RF マニュアル第 16 版 ハイパフォーマンスRF製品用のアプリケーション および設計マニュアル 2012年6月 NXPで、次世代RFおよびマイクロ波設計のパフォ ーマンスがさらに向上 NXPの RF マニュアルは、 今日のRF設計者にとって市場で利用可能な最も重要なレファレンスツー ルです。ローパワーからハイパワーまでのシグナルコンディショニングに適した幅広い製品群をカバ ーしており、アプリケーションと機能別で構成されているため、お客様の設計サポートツールとして ご活用いただけます。 RF を前にした時、設計者の頭にまず思い浮かぶのは、パフォーマンスの要求に 見合うだろうかという部分です。NXP は設計で直面する課題のあらゆる面で他 との違いがはっきりと確認できるので、RFおよびマイクロ波設計のパフォーマン スで差をつけることができます。NXPでは、RF業界のどの場面においても、あな たの製品を差別化することができる高性能なRF製品群を提供します。これこそ、 お客様がミッションクリティカルな設計において、当社に信頼を寄せる理由です。 高出力RFアプリケーション用のLDMOSやGaN 、または小信号用のSiやSiGe:C BiCMOSであっても、当社はすべて対応します。当社では優れたテクノロジーを実 現した製品を幅広く揃えていますので、お客様が自由に、自信を持って設計でき ます。 RF製品の年間出荷数量は40億個を超え、NXPはハイパフォーマンスRFの業界リ ーダーです。衛星受信機、携帯基地局および放送用送信機からISM (産業、科学お よび医療まで) および航空や防衛アプリケーションまで、当社提供のハイパフォ ーマンスRF製品で、お使いの製品、お客様の評価および事業において他と大きな 違いを出すことができます。 RFパフォーマンスの向上を求めるなら、または高効率のシグナルチェーンの設計 や革新的なISMアプリケーションを創造するなら、NXPは、あなたの次世代RFお よびマイクロ波設計の性能向上を支援させていただきます。 4 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 新情報 本RFマニュアルでは、次のRFアプリケーションについての最新情報をお届けしま す。ワイヤレス、ブロードバンド通信インフラ、TVおよび衛星放送、ポータブル機 器、自動車、ISM、航空、防衛など。 核となるテクノロジーQUBiC4 (SiGe:C) および LDMOSの新規開発製品について ご紹介しています。 また、GaN テクノロジーも新たに製品に加わりました。この キーテクノロジーにより、次世代ワイヤレス通信システムで高出力アンプを高効率 で使用できるようになります。 新製品にはGaN パワーアンプ、樹脂プラスチック (OMP) RFパワートランジスタお よびMMIC 、第８世代LDMOS トランジスタ (Gen8) などがあります。 新世代デバ イスおよび性能が向上された製品には、GPS LNA、ミディアムパワーアンプ、IF ゲ インブロック、衛星 LNB ICおよびCATV モジュールがあげられます。 各種アンプ (ミディアムパワー、低ノイズ、可変利得、メディアムパワーおよび高出 力ドハティアンプ) 、ミキサー、IQモジュレータおよびシンセサイザが加わり、ワイ ヤレス通信インフラのポートフォリオはさらに充実し、ト送受ともに高効率なシグ ナルチェーンを構成できるようになります。 デザインサポートセクションが更新され、当社製品を用いた設計を容易にするた めに、使用可能なツール、ドキュメントおよびリンクがすべてが入っています。 当社では、RFイノベーションには妥協がありません。パフォーマンス重視のアプリケーションで自信が持てるようにインフ ラを整え、アイデアを盛り込んだ製品を提供します。お使いのアプリケーションのパフォーマンスの限界を打ち破り、設計 ビジョンを実現し、お客様の競争力を高めることができるように、複雑なRF問題に向き合います。今お読みになっている 本書は、単なるガイドに留まるのではなく、RF パフォーマンスを引き出すことができるツールです。RF マニュアル第16版 敬具 John Croteau 上級副社長および統括責任者 ビジネスライン・ハイパフォーマンスRF RF マニュアルのwebページ www.nxp.com/rfmanual NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 5 目次 1 アプリケーション別製品 9 1.1 ワイヤレス通信インフラ 1.1.1 ベースステーション (全携帯標準および周波数) 1.1.2 ポイント・ツー・ポイント通信 1.1.3 リピーター 9 9 12 14 1.2 ブロードバンド通信インフラ 1.2.1 CATV-光信号 (マルチ出力ポート付き光ノード) 1.2.2 CATV 電気信号 (ラインエクステンダ) 15 15 16 1.3 TV および衛星 1.3.1 テレビ受信向けネットワーク インターフェース モジュール (NIM) 1.3.2 ベーシック TV チューナー 1.3.3 衛星屋外装置: ディスクリート構成のツイン低ノイズ・ブロック (LNB) 1.3.4 衛星屋外装置: ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合ICを用いたツイン低ノイズ・ブロック (LNB) 1.3.5 衛星マルチスイッチ・ボックス - 4 x 4 ( 最大 16 x 16 )// DiSEqC / SMATV 1.3.6 VSAT 17 17 19 20 21 22 23 1.4 ポータブル機器 1.4.1 GPS 1.4.2 FM ラジオ 1.4.3 UHF 帯 470 – 862 MHzの中国マルチメディア放送 (CMMB) 1.4.4 セルラー受信 25 25 26 27 1.6 1.4.5 802.11n DBDC および 802.11ac WLAN 1.4.6 RF 汎用フロントエンド 自動車 1.5.1 SDARS および HD ラジオ 1.5.2 リモート・キーレス・エントリー、送受信専用アンテナ付きRF汎用フロントエンド 1.5.3 タイヤ空気圧監視システム 1.5.4 カー・ラジオ・レシーバー (CREST ICs: TEF6860HL, TEF6862HL) 産業、科学、医療 (ISM) 1.6.1 ブロードキャスト / ISM 1.6.2 スマートメーター, シングルアンテナ付きRF汎用フロントエンド / ZigBee 1.6.3 RF マイクロ波加熱器 1.6.4 RF プラズマ照明 1.6.5 医療用画像装置 1.7 航空宇宙および防衛 1.7.1 Lバンド・Sバンドレーダーおよびアビオニクスアプリケーション向けマイクロ波製品 2 注目すべきアプリケーション、製品、テクノロジー 2.1 ワイヤレス通信インフラ 2.1.1 送受信用ＲＦコンポーネントを使用した高効率シグナルチェーンの構築 2.1.2 すぐれたリニアリティおよび柔軟な電流設定が可能なデジタル広帯域VGA 2.1.3 最先端のワイヤレスインフラ向けドハティ・アンプテクノロジー 2.1.4 ワイヤレスインフラストラクチャ向け、新世代LDMOS RFパワートランジスタ： NXP Gen8 1.5 28 29 30 31 31 32 33 34 35 35 36 37 38 39 40 40 42 42 42 44 46 48 2.2 ブロードバンド通信インフラストラクチャ 2.2.1 人と人をつなぎ、ネットワークを保護 ：中国のSARFT 向けNXPのCATV C - ファミリー 2.2.2 持続可能な CATV ネットワーク向け1 GHz GaAs モジュールの高効率ラインナップ 49 49 52 2.3 TVおよび衛星 2.3.1 チューナーの性能改善に最適な、可変利得ならびにバイパスオプション付きLNA 2.3.2 全LNB アーキテクチャ用の完全衛星ポートフォリオ 2.3.3 VSAT、衛星を経由する双方向通信 2.3.4 マイクロ波およびミリ波無線向け低ノイズ LO ジェネレータ 54 54 56 58 60 2.4 ポータブル機器 2.4.1 最小フットプリントでGNSSシグナルを最適受信 2.5 産業、科学、医療 2.5.1 RFパワーで駆動する医療アプリケーション 2.5.2 RFを利用したプラズマ照明 2.5.3 あらゆるRFアプリケーションのためのQUBiC4 Si および SiGe:C トランジスタ 2.5.4 マイクロ波およびレーダーにおける数十年に及ぶ技術革新 2.5.5 最高のデジタル放送 2.5.6 超低消費ならびに高性能なコネクティビティソリューションの提案 6 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 61 61 63 63 64 65 66 68 69 2.6 テクノロジー 2.6.1 GaN製品を提供する初の主流半導体会社 2.6.2 NXPのRF パワートランジスタ製品群：プラスチックパッケージの製品（OMP) 2.6.3 SiGe:Cのトップ企業をお探しですか? NXPがあれば、もう迷うことはありません! 2.6.4 NXPリードレスパッケージプラットフォームおよびWL-CSPテクノロジーにて提供される高性能な小型パッケージ 3 機能別製品 3.1 新製品 3.2 RF ダイオード 3.2.1 バリキャップ・ダイオード 3.2.2 PIN ダイオード 3.2.3 バンドスイッチ・ダイオード 3.2.4 ショットキー・ダイオード 3.3 RFバイポーラトランジスタ 3.3.1 広帯域トランジスタ 3.4 RF IC 3.4.1 RF MMIC アンプおよびミキサー 3.4.2 ワイヤレスインフラストラクチャ向け IC 3.4.3 衛星 LNB RF IC 3.4.4 VSAT および汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズLO ジェネレータ 3.5 RF MOS トランジスタ 3.5.1 JFET 3.5.2 MOSFET 3.6 RF モジュール 3.6.1 CATV プッシュ・プル 3.6.2 CATV プッシュ・プル 1 GHz 3.6.3 CATV パワーダブラー 3.6.4 CATV 光レシーバー 3.6.5 CATV リバースハイブリッド 3.7 RF パワートランジスタ 3.7.1 ペースステーション用RFパワートランジスタ 3.7.2 ブロードキャスト / ISM用RF パワートランジスタ 3.7.3 航空および防衛用RF パワートランジスタ 3.7.4 窒化ガリウム (GaN) RF パワーアンプ 3.8 ワイヤレスマイコンチップセットおよびモジュール 70 70 71 72 74 75 75 78 78 79 81 81 82 82 85 85 88 89 89 90 90 91 93 93 93 94 94 94 95 95 99 100 101 101 4 設計サポート 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 NXPのRFポートフォリオ情報 NXP.comの製品セレクション 製品評価 追加設計サポート アプリケーションノート シミュレーション・モデル 4.6.1 RFパワーデバイス用シミュレーション・モデル 4.6.2 RF バイポーラ広帯域トランジスタ用シミュレーション・モデル 4.6.3 RF MOSFET トランジスタ用シミュレーション・モデル 4.6.4 バリキャップ・ダイオード用シミュレーション・モデル 4.6.5 RF MMIC アンプ用シミュレーション・モデル 5 クロス・レファレンスおよび代替製品 108 5.1 クロス・レファレンス: 他社品番に対応するNXP品番 108 5.2 クロス・レファレンス: NXP生産終了品番に対応する代替品番 6 パッキングおよびパッケージ情報 6.1 パッケージあたりの梱包数量と関連注文コード 6.2 マーキング・コード 102 102 102 102 103 103 104 104 105 106 106 107 117 119 119 122 7 略語 124 8 連絡先とＷｅｂリンク 125 9 製品目録 126 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 7 8 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 1. アプリケーション別製品 1.1 ワイヤレス通信インフラ ベースステーション (全携帯標準および周波数) アプリケーシ ョン別製品 1.1.1 パンフレット『モバイル通信インフラ設計のパートナー』NXP 文書番号 9397 750 16837を参照してください。 アプリケーション図 DPD CFR DUC DDC Power Amplifier DVGA RF-BP PLL VCO Dual DAC 0 HPA 90 Transmitter Q F-SAW JEDEC IF MPA DVGA Mixer+LO Tower Mounted Amplifier Tx Att. ADC LO Duplexer Digital Front End (JEDEC) Interface OBSAI / CPRI Digital Baseband JEDEC Interface IQ-Modulator I JEDEC Interface RF-SAW Dual ADC Clock Generator Jitter Cleaner BP or LP Dual DVGA Data Converter F-SAW Dual Mixer RF Small Signal PLL VCO RF Power LNA +VGA Rx LNA TX / RX1 µC RX2 Filter Unit LNA+VGA Micro Controller 上記の図は、ベースステーションの送信部 (上部Tx) と受信部 (下部Rx) を示すブロック図です。Txフィードバック機能 (中間部Txフィードバック) が含まれます。 「デジタルベースバンドおよび制御」ブロックで生成された信号は、無線インターフェース規格に準拠するものです。 これらの信号は、シリアルインターフェース(SER)を介してデジタル アナログコンバータ(DAC)へと到達します。SERは、LVDS または JEDEC標準を使用することができます。信号は I-DAC および Q-DACへと伝達されたら、アナログドメインに変換 されます。I および Q信号が IQ モジュレータに入る前、まずエイリアスを除去するためローパスフィルタがかけられます。 IQ モジュレータでは、信号は通常 LO ジェネレータと呼ば れるPLL/VCO デバイスからのLO信号を使ってRFへと高周波変換されます。デバイスとセルの負荷の具合にもよりますが、アップコンバートされた信号は、出力レベルを制御するため VGAへと伝送されます。スプリアスを除去するため追加のバンドパスフィルタが必要となります。求められる空中線電力が生成されるRF パワーボードへ、クリーンな信号が 送られま す。最後に、RF 電力信号はデュプレクサーを通してアンテナへと送信されます。 最終ステージとなるアンプの直後に、信号カプラーが特定量のRF信号をピックアップし、この信号は減衰され、IFミキサーを使用してダウンミキシングされます。この信号は、監視信号 と呼ばれるもので、デジタルプレディストーションアルゴリズムの係数を導くために使用されます。電力レベルは変動するため、監視信号はまず電力レベルを制御するために VGAへと 送られ、次にバンドパスフィルタがかけられ、信号はADCを使用してデジタルドメインに変換されます。 同じシリアルインターフェースを使用してベースバンドプロセッサにデジタル信 号が送られます。 受信部では、デュプレクサーを直接通って受信された信号は、極めて微弱であるため、受信信号を増幅させるためにLNAへと送られます。最初のLNAがタワートップに搭載される場 合、長いRFケーブルを使用してRF信号をベーストランシーバーステーション(BTS)へ伝送します。２番目のLNAは、受信した信号を増幅するために使用されます。 帯域外信号レベル を少なくするために信号がIFミキサーに伝送される前にバンドパスフィルタリングが適用されます。信号レベルが劇的に変化する場合は、最適な変換処理パフォーマンスが得られる I-ADC および Q-ADC のフルスケール入力レンジを維持するために VGAが必要となります。 ADCの前にはローパスフィルタを使用し、エイリアスを除去しています。デジタル信号 は、JEDECなどのシリアルインターフェースを使用してベースバンドに伝送されます。 サンプルクロックとLO信号は、それぞれクロッククリーナーおよびPLLによって導かれています。 これは、ブロック図では、ClockならびにPLL / VCO として表示されます。この設定は、 同期システムを作るために必要となります。 SNRとして示される、受信品質を向上させるためには、ダイバーシティ受信機と呼ばれる2番目のレシーバが装備されています。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 9 推奨製品 Function Product Driver Driver/final MMIC HPA Final Integrated Doherty fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching Package Type 700 2200 10 - SOT1179 2110 2170 40 I/O SOT1121 BLP7G22-10* BLF6G22L(S)-40P 2500 2700 40 I/O SOT1121 BLF6G27L(S)-40P 2000 2200 60 I/O SOT1212 BLM7G22S-60PB(G)* 700 1000 160 - SOT467 BLF6H10L(S)-160 700 1000 200 I/O SOT1244C 700 1000 270 I/O SOT1244C BLF8G10LS-270GV 850 960 300 I/O SOT539 BLF8G10L(S)-300P* 900 1000 140 O SOT1224 BLP7G09S-140P(G)* 920 960 160 I/O SOT502 BLF8G10L(S)-160* 920 960 250 I/O SOT502 1800 1900 260 I/O SOT539B BLF7G20LS-260A* BLF7G20L(S)-250P BLF8G10LS-200GV BLF7G10L(S)-250 1805 1880 250 I/O SOT539 2000 2200 160 I/O SOT502B BLF7G22L(S)-160* 2000 2200 200 I/O SOT1244C BLF8G22LS-200GV* 2000 2200 270 I/O SOT1244C BLF8G22LS-270GV* 2500 2700 100 I/O SOT502 BLF7G27L(S)-100 2500 2700 140 I/O SOT502 BLF7G27L(S)-140 3400 3600 100 I/O SOT502 BLF6G38(LS)-100 2010 2025 50 O SOT1130 BLD6G21L(S)-50 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: BLF8G10LS-160 920～960 MHz周波数のW-CDMA基地局およびマルチキャリヤアプリケーシ ョン用の160 W LDMOS パワートランジスタ 10 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` 優れた耐久性 ` 高効率性 ` 低抵抗で優れた熱安定性 ` ブロードバンド（920～960MHz）用に設計 ` 低出力キャパシタンスでドハティアプリケーションのパフォーマンスを改善 ` 低メモリ効果でプレディストータビリティが安定 ` 内部整合のため使用が容易 ` 内蔵ESD 保護 ` 有害物質使用制限 (RoHS) 指令に準拠 2002/95/EC Discrete attenuator Function Product RF diode PIN diode Product RF transistor SiGe:C transistor LNA (low noise amplifier) Package SOT753 SOT753 Various Type BAP64Q BAP70Q BAP64^ Package Type BFU725F/N1 BFU690F BFU730F BFU760F BFU790F BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 SOT343F SOT650 MMIC SiGe:C MMIC SOT1301 Function Single VGA (variable-gain amplifier) Product Function Dual VGA (variable-gain amplifier) Product Function Product MPA (medium power amplifier) Function Dual mixer MMIC MMIC MMIC Product MMIC Function Product PLL + VCO MMIC (LO generator) Function Gain range 31 dB Gain range 24 dB 28 dB PL (1dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm Package SOT617 Package SOT617 Package SOT89 SOT908 Type BGA7210 BGA7204 Type BGA7350 BGA7351 Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 Frequency 0.7 - 1.2 GHz 1.7 -2.7 GHz Package Noise 131 dBc/Hz @ 1 MHz offset @ 5.3 GHz Package Type SOT617 BGX7300* SOT1092 アプリケーシ ョン別製品 Function Type BGX7220 BGX7221 Product Output power Package Type 0 dBm BGX7100 IQ modulator MMIC SOT616 4 dBm BGX7101 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 ^ SOD523、SOD323、SOT23およびSOT323 製品ハイライト: デジタルVGA BGA7204およびBGA7210 これらの6ビットデジタルVGAは、広帯域で外部整合なしで、高リニアリティ （35 dBm @ 2.2-2.8 GHz）および高出力（23 dBm @ 2.2-2.8 GHz）を提供 します。