ムラタ分析パートナー株式会社 会 社 案 内 長年のノウハウと 積み上げられた実績で 多様な分析課題に挑む 私たちムラタ分析パートナーは、 分析の課題を抱えるあらゆる企業の皆さまのパートナー。 長年にわたり分析ノウハウを積み重ねてきた 電子部品・エレクトロニクス分野をはじめ、 医薬品や食品、そして、環境に至るまで、 電子部品・ エレクトロニクス さまざまな領域に対応するきめ細かな分析サービスを、 全国のお客様に向けて フェイス・トゥ・フェイスでご提供しています。 化学・工業製品・ 化粧品 鉄鋼・機械 繊維 危険性評価 医薬品・ バイオヘルスケア 環境評価・ 有害物質評価 食品・農産物 村田製作所グループの一員として エレクトロニクスを支えてきた信頼性 村田製作所グループを、四半世紀にわたって、 分析センタとして支えてきたムラタ分析パートナー。 エレクトロニクスの発展に貢献してきた分析のスペシャリストたちだからこそできる、 信頼性の高い分析手法があります。 製品開発や品質向上に 貢献する分析サイクル お問い合わせからアフターフォローまで、 きめ細かくスピーディーに対応しています。 お問い合わせ・ご訪問 お見積り 分析についてご説明、ご相談 いたします。 分析相談にて確認した、分析内容、納期、 費用をお見積りいたします。 ぜひ、 課題を お聞かせください! ご契約 スピーディーに 適正価格で! ご 希 望 に 応じ て 、 「取引基本契約」 「機密保持契約」を 締結いたします。 世界標準の徹底した 機密管理! 品質向上、良品率向上、 新製品の早期開発 分析 アフターフォロー 前 回 の 依 頼 なども 含め、複数の分析結 果を統合。より深い 解 析を行うことで、 確 実な問 題 解 決に つなげます。 課題を確実に 解決へ! レポート 分析結果が わかりやすい! お客様のご要望に応じた フォーマットでご報告。 社内会議ですぐにお使い いただけるレポートもご 用意いたします。 各分 野に精 通した分析 者が、 適切な手法で分析いたします。 装置ごとに 専門の担当者! 会議でそのまま 使える! 豊富な知識で 最適な処理! 主な分析装置と分析事例 総合的な分析を可能にする、最新かつ充実の装置ラインナップにより、 信頼性の高いデータをご提供。 多くの実績を誇るSEM/EDX/WDX分析(無機分析)や FT-IR分析(有機分析)では、 特に優れたパフォーマンスを発揮します。 表面分析 SEM/WDXによるマッピング測定で、アルミ電極の腐食を解析 SEM(走査型電子顕微鏡) 微細で薄膜のアルミ電極が荒れていることを確認。 塩素による腐食と判明。 また 表面観察 (∼数万倍) 塩素の存在分布から、 塩素の侵入経路も明確にしました。 FE-SEM(電界放射ー走査型電子顕微鏡) 塩素の分布 SEM像 高倍率表面観察 (∼数10万倍) EDX(エネルギー分散型X線分析法) 元素定性分析 (ホウ素∼ウラン) WDX(波長分散型X線分析法) 元素定性分析(ホウ素∼ウラン)、マッピング μ-SAM(走査型オージェ電子顕微鏡) 極表面の定性分析、 深さ方向分析 XPS(X線光電子分光装置) 極表面の定性分析、 化学結合状態分析 FIB/SIM 有機分析 FT-IR(フーリェ変換赤外線分光法) 有機定性分析 TOF-SIMS(飛行時間型2次イオン質量分析) 極表面の高感度分析、 深さ方向分析 FT-IRによる有機分析で、電極に付着した異物の発生原因を調査 電極表面に有機異物の付着を確認。製品の工程履歴から、リフロー工程を通過 する前に異物が付着したと推定し、 加熱した指サックが付着していることを特定 しました。 SEM像 D…異物 E…加熱指サック F…非加熱指サック D E F FT-IR 無機構造分析 ヒートショック試験前後におけるはんだの結晶方位分析∼EBSP∼ STEM(走査型透過電子顕微鏡) ICを実装してHS試験したところ、1000cycでBGA接続が破断。0cyc、1000cyc 高倍率での構造分析 (∼100万倍) のはんだをEBSPで解析し、0cycでは結晶粒の小さい部分が多いが、1000cyc HR-XRD(X線回折法) では結晶粒が肥大化していることが分かりました。剥離箇所付近には結晶粒 結晶方位分析、 結晶性評価、 密度測定 EBSP(電子線散乱パターン検出法) が小さい部分が見られ、長時間にわたりストレスが加わっていたことが示唆 されます。 