AN52561/D
イメージ・センサのりいとベ
スト・プラクティス
アプリケーション・ノートの
本書ではイメージ・センサの
りい、管、
清掃について説明します。
www.onsemi.jp
APPLICATION NOTE
はじめに
イメージ・センサ製をめ、積路は気
放(ESD)にして敏です。
ESD現象が発生すると、デバイスが直ちに損を
けしなくなることがあります。また、しばら
くユニットが様どおりを継続し、かなりの時
間が経過するまでそのが表 しないこともあ
ります。ESD現象は、デバイス特!の" という#
で表 する$%もあります。
ESD現象はイメージ・センサの&適'な
りい
が()で発生します。&適'な
りいには気
放を*き起こす操がまれます。+えば、リス
ト・ストラップを装着しないでデバイスを
りう
ことが挙げられます。環/条0によっても、ESD現
象が起こりやすくなる$%があります。
適'なESD12プログラムの6施に要するコスト
は、デバイスの損防止で8られるメリットで9:
相殺できます(;考文献[1]と[2]を;照)。
本書ではイメージ・センサを
りうにESD
現象を起こさないための推<=について説明しま
す 。 本 書 に 記 載 し た 推 < > は 、JEDEC 規 格
JESD625-Aに準拠しています。オン・セミコンダク
ターは、おD様がJEDEC規格JESD625-A3に記載され
ている=に精通し、それにEうことをおFめしま
す。
と
本書の目的に関連して、LMのO義が適用され
ます。
• イオナイザ：Tした空気:U(イオン)の発
生源です。
• ：摩擦気によるTを防止する素
材の特!をVWします。
• ：表抵抗が105 W/X方センチ未満、
またはQ積抵抗が104 W cm未満の素材です。
• (ESD)：気Zが異なるPQと表
の間で、気荷が移することをVWしま
す。
• [](ESDS)：規O様を満た
さなくなるほどのデバイス特!" をもたらす最
[レベルのESDです。
• ESDパッケージング：気護を6現し、
かつ摩擦気によるTをデバイスの損を*き
起こさないレベルに1するパッケージング・シ
ステムです。
• ESD：109 W未満の抵抗でグランドに接
bされている業cのdまたはeの業を指
します。
• ：表抵抗が1012 W/X方センチLd、
またはQ積抵抗が1011 W cmLdの素材を指しま
す。
• ：表抵抗が105〜1011 W、また
はQ積抵抗が105〜1011 W cmの素材のことです。
• ：止状fにある荷。PQgでの荷の
移(極! )、またはあるPQからJのPQへの
荷の移によって蓄積された荷のことです。
オン・セミコンダクターは、おD様がデバイス
G、&適'な
りいや清掃が()で発生した損
については責Hを負いかねます。
オン・セミコンダクター製CMOSイメージ・セン
サは、製データシートにJ途注記がないり、
JESD22:方Kに準じてLMのESDNにしてO
格がOめられています。
• PQモデル： JS001-2013 Class2
• デバイスTモデル： JESD22- C101 Class III [4]
注記： CCDデバイスの$%は、JESD22O格で規O
されていないり、製がClass 0またはA
のO格に準拠すると考えてください。
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
January, 2017 − Rev. 8
1
Publication Order Number:
AN52561JP/D
AN52561/D
ESDされた、、ツールにするの
• 気発生源とT。
イメージ・センサを
りうに推<される最h
要0をLMに示します。
♦
ESD
♦
護されていないESD(ESDS)デバイスを
り
うときは、109 W未満の抵抗をグランドに接続し
た､接b気護業をi用するj要がありま
す｡
♦
ESDフローリングまたはフロア・マット
接bフローリングまたはフロア・マットがj要な
のは、Pnにして、またはoESD護業cで
フロア接b方Kをi用する$%だけです。
♦
の!"