接続交叉がないスマートルーティングにより設計が簡素化され、フ ットプリントが25％削減されます。 独自の省電力モードにより、TDDシステムで電流消費を最大45%まで効果的 に削減できます。BGA7210 で、減衰状態にもよりますが、2つのアンプ間の 電流分配が柔軟になり、電流が抑えられます。 特長 ` 内部整合で50Ω - BGA7204 = 0.4～2.75 GHz - BGA7210 = 0.7～3.8 GHz ` 高い最大出力ゲイン - BGA7204 = 18.5 dB - BGA7210 = 30 dB ` 高出力サードオーダーインターセプト、IP3O - BGA7204 = 38 dB - BGA7210 = 39 dB ` 減衰幅31.5 dB、0.5 dB ステップ (6ビット) ` 高速切り替えのパワーセーブモード (パワーダウンピン) ` 120～195mAのデジタル制御による電流設定 (BGA7210のみ) ` シンプル制御インターフェース (SPI) ` 全ピンにESD 保護 (HBM 4 kV; CDM 2 kV) NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 11 ポイント・ツー・ポイント通信 1.1.2 アプリケーション図 INDOOR UNIT POWER SUPPLY OUTDOOR UNIT PLL VCO 0 MPA VGA IF VGA PA MPA BPF 90 BUF DIGITAL SIGNAL PROCESSOR REF MPX PMU PLL VCO 0 90 ANALOG VGA VGA to/from IDU MPX REF PMU IF MMIC Function MMIC Product MPA (medium power amplifier) Function MMIC Product IQ modulator Gain range 23 dB 31 dB Package SOT617 Type Function BGA7202 BGA7204 Product MMIC Gain range 24 dB 28 dB PL (1dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm Output power 0 dBm 4 dBm Package SOT617 IF gain block MMIC MMIC Generalpurpose wideband amplifiers Type BGA7350 BGA7351 Function Package SOT89 SOT908 Package Product BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 Package Type SOT616 BGX7100 BGX7101 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 SOT363 Package SOT891 Type SOT650 RF MMIC SiGe:C MMIC SOT1301 LNA SiGe:C transistor SOT343F RF transistor Wideband transistor 12 LNA VGA VGA IF Product Dual VGA (variable-gain amplifier) LNA brb 06 Product Function ANTENNA PLL LNA 推奨製品 インドアユニット Single VGA (variable-gain amplifier) PLL LPF DATA INTERFACE Function SYNTH SOT343R SOT143R Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGM1012 BGA2714 BGA2748 BGA2771 Type BGU7003 BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 BFU725F/N1 BFU710F BFU730F BFG425W BFG424W BFG325/XR アウトドアユニット Single VGA (variablegain amplifier) Function MPA (medium power amplifier) Function Buffer Function LNA Function Product Gain range Package Type BGA7210 MMIC 31 dB SOT617 BGA7204 Product MMIC PL (1dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm Product RF transistor SiGe:C transistor SOT908 SOT343F Package SiGe:C transistor Product IF gain block SOT89 Package Product RF transistor Package SOT343F Package MMIC SOT363 IF MMIC Generalpurpose wideband amplifiers Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 Type BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Type BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Function Dual VGA (variablegain amplifier) Function PLL + VCO (LO generator) Function Oscillator Product Gain range Package 24 dB MMIC Type BGA7350 SOT617 28 dB Product MMIC Noise Package Type -131 dBc/Hz @ 1 MHz offset @ 5.3 GHz SOT617 BGX7300* Package Type BFG424W BFG425W BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Product RF transistor BGA7351 Wideband transistor SOT343R SiGe:C transistor SOT343F アプリケーシ ョン別製品 Function * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してくださ い。 NXP BTS Tx コンポーネントデモボード Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGM1014 BGM1013 BGM1012 BGA2714 製品ハイライト: BGA7350 MMIC 可変利得アンプ BGA7350 MMICは、50 ～ 250 MHzをカバーする独立型のデュアルデジタ ル制御IF可変利得アンプ(VGA)です。 各 IF VGA アンプは24 dBの可変利 得レンジがあり、最大利得設定時において17 dBmの出力1dB圧縮ポイント ですぐれたリニアパフォーマンスを発揮します。 BGA7350 は、正確な利 得制御が得られるよう、差動利得誤差が±0.1 dB 以下であるため、総合的 な利得誤差が±0.4 dB以下となるよう最適化されています。リードレス32ピ ンHVQFN パッケージ (5 x 5 mm) にて供給されます。 特長 ` 5ビット制御インターフェースで、独立型のデュアルデジタル制御24 dB 利得レンジVGA ` 50～250MHz周波数レンジ ` 利得ステップサイズ：1 dB ± 0.1 dB ` 18.5 dB 電力利得 ` 高速利得ステージスイッチング機能 ` 1 dB利得圧縮で17 dBm 出力 ` パワーダウン制御付きシングル5V単電源動作 ` ロジックレベルシャットダウン制御ピンで供給電流を削減 ` 全ピンでESD保護 ` 無条件で安定 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 13 リピーター 1.1.3 アプリケーション図 Dual mixer Tx0 PA mixer Dual DAC Dual ADC I DAC LPF VGA LPF VGA Dual mixer mixer LNA RF SAW LNA RF SAW LNA Rx0 ADC DDC/ DUC Filtering Tx1 PA Dual VGA LPF LPF Rx1 Q DAC ADC mixer mixer PLL VCO Clock Recovery jitter cleaner LO Signal brb631 推奨製品 Function Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching 700 2300 700 1450 1800 2110 2500 3400 2010 2110 2200 2700 1000 1550 2000 2170 2700 3800 2025 2170 10 10 45 40 45 40 40 50 50 50 I I I/O I/O I/O I/O I/O O I/O Driver Driver/final HPA Integrated Doherty Function Product MPA (medium power amplifier) Function MMIC Product Dual VGA (variable-gain amplifier) Function MMIC Product Dual mixer Function MMIC PL (1 dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm Gain range 24 dB 28 dB Frequency range 1.7 - 2.7 GHz 0.7 - 1.2 GHz Product SOT1179 SOT975 SOT608 SOT1135 SOT608 SOT1121 SOT1121 SOT502 SOT1130 SOT1130 Package SOT908 Package BGA7350 SOT617 BGA7351 Package Type BGX7220 BGX7221 SOT1092 Package Type BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 SiGe:C MMIC Product PLL + VCO (LO generator) MMIC BLP7G22-10* BLF6G27-10(G) BLF6G10(S)-45 BLF6G15L(S)-40RN BLF6G20(S)-45 BLF6G22L(S)-40P BLF6G27L(S)-40P BLF6G38(LS)-50 BLD6G21L(S)-50 BLD6G22L(S)-50 Type SOT1301 Function Type Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 SOT89 SOT650 LNA Package Noise Package Type -131 dBc/Hz @ 1 MHz offset @ 5.3 GHz SOT617 BGX7300* * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: BGX7221 MMICデュアルダウンミキサー BGX7221はハイパフォーマンスとすぐれたリニアリティを備えたダウンミ キサーで、メインとダイバーシティのパス両方で使用する共通のローカル オシレータが実装された受信機で使用します。1700 ～ 2700 MHz の周波 数帯域をカバーし、すぐれた安定性能を発揮します。 14 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` ` ` ` ` 全バンドで8.5 dB 変換利得 13 dBm入力1dB圧縮ポイント 25.5dBm入力サードオーダーインターセプトポイント 10 dB (代表値) 小信号雑音指数 統合アクティブバイアス 5V単電源動作 ハードウェア制御ピンによりミキサーごとにパワーダウン パワーダウンモードで低バイアス電流 50Ωで整合されたシングルエンドのRFおよびLO入力インピーダンス 全ピンでESD保護 1.2 ブロードバンド通信インフラ 1.2.1 CATV-光信号 (マルチ出力ポート付き光ノード) RF power amplifier アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 duplex filter coax out port 1 fiber in RF forward receiver RF pre amplifier splitter coax out port 2 coax out port 3 coax out port 4 bra852 推奨製品 Function RF forward receiver Product Forward path receiver Function Product Frequency Power doubler 870 MHz RF pre-amplifier Frequency 870 MHz 870 MHz Push-pulls 1 GHz Function RF power amplifier Product Frequency Power doublers 870 MHz 1 GHz Package SOT115 SOT115 Type BGO807C BGO807CE Gain (dB) 18.2 - 18.8 18 - 19 21 - 22 23 - 24.5 27 - 28.5 Type BGD812 BGY885A BGY887 CGY1043 CGY1047 Gain (dB) 22 - 24 24 - 26 22 - 23.5 26.5 - 28 Type CGD942C CGD944C CGD1042Hi CGD1046Hi 製品ハイライト: BGO807CE 光レシーバー BGO807CEは、統合光レシーバー・モジュールであり、高い出力レベルを 提供するとともに温度補正回路を内蔵しています。 お客様の光ノード・デ ザインにおいて、BGO807CEは高い費用対効果と堅牢性を可能にし ます。 HFCネットワークをアナログからデジタルにアップグレードする場 合には、BGO807CEが最適です。 特長 ` ` ` ` ` ` ` 優れたリニアリティ 低ノイズ 優れた平坦性 標準CATV アウトライン 堅牢な構成 金メタル処理による高い信頼性 高光入力パワーレンジ NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 15 CATV 電気信号 (ラインエクステンダ) 1.2.2 アプリケーション図 duplex filter RF preamplifier RF power amplifier duplex filter coax in coax out RF reverse amplifier bra505 推奨製品 Function Product Frequency 550 MHz 750 MHz RF pre-amplifier 870 MHz Push-pulls 1003 MHz Function Product RF reverse amplifier Reverse hybrids Frequency 5-75 MHz 5-120 MHz 5-200 MHz Gain (dB) 33.5 - 35.5 33.2 - 35.2 18 - 19 21 - 22 18 - 19 21 - 22 33.5 - 34.5 34.5 - 36.5 18 - 19 21 - 22.5 23 - 24.5 27 - 28.5 29 - 31 32 - 34 Type BGY588C BGE788C BGY785A BGY787 BGY885A BGY887 BGY888 CGY888C BGY1085A CGY1041 CGY1043 CGY1047 CGY1049 CGY1032 Gain (dB) 29.2 - 30.8 24.5 - 25.5 23.5 - 24.5 Type BGY68 BGY66B BGY67A Function Product Frequency 750 MHz 870 MHz RF power amplifier Power doublers 1003 MHz Gain (dB) 18.2 - 18.8 18.2 - 18.8 20 - 20.6 18.2 - 18.8 19.7 - 20.3 22 - 23 24 - 26 22 - 24 24 - 26 19.5 - 22 22 - 23.5 23.5 - 25.5 26 - 28 22 - 24 23.5 - 25.5 26 - 28 すべてSOT115 パッケージにて提供 製品ハイライト: CGD1046Hi 高出力タイプのCGD1046Hi は、ファイバー・ディープ光ノード・アプリケー ション (N+1/2/3)向けに設計されています。この1 GHz ハイブリッドアンプ ソリューションは、広い温度範囲、サージ発生時における高いパワーオー バーストレス、そして高いESDレベルにより、トータルコストを削減します。 その結果、耐久性と堅牢性にも優れ、総所有コストが低く抑えられます。 16 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` ` ` ` ` ` ` 高出力 パワーダブラーとして高い伝達利得 超低ノイズ ダークグリーン製品 ハイエンド・アプリケーション向けのGaAs HFETダイ 堅牢な構成 優れたESDの保護レベル 統合リングウェーブ保護 デジタルチャンネルのローディングに最適化された設計 温度補償された応答利得 最適化された熱管理 優れた温度抵抗 Type BGD712 BGD712C BGD714 BGD812 BGD814 CGD942C CGD944C CGD1042H CGD1044H CGD1040Hi CGD1042Hi CGD1044Hi CGD1046Hi CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi TV、DVR/PVRおよびSTBのマルチチューナー・アプリケーション向け広帯域LNAに関する詳細をお探しですか? セクション2.3.1の「チュ ーナーの性能改善に最適な、可変利得ならびにバイパスオプション付きLNA」を参照してください。 1.3 TVおよび衛星 テレビ受信向けネットワーク インターフェース モジュール (NIM) アプリケーシ ョン別製品 1.3.1 アプリケーション図 RF input VGA surge CONVENTIONAL TUNER OR SILICON TUNER RF SW WB LNA RF output brb403 推奨製品 Function Product Vcc (V) 5 Gain (db) 10 Package Type SOT363 BGU7031 SOT363 BGU7032 SOT363 BGU7033 SOT363 BGU7041 SOT363 BGU7042 SOT363 BGU7044 SOT363 BGU7045 10 5 -2 10 5 5 -2 LNA MMIC 3.3 10 10 3.3 -2 3.3 14 14 3.3 -2 製品ハイライト: BGU703x/ BGU704xを使用することで、NIMチューナーのハイ パフォーマンスアクティブ・スプリッタを実現 近年、テレビチューナーにおいては、ますます設計の柔軟性と複雑な信号 処理が求められるようになってきました。 テレビチューナーのフロントエ ンドは、単なる受信機という枠を超えており、復調器、アクティブ・スプリ ッタ、再変調器を備えたRF ネットワークインターフェースモジュール (NIM) に進化しています。アクティブ・スプリッタには、優れたリニアリティのLNA が要求されます。 NXPでは、NIMチューナーのアクティブ・スプリッタの ような、低ノイズが要求されるアプリケーション向けに、高いリニアリテ ィ (IP3O / 29 dBm) が得られるよう新しいLNA / VGA MMIC (BGU703x/ BGU704x) シリーズを開発しました。BGU703xファミリーは供給電圧5 V で動作し、通常のCANチューナー向けにご使用いただけます。BGU704x ファミリーは、電圧3.3 Vで動作し、同じく電圧3.3 Vで動作するSiチューナ ー ICとシームレスに連動します。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 17 推奨製品 Function Product 5 V silicon RF switch RF Switch / PLT switch MOSFET 3.3 V silicon RF switch Function Product AGC control amplifier MOSFET Package SOT23 SOT143B SOT143R SOT343 SOT343R SOT143B SOT143R SOT343 SOT343R Type BF1107 BF1108 BF1108R BF1108W BF1108WR BF1118 BF1118R BF1118W BF1118WR Package Type 2-in-1 with band switch @5V SOT363 BF1215 2-in-1 @ 5 V SOT363 BF1216 5V SOT343 BF1217 注：MOSFETのの前段にLNAがあることを想定し、これらMOSFETの利得は少し低く 抑え、クロス・モジュレーションを少し高くしています。 そのため、MOSFETは、通常RF入力レベルにおいてもAGC以下にはなりません。 BGU703x 評価ボード 製品ハイライト: BF11x8で省エネ BF11x8シリーズは、最大1GHzまでにRF信号をスイッチングするのに使用 できる小信号、RFスイッチングMOSFETです。BF11x8シリーズをRFスイッ チとして使用することで、エネルギー量を相当抑えることになります。録画 機器（DVD-R、HDD-R、VCR、DVR）の電源がオフになっている場合でも、 アンテナからの信号を録画機器経由でループすることで、視聴者はテレビ 18 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 を観ることができます。BF11x8がない場合、アンテナ信号がなくなります。 録画機器の電源がオンになっている場合、BF11x8が開いているので、RF 信号が録画機器からテレビチューナーに流れます。録画機器の電源がオフ になっている場合は、BF11x8は閉じています。これで、RF信号がテレビチ ューナーに直接ループされ、テレビ受信ができます。録画機器の電源がオ フになっているので、省エネになります。 1.3.2 ベーシックTVチューナー アプリケーション図 MOSFET From antenna, cable, active splitter, etc. MOPLL IC アプリケーシ ョン別製品 RF input IF VAGC bra500 推奨製品 Function Product VHF low Varicap diode Input filter VHF high UHF Function Product 5V RF pre-amplifier MOSFET 2-in-1 @ 5 V Package SOD323 SOD523 SOD323 SOD523 SOD523 SOD882D SOD882D SOD323 SOD882D SOD523 SOD523 Type BB152 BB182 BB153 BB178 BB187 BB178LX BB187LX BB149A BB179LX BB179 BB189 Package SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT666 SOT666 SOT363 SOT363 SOT363 Type BF1201 BF1202 BF1105 BF1211 BF1212 BF1102R BF1203 BF1204 BF1206 BF1207 BF1208 BF1208D BF1210 BF1214 BF1218 Function Bandswitching Function Bandpass filter BGU7045 MMICは、バイパスモード付き3.3V広帯域アンプです。 40 MHz～1GHzの周波数の高リニアリティ、低ノイズ・アプリケーション専用に 設計されています。セットトップボックス・アプリケーションに最適です。LNA は、6ピンSOT363プラスチックSMDパッケージにて提供されます。 Product VHF high Varicap diode UHF Function Product VHF low Oscillator VHF high Varicap diode UHF RF pre-amplifier BGU7045 バイパス付き1GHz広帯域LNAアンプ Bandswitch diode VHF low Function 製品ハイライト: Product Product MOSFET Package SOD523 SOD523 SOD523 Type BA277 BA891 BA591 Package SOD323 SOD523 SOD323 SOD882D SOD523 SOD882D SOD523 SOD323 SOD882D SOD523 SOD523 Type BB152 BB182 BB153 BB178LX BB178 BB187LX BB187 BB149A BB179LX BB179 BB189 Package SOD323 SOD523 SOD323 SOD882D SOD523 SOD882D SOD523 SOD323 SOD882D SOD523 SOD523 Type BB152 BB182 BB153 BB178LX BB178 BB187LX BB187 BB149A BB179LX BB179 BB189 Package Type 2-in-1 with band switch @5V SOT363 BF1215 2-in-1 @ 5 V SOT363 BF1216 5V SOT343 BF1217 特長 ` ` ` ` ` ` ` 内部バイアス 雑音指数2.8 dB IP3O 29 dBmの高リニアリティ 75Ω入出力インピーダンス バイパスモード中のパワーダウン バイパスモード電流消費 < 5 mA 全ピンで、ESD保護 > 2 kV HBMおよび >1.5 kV CDM NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 19 衛星屋外装置： ディスクリート構成のツイン低ノイズ・ブロック(LNB) 1.3.3 ユニバーサルシングルLNB用の完全集積型ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータをお探しですか? 全LNBアーキテクチャ向け完全なサテライト製品群については、セクション2.3.2を参照してください。 アプリケーション図 horizontal 1st antenna stage LNA 2nd stage LNA 3rd stage LNA mixer H low IF amplifier oscillator low mixer BIAS IC V low mixer IF amplifier H high IF amplifier (4 x 2) IF SWITCH IF out 1 IF amplifier vertical antenna high oscillator IF amplifier V high 1st stage LNA 2nd stage LNA 3rd stage LNA mixer IF amplifier IF out 2 brb022 推奨製品 Function 2nd & 3 rd stage LNA Product Function Product RF bipolar transistor RF transistor Oscillator RF transistor Function IF switch Function 1st stage IF amplifier Package SiGe:C transistor Wideband transistor SiGe:C transistor Product RF diode PIN diode Product MMIC RF bipolar transistor IF gain block Wideband transistor SOT343F Package SOT343 SOT343F SOT343F Type BFU710F BFU730F Type BFG424W BFG424F BFU660F BFU710F BFU730F Package Various Various Various Various Various Type BAP64^ BAP51^ BAP1321^ BAP50^ BAP63^ Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT343 SOT343F Type BGA2800 BGA2801 BGA2802 BGA2803 BGA2815 BGA2816 BGA2817 BGA2818 BGA2850 BGA2851 BGA2866 BFG424W BFG424F Function Product Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2818 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGA2867 BGA2870 BGA2874 BGM1014 MMIC IF gain block RF bipolar transistor Wideband transistor SOT343 BFG325 2nd stage LNA RF transistor SiGe:C SOT343F BFU710F BFU730F Function Product Output stage IF amplifier Mixer RF transistor Package SiGe:C transistor SOT343F ^ 超小型リードレスパッケージSOD882D品もご用意しています。 製品ハイライト: BGA28xxファミリーのIFゲインブロック BGA28xx IFゲインブロックは、6ピンSOT363プラスチックSMDパッケー ジに内部整合回路が付いたシリコン・モノリシック・マイクロ波統合回路 (MMIC)広帯域アンプです。 20 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` 出力ステージでの使用には、出力インダクタは不要 内部で50Ωに整合 最大2 GHzで30 dB 以上の逆方向絶縁 優れた２次および3次高変調歪特性 無条件の安定性(K > 1) Type BFU710F BFU730F 1.3.4 衛星屋外装置： ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合ICを用いたツイン低ノイズ・ブロック(LNB) アプリケーション図 H LNA3 LNA3 COMBINER LNA2 SPLITTER LNA1 IF out 1 shared crystal LNA3 V TFF1014 SWITCHED TO LOW-BAND BPF アプリケーシ ョン別製品 LNA2 COMBINER LNA1 SPLITTER LNA3 BPF TFF1014 IF out 2 SWITCHED TO HIGH-BAND 22 kHz TONE DETECT 3 H/V DETECT aaa-002896 推奨製品 Function 2nd & 3 rd stage LNA Product Function Product Mixer/ oscillator/ downconverter Package RF transistor RF IC SiGe:C transistor SOT343F Type BFU710F BFU730F Package Type SOT763 TFF1014HN 製品ハイライト: 業界最小消費電力の集積型Kuバンドダウンコンバータ これらのユニバーサルDVB-S準拠Kuバンドダウンコンバータの電流消費 は他の統合ソリューションと比べ、約50%少なくなります（52 mA）。 完全統合（PLLシンセサイザ/ミキサー/IFゲインブロック）でRF試験を行っ ています。そのため、製造時間が大幅削減できます。 ローカルオシレ―タの安定性は保証され、その結果、温度および時間に起 因するシステム全体の信頼性が改善され、生産中に手動で調整する必要 がなくなります。 特長 ` ` ` ` 超低消費電流（ICC = 52 mA） 低位相ノイズ(1.5° RMS) 10 kHz～13 MHzの統合帯域 小さいPCBフットプリント - DHVQFN16 パッケージ(2.5 x 3.5 x 0.85 mm) - 外部コンポーネント7個のみ - インダクタ不要 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 21 1.3.5 衛星マルチスイッチ・ボックス - 4 x 4 (最大 16 x 16)// DiSEqC / SMATV アプリケーション図 input terrestrial amplifier input terrestrial input amplifiers LNB output amplifiers sate ite dishe(s) coax out to STB SWITCH MATRIX FOR 4 × 4, NEEDS 16 (SINGLE) PIN DIODES coax out to STB coax out to STB coax out to STB brb023 推奨製品 Function Product Input amplifier terrestrial Function MMIC Package General purpose medium power amplifier Product MMIC Input amplifier LNB RF bipolar transistor General purpose amplifier Wideband transistor SiGe:C transistor Function Product Switch matrix RF diode RF transistor SOT89 SOT908 Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT343 SOT343 SOT143 SOT143 SOT343F Package PIN diode SiGe:C transistor Various SOT343F Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA7124 Type BGA2771 BGA2866 BGA2867 BGA2818 BFG325 BFG425W BFG520 BFG540 BFU660F BFU725F/N1 BFU730F Type BAP50^ BAP51^ BAP63^ BAP64^ BAP70^ BAP1321^ BFU725F/N1 BFU730F Function Product MMIC Package SOT908 Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA7124 SOT363 BGM1011 SOT363 BGA2869 Wideband transistor SOT223 SOT223 SOT223 SOT143 SiGe:C transistor SOT343F BFG135 BFG 591 BFG198 BFG540 BFU725F/N1 BFU730F General purpose medium power amplifier General purpose amplifier Output amplifier RF bipolar transistor SOT89 ^ 超小型リードレスパッケージSOD882D品もご用意しています。 製品ハイライト: スイッチング・マトリクス用PINダイオード このコンポーネントは、比類ないRF性能と共に、非常に低いフォワード抵 抗、ダイオードキャパシタンス、そして直列インダクタンスにより、設計が容 易です。また、SOD523、SOD323、およびリードレスSOD882Dなど、幅広 い小型パッケージ・オプションによってボード面積を飛躍的に削減します。 22 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` 高絶縁、低歪み、低挿入損失 ` 低フォワード抵抗（Rd）およびダイオードキャパシタンス（Cd） ` 超小型パッケージ・オプション 1.3.6 VSAT アプリケーション図 OUTDOOR UNIT INDOOR UNIT IF POWER SUPPLY PA IF1 アプリケーシ ョン別製品 MOD BUF DIGITAL SIGNAL PROCESSOR REF MPX to/from IDU REF MPX PMU PMU LNA IF2 SYNTH PLL ´N PLL OMT ANTENNA BUF DATA INTERFACE IF1 LNA2 LNA1 DEMOD brb405 推奨製品 インドアユニット Function Product IF Function MMIC Package IF gain block Product LNA Type BGA2714 BGA2748 BGA2771 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGM1012 SOT363 Package SiGe:C transistor SOT343F Wideband transistor SOT343R Type BFU725F/N1 BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFG425W BFG424W BFG325/XR RF transistor SOT143R 製品ハイライト: VSATアプリケーション用TFF1003HN 低位相ノイズLOジェネレータ TFF1003HNは、KuバンドVSATトランスミッタおよびトランシーバー内の 低位相雑音局部オシレ―タ(LO)回路のためのKuバンド周波数ジェネレー タです。位相ノイズのスペックは、IntelsatのIESS-308 に準拠しています。 特長 ` ` ` ` ` ` 位相ノイズはIESS-308 (Intelsat)に準拠 LOジェネレータのVCOレンジ：12.8 ～13.05 GHz 入力信号: 50 MHz ～ 815 MHz 分周回路設定：16、32、64、128、または256 出力レベル−5 dBm;安定性±2 dB ループフィルタ用内部安定電圧レファレンス NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 23 推奨製品 アウトドアユニット Function Product IF Function Package MMIC IF gain block Product LNA2 Function Function RF transistor SiGe:C transistor MMIC SiGe:C MMIC RF IC SOT343F SOT891 Type TFF1003HN TFF1007HN TFF11xxxHN^ SiGe:C IC SOT616 Wideband transistor SOT343R SiGe:C transistor SOT343F Varicap diode Package SOD523 Type BB202 Package Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Package Type BFG424W BFG425W BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F RF transistor Function Synth Product RF diode Function Product Buffer Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F BGU7003 Package Product Oscillator SOT363 Package Product PLL Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGM1014 BGM1013 BGM1012 BGA2714 RF transistor SiGe:C transistor SOT343F ^ 7～15GHzのLOレンジにおいて17製品あります、3.4.4を参照してください。 製品ハイライト: VSATアプリケーション用TFF1007HN 低位相ノイズLOジェネレータ TFF1007HNは、KuバンドVSATトランスミッタおよびトランシーバー内の低 位相ノイズ局部オシレ―タ(LO)回路のためのKuバンド周波数ジェネレータ です。位相ノイズのスペックは、IntelsatのIESS-308 に準拠しています。 24 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` ` 分周回路設定： 64 入力信号: 230.46MHz ～ 234.38 MHz ループフィルタおよび出力レベル用内部安定電圧リファレンス LOジェネレータのVCOレンジ：14.75 ～15 GHz 出力レベル -4 dBm 以上 位相ノイズはIESS-308 (Intelsat)に準拠 3次または4次 PLL 1.4 ポータブル機器 1.4.1 GPS アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 external active antenna LNA BPF SPDT embedded antenna LNA BPF BPF GPS RECEIVER IC 001aan955 推奨製品 Function SPDT switch Function Product RF diode Package PIN diode Product RF transistor Various Package SiGe:C transistor SOT343F SOT891 LNA MMIC SiGe:C MMIC SOT886 WL-CSP Type BAP64^ BAP1321^ BAP51^ Type BFU725F /N1 BFU710F BFU730F BGU7003 BGU7003W BGU7004 BGU7005 BGU7007 BGU7008 BGU8007 BGU8006 ^ 超小型リードレスパッケージSOD882Dもご用意しています。 製品ハイライト: GPS、GLONASS、およびGalileo用BGU8007 SiGe:C LNA MMIC BGU8007は、プラスチック、リードレス、6ピンの極小SOT886パッケージで 提供されるGNSS受信機向け低ノイズアンプ(LNA)です。 整合用の外部イ ンダクタと、外部デカップリングキャパシタは各1個のみ必要です。 特長 ` ` ` ` ` ` ` ` ` ` 1559 ～ 1610 MHzまで、GNSS L1 周波数をすべてカバー 雑音指数(NF) =0.75 dB 利得 = 19.5 dB －12 dBmの高い1 dB圧縮ポイント 4dBmの高い帯域外 IP3i 供給電圧 1.5 ～ 2.85 V パワーダウンモードでは低電流消費 < 1 μA 低供給電流4.8 mAで最適化されたパフォーマンス 温度安定バイアスの内蔵で設計が容易に 整合用の入力インダクタと、電源デカップリングキャパシタは1つのみ必 要です。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 25 1.4.2 FM ラジオ アプリケーション図 headset antenna LNA SPDT embedded antenna LNA FM RECEIVER IC 001aan956 推奨製品 Function Product SPDT switch Function RF diode Package PIN diode Product RF transistor SiGe:C transistor MMIC SiGe:C MMIC LNA Various Type BAP64^ BAP 65^ BAP1321^ BAP51^ Package Type SOT343F BFU725F /N1 SOT1209 SOT891 SOT886 BGU6101 BGU6102 BGU6104 BGU7003 BGU7003W ^ 超小型リードレスパッケージSOD882D品もご用意しています。 製品ハイライト: BGU6102 MMIC広帯域アンプ BGU6102は、統合バイアス機能および広い供給電圧が特長の非整合 MMICです。3製品（BGU6101、BGU6102、BGU6104）の製品ファミリーに 属しており、2mA動作に最適です。 26 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` ` ` 40 MHz ～4GHzに対応 高インピーダンス FM LNA:100MHzで、利得13dB、NF1.0dB 50 Ω FM LNA:100MHzで、利得15dB、NF1.3dB 温度安定バイアスの内蔵で設計が容易に 外部抵抗を用いてバイアス電流の設定が可能 パワーダウンモードでは低電流消費 < 6 μA 全ピンで、ESD保護 > 1 kV ヒューマンボディモデル (HBM) 供給電圧 1.5 ～ 5 V 1.4.3 UHF帯 470～862MHzの中国マルチメディア放送（CMMB） アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 推奨製品 Function LNA Product MMIC Package SOT891 SOT886 SiGe:C MMIC SOT1209 Type BGU7003 BGU7003W BGU6101 BGU6102 BGU6104 製品ハイライト: BGU7003W MMIC広帯域アンプ BGU7003W MMICは、高速、低ノイズアプリケーション向けの SiGe:C テ クノロジーによる広帯域アンプです。 プラスチックのリードレス6ピン、極薄 のスモールアウトライン SOT886 パッケージで提供されます。 特長 ` ` ` ` ` ` ` 低ノイズ、高利得マイクロ波MMIC 外部抵抗を用いてバイアス電流の設定が可能 雑音指数 600 MHzでNF = 1.2 dB 挿入電力利得 600 MHzで19.5 dB パワーダウンモードでは低電流消費 < 1 μA 低供給電流5 mAで最適化されたパフォーマンス 全ピンでESD 保護>1 kV HBM NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 27 セルラー受信 1.4.4 アプリケーション図 GSM/ EDGE GSM/EDGE FE SWITCH TRANSCEIVER PA BPF UMTS LTE duplexer 001aan957 推奨製品 Function LNA Product MMIC SiGe:C MMIC Package SOT891 SOT886 Type BGU7003 BGU7003W 製品ハイライト: BGU7003 MMIC広帯域アンプ BGU7003 MMICは、高速、低ノイズアプリケーション向けの SiGe:C テク ノロジーによる広帯域アンプです。 プラスチックのリードレス6ピン、極薄 のスモールアウトライン SOT886 パッケージで提供されます。 28 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` 40 MHz ～6 GHzに対応 LTE LNA:750 MHzで、NF 1.0dB 、利得18.5 dBおよびIIP3 -5dBm 温度安定バイアスの内蔵で設計が容易に 外部抵抗を用いてバイアス電流の設定が可能 パワーダウンモードでは低電流消費 < 1 μA 全ピンで、ESD保護 > 1 kV ヒューマンボディモデル (HBM) 1.4.5 802.11n DBDC および 802.11ac WLAN low pass filter アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 PActrl Tx antenna SPDT switch medium power amplifier APPLICATION CHIPSET Rx bandpass filter SPDT LNA bra502 推奨製品 Function Medium power amplifier Function LNA Product MMIC Package Medium power amplifier Product RF transistor MMIC SOT89 SOT908 Package SiGe:C transistor SiGe:C MMIC SOT343F SOT883C Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 Type BFU730F BFU760F BFU730LX 製品ハイライト: BFU760F NPN シリコンゲルマニウムマイクロ波トランジスタ BGU760Fは、第6(Si)および第7(SiGe:C) 世代RFトランジスタファミリーに 分類され、あらゆるRFアプリケーションに使用することもできます。これ らの次世代広帯域トランジスタでは、利得性能に対して最適なRF雑音指 数が実現され、電流を最小にすることができます。 このパフォーマンスにより、低消費電力でよりよい信号受信ができるとともに、 ノイズ環境下においてRF受信機がさらに強力に機能できるようになります。 特長 ` 12.5 dB @ 2.4 GHzおよび11 dB @ 5.5 GHzのシステム最適化利得 ` 1.1 dB @ 2.4 GHzおよび5.5 GHzの低雑音指数 ` -8 dBm @ 2.4 GHz and -5 dBm @ 5.5 GHzの高入力1dB利得圧縮 (Pi(1dB) ) ` +3 dBm @ 2.4 GHzおよび+8 dBm @ 5.5 GHzの高入力サードオーダーイ ンターセプトポイント ` 外部コンポーネント8個のみ必要 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 29 1.4.6 RF 汎用フロントエンド アプリケーション図 antenna filter LNA filter mixer buffer SPDT switch filter VCO PA driver LOW FREQUENCY CHIP SET VCO bra850 推奨製品 Function Product SPDT switch RF diode Bandswitch diode PIN diode Function Product Wideband transistor RF bipolar transistor LNA MMIC Function Driver Product RF bipolar transistor MMIC SiGe:C transistor Package SOD523 SOD323 Various Various Type BA277 BA591 BAP51^ BAP1321^ Function Package SOT23 SOT323 SOT323 Type PBR951 PRF957 PRF947 BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F BGU6101 BGU6102 BGU6104 Function SOT343F Low-noise SOT1209 wideband ampl. Wideband transistor Gen-purp wideband amp Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 Mixer Buffer Function Power amplifier Function VCO Product RF bipolar transistor Wideband transistor MMIC Linear mixer Product RF bipolar transistor Wideband transistor Product MMIC Product Varicap diodes Generalpurpose wideband amplifier VCO varicap diodes Package SOT343 SOT343 SOT343 SOT363 Type BFG410W BFG425W BFG480W BGA2022 Package SOT23 SOT323 SOT323 SOT416 Type PBR951 PRF957 PRF947 PRF949 Package Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA7027 SOT89 Package SOD523 SOD323 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 ^ 超小型リードレスパッケージSOD882D品もご用意しています。 製品ハイライト: BFU790F シリコンNPNゲルマニウムマイクロ波トランジスタ プラスチックの4ピン、デュアルエミッタSOT343F パッケージで提供され る、高速、低ノイズアプリケーション向けの シリコンNPN ゲルマニウムマ イクロ波トランジスタです。 30 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` 低ノイズ、高リニアリティマイクロ波トランジスタ ` 110 GHz fTシリコンゲルマニウムテクノロジー ` 最大出力1.8 GHzで20dBmの1dB圧縮ポイント Type BB198 BB156 1.5 自動車 1.5.1 SDARSおよびHDラジオ アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 antenna 1st stage LNA 2nd stage LNA filter 3rd stage LNA CHIPSET 001aan958 推奨製品 Function 1st stage LNA Function 2nd stage LNA Function 3 rd stage LNA Product MMIC Low-noise wideband amplifier Product MMIC General-purpose wideband amplifier Product RF transistor Package Type SOT343F BFU730F Package SOT343F Type BFU690F BGA2869 BGA2851 BGA2803 SOT363 Package SiGe:C transistor SOT343F Type BFU690F BFU725F/N1 BFU790F 製品ハイライト: BFU730F NPN広帯域シリコン・ゲルマニウムRFトランジスタ BGU730Fは、第6(Si)および第7(SiGe:C) 世代RFトランジスタファミリーに分 類され、あらゆるRFアプリケーションに使用することもできます。これらの次 世代広帯域トランジスタでは、利得性能に対して最適なRF雑音指数が実現さ れ、電流を最小にすることができます。 このパフォーマンスにより、低出力でよりよい信号受信ができるとともに、ノイ ズ環境下においてRF受信機がさらに強力に機能できるようになります。 特長 2.3 GHzの場合 ` 17.6 dBの高い最大電力利得(Gp) ` 0.8 dBの雑音指数(NF) ` -15 dBmの入力1dB利得圧縮(Pi(1dB) ) ` +4.7 dBmの入力サードオーダーインターセプトポイントIP3I NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 31 1.5.2 リモート・キーレス・エントリー、送受信専用アンテナ付きRF汎用フロントエンド アプリケーション図 antenna filter receiver LNA filter mixer LOW FREQUENCY CHIP SET buffer VCO antenna filter transmitter PA driver VCO LOW FREQUENCY CHIP SET bra851 推奨製品 Function Product RF bipolar transistor LNA MMIC Function Driver Product RF bipolar transistor MMIC Function SiGe:C MMIC SOT886 Type PBR951 PRF957 PRF947 BGU6101 BGU6102 BGU6104 BGU7003W Wideband transistor Gen-purp wideband amp Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 Package SOD323 SOD323 SOD523 SOD323 Type BB148 BB149A BB198 BB156 Wideband transistor Low-noise SOT1209 wideband ampl. Product Varicap diodes VCO Package SOT23 SOT323 SOT323 VCO varicap diodes Function Mixer Function Buffer Function Power amplifier Product RF bipolar transistor Product RF bipolar transistor Product RF bipolar transistor MMIC ^ AEC-Q101 認定済み (一部制限あり) 製品ハイライト: VCOとしてのバリキャップ・ダイオード バリキャップ・ダイオードは、ダイオード機能を2次的オプションに持ち、 主に電圧のバリキャップ・キャパシタに使用されます。 これらのデバイス は、ISM 帯における電圧制御オシレ―タ(VCO) に理想的です。 32 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Wideband transistor 特長 ` 優れたリニアリティ ` 優れた整合性 ` 非常に低い直列抵抗 ` 高い容量変化比 Wideband transistor Wideband transistor General-purpose wideband amplifier Package SOT343 SOT343 SOT343 Type BFG410W BFG425W BFG480W Package SOT23 SOT323 SOT323 SOT416 Type PBR951 PRF957 PRF947 PRF949 Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 SOT908 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 BGA7124 1.5.3 タイヤ空気圧監視システム アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 antenna filter PA driver VCO SENSOR brb216 推奨製品 Function PA Function Product RF bipolar transistor Product RF bipolar transistor Driver MMIC Function VCO Wideband transistor Wideband transistor Amplifier Gen-purp wideband amp Product Varicap diodes VCO varicap diodes Package SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT323 Type BFR92A BFR92AW BFR94A^ BFR93AW BFR94AW^ Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 Type PRF957 PBR951 BGA2031/1 BGA2771 BGA2866 Package SOD523 SOD323 Type BB198 BB156 ^ AEC-Q101 認定済み (一部制限あり) 製品ハイライト: BGU6101 MMIC広帯域アンプ BGU6101は、統合バイアス機能および広い供給電圧が特長の非整合 MMICです。3製品（BGU6101、BGU6102、BGU6104）ファミリーに分類さ れ、2mA動作に最適です。 特長 ` ` ` ` ` ` ` 40 MHz ～6 GHzに対応 450MHzで、利得13dB、NF 0.8dB 50 Ω FM LNA:100MHzで、利得15dB、NF 1.4dB 温度安定バイアスの内蔵で設計が容易に 外部抵抗を用いてバイアス電流の設定が可能 パワーダウンモードでは低電流消費 < 1 μA 全ピンで、ESD保護 > 1 kV ヒューマンボディモデル (HBM) NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 33 1.5.4 カー・ラジオ・レシーバー(CREST ICs: TEF6860HL、TEF6862HL) アプリケーション図 FM input filter & AGC IF bandpass filter 1st mixer 2nd mixer variable BW filter IF limiter FM deamplifier modulator FM MPX AGC & hum filter oscillator oscillator AM LNA AM audio RF input filter 1st mixer IF bandpass filter 2nd mixer IF bandpass filter IF AM deamplifier modulator bra501 推奨製品 Function AM LNA Product RF transistor Function Product FM input filter & AGC RF diode JFET Varicap diode PIN diode Package SOT23 Type BF862 Package SOT23 SOT23 SOD523 SOD323 Type BB201^ BB207 BAP70-02 BAP70-03 Function AGC & hum filter Product Function Product Oscillator RF diode RF diode Package Type PIN diode SOT363 BAP70AM Varicap diode Package SOD323 SOD523 Type BB156 BB208-02 ^ OIRT 注1： これらの推奨ディスクリート製品は、すべてNICEPACS, CCC ならびに DDICE向けに最適です:NICE:TEA6840H,TEA6845H,TEA6846H,NICEPA CS:TEA6848H,TEA6849H;CCC:TEF6901H,TEF6903H;DDICE:TEA6721 HL。これらの推奨ディスクリート製品では、 DICE2:TEF6730HWCEのAM LNA は除外となります。 製品ハイライト: BF862 ジャンクション電界効果トランジスタ 当社のチューニングコンポーネントのポートフォリオには、車載メディアプ ラットフォームにきわめて大切な役割を果たすカーラジオ受信機への応用 にすぐれた製品が含まれています。このアプリケーション向けのNXP デバ イスは、すぐれた受信品質と設計の簡易さを提供します。その性能はリフ ァレンス設計で実証されています。 高性能なジャンクションFET BF862はAMラジオアンプ専用に設計された ものです。 34 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 注2： 電話機および携帯ラジオ(IC:TEA5767/68) はFM オシレータとしてバリキャ ップBB202 を使用します。 特長 ` 高い遮断周波数と最適化されたキャパシタンスにより優れた感度を実現 ` 高い伝達アドミッタンスによる高利得 ` 汎用性に優れ、簡便な SOT23 パッケージに封入 1.6 産業、科学、医療 (ISM) 1.6.1 ブロードキャスト/ ISM アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 typ. 0.5 kW DVB-T Driver stages TV exciter DVB-T typ. 5 kW DVB-T output power harmonic filter power monitor 8× final amplifiers 推奨ブロードキャスト製品 Function Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) η D (%) G p (dB) Package Type 10 500 20 50 70 27.5 CW SOT467C BLF571 1 1400 35 32 63 19 CW SOT467C BLF642 1 1000 100 40 60 21 CW SOT467 BLF871(S) 1 1000 140 50 49 21 CW SOT467 BLF881(S) 10 1400 200 32 70 18 pulsed SOT1121 BLF647P(S)* BLF178P Test signal 10 128 1200 50 75 28.5 pulsed SOT539A 470 860 500 42 47 21 CW SOT539A BLF879P 470 860 300 50 46 21 CW SOT1121 BLF884P(S) 470 860 600 50 46 21 CW SOT539 BLF888A(S) 470 860 600 50 46 21 CW SOT539 BLF888B(S) Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching Driver 1 10 10 10 10 10 1300 2400 2400 2400 2400 2500 128 128 500 500 500 1300 2500 2500 2500 2500 12 600 1400 200 600 1400 250 180 140 200 250 I I I/O I/O I/O I/O 推奨ISM製品 Function HPA Final VDS (V) η D (%) G p (dB) 60 75 72 70 70 69 56 55 52 52 55 19 28 29 24 26 23 17 12 17.5 15 15 28 50 50 50 50 50 50 28 28 28 28 Test signal CW pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed CW CW CW CW CW Package Type SOT975 SOT539 SOT539 SOT1121 SOT539 SOT539 SOT1121 SOT539 SOT502 SOT502 SOT539 BLF25M612(G)* BLF174XR(S)* BLF178XR(S) BLF572XR(S)* BLF574XR(S)* BLF578XR(S) BLF6G13L(S)-250P BLF2425M6L(S)180P* BLF2425M7L(S)140* BLF2425M7L(S)200* BLF2425M7L(S)250P* * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: BLF578XRパワー LDMOS トランジスタ この1400 Wの非常に強力なLDMOSパワートランジスタは、HFから500 MHzバンドまでのブロードバンドよび産業アプリケーションに対応してい ます。この製品は、BLF578の拡張バージョンです。NXPの XRプロセスを利 用して、RFパフォーマンスの劣化なく、ほとんどの厳しい環境において優れ た耐久性を発揮します。 特長 ` ` ` ` ` ` 出力 = 1400 W 電力利得 = 23 dB 高効率 = 69 % 内蔵ESD 保護 優れた耐久性 優れた熱安定性 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 35 1.6.2 スマートメーター、 シングルアンテナ付きRF汎用フロントエンド / ZigBee アプリケーション図 ワイヤレスマイコンプラットフォームのチップセット、モジュールならびにソフトウェアをお探しですか? セクション2.5.6「超低消費ならびに高性能なコネクティビティソリューションの提案」を参照してください。 antenna filter LNA filter mixer buffer SPDT switch filter LOW FREQUENCY CHIP SET VCO PA driver VCO bra850 推奨製品 Function Product SPDT Switch RF diode Bandswitch diode PIN diode Function Product RF transistor LNA MMIC Function SiGe:C transistor SiGe:C MMIC Product Driver Package SOD523 SOD323 Various Various Type BA277 BA591 BAP51^ BAP1321^ Function Package Function SOT886 Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F BGU7003W Package Type SOT343F RF bipolar transistor Wideband transistor SOT343 BFG425W MMIC Gen-purp wideband amp SOT363 SOT363 BGA2771 BGA2866 Mixer Buffer Function Medium power amplifier Function VCO Product RF bipolar transistor Wideband transistor MMIC Linear mixer Product RF bipolar transistor Wideband transistor Product RF bipolar transistor Wideband transistor MMIC Product Varicap diodes Generalpurpose wideband amplifier VCO varicap diodes ^ 超小型リードレスパッケージSOD882D品もご用意しています。 製品ハイライト: BGA7127 MMIC ミディアム パワーアンプ BGA7127 MMIC は、低コスト超小型SOT908 リードレスパッケージにて 提供される1段のドライバーアンプです。 1 dB利得圧縮にて27 dBm の出 力、また最大周波数2700 MHzまでの各種ナローバンドの応用回路に優れ たパフォーマンスを発揮します。 36 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` ` ` 動作レンジ：400 ～2,700 MHz 2 GHzで16 dB の小信号利得 1 dB利得圧縮で27 dBm 出力 内蔵アクティブバイアス 3.3 / 5 V 単電源動作 無信号時消費電流調整 1 μA シャットダウンモード Package SOT343 SOT343 SOT343 SOT363 Type BFG410W BFG425W BFG480W BGA2022 Package SOT23 SOT323 SOT323 SOT416 Type PBR951 PRF957 PRF947 PRF949 Package Type SOT343 BFG21W SOT908 SOT908 BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7124 BGA7127 Package SOD523 SOD323 Type BB198 BB156 SOT89 1.6.3 RFマイクロ波加熱器 アプリケーション図 oscillator MPA アプリケーシ ョン別製品 antenna HPA isolator CONTROLLER brb418 推奨製品 Function Product Package SOT343R RF transistor Oscillator SOT343F Function Product Package SOT89 MPA (medium power amplifier) Function SOT908 SOT89 SOT908 SOT89 SOT908 MMIC Product Driver HPA Final Type BFG410W BFG424W BFG425W BFG424F BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7124 BGA7024 BGA7127 BGA7027 BGA7130 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) η D (%) G p (dB) 1 2400 2400 2400 2400 2500 2500 2500 2500 2500 12 180 140 200 250 60 55 52 52 55 19 12 17.5 15 15 test signal CW CW CW CW CW Package Type SOT975 SOT539 SOT502 SOT502 SOT539 BLF25M612(G) BLF2425M6L(S)180P BLF2425M7L(S)140* BLF2425M7L(S)200 BLF2425M7L(S)250P* * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: ISM 2.45 GHz の新ファミリー NXPの第6世代、第7世代LDMOSテクノロジーと先進的なパッケージ技術に より、2.45 GHzでクラス最高のパワーアンプのパフォーマンスを達成するこ とが可能になります。比類ない耐久性と低い熱抵抗が、LDMOSプロセスの デバイス特有の高効率と相まって、本トランジスタは加熱器における使用に 理想的です。 特長 ` 優れた耐久性 ` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス ` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計 ` 設計が容易 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 37 1.6.4 RFプラズマ照明 RFプラズマ照明について詳細をお探しですか? セクション2.5.2『RFを利用したプラズマ照明：固体化RFテクノロジーによる次期光源 革命』を参照してください。 アプリケーション図 RF (plasma) bulb oscillator Product RF transistor Oscillator Function HPA CONTROLLER 推奨製品 Function MPA Product brb436 Package Type SOT143 SOT143 SOT23 SOT323 SOT323 SOT323 SOT343 SOT343 SOT363 SOT416 BFG520 BFG325/XR BFR520 BFR92AW BFR93AW BFS520 BFG520W BFG325W/XR BFM520 BFR520T Package Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7124 BGA7024 BGA7127 BGA7027 BGA7130 SOT89 MPA (medium power amplifier) Function SOT908 SOT89 SOT908 SOT89 SOT908 MMIC Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Package Type 1 10 1 10 10 10 10 10 688 700 700 2400 2400 2400 2400 2500 500 1000 500 500 500 500 500 1000 1000 1000 2500 2500 2500 2500 12 20 100 300 600 600 1200 1400 200 135 160 180 140 200 250 SOT975 SOT467C SOT467 SOT502 SOT539A SOT539 SOT539A SOT539 SOT502 SOT502 SOT502 SOT539 SOT502 SOT502 SOT539 BLF25M612(G)* BLF571 BLF871(S) BLF573(S) BLF574 BLF574XR(S)* BLF578 BLF578XR(S) BLF6G10(LS)-200RN BLF6G10(LS)-135RN BLF6G10(LS)-160RN BLF2425M6L(S)180P* BLF2425M7L(S)140 BLF2425M7L(S)200* BLF2425M7L(S)250P * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: LDMOS が RF照明を可能に NXPの50 V高耐圧LDMOSプロセスは、この種類のアプリケーションにお いて不可欠な優れた耐久性で最高出力を可能にします。 BLF578:1200 W CW 動作‐最高出力LDMOS 38 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` 最高出力のデバイス 優れた耐久性 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計 一貫性の高いデバイスパフォーマンス 柔軟性豊かに使用できるブロードバンドデバイス 医療用画像装置 1.6.5 医療アプリケーションについて詳細をお探しですか? セクション2.5.1『RFパワーで駆動する医療アプリケーション：画像処理から癌治療まで、 柔軟かつ多様なテクノロジーを提供』を参照してください。 アプリケーシ ョン別製品 アプリケーション図 Magnet Gradient coils X GRADIENT AMPLIFIER RF coils Y GRADIENT AMPLIFIER WAVEFORM GENERATOR Z GRADIENT AMPLIFIER RF amplifier RF ELECTRONICS COMPUTER ADC IMAGE DISPLAY brb434 推奨製品 Function Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 1 10 1 10 10 10 10 10 688 700 700 2400 2400 2400 2400 2500 500 1000 500 500 500 500 500 1000 1000 1000 2500 2500 2500 2500 12 20 100 300 600 600 1200 1400 200 135 160 140 180 200 250 Package Type SOT975 SOT467C SOT467 SOT502 SOT539A SOT539 SOT539A SOT539 SOT502 SOT502 SOT502 SOT502 SOT539 SOT502 SOT539 BLF25M612(G)* BLF571 BLF871(S) BLF573(S) BLF574 BLF574XR(S)* BLF578 BLF578XR(S) BLF6G10(LS)-200RN BLF6G10(LS)-135RN BLF6G10(LS)-160RN BLF2425M7L(S)140 BLF2425M6L(S)180P* BLF2425M7L(S)200* BLF2425M7L(S)250P * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: 新規医療アプリケーション用LDMOS NXPの50 V高耐圧LDMOSデバイスは、MRIおよびNMRアプリケーションに おけるパルス動作において、最高の出力とこれまでにない耐久性を提供しま す。 高い電力密度により、コンパクトなアンプの設計が可能となります。 特長 ` ` ` ` 最高のブロードバンド効率 最高の出力（密度）デバイス 優れた耐久性 一貫性の高いデバイスパフォーマンス NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 39 1.7 航空宇宙および防衛 1.7.1 Lバンド・Sバンドレーダーおよびアビオニクスアプリケーション向けマイクロ波製品 アプリケーション図 RF signals video, timing, bias voltage, control and data I f signals RF small signal ANTENNA DRIVE RF POWER BOARD RF power PLL VCO MPA mixer HPA ISOLATOR VGA local oscillator duplexer DISPLAY AND CONTROL local oscillator signal WAVEFORM GENERATOR PLL VCO control and timing video mixer DETECTOR LNA IF amplifier brb410 推奨製品 Function Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) η D (%) G p (dB) Package Type 500 1030 1030 2700 2700 3100 400 500 960 960 1030 1030 1200 1200 1200 2700 2700 2900 3100 3100 1400 1090 1090 3100 3500 3500 1000 1400 1215 1215 1090 1090 1400 1400 1400 3100 2900 3300 3500 3500 25 10 2 6 30 20 600 130 250 500 200 600 250 500 250 130 350 150 120 350 50 36 36 32 32 32 50 50 36 50 28 48 36 50 50 32 32 32 32 32 50 40 33 50 45 57 50 50 50 65 52 45 50 55 50 50 47 43 43 19 16 16 15 13 15.5 20 17 13.5 17 20 17 15 17 17 12 13.5 13.5 11 10 SOT467C SOT467C SOT538A SOT975C SOT1135 SOT608 SOT539 SOT1135 SOT502A SOT634A SOT502 SOT539A SOT502A SOT539A SOT502 SOT922-1 SOT539 SOT922-1 SOT502 SOT539 BLL6H0514-25 BLA1011-10 BLA1011-2 BLS6G2731-6G BLS6G2735L(S)-30 BLS6G3135(S)-20 BLU6H0410L(S)-600P BLL6H0514L(S)-130 BLA0912-250R BLA6H0912-500 BLA6G1011LS-200RG BLA6H1011-600 BLL6G1214L-250 BLL6H1214-500 BLL6H1214L(S)-250 BLS6G2731S-130 BLS7G2729L(S)-350P BLS7G2933S-150 BLS6G3135(S)-120 BLS7G3135L(S)-350P* * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 製品ハイライト: BLS7G2729L-350P LDMOS Sバンドレーダー向けパワートランジスタ このレーダーアプリケーション向けに内部整合されたLDMOSパワートラン ジスタは、Sバンドアプリケーション（2.7～2.9GHz）用に設計され、350W 出力で、13.5dBの利得と50%の効率を実現します。 40 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` ` ` ` ` 出力制御が簡単 内蔵ESD 保護 パルスフォーマットに対して高い柔軟性 優れた耐久性 優れた熱安定性 LNA (low-noise amplifier) & Mixer Function Product RF transistor SiGe:C transistor Product Package Type SOT343F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F Package Type SOT363 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGM1014 BGM1013 BGM1012 Package Type SOT616 TFF1003HN TFF1007HN TFF11xxxHN^ MMIC IF amplifier MMIC General-purpose wideband amplifiers Function PLL/VCO LO generator Function Single VGA (variablegain amplifier) Function Dual VGA (variablegain amplifier) Function MPA (medium power amplifier) Product RF IC Product MMIC Product MMIC Product MMIC SiGe:C IC Gain range Package Type 31 dB SOT617 BGA7210 BGA7204 Gain range Package Type 24 dB 28 dB SOT617 BGA7350 BGA7351 PL (1 dB) @ 940 MHz Package Type 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm アプリケーシ ョン別製品 Function BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 SOT89 SOT908 ^ LOレンジ:7～15GHzにおいて17製品あります、3.4.4を参照してください。 製品ハイライト: BGA28xxファミリーのIFゲインブロック BGA28xx IFゲインブロックは、6ピンSOT363プラスチックSMDパッケー ジにて提供される、内部整合回路が付いたシリコン・モノリシック・マイク ロ波集積回路(MMIC)の広帯域アンプです。 特長 ` ` ` ` 出力ステージでの使用には、出力インダクタは不要 内部で50Ωに整合 最大2 GHzで30 dB 以上の逆方向絶縁 優れた低2次歪み NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 41 2. 注目すべきアプリケーション、製品、 テクノロジー 2.1 ワイヤレス通信インフラ 2.1.1 送受信用ＲＦコンポーネントを使用した高効率シグナルチェーンチェーンの構築 RF技術およびコンポーネント設計のグローバルリーダーとして、NXP セミコンダクターズは、高度な性能を実現可能 な、低出力から高出力の信号調整が可能な、すべてのRF製品を提供することで、お客様の設計ならびに開発工程を 簡素化します。当社ソリューションには、ディスクリートデバイスからモジュール構造のICまで揃っているため、高効 率の信号チェーンを設計できます。 最先端技術QUBiC4 2002年から提供しているNXPの業界最先端 QUBiC4 テクノロジー は産業に広く浸透しており、GaAs テクノロジーと比較すると一貫性 あるパラメータパフォーマンスを提供します。GaAs からシリコンへ の移行を加速し、より少ないスペースで高い機能性を発揮します。高 い統合性で設計のフットプリントのスペースを抑え、コスト競争力の 高い設計を可能にします。信頼性も向上し、製造時の経費も大きく 節約できます。 ベースステーションのアプリケーション図 (全携帯標準および周波数) 下図は、ベースステーションの送信部(上部Tx)と受信部(下部Rx)を 示すブロック図です。Txフィードバック機能(中間部Txフィードバック) が含まれます。 DPD CFR DUC DDC Power Amplifier DVGA RF-BP PLL VCO Dual DAC 0 HPA 90 Transmitter Q IF-SAW JEDEC F MPA DVGA Mixer+LO Tower Mounted Amplifier Tx Att. ADC LO Duplexer Digital Front End (JEDEC) Interface OBSAI / CPRI Digital Baseband JEDEC Interface IQ-Modulator I JEDEC Interface RF-SAW Dual ADC BP or LP Clock Generator Jitter Cleaner Dual DVGA Data Converter IF-SAW Dual Mixer RF Small Signal 優れたリニアリティおよび柔軟な電流設定が可能なデジタル広帯 域VGA これらの6ビットデジタルVGA(BGA7204 & BGA7210)は、広帯域で 外部との整合なしで、高リニアリティ（35 dBm @ 2.2-2.8 GHz）およ び高出力（23 dBm @ 2.2-2.8 GHz）を提供します。接続交叉がない スマートルーティングにより設計が簡素化され、フットプリントが25％ 削減されます。 42 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 PLL VCO RF Power LNA +VGA Rx LNA TX / RX1 µC RX2 Filter Unit LNA+VGA Micro Controller 独自の省電力ードにより、TDDシステムで電流消費を最大45%まで 効果的に削減できます。BGA7210 で、減衰状態にもよりますが、 2つのアンプ間の電流分布が柔軟になり、電流が抑えられます。 中出力パワーアンプ NXP MPA (BGA7x2x/BGA7x3x) は、低コスト表面実装パッケージの1段アンプです。 24～30dBmの出力が可能で、すべて400～2,700MHzの周波数帯を カバーします。 低ノイズアンプ 最大2.8GHz これらのモノリシックSiGe:C BiCMOS LNA (BGU7051、BUG7052 およびBGU7053)は、高リニアリティおよび低ノイズ用に設計さ れ、低消費電力に加え、他社製品比で3～5dB以上の利得となる18 ～24dBの利得があります。20dBmの最大RF入力パワーおよび高い ESD保護（HBM 4 kV; CDM 2 kV）によ り、これらのデバイスの耐久性が非常 に高くなっています。 統合バイアス回路、3.3V供給電 圧および低外部コンポーネント 数(キャパシタ6個のみ)で、システ ム統合が簡単です。 LNAチェーン用最小NFの統合型ベースステーションLNA NXPは、各Rxラインアップに最適になるように個別OEMのニーズに 合わせた基地局向け完全統合型のLNAを提供できる唯一のサプラ イヤーです。3ステージを1つのモノリシック設計に統合することで、 これらのSiGe:C BiCMOS LNAs (BGU706x)は、受信チェーン向け に業界最小雑音指数 (0.9dB)を実現し、同時に、コンポーネントコス トを最大80%削減します。また、アナログ利得制御最大35dB、RF入 力パワーオーバードライブ10～15dBm、および高リニアリティ（最 大利得時に0.9～2.5 dBm IP3I）により、小型セルサイズに非常に適 しています。 IQ 変調器 BGX7100およびBGX7101は、無線周波数のアップコンバージョン 向けにハイパフォーマンス、高リニアリティのIおよびQ変調パスを 組み合わせています。400～4,000MHzのレンジのRF周波数出力に対 応しています。 BGX710xIQ変調器の性能は、IQコモンモード電圧に依 存しません。 この変調器は、12 dBmの1 dB出力圧縮ポイント（PL(1dB)）、および 27 dBm出力サードオーダーインターセプトポイント（IP3O）を実現しま す。未調整のサイドバンドサプレッションおよびキャリヤフィードスルー は、それぞれ50 dBc および−45 dBmです。 ハードウェア制御ピンにより、出 力を大幅に抑えることができる 高速パワーダウン／パワーアップ 機能が付いています。BGX7101 は、BGX7100と比べ、利得が4dB 高い製品です。 デュアルミキサー BGX722xはハイパフォーマンスとすぐれたリニアリティを備えた デュアルチャンネルのダウンミキサーで、メインとダイバーシティの パス両方で共通に使用するローカルオシレータが実装された受信 機で使用します。各ミキサーは、サードオー ダーインターセプトポイント(IIP3) 26 dBm で、13dBm以上の1dB入力圧縮ポイント (P1dB)になります。 ブロック信号状態が多い箇所では、NFは は 一般的に19dBですが、小信号雑音指数 （NF）は、10dB以下です。 以下です。ミキサー間のア イソレーションは40dB以上です。 VCO内蔵のシンセサイザ（LOジェネレータ） BGX7300は、インテジャー-Nまたはフラクショナル-Nの位相ロッ クループ（PLL）とVCOを統合した低位相ノイズの広帯域シンセサ イザです。内蔵の電圧制御オシレ―タ（VCO）は、基本周波数帯 2.2GHz～4.4GHzに対応します。 BGX7300には、デュアルの差動RF出力があり、それぞれの出力は最大 +5 dBmです。VCO周波数は、RF出力の前段において、1/2/4/8/16/32に 分周できます。そのため、生成された出力周波数は、最小68.75MHzに することができます。絶縁目的で、各RF出力は、ハードウェアピンまた はSPIソフトウェア制御を使用して、弱めるか、強制的にパワーダウンモ ードにすることができます。 専用の差動入力ステージで、BGX7300を外部VCOと連携することが できます。ほとんどの特性は、3または4ワイヤーのシリアルインターフ ェースバス（SPI）でプログラム可能です。各VCOは、内部のリファレン ス電圧から電力を受けます。デバイスは供給ピンに接続された3.3Vの 供給電圧から動作するように設計されています。 一覧に記載されたコンポーネントの選択ガイドは、第3章にあり ます（3.4.1および3.4.2）。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 43 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー デュアルデジタルIF VGA BGA7350およびBGA7351は、50～250MHzで動作するデュアル、 独立制御受信IF VGAです。VGAは、アナログ・デジタルコンバータ に直接フィルタリングして入力レベルを安定させる必要があるた め、整合回路を内蔵していることで受信チェーンのパフォーマンス が向上します。BGA7350の利得レンジは24dBで、BGA7351のレン ジは28dBです。 両方デバイスとも、最大利得設定では少な くとも1dB利得圧縮(P1dB)で16dBm出力 が出せます。利得制御については、各アン プは、それぞれ5bitでのデジタル利得制 御が可能です。その結果、利得平坦性 は0.1dBになります。 2.1.2 優れたリニアリティおよび柔軟な電流設定が可能なデジタル広帯域VGA NXP デジタルVGA BGA7204およびBGA7210 これらの6ビットデジタルVGAは、広帯域で外部との整合なしで、高リニアリティ（35 dBm @ 2.2-2.8 GHz）および高 出力（23 dBm @ 2.2-2.8 GHz）を提供します。接続交叉がないスマートルーティングにより設計が簡素化され、フット プリントが25％削減されます。独自の省電力モードにより、TDDシステムで電流消費を最大45%まで効果的に削減で きます。BGA7210 では、減衰状態にもよりますが、2つのアンプ間の電流分布が柔軟になり、電流が抑えられます。 主な特長 ` 内部整合で50Ω ` - BGA7204 = 0.4～2.75 GHz ` - BGA7210 = 0.7～3.8 GHz ` 高い最大電力利得 - BGA7204 = 18.5 dB - BGA7210 = 30 dB ` 高出力サードオーダーインターセプト、IP3O - BGA7204 = 38 dBm - BGA7210 = 39 dBm ` 減衰幅31.5 dB、0.5 dB ステップ (6ビット) ` 高出力、PL(1dB) - BGA7204 = 21 dBm - BGA7210 = 23 dBm ` 高速切り替え可能なパワーセーブモード（パワーダウンピン） ` 最適値185mAで、120～195mAのデジタル制御電流設定 (BGA7210のみ) ` シンプル制御インターフェース ` - BGA7204 SPIおよびパラレル - BGA7210 SPI ` 全ピンでESD 保護（HBM 4 kV; CDM 2 kV） ` HVQFN32 (5 x 5 x 0.85 mm) 主なメリット ` 広帯域動作で、複数周波数帯のプラットフォームに対応します ` スマートリードルーティングで、設計がさらに簡単になり、 フット プリントが25%削減します ` パワーセーブモードで、TDDシステムの電流消費を最大45%抑え ることができます ` 柔軟な電流設定(BGA7210)で消費電力を抑えます ` モノリシック設計で高品質を実現します 44 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 アプリケーション ` GSM、W-CDMA、WiMAX、LTEベースステーション ` ワイヤレスポイント・ツー・ポイントおよびリピーター ` ケーブルモデム端末システム ` 温度補正回路 OM7921 – BGA7210評価キット （OM7922 – BGA7204 評価キッ トもございます） これらのVGAは、 ワイヤレスアーキテクチャの送信パス用に設計さ れ、パワーアンプに供給するパワーレベルを制御するために使用し ます。 アップコンバートされた信号は、VGAに給送され、セルの負荷 変動や経年インフラ装置を補完できます。 BGA7204は、0.4～2.75 GHzのレンジで動作し、BGA7210は0.7 ～3.8 GHzのレンジで動作します。2 GHz以上の帯域に対応するの で、 これらデバイスは、あらゆる周波数帯に使用できます。 内蔵されたパワーセーブモードで、受信中に15 mAまで、 さらに消 費電流を抑えることができます。 これで、時分割デュプレックス（TDD） システムで最大45%、電流消 費を効果的に抑えることができます。 BGA7210は、従来のBGA7204に対して、減衰状態によっても異な りますが、柔軟な電流設定を2つのアンプに追加しました。 シリアル インターフェースによって、減衰状態を設定し、同様の方法で、1段 目および2段目のアンプの電流設定が可能です。 ソフトウェアから所 定の構成を設定し、電流を75mAまで抑えることができます。 高出力、高ピーク利得、および少ない減衰ステップサイズで、エンジ ニアはより少ないコンポーネントで設計を行うことができ、送信チ ェーンのパフォーマンスの維持と最適化をさらに管理できるように なります。 スマートルーティング（接続交叉なし） で、ボード接続数が減り、設 計が簡単になり、 フットプリントが25%削減されます。モノリシック 設計のため、信頼性が上がり、高品質になります。 BGA7210評価ボード (OM7921)の回路図 VSUP C23 L1 C22 C26 C12 PUPMXG/ VDDD VCC1 CLK SERIN SS SEROUT PWRDN 24 23 22 21 20 19 17 VDDA 16 C25 C14 C24 C18 15 VCC2 C17 C1 RF IN 29 L2 C27 12 RF OUT RF OUT Csh aaa-000665 デジタルVGA Type number BGA7204 BGA7210 Package SOT617-3 SOT617-3 frange [min] (MHz) frange [max] (MHz) @ VCC (V) @ ICC [typ] (mA) Gp @ minimum attenuation (dB) Attenuation range (dB) IP3O [typ] (dBm) PL(1dB) [typ] (dBm) NF [typ] (dB) 400 700 5 115 18.5 31.5 38.0 21.0 7.0 700 1450 5 115 18.5 31.5 37.5 21.0 6.5 1450 2100 5 115 17.5 30.5 36.0 20.5 6.5 2100 2750 5 115 16.5 30.0 34.0 20.0 7.0 700 1400 5 185 30.0 31.5 39.0 21.0 6.5 1400 1700 5 185 29.5 31.5 37.0 21.0 6.5 1700 2200 5 185 29.0 31.5 35.0 21.0 6.5 2200 2800 5 185 28.0 30.5 35.0 23.0 7.0 3400 3800 5 185 26.0 29.5 27.0 19.0 8.0 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 45 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー NXP BGA7204およびBGA7210は、高リニアリティと高出力の非常 に広帯域で動作するモノリシックデジタル可変利得アンプ（VGA） です。 2.1.3 最先端のワイヤレスインフラ向けドハティ・アンプテクノロジー クラス最高のPA設計で相当の省エネを実現 NXPの最新パワーアンプ設計により、 「グリーンベースステーション」の目標に向け、ワイヤレスインフラが高エネル ギー効率で稼働することが可能になります。現在実現可能な最高効率を得るために、NXPでは最新世代のLDMOS テクノロジー（第7世代および第8世代）とドハティコンセプトを統合しました。この高性能なLDMOSテクノロジー と、高効率なドハティテクノロジーを組み合わせることで、高効率と高利得が可能なパワーアンプを実現することが でき、リニア化が容易で、運用のコスト効率も上がります。 1936年にW.H. Dohertyによって開発されたドハティアンプは、主流となっていたモバイル通信システムの変調技術 (FM、GMSK、およびEDGE) で高ピーク対平均比（PAR）信号が不要であったため、ほとんど日の目を見ませんでし た。しかし、今日のベースステーションにおいては、3G、4Gおよびマルチキャリヤ信号を送信する際、ドハティの特 長である高出力ならびに高効率が多くのサービスプロバイダに支持されるようになりました。 NXPのドハティ設計により、高効率が可能になり、同時に2つのトランジスタを組み合わせたピークパワーを維持で きます。入出力部は内部整合され、アンプに、広い周波数帯にわたり高利得、優れた利得平坦性および位相リニア リティを実現しています。 統合型ドハティアンプ NXPは世界初となるドハティをワンパッケージに完全統合した製品 をお届します。 外部からみると、普通のトランジスタのようです。 実際は、ベースステーションアプリケーションに求められる高効率 をすぐに実現可能な、完全統合型ドハティアンプです。普通のクラ スABトランジスタのように取り扱うことができ、スペースやコストが 大幅に削減できます。 46 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 主な特長とメリット ` スプリッタ、メイン・ピークアンプ、遅延回路およびコンバイナが ひとつのパッケージに封入 - 平均10 W出力で40%の効率 - 製造時に特別なチューニングは必要なし ` シングルクラスABトランジスタと同じくらいに設計が容易 ` スペースが限られたアプリケーションに最適(例.リモートレディオ ヘッド、アンテナアレイ) ` 現在、TD-SCDMA（BLD6G21L(S)-50）および W-CDMA（BLD22L(S)-50）がご利用いただけます。詳細は 3.7.1.4章をご覧ください。 主な特長とメリット ` 現時点で最も高いドハティアンプ効率 ` 生産は実証済み、一貫性ある設計 ` NXPのLDMOSは、比類ない堅牢性を提供します ` 現在、次の帯域でご利用いただけます: - 728 ～ 821 MHz - 869 ～ 960 MHz - 1805 ～ 1880 MHz (DCS) - 1930 ～ 1990 MHz (PCS) - 1880 ～ 2025 MHz (TD-SCDMA) - 2110 ～ 2170 MHz (UMTS / LTE) - 2300 ～ 2400 MHz (WiBRO / LTE) - 2500 ～ 2700 MHz (WiMAX / LTE) - 3300 ～ 3800 MHz (WiMAX) すべてのデモボードは、汎用サポートドキュメントおよびハードウェ アでサポートされています。 ご利用いただけるドハティ設計の全容は 3.7.1.8 章をご覧ください。 当社特有の3ウェイドハティデモボードは、2キャリアW-CDMA信号 において、平均出力48 dBm (63 W) と15.0 dBの利得で、48%の効 率を実現します。現在の設計では、W-CDMA標準のバンドⅠをサポ ートしており、高い歩留まり、最小のチューニング、大量生産に向け て設計されています。 パワーLDMOSドハティ設計 Freq band (MHz) PPEAK (dBm) POUT-AVG (dBm) VDS (V) Gain (dB) Drain Eff. (%) Type Main transistor Peak transistor 869-894 59.2 50.4 28 16 52 3-WAY BLF7G10LS-250 2x BLF7G10LS-250 920-960 57.3 49.3 30 16 50 ASYM BLF8G10LS-160 BLF7G10LS-250 1526-1555 56.6 48.6 28 18.4 42 SYM BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-200 1805-1880 58.6 51 28 16 47.6 3-WAY BLF7G20LS-200 2x BLF7G20LS-200 1930-1990 58.2 50 28 16 40 SYM BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P 2010-2025 52.2 44 28 15.6 43 SYM 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 2110-2170 56.5 49 28 14.2 46 ASYM BLF7G22LS-160 BLF7G22LS-200 2110-2170 57.2 49.2 28 16 47 3-WAY BLF7G22LS-160 2x BLF7G22L(S)-160 2300-2400 56.8 48.5 30 15 42 3-WAY BLF7G24LS-100 2x BLF7G24LS-100 2620-2690 55.2 47.2 30 15 41 ASYM BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-140 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 47 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー ディスクリート・ドハティアンプ NXPでは、統合型ドハティアンプ以外に、高い効率性と高出力の、 ディスクリート2ウェイ、3ウェイドハティアンプのデモボードも提供 しています。BLF7G22LS-130デバイスをベースとする 2ウェイ設 計は、W-CDMAアプリケーションにおいて、43%の効率および15.7 dBの利得で、47.0dBm (50W) の出力を提供します。 ワイヤレスインフラ向け、新世代LDMOS RF パワートランジスタ: NXP Gen8 2.1.4 NXP では昨年、人気を集めているベースステーション向けRFパワーデバイス製品群に、第8世代を発表しまし た。Gen8 の開発に向けて、世界を牽引するインフラプロバイダーの意見に耳を傾け、プロバイダーの要求を理解する ことにより、総体的なアプローチが行われました。 パワートランジスタを細部まで精査し、 「トランジスタシステム」 全体を見直したことにより、従来製品おおび競合他社を上回る性能を発揮し、業界基準を更新した新世代が誕生し ました。 Gen8 は、ワイヤレスインフラ業界の主なトレンドにしっかりと対応 しています。 ` 帯域幅が 100 MHzまで向上し、全帯域での動作に対応 ` コスト競争力：SOT502サイズパッケージでピークパワー最大270 ワット ` キャビネットのサイズ/重量/容量を削減 ` 継続して市場から求められる、冷却設備と運用コストを削減する ために、高効率に対処 ` 出力パワーの引き上げ Gen8は、ときには相反するこのような要求に対する答えです。パッ ケージおよびダイの設計、入出力整合構成は、広帯域に対応する、 廉価で、コンパクトなマルチ標準の、高効率ドハティパワーアンプが 可能になるように最適化されたものです。すべてのセルラー周波数 帯域向けソリューションは現在サンプル供給中、量産中、あるいは 2012年内発売予定です。 ` マルチ標準と将来に備えるソリューションへの需要 Gen8トランジスタ第1弾 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching Package Planned release BLF8G10L(S)-160 920 960 160 I/O SOT502 Released BLF8G10L(S)-160V 700 1000 160 I/O SOT1244 Released BLF8G10LS-200GV 700 1000 200 I/O SOT1244C Q412 BLF8G10LS-270GV 700 1000 270 I/O SOT1244C Q412 BLF8G10L(S)-300P 850 960 300 I/O SOT539 Q312 BLF8G10LS-400PGV 700 1000 400 I/O SOT1242C Q412 BLF8G20L(S)-200V 1800 2000 200 I/O SOT1120 Released BLF8G20LS-270GV 1800 2000 270 I/O SOT1244C Q412 BLF8G20LS-270PGV 1800 2000 270 I/O SOT1242C Q412 BLF8G22LS-160BV 2000 2200 160 I/O SOT1120B Released BLF8G22LS-200GV 2000 2200 200 I/O SOT1244C Q312 BLF8G22LS-270GV 2000 2200 270 I/O SOT1244C Q312 BLF8G22LS-400PGV 2000 2200 400 I/O SOT1242C Q312 BLF8G24L(S)-200P 2300 2400 200 I/O SOT539 Q312 BLF8G27LS-140G 2500 2700 140 I/O SOT502E Q412 BLF8G27LS-140V 2600 2700 140 I/O SOT1244B Q412 BLF8G27LS-200PGV 2500 2700 200 I/O SOT1242C Q412 BLF8G27LS-280PGV 2500 2700 280 I/O SOT1242C Q412 Type 注：デバイスはすべて内部整合されています(I/O)。 48 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Description Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) 2.2 ブロードバンド通信インフラストラクチャ 2.2.1 人と人をつなぎ、 ネットワークを保護 : 中国のSARFT向けNXPのCATV C-ファミリー 特に中国のファイバー同軸ハイブリッド(HFC) インフラ向けに設計されたNXP CATV C-ファミリーは、ケーブルTVネ ットワークのトータルソリューションをもたらします。 中国の「全土ネットワーク化」プログラムの一環として、僻地 との接続には十分な柔軟性を提供し、主要都市をアナログからハイエンドデジタルサービスにアップグレードする の標準に準拠しています。また550MHzから1GHzまでのほとんどのHFC アプリケーションをカバーします。 製品 ` BGY588C、BGE788C、およびCGY888C プッシュ・プルアンプ ` BGD712C、CGD944C、CGD942C、CGD982HCi、CGD985HCi、 およびCGD987HCi パワーダブラー ` BGO807CおよびBGO807CE 光レシーバー メリット ` 中国SARFT HFC ネットワーク標準に準拠 ` 製品の真正性を確認できる透明キャップ ` 堅牢な構成 ` 内部 ESD 保護で最高の設計 特長 ` すぐれたリニアリティ、安定性、および信頼性 ` 高い電力利得 ` 超低ノイズ ` 窒化シリコンによるパッシブ性能 ` ハイエンド・デバイス向けのGaAs HFETダイ BGY588C、BGE788C、およびBGD712Cデバイスは、550 MHz ～750 MHzの周波数レンジをカバーします。 Cファミリーのハイ エンド・デバイスである CGD944C、CGD942C、CGY888C、およ びBGO807Cは 40 ～ 870 MHzの間で動作し、特別に中国のラ スター条件下で試験が実施されています。当社のGaAs HFETダ イ・プロセスを使用して製造された CGD942CおよびCGD944C は高利得、ハイパフォーマンスの870 MHz パワーダブラーで す。CGD982HCi、CGD985HCi 、およびCGD987HCiは40～1003 MHzで動作し、870MHzならびに1GHzで仕様化されています。これ らのパワーダブラーは、中国のSARFT標準に最適となっています。 高出力光ノードを含むトップエンドのアプリケーションに求められ る高い要求を満たす能力を備えています。 当社のGaAs HFET MMIC ダイは、GaA pHEMT デバイスに通常使 用されるTVS外部コンポーネントの必要性がなく、最高のESD保護 レベルを提供するという目的を持って設計されています。 すべてのCATV Cタイプデバイスは、透明キャップを特徴としてお り、模倣品との見分けが明確につくようになっています。 Cファミリー アプリケーション情報 NXP C-family by application Application BGY588C BGE788C CGY888C BGD712C BGO807C CGD942C BGO807CE CGD944C CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi Optical node • • • • Optical receiver • • • • Distribution amplifier • • • • Line-extender amplifier • • • • Terminating amplifier • • • NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 49 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー には十分なパワフルさを備えています。 すべての Cタイプデバイスは、中国の国家ラジオ・テレビ監督庁(SARFT) BGY588C、BGE788C、およびCGY888C HFCネットワーク構成の最終ステージは、終端アンプまたは最 終ユーザーに最も近いことから「ユーザーアンプ」と呼ばれてい IN port ます。 各終端アンプは550 MHz用のBGY588C、750 MHz 用の PAD OUT port EQ BGY588C BGE788C CGY888C BGE788C、870 MHz用のCGY888C などのシングルモジュールが必 要です。これらのモジュールは中国の「中国全土ネットワーク化」プ bra820 ロジェクトに完璧に整合するものです。 BGD712C BGD712C は 750 MHz、18 dB のパワーダブラーモジュールです。 750MHzの通常の光ノードもしくは光受信機および分配アンプ向け IN port PAD BGY785A BGY787 に設計されたものです。 また、BGY785A または BGY787などの750MHzプッシュ・プルモジ OUT port EQ BGD712C bra821 ュールと併用して、ラインエクステンダにも使用できます。これらは 「中国全土ネットワーク化」プロジェクトに広く使用することが可 能です。 CGD944CおよびCGD942C 当社の完全な GaAs パワーダブラーモジュールCGD942C および CGD944Cは、他のモジュールと比較して高出力が得られ、よりよ いCTB・CSOを提供します。複数の出力ポートを備えた光ノードを 含むハイエンドHFCネットワーク向けに設計されており、これらの モジュールは各ポートで直接最低125人のユーザーをカバーできま す。 これらのふたつのデバイスは、HFCネットワークを870 MHzに アップグレードするのに理想的です。 CGD94xC / CGD98xHCi PAD CGD94xC / CGD98xHCi PAD BGO807C BGO807Cは、統合型光レシーバー・モジュールであり、高い出力レ ベルを提供するとともに温度補正回路を内蔵しています。 お客様 の光ノード設計において、BGO807Cは高い費用対効果と堅牢性を 可能にします。 HFCネットワークをアナログからデジタルにアップ グレードする場合には、BGO807Cが最適です。 EQ PAD BGO807C BGO807CE CGD982HCi、CGD985HCi、およびCGD987HCi 最新の GaAsパワーダブラーモジュール、CGD982HCi、 CGD985HCi、CGD987HCiは、40 MHz ～ 1003 MHzの周波数帯 域をレンジとする CATV網のHFC(hybrid fiber coax) 中国ネットワ ークのためにカスタマイズされて設計されています。従来のNTSC ローディングラスタに加え、中国のケーブルTVネットワークのローデ ィングラスタで規定されています。 出力レベルを最高にしなくては ならないファイバーディープ アプリケーション向けの光ノードでも 使用できます。 OUT port 1 H L (N + 1) OUT port 2 H L CGD94xC / CGD98xHCi PAD RF switch OUT port 3 H L CGD94xC / CGD98xHCi PAD BGO807C BGO807CE OUT port 4 H L bra822 BGD812 PAD PAD BGO807C BGO807CE EQ BGY885A H L OUT port 1 H L OUT port 2 BGD812 PAD bra823 50 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 人と人をつなぎ、ネットワークを保護 中国SARFT標準向けNXPのCATV C-ファミリー プッシュ・プルアンプ BGY588C Power gain (dB) BGE788C CGY888C Typ 34.5 34.2 35.5 Slope cable equivalent (dB) Range 0.2 - 1.7 0.3 - 2.3 1.5 typ. Composite triple beat (dB) Max -57 -49 -68 typ. Composite 2nd order distortion (dB) Max -62 -52 -66 typ. Noise (@ f max) (dB) Max 8 8 4 typ. Total current consumption (mA) Typ 325 305 280 Range 40 - 550 40 - 750 40 - 870 Frequency range (MHz) 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー Parameters パワーダブラー Parameters BGD712C CGD942C CGD944C CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi Typ 18.5 23 25 23 24.5 27 Slope cable equivalent (dB) Range 0.5 - 1.5 1-2 1-2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.7 - 2 Composite triple beat (dB) Max -62 -66 typ. -66 typ. -66 -66 -66 Composite 2 order distortion (dB) Max -63 -66 typ. -66 typ. -69 -69 -66 Noise (@ f max) (dB) Max 7 5 5 5.5 5.5 5.5 Total current consumption (mA) Typ 395 450 450 440 440 440 Range 40 - 750 40 - 870 40 - 870 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 BGO807C BGO807CE Power gain (dB) nd Frequency range (MHz) 光レシーバー Parameters Responsivity (Rmin) Min 800 800 Slope cable equivalent (dB) Range 0-2 0-2 Composite triple beat (dB) Max -71 -69 Composite 2nd order distortion (dB) Typ -54 -53 Noise (@ f max) (dB) Max 8.5 8.5 Total current consumption (mA) Frequency range (MHz) Connector Typ 190 190 Range 40 - 870 40 - 870 - / SC0 / FC0 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 51 2.2.2 持続可能な CATV ネットワーク向け1 GHz GaAs モジュールの高効率ラインナップ NXP 高利得パワーダブラーCGD104xHi およびプッシュ・プル CGY104x 1-GHz の「安定したネットワーク」を目指して設計された、これらのハイパフォーマンスGaAsデバイスは、帯域幅を 拡張し、より高いデータレートを提供します。 ネットワークキャパシティを向上させ、HDTV、VoIP、デジタル同時放 送などのハイエンドサービスに活路を見いだすことができます。 新しいCATV 主な特長 ` 優れたリニアリティ、安定性、および信頼性 ` パワーダブラーとして高い電力利得 ` 超低ノイズ ` ダークグリーン製品 ` ハイエンド・アプリケーション向けのGaAs HFETダイ ` 堅牢な構成 ` 優れたESDの保護レベル ` リングウェーブ保護を内蔵 ` デジタルチャンネルのローディングに最適化された設計 ` 温度補償された応答利得 ` 最適化された熱管理 ` 優れた温度抵抗 主なメリット ` 1-GHz 対応ネットワークへのアップグレードが簡単 ` 低い総所有コスト ` 高い電力ストレス能力 ` 高度自動化アセンブリ 主なアプリケーション ` ハイブリッドファイバー同軸 (HFC) アプリケーション ` ラインエクステンダ ` 幹線アンプ ` ファイバー・ディープ・光ノード(N+0/1/2) ` 分岐への応用 52 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 GaAsプラットフォームのレイアウト NXPのパワーダブラー CGD104xH および CGD104xHi はラインエ クステンダおよび幹線アンプへの使用に最適です。 ファイバー・デ ィープ・光ノード(N+0/1/2)のアプリケーションもサポートし、市場最 高の出力をお届けします。 GaAs HFET ダイ・プロセスは、高利得、 卓越したCTBとCSOレーティングを提供するとともに低電流で動 作します。 新しい NXP CGY104x プッシュ・プルファミリーは、低ノイズ、クラ ス最高の歪み性能、および低「カーボンフットプリント」機能の組み 合わせを実現する市場初の製品ラインナップです。最小の電力消 費で最高のパフォーマンスを発揮し、OPEX とCO2 排出量を抑え ます。 すべてのNXPの 1-GHz ソリューションは耐久力に主眼を置いた設 計となっており、優れた堅牢性と拡張された温度レンジ、高いパワー オーバーストレス能力、非常に高いESDレベルを提供します。結果と して、所有コストも抑えられます。 GaAsダイは、HVQFN パッケージに封入され、放熱板への熱伝達 を管理するサーマルのビアに実装されます。 温度管理回路によ り、幅広い温度レンジでモジュールの高性能を安定的に維持しま す。 アセンブリは完全自動化され、人間の介入がほとんど必要あ りません。そのため高い再現性を誇ります。 今後発売予定の新製品 現在開発中のプッシュ・プル製品は、パワーダブラーの能力をさら に引き上げ、ほとんどすべての近代的HFCアプリケーションをサ ポートできるようになります。プッシュ・プル CGY1041は、21 dB の利得、CGY1043 は23 dBの利得、CGY1049は29 dBの利 得、CGY1032は32 dBの利得を提供します。NXPは新たに統合性の 高いパワーダブラーも開発中です。CGD1046Hi は、ひとつのICで 26dBの電力利得と 60dBmV の出力パワー、卓越したESD 保護が 得られます。歪みのない究極の高品質を持ったデバイスとなること でしょう。 CATV 1 GHzパワーダブラー CATV 1 GHz power doublers CGD1040Hi CGD1042H CGD1042Hi CGD1044H CGD1044Hi CGD1046Hi Typ 21 23 23 25 25 27 Slope cable equivalent (dB) Typ 1.5 1.5 1.5 1 1.5 0.5 - 2.0 Composite triple beat (dB) Typ -69 -69 -69 -69 -69 -73 Composite 2nd order distortion (dB) Typ -68 -68 -68 -68 -68 -68 Noise (@ fmax) (dB) Max 6 6 6 6 6 5 Total current consumption (mA) Typ 440 450 440 450 440 460 Frequency range (MHz) Range 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 CGY1049 CGY1032 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー Parameters Power gain (dB) CATV 1 GHz プッシュ・プル CATV 1 GHz push-pulls Parameters CGY1041 CGY1043 CGY1047 Power gain (dB) Typ 22 24 28 30 33 Slope cable equivalent (dB) Typ 2 2 2 1.6 1.8 Composite triple beat (dB) Typ -62 -62 -64 -62 -62 Composite 2nd order distortion (dB) Typ -64 -64 -66 -64 -64 Noise (@ fmax) (dB) Max 5 5 4.5 5 5 Total current consumption (mA) Typ 250 250 250 250 265 Frequency range (MHz) Range 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 CGD104xHi PAD H L OUT port 1 H L OUT port 2 H L OUT port 3 H L OUT port 4 CGD104xHi PAD PAD (N + 1) RF switch EQ CGD104xHi PAD CGD104xHi PAD bra822 CGD1040Hi / CGD1042Hi / CGD1044Hi / CGD1046Hiを使用した複数出力ポート付き光ノード NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 53 2.3 TVおよび衛星 2.3.1 チューナーの性能改善に最適な、可変利得ならびにバイパスオプション付きLNA TV/STB用NXP LNA BGU703xおよびBGU704x 3.3 Vおよび 5 V 広帯域LNAは、高いリニアリティと低ノイズ用に設計され、40 MHz から 1 GHzで作動する TV、DVR/PVR、およびSTBのマルチチューナー・アプリケーションに対応しています。バイパスモードのある独自の可 変利得機能により、チューナースイッチの信号ロス（マルチチューナーシステムでは重要）を補正、全体のシステムパ フォーマンスを7～10dB改善します。 主な特長 バイアスを内蔵 Gp = 10 dB:BGU7031 (5 V)、BGU7041 (3.3 V) Gp = 14 dB:BGU7044 (3.3 V) NXPのBGU703xおよびBGU704x 低ノイズアンプ（LNA）では、外 部コンポーネント数を削減しながら、信号品質（NF、ダイナミックレ ンジ）を改善することで画質品質をアップグレードします。 Gp = 10 dBとバイパスの切り替え可能：BGU7032 (5 V) 、BGU7042 (3.3 V)、およびGp = 14 dBとバイパスの切り替え可 能：BGU7045 (3.3 V) Gp = 10 dB、5 dBとバイパスの切り替え可能： BGU7033 (5 V) 40 MHz～1GHz間の平坦利得 9～14dBmの1dB利得圧縮（PL(1 dB)）で出力 2.8dBの低雑音指数 IP3O 29dBmの高リニアリティ 75Ω入出力インピーダンス バイパスモード中のパワーダウン 全ピンで、ESD保護 > 2 kV HBM、>1.5 kV CDM NXP独自のQUBiC4+ Si BiCMOSプロセスで生産され、チューナー スイッチでの信号ロスを補正し信号品質を改善します。これにより、 システムパフォーマンスを7～10 dB改善できます。 主な傾向 信号品質の改善が必要なTV、DVR/PVRおよびセットトップボック ス・アプリケーションのマルチチューナー 3.3V LNA (BGU704x)と完全整合した3.3 V SiチューナーICの使用 アプリケーション 地上波およびケーブルセットトップボックス(STB) シリコンおよびカンチューナー パーソナルおよびデジタルビデオレコーダー（PVRおよびDVR） ホームネットワークおよび屋内信号分配機器 54 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 BGU7031、BGU7041およびBGU7044は固定利得のLNAです。 BGU7032、BGU7042およびBGU7045には、追加のバイパスモード が付属しています。 BGU7033には、バイパスモードと合わせ、2つ の利得レベルがあります。バイパスモードでは、デバイスの電流消 費は5mA以下です。統合されたバイアスおよび75Ω整合により、デ ィスクリートソリューションと比較して、15のコンポーネントを削減す ることでフットプリントを減らすことができます。 デバイスはすべて、ディスクリートまたはSiカンチューナー、および オンボードチューナーで使用できます。GaAsソリューションと比 べ、ESDパフォーマンスがさらに強力になっているため、 >2 kV ヒューマンボディモデル (HBM)および>1.5 kVデバイス帯電モデル (CDM) に対応します。 BGU703x 評価ボード Type Package Frequency range @ Gain (1) NF PL (1dB) OIP3 FL (2) RLout RLin (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBm) (dB) (dB) (dB) 5 43 10 4.5 14 29 -0.2 12 18 GP 10 dB 5 43 10 4.5 14 29 -0.2 12 18 Bypass 5 4 -2 2.5 - 29 -0.2 8 8 GP 10 dB 5 43 10 4.5 14 29 -0.2 12 18 GP 5 dB 5 43 5 6 9 29 -0.2 12 17 Bypass 5 4 -2 2.5 - 29 -0.2 8 8 GP 10 dB 3.3 38 10 4 12 29 -0.2 12 21 GP 10 dB 3.3 38 10 4 12 29 -0.2 12 21 Bypass 3.3 3 -2 2.5 - 29 -0.2 10 10 GP 14 dB 3.3 34 14 2.8 13 29 -0.2 12 20 GP 14 dB 3.3 34 14 2.8 13 29 -0.2 12 20 Bypass 3.3 3 -2 2.5 - 27 -0.2 10 9 Mode VCC ICC (V) GP 10 dB (MHz) BGU7031 SOT363 40 - 1000 BGU7032 SOT363 40 - 1000 BGU7033 SOT363 40 - 1000 BGU7041 SOT363 40 - 1000 BGU7042 SOT363 40 - 1000 BGU7044 SOT363 40 - 1000 BGU7045 SOT363 40 - 1000 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー セットアップボックス用LNA (75 Ω) パッシブ・ループ・スルー付きアクティブ・スプリッタのアプリケー ブロック図 ション図 BGU703x/BGU704x VGA RF input surge CONVENTIONAL TUNER OR SILICON TUNER RF SW BF1108 or BF1118 RF output WB LNA BGU7031/BGU7041/BGU7044(optional) NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 brb403 55 2.3.2 全LNB アーキテクチャ用の完全衛星ポートフォリオ NXP 衛星 LNB デバイス TFF101xHN、BFU710F/730FおよびBGA28xx LNA、ミキサー、IFアンプでの使用を目的として設計されており、堅牢で小さなフットプリントを持つこの製品群 は、NXPの衛星LNBアーキテクチャ向け製品の主軸となるポートフォリオの最新追加製品です。NXPの画期的な QUBiC4X SiGe:C および QUBiC4+ プロセステクノロジーを用いて製造されています。 全集積型KUバンドダウンコンバータTFF101xHN TFF101xHN は、Kuバンド LNBの全集積型ダウンコンバータです。 史上で最も低い電流消費にて、位相ノイズ、利得、雑音指数といっ た最高の RFパフォーマンスが得られます。 LNB向けKuバンドダウンコンバータ TFF101xHN/N1 ` 一般的なアプリケーション：ユニバーサルシングル LNB & ツイン LNB ` 超低消費電流：PVTで54 mA ` 外部コンポーネント7個のみ ` インダクタ不要 ` 単一電源:5V ` 低コストのファンダメンタル25 MHz クリスタルを使用 ` 高 PL1dBo = 6 dBm / 3OIPo = 16 dBm ` クラス最高の PN < 1.4 deg RMS - 積分帯域幅10 kHz ～ 13 MHz ` 複数の利得バージョン - TFF1014HN/N1 36 dB - TFF1015HN/N1 39 dB - TFF1017HN/N1 42 dB - TFF1018HN/N1 45 dB ` 周波数に対し平坦な利得(< 2 dBpp) ` 入出力は 50 Ωに整合 ` 小さなリードレスDHVQFN16 パッケージ(2.5 x 3.5 x 0.85 mm) RF トランジスタBFU710F/730F BFU710F および BFU730F は、KUバンド向けDBS LNB のLNAもし くはミキサーとして使用できる広帯域RFトランジスタです。 いずれのアプリケーションにも、最適なノイズとリニアリティを提供 し、GaAs pHEMT の同等品と比較して、低い消費電流と、シリコン のコスト効率というメリットが得られます。 KuバンドLNBのLNAとしてのBFU710F ` 一般的なアプリケーション：単一出力LNB用2段目LNA ` GaAs pHemt LNAと全体的に似通ったRFパフォーマンス ` 消費電力: 3.5 mA ` 単一電源:3/5/6V ` 高いRF利得：13.5dB ` 低雑音指数：1.6dB ` リニアリティ(OIP3): 12 dBm 56 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 KuバンドLNBのミキサーとしてのBFU710F ` 一般的なアプリケーション：単一出力LNB用アクティブ・ミキサー ` 単電源3/5/6V ` 低消費電力: 2.5 mA ` LO ドライブ < 0 dBm ` SSB 雑音指数< 8 dB (入力におけるBPFを含む) ` SSB 変換利得> 5 dB (入力におけるBPFを含む) ` リニアリティ(OIP3) > 0 dBm ` LO-RF 絶縁最低 20 dB ` RF 整合 10 dB以上 ` IF 整合 8 dB以上 KuバンドLNBのLNAとしてのBFU730F ` 一般的なアプリケーション：複数出力 LNB向け2段目および3段 目LNA ` GaAs pHemt LNAと全体的に似通ったRFパフォーマンス ` 消費電力: 11 mA ` 単電源3/5/6V ` 非常に高いRF利得：11.5dB ` 低雑音指数：1.25dB ` リニアリティ(OIP3) > 17 dBm ` リターンロス> 10 dB IF アンプ (第１ステージおよび出力ステージ)としての MMIC BGA28xx 既存製品との互換性を維持するために、このシリーズでは業界標準 パッケージを使用しています。SOT363 およびSOT363Fのピン配 置はNXPの現在のゲインブロックファミリーと同じで、同様の雑音 指数になります。 新機能には、より平坦な利得の他にポジティブな 利得傾斜、向上したP1dB vs Icc、および出力インダクタの不要など があげられます。 ` 内部整合で50Ω ` 利得傾斜 > 0.5 dB 単一供給電圧:3.3または5V リバースアイソレーション:最大2 GHzで30 dB 以上 クラス最高のリニアリティ対消費電流 雑音指数: 1 GHzで4 ～ 6 dB 無条件の安定性(K > 1) 高圧縮ポイントモデルは出力インダクタなしで動作 6ピン SOT363 プラスチック SMD パッケージ の最新製品です。 オシレ―タ、アンプ、スイッチなど他のディスク リート製品に加わる新顔で、すべてのLNBアーキテクチャをカバー します。 これらの製品－集積型ダウンコンバータTFF101xHN、LNAおよ びミキサー向け広帯域トランジスタBFU710F/730F、IF MMIC向け BGA28xx シリーズ‐は、NXPの衛星LNB向けトップポートフォリオ これらのIC、トランジスタとMMICはNXPの業界をリードする QUBiC4X SiGe:CおよびQuBiC4+ プロセスで製造されているた め、全体的なRFパフォーマンスは向上し、競合他社製のGaAs等価 品よりもはるかに堅牢で、シリコンのコスト面のメリットも得られま す。このプロセステクノロジーは、追加機能との高い統合性を実現 させます。NXP は、生産の拠点（ウエハファブ、テスト、アセンブリ） を各地に所有しているため、大量生産にも対応できます。 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー ` ` ` ` ` ` ` 衛星屋外装置: ミキサー/オシレータ/ダウオンコンバータ統