｗ ／ （Ｂ ｇ プ ）ル 強 度 11.0 10.5 10.0 9.5 9.0 8.5 8.0 7.5 7.0 サンプル１ サンプル２ 無電解Ａｇ 電解Ａｇ（下地Ｎｉ） 電解Ａｇ（Ｎｉ下地）と比較すると強度がやや劣るが、プル強度は十分 あると判断される。 マイグレーション試験結果 log Ω マイグレーション試験結果 11.8 11.6 11.4 11.2 11.0 10.8 10.6 10.4 96H 596H 素材 電解Ａｇ 無電解Ａｕ 無電解Ａｇ UL796 35℃/85%RH Bias Volt=40V 日本国内では、Ａｇに於けるﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ確認不足で導入が足踏み 半田接合シェア強度 半田ボール接合強度（ボール経0.625mm) シ ェ ア 強 度 ／ Ｎ 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Ａｇ NiＡｕ PreFlux めっき直後 耐熱試験後
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