業にjずj要な物L{は、i用|のESD護
業に置かないこと。
Zが±1,000 Vをdる物を、護されて
いないESDSデバイスから12インチ(30 cm)Lg
に近pけないこと。
護されていないESDSデバイスから12インチ
(30 cm)Lgで±1,000 VをdるZを生}
する操、機~、衣については気的に|
するか､±1,000 V未満にh減させるj要がある。
Tしている物をESDSデバイスに接触させて
はならない。
d記のPn接b方法に関する推<>は、ESDSデ
バイスを
りうPnではなく、ESDSデバイスを
護することをVしたものです。Pnの!は本
書の範{であり、オン・セミコンダクターはPn
の!に関する責Hを負いかねます。
ESDSデバイスを
りう者や、12インチ(30 cm)
Lgに近pく者は、LMのいずれかの方法で接bし
なければなりません。
• リスト・ストラップ：
♦ ユーザからESDグランドまで直接、連続的気
経路を用Vする。
♦ ESDで発生するo能!がある最st時の流
を0.5 mA未満にu1する抵抗を、リスト・バン
ド端にg蔵する。
♦ 護されていないESDSデバイスを
りうと
き、オペレータがjず装着する。
• ESD護のw物(ヒール・ストラップ、トー・スト
ラップ、または)にはLMを6施するj要があり
ます。
♦ ユーザからESD護されたフローリングまたは
フロア・マットまで直接、連続的気経路を用
Vする。
♦ jずy足に装着する。
♦ ESDで発生するo能!がある最s源t時
に、特Oの経路を通ってグランドに流れる流
を0.5 mAにu1する。
♦ 着zしたPnの接b策だけにらないこと。
ESDスモック
ESD護スモックを着用する$%は、の辺を
き、スモックはPnの腰よりdにある衣部を
覆うj要があります。
#$イオナイザ
護されていないESDSデバイスの12インチ
(30 cm)LgにあるZを±1,000 V未満にMげる
ために、eの=段でtを12できない$%は、
空気イオナイザをi用できます。
ESDされたとの%&
ESD護された業cのそれぞれ、またはO義済
みのESD護
のに、ESD注V表示を掲げる
j要があります。
デバイス'のESD()
*+,-./
♦
Zが±1,000 Vをdるか、または護され
ていないESDSデバイスがT源から12インチ(30 cm)
Lgにある、ESD護された
と業cでは
防止策を講じるj要があります。
T防止および気的|=法には、T防止薬
の、相湿Nの12、空気イオナイザ、アー
ム・カバー、ESD護衣などがありますが、これ
らにOされません。
• :
業
や管
にある気生}素材やT
素材にし、T防止薬(溶液)をi用して、
気のTや生}を防止することができます。
T防止薬をするは、LMの>を考
してください。
♦
♦
♦
♦
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2
ESDSデバイスの汚染を避できるT防止溶
液を選択する。
センサのガラス蓋に溶液がp着することを避け
る。
給などによりエネルギーが蓄積された状
fのU部、アセンブリ、パネル、機~など
にして、いかなる#であれT防止スプレー
や溶液をしないこと。
デバイスやパッケージがスプレーのに直接
している状fで、T防止溶液をしな
いこと。
気界計測~をi用して通の時に
気界測OをO期的に6施したGでのみ、
期のj要!とそのGののNを断
する。
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• の:
•
イオナイザのバランス(イオンとイオン)
は、JEDEC規格JESD625-AのTable 2にEって確
認するj要がある。
♦ JEDEC規格JESD625-AのTable 2にEってEOS/
ESD-S3.1で説明されている方法をi用して、
イオナイザによるThM!能を確認するこ
と。
ESDスモック：
ESD護スモックを着用するときは、LMの>
を6施するj要があります。
♦ 着用者がESD護ワークステーションにし
ているときや指OのESD護
gにいるとき
は、ESD護スモック(襟の部:をく)のボタ
ンをjず留めること。
♦ ESD護スモック・メーカの清掃説明にEい、
スモックの最sの¦果と¦用が発揮できるよう
にするj要がある。
#：
ESDSデバイスを
りうときは、抗気ニトリ
ル製=袋のみi用します。
♦
相湿Nは気の発生にsきなをぼすた
め、o能な$%は相湿Nを12することが推<
されます。推<湿N目標は50% R.H (相湿N)
で、けれo能な範は40%〜60% R.Hです。
空気イオナイザをi用する$%は、LMの>を
確認するj要があります。
♦ dイオナイザは、ESD護業cdにあるデ
バイスが、イオナイザ・メーカの規Oする
範gにまるように設置することがj要。
イオナイザは、Pnの身ではなく、デバイス
とPnの=をすることを目標にするj要が
ある。
♦
pイオナイザは、イオナイザ・メーカ
の
りい説明にEって、業
に けるj
要がある。
♦ イオナイザ・メーカの規Oする距よりも近く
にデバイスを配置しないこと。
♦ イオナイザと、護されていないデバイスの間
に、1のない直線的気流が¡¢するようにす
るj要がある。
•
•
デバイスのりい
• イメージ・センサを
りうときはjず、パッケ
§般的なガイドラインはLMのとおりです。イメ
ージ・センサはESD
gで
りうj要があ
ります。ESD
{でセンサを
りう$%
は、グランド・ストラップがj要です。ESD=
袋をi用するj要があります。
イメージ・センサ
時の注V：
• ¨液や沫でガラス蓋を汚染しないように、を
覆う護材(マスク)を着用します。
• ESD=袋を着用してください。=袋は清潔で
なければなりません。汚染された=袋や汚れた=
袋は、©換または洗濯するj要があります。
• ガラス蓋を汚染しないように、指ªはきつくして
おくことがj要です。
•
ージの部:を持ってください。ガラス蓋には絶
に触らないでください。
ピンの折れ曲がりを避けるために、ピン・グリッ
ド・パッケージ(PGAパッケージ)は注V深く
り
ってください。
組立およびテスト|にTが発生するo能!があ
ります。デバイスを開梱するときやテスト用ソケッ
トから
り{すときにTした荷は、デバイスか
らゆっくり放されるようにするj要があります。
リード端U®を接触させるときは、イオン され
た気流gで荷が消費されるまで¯ってください。
カバー・ガラスの01
粒Uや汚染物質に晒される¶を減らすことをおF
めします。このようなを·に避できない$
%は、カバー・ガラスの清掃がj要な$%がありま
す。ガラスを正しく清掃するためのオン・セミコン
ダクターの推<>をLMに示します。
カバー・ガラス01の23
イメージ・センサのパッケージでは、いレベル
の清潔さを維持するj要があります。通のセラミ
ック/プラスチック・カプセル 方Kの°わりに、
質のガラス窓がi用されています。§部のセンサ
では、スペクトル特!を12する目的で、ガラスに
特殊コーティングが施されています。
ガラスやコーティングの*っかき、²、粒U
p着、そのeの汚染を防止するために、
りいに
は特Jな注Vがj要です。
特に、イメージ・センサが関³するUモジュー
ル・アセンブリ・プロセスでは、センサのカバー・
ガラスが粒Uや汚染物質に晒されるおそれがありま
す。オン・セミコンダクターは、すべての
りい
プロセスとアセンブリ・プロセスを監査・µ正し、
カバー・ガラスの01.4
清掃はESD護業cで6施します。ESDリ
スト・ストラップをjず着用します。指やこのセク
ションで推<する清掃用ペーパL{の物でカバー・
ガラスに触らないでください。指ªの脂がp着する
と、¸¹用コーティングがºされ、»¼的な損
を½えるおそれがあります。=袋は、防止およ
び粉末発生防止のものでなければなりません。=袋
として、抗ニトリル製=袋をi用するj要が
あります。
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3
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i用物質：
$%B：+イソプロピルアルコールによる56
• 清潔なt縮窒素
• 純Nイソプロピルアルコール(純N100%)
• ESD護されたふき
り用：
• Ãのボトルではなく、Ä用のスクイズ・ボトルを
•
♦
•
CCDセンサ用：Berkshire DurX 670
♦ CMOSセンサ用：Puritech Puritech S1091PRTま
たは流通業者Hans J. Michael GMBHから=で
きるRTMKC002
ESD護=袋の+：ニトリル製=袋、Ansell
93−401/402またはNiProTect CC529を推<
注V：
•
i用して清掃液をします
§方 からふき
りを行い、ガラス表QにÆ
等なtをÇえます
ふき
りが終わるたびに、新しいふき
り用を
i用するか、を折り返して、きれいなをiっ
てガラスを清掃します
*7にする9;
• イメージ・センサのガラス蓋を清掃する$%は、
センサにARコーティングが施されている
$%は、ガラス清掃=についてオン・
セミコンダクターまたは°理¾にお¿い
%わせください。
•
$%A： ブロワ*
粒Uが緩やかにp着した汚染の$%は、この方法
を適用できます。これはÀ燥むらなどの残留物が¡
¢しないことを証できるÁ§の方法です。
• イオン したN2ガンをi用して空気をÂきpけ、
ガラスから粒Uを
りきます。
• eの部に空気をÂきpけないでください。フロ
ー・ボックスgで業する$%は、ボックスの{
部からÂきpける業を試みてください。
•
純Nイソプロピルアルコールのみをi用しま
す。eの溶Èをi用すると、ガラスの汚染、樹脂
やÉ閉ÈのÊ、パッケージのË!hMが生じ
るおそれがあります。
アセトンをi用しないでください。樹脂をÊし
て、カバー・ガラスとパッケージが接着されてし
まいます。
メタノールをi用しないでください。毒!がある
だけでなく、清掃用としてはh質です。
表がきれいにならない$%は、d記の=を繰
り返します。2か3ふき
っても汚染をÍでき
ない$%、カバー・ガラスが»¼的に破損している
おそれがあります。¸¹Î鏡をi用して、デバイ
スが»¼的に破損したかどうか検査します。
センサのり5けと675けにする89:
ウェーブ=>け
できれば、PGAパッケージにÕされているイメ
ージ・センサをソケットに装着してください。つま
り、IR、流、ウェーブÒ田pけのような表6装
リフロー=の象として、イメージ・センサ自Q
ではなく、ソケットをi用してください。
SMDのり5け
• イメージ・センサをプリント路Ï板にハンダp
•
けする$%は、特Jな配がj要です。フィルタ
・アレイ(CFA)とマイクロレンズがpÑするイメ
ージ・センサは、温に特に敏です。温で長
時間にわたってÇ熱すると、センサの!能がhM
するおそれがあります。
コーティングの有無に関³なく、カバー・ガラス
は汚染に敏です。Ò田フラックスがカバー・ガ
ラス、特にコーティングされたガラスにp着しな
いようにしてください。カバー・ガラスの機械的
破損や粒Up着による破損を防止してください。
:
• リフロー・プロセスの最|は、イメージ・センサ
•
ピン・グリッド・アレイ − PGA
#<の=>け
Ò田ごてをi用してデバイスをスルーホール・ボ
ードにÒ田pけする$%は、次の条0にEってくだ
さい。
• こてªが温N12されたÒ田ごて(30〜80 W)をi
用します。
• Ò田ごてのこてª温Nが350°Cを超えないように
してください。
• ÔピンのÒ田pけ時間は3秒Lgにします。
をソケットに装着しないでください。
IRまたは流のÒ田pけリフローをi用すると
きは、PGAパッケージを6装しないでください。
ソケットをi用せずにPGAパッケージを6装する
$%は、ウェーブÒ田pけが望ましい方法です。
CSP (BGA)のりい
チップ・スケール・パッケージング・アセンブリ
・プロセスをi用する$%は、Ø敗しないように、
J-STDの規O[5]やIPC規格の規OにEってください。
67ペーストとフラックス
Ò田ペーストは、BGAのÒ田とÙ換!がなければ
なりません。詳細については、データシートの規O
を;照してください。フラックスのタイプは、無洗
浄Úおよびハロゲンフリーにするj要があります
(腐!残留物は許Üされない)。
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リフロー・プロファイル
§般的に、リフロー・プロファイルに関する考
>は、PCBの材質、Ò田ペースト・メーカの推<
>、§ボードdに6装されるeのU部によ
って異なります。パッケージのÞさとQ積も、リフ
ロー・プロファイルの要0にをぼすo能!が
あります。製データシートに記載されているパッ
ケージß法と、JEDEC規格JSTD020D6のTable 4-1お
よびTable 4-2を;照してください。
イメージ・センサ部は、湿気に敏なo能!が
あります。湿気への!に関する:[7]にEっ
て、適'な
りいおよびベーキング=法をi用し
てください。
ガラスフィルム
、ガラスを直接護します。護フィルムの6
のサイズと#状は、デバイスとパッケージによって
異なります。
オン・セミコンダクターは、クリーンルーム環/
でイメージセンサを組立て、テストしています。
おD様の生産á程では、汚れを生じることや、しば
しばクリーンルーム環/で
りわれないことがあ
ります。ガラスの汚れやは、イメージセンサの
質や機能に支 を来します。更なるカバーガラスの
護のため、オン・セミコンダクターは、特Oのイ
メージセンサ製に、¸¹的護フィルムを用Vし
ます。
現¢、オン・セミコンダクターは、この目的のた
めに、âつの異なった護フィルムをi用していま
す。§つは、機種ãがA,?M若しくはNでäまる番å
の製にi用され、最260°Cの温Nにおいて、
標準の6装æ術(SMT)のリフローに耐えることが
来ます。それらはIPC/JEDEC J-STD-020Cのリフロ
ー標準に適%しており、3のリフローテストで重
sな¿!の無いものです。もう§つは、機種ãがK
でäまる番åの製にi用され、温への耐!がな
く、リフローá程のあるはんだpけには適していま
せん。これらの護フィルムのy方とも、水あるい
は ¹薬による洗浄á程に適しているものではあ
りません。
ての$%において、護フィルムは、パッケー
ジ されたイメージセンサ・アレーのdで、最h
;<される=>?/
てのデバイスにおいて、護フィルムは、それ
が貼られたままではテストの結果にをぼしか
ねない為、最終製のテストのçに²がすj要があ
ります。護フィルムのÍは、湿Nの管理された
環/において、標準のESDè防措置を
りながら行
われなければなりません。テープをÍするにデ
バイスに けてイオナイザファンをi用すること
は、センサの!能を損なう$%のある荷の発生を
防ぐため、éく推<されます。LMののように、
新たに²がされたテープとガラスのに けて直接
イオン された空気をあてながら、ピンセットを用
いて、ガラスdの配êにX行した方 で、ねじれな
いように滑らかな§Oのきで護フィルムを²が
すことを推<します。
護フィルムは、eの表にp着する$%がある
為、²がされたGは速やかにë棄するj要がありま
す。護フィルムのセンサへのi用は行うべきで
はありません。
Peel Direction
Ionized
Air
Flow
Figure 1. Glass Protective Film
粘着護フィルムを²がしたGのガラスdに残留
物が残らないことを、オン・セミコンダクターが
証することはありません。
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@Aされていないイメージ・センサのB
CDB
É閉されていないデバイスはに、長期¡条0
で管するj要があります。É閉カバー・ガラス
で組み立てられている$%はjず、それぞれのファ
ースト・レベル・パッケージングつまり防湿、真空
É閉、T防止の袋(防湿袋、LMMBB)にれて
管してください。ファースト・レベル・パッケージ
ングにÕされたセンサは、ìgのíのないÉ閉環
/で、LMの条0を満たす$îに管するj要があ
ります。
Description
Condition
Time Limit
< 1 Year
Temperature
20°C to 40°C
Relative Humidity
< 60%
Carriers (tubes, trays, or single unit
carriers) may deform or color filter
arrays may fade.
Corrosive Gases
Leads/pins may oxidize or corrode.
Excessive Loads
Devices may be damaged if heavy
objects are stacked on packing boxes.
Radiation
Imaging defects may be induced.
Electromagnetic Fields
Imaging defects may be induced.
Static Electricity
Time Limit
1 to 5 Years
Temperature
20°C to 40°C
Relative Humidity
< 60%
FGパックにするHI
À燥パックはÀ燥Èと湿N表示カード(HIC)で#}
され、バーコード・ラベルpき防湿袋(MBB)にÕ
されています。このMBBにはESD護機能があり、
j要な機械的éNと柔軟!を6現しているほか、
穿óに耐え、熱融着の特!をôえています。Ô袋g
のÀ燥Èにより、g部の相湿Nレベルは25°C時に
10%LMに維持されます。湿N表示カードは、g部
の湿Nを簡易かつ¦率的に確認するための=段とし
て機能します。
Condition
Direct Sunlight
Condition
「短期管」で説明した、避けるべき管$îの
特!は、「長期管」にも適用されます。
&適'な状fで長期管を行うと、リード/ピンの
酸 や腐を招くおそれがあり、それによってリー
ド/ピンのÒ田pけ能にを½えるo能!があり
ます。1ïLdにわたってデバイスを管する$%
は、i用するçにリード/ピンのÒ田pけ能を確認
しなければなりません。さらに、j要にÚじてi用
するçに、気的特!を確認するj要があります。
:LMの特!がある管$îは避けてください。
Description
Description
FGパックからりJしたKのBとDLM
Ô製の:ªMSLにÚじて、製をÀ燥パック
から
りしたGの適'なパッケージング管要0
と
りい要0が決まります。フロア・ライフつま
りõg管ö÷、パッケージング、管条0、アセ
ンブリ・プロセスを6施するçのフロア・ライフに
ついては、JEDEC規格[7]、[8]を;照してください。
SMDパッケージではないPGAやJLCCにしてリフ
ローは推<されないので、SMDL{の製にはøり
ùて済みMSLレベルが¡¢しません。ただし、これ
らのパッケージにも管要0は適用され、推<され
るフロア・ライフは168時間です。フロア・ライフ
を超えた$%、該ùデバイスはリフロー・プロセス
のçにベーキングを6施するj要があります。
：
ベーキング・プロセス終ú時のûüの
にガラス蓋M部の結を防止するために、
温NhM率を緩やかにすることをéく
おFめします。
Device may suffer catastrophic
damage. If devices are stored in open
trays, full ESD protection must be
used to avoid damage when handling
the devices.
EDB
組み立て済みデバイスを、1ïLdの長期間にわた
って管する$%は、長期管となります。長期
管がè測される$%は、キャリアにÜされたデバ
イスを、防湿、真空É閉、T防止袋の|、または
気の観点からで防湿のエンクロージャに格
納して、デバイスの気的特!のhMや、リード/ピ
ンのñ を防止してください。理ò的には、À燥し
た窒素エアフローも望まれます。防湿パッケージ/エ
ンクロージャは、ìgのíのないÉ閉環/で、LM
の条0を満たす$îに管するj要があります。
NOなB
P$のQR
"Dが規Oの期間1のうちに製を6装できな
かった$%や、á$の条0が規Oの最s温Nや湿N
レベルをdっていた$%は、"Dはフロア・ライ
フを維持するために、LMのな管方法のいず
れかにEって､湿気のýをþめることができます｡
パック:À燥パックされたSMDパッケージが
MBBgにÕされ、40°C/90% RHが維持されている
環/で管されている状況をòOして計算されたシ
ェルフ・ライフ、つまり管ö÷は最短12か月で
す。
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ります。長時間にわたってセンサをベーキングする
と、それまでにまった水蒸気を空洞からÍでき
るo能!があります。オン・セミコンダクターは、
d記3つの方法のいずれかでイメージ・センサを
管して､水蒸気の進を防止することを推<してい
ます｡
10% RHのキャビネット:MBBにÉ閉されて
いないICを、J-STD-033で規Oされる最長時間まで
≤10% RHで維持されるÀ燥空気のキャビネットgに
格納することができます。この時間1を超えた$
%は、フロア・ライフをするためにベーキング
がj要になります。
5% RHのキャビネット: MBBにÉ閉されてい
ないICは、MBBで管されている$%と様に、
管ö÷の1なしで、≤5% RHで維持されるÀ燥
空気のキャビネットgに格納することができます。
:空洞部:があるイメージ・センサ(表6装、
またはそれL{)を、水蒸気tのい環/に置くと水
蒸気がまります。このような環/は、長時間にわ
たってい相湿Nや温に達しているo能!があ
675けSTのU
組立日から24か月LgにおD様が製を6装でき
ない$%、製6装çにÒ田pけ能のテストを6
施し、リードの状況("色など)を点検することをお
Fめします。
おD様は製を窒素環/に管することにより、
Ò田pけ能のhMをuえることができます。
FGの.4と
ベーキングの条0については、JEDEC規格[7]、[8]
を;照してください。
要求条0gで
りいや管を行えなかった製
は、リフローのçにベーキングを6施して、フロア
・ライフをリセットするj要があります。À燥Èを
れてMBBにÉ閉すると、管ö÷をリセットで
きます。
V8WX
[5] IPC-7095L: Chapter 6: Printed Circuit assembly
design considerations and Chapter 7: Assembly of
BGA on printed circuit boards.
[6] Reference: JSTD020D-01 Jedec Standard for
Moisture/Reflow Classification.
[7] IPC/JEDEC J-STD-033 Handling, packing,
Shipping, and Use of Moisture/Reflow Sensitive
Surface Mount Devices.
[8] IPC-610C: Acceptability of electrical assemblies.
[1] Enhancing Profits With Effective ESD Control by
Stephen Halperin, in collaboration with Ron Gibson
Dec 1, 2004, Conformity
http://www.conformity.com/artman/publish/printer_
107.shtml
[2] White paper: A Case for Lowering Component Level
HBM/MM ESD Specifications and Requirements.
[3] IPC/JEDEC JESD625 Requirements for handling
electrostatic discharge sensitive (ESDS) devices.
[4] IPC/JEDEC Standard No. 22-C101B.01.
ON SemiconductorびON SemiconductorのロゴはON SemiconductorというをうSemiconductor Components Industries, LLC しくはその
のび/またはの
におけるです。ON Semiconductorは、、、トレードシークレット()との に!する"を# します。ON Semiconductorの$%/
の&'!(リストについては、*+のリンクからご-いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductorは./なしで、0123の$%の45を
6うことがあります。ON Semiconductorは、いかなる7の8での$%の&9:について#;しておらず、また、お<=の$%において>?の@'や'からAじたBC、
に、DE、FE、GHなIJなどKLのIJに!して、いかなるBCもMうことはできません。お<=は、ON SemiconductorによってNOされたサポートやアプリケー
ションSTのUVにかかわらず、すべてのWX、YZ、[\:の]^あるいは_の`aをbむ、ON Semiconductor$%を'したお<=の$%とアプリケーションについてK
LのBCをMうものとします。ON Semiconductorデータシートやd=1にeされるfg:のある「_」パラメータは、アプリケーションによってはkなることもあり、lm
の:gもnFのopにより4qするfg:があります。「_」パラメータをbむすべてのrパラメータは、ご'になるアプリケーションに@じて、お<=のstuvw
においてxyz;されるようお{い|します。ON Semiconductorは、そのやそのの"の+、いかなるライセンスも}しません。ON Semiconductor$%は、A~
や、いかなるFDA (%
%)クラス3の、FDAがしないにおいてKもしくはのものとyされる、あるいは、へのを!(
としたにおける]%などへの'をしたはされておらず、また、これらを'!(としておりません。お<=が、このようなされたものではない、fさ
れていないアプリケーション'にON Semiconductor$%をまたは'した9、たとえ、ON Semiconductorがその%のまたは$にしてp があったと¡¢され
たとしても、そのようなせぬ'、また£fの'に¤した¥¦§から、DE、¨はFEにAじるすべてのクレーム、ª'、IJ、oª、および«¬®などを、
お<=のBCにおいて¯°をお{いいたします。また、ON Semiconductorとその±²、³²、
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、´µ¶に!して、いかなるIJも·えないものとします。
ON Semiconductorは¸'¹§/º»¼½¸'¡です。この¾®は&'されるあらゆるWの!(となっており、いかなる¿WによってもÀÁすることはできません。
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