0cyc 微小部の結晶方位解析 1000cyc 観察像 SEM 剥離箇所 結晶粒マップ TD RD 100µm 剥離箇所 100µm EBSPによる、結晶の分布変化 STEM 組成分析 蛍光X線分析法による金属端子のめっき厚み評価 ED-XRF (XGT) (エネルギー分散型蛍光X線分析法) デバイスの金属端子ではんだ濡れあがりの悪いものが見つかりました。工程 ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析計) により端子の金めっき厚みを比較した結果、濡れあがりの悪いものは金めっ 微量元素分析、 簡易膜厚測定 微量元素分析 履歴を調査すると、金属端子のロット切り替わり時期と一致。X線分析顕微鏡 きが規定厚み(0.3∼0.7μmt)より薄いことが分かりました。 蛍光X線分析による膜厚測定結果 試料 金めっき厚(µm) Gロット1 0.51 Gロット2 0.42 NGロット 0.17 Auめっき Niめっき 端子母材 1mm 1.0µm ×60.0 K 金めっきされた金属端子 ED-XRF(XGT) 前処理・非破壊分析 DPA(断面研磨) IM/CP(イオンミリング) FIB/SIM(集束イオンビーム) SAT(超音波探傷) 観察したい箇所の断面露出 断面加工、 断面分析 SAICAS/ミクロトーム (表面界面切削装置) 断面/界面露出、剥離強度測定 研磨のダレの除去、 断面露出 超音波での内部観察 めっき膜の断面観察像(FIB加工-SIM像) 超音波探傷検査(SAT)によるBGA接合状態の評価 マザーボードで生じた動作異常。その原因として、プリント基板とLSIのBGA接 合不良が疑われました。BGAは接続箇所が多く、どのバンプが接続異常になっ ているか分かりません。超音波探傷検査(SAT)の結果、多数のバンプから剥離 の疑いのある箇所が特定できました。 X-CT(X線透過観察) X線での内部観察 20µm 超音波探傷(SAT)像 ※ が剥離疑いありバンプ SAICAS SAT像○印バンプの 断面研磨・観察結果 H He 元素周期表 hydrogen helium 1.008 [1.0078, 1.0082] 4.0026 Li Be lithium 金属 beryllium 6.94 [6.938, 6.997] アルカリ 金属 9.0122 Na B 非金属 ランタノイド アルカリ 土類金属 アクチノイド 遷移元素 卑金属 半金属 非金属元素 ハロゲン boron 希ガス 10.81 [10.806, 10.821] Mg sodium Al magnesium aluminium 24.305 [24.304, 24.307] 22.990 K Ca 26.982 Sc Ti V Cr Mn potassium calcium scandium titanium vanadium chromium manganese 39.098 40.078(4) 44.956 47.867 50.942 51.996 54.938 Rb Y Sr Zr Nb Mo Fe iron 55.845(2) Tc Ru Ni nickel copper 58.933 58.693 63.546(3) Rh 107.87 112.41 114.82 118.71 121.76 127.60(3) 126.90 131.29 Pt Au Tl Pb lead bismuth At Rn 204.38 [204.38, 204.39] 207.2 208.98 iridium platinum 178.49(2) 180.95 183.84 186.21 190.23(3) 192.22 195.08 La Ce Pr Nd lanthanum cerium praseodymium neodymium 138.91 140.12 140.91 144.24 Ac Th actinium Pa U thorium protactinium uranium 232.04 231.04 238.03 Sg Pm promethium Np neptunium Sm Os Bh Hs bohrium hassium Eu Gd Ir Mt meitnerium Tb Ds darmstadtium Dy Cd Hg gold mercury 196.97 200.59 Rg roentgenium Ho Cn copernicium Er thallium Nh nihonium Tm Fl flerovium Yb Sb Bi Mc moscovium europium gadollinium terbium dysprosium holmium erbium thulium ytterbium lutetium 150.36(2) 151.96 157.25(3) 158.93 162.50 164.93 167.26 168.93 173.05 174.97 Am Cm Pu americium curium Bk berkelium Cf californium Es einsteinium Fm fermium Md mendelevium No nobelium Te Po polonium Lv livermorium I astatine Ts tennessine Xe radon Og oganesson Lu samarium plutonium 83.798(2) 106.42 osmium seaborgium 78.971(8) 102.91 rhenium Db 74.922 101.07(2) tungsten dubnium 72.630(8) Kr krypton xenon tantalum Rf 69.723 79.904 [79.901, 79.907] iodine hafnium rutherfordium 65.38(2) Br bromine tellurium lanthanoids actinoids selenium antimony Ba Ra arsenic tin 95.95 radium germanium Ar argon 39.948 Sn 92.906 Fr gallium 35.45 [35.446, 35.457] In 91.224(2) francium Se zinc Cl chlorine neon indium 88.906 137.33 32.06 [32.059, 32.076] Ne 20.180 cadmium 87.62 132.91 As S sulfur F 18.998 fluorine silver 85.468 Re 30.974 15.999 [15.999, 16.000] Ag molybdenum W P phosphorus O oxygen Pd niobium Ta Ge 14.007 [14.006, 14.008] palladium zirconium Hf Ga Si silicon 28.085 [28.084, 28.086] N nitrogen rhodium yttrium barium Zn 12.011 [12.009, 12.012] ruthenium strontium Cs Cu cobalt rubidium caesium technetium Co C carbon Lr lawrencium 会社概要 西部緑地公園 R8 金沢西I.C. 道 動車 北陸自 白山I.C. 松 ←小 北陸本線 JR R157 アビタ松任 駅 金沢 駅 西金沢 しん にしかなざわ 北陸鉄道石川線 R8 富山→ R8 兼六園 犀川 のまち R157 金沢工業大学 泉野図書館 状線 山側環 交番 金沢国際ホテル 社 名 ムラタ分析パートナー株式会社(英文名:Murata BUNSEKI Partner Co.,Ltd.) 設 立 2011年10月5日 資 本 金 5,500万円 要 員 数 20名 本社 所在地 〒920-2101 石川県白山市曽谷町チ18番地 富山営業 所 〒939-8195 富山県富山市上野345番地(ISO認証対象外) 株 主 株式会社村田製作所(100%) GS NEC ひばり ↓白峰 最寄り駅からのアクセス:北陸鉄道石川線「陽羽里」駅より徒歩10分、JR金沢駅よりタクシー約30分 お車でのアクセス:北陸自動車道「白山IC」より20分 ムラタ分析パートナー株式会社 ㈱金沢村田製作所金沢事業所内 分析料金表、装置の仕様、お問い合わせはこちら 本 社 富山営業所 076-273-1929 FAX 076-273-1926 TEL FAX 076- 465-1929 TEL MAIL [email protected] www.bunseki-partner.co.jp 当記載内容は2017年1月現在のものです。予告なく変更することがございます。 This data is content as of January 2017, and is subject to change without prior notice.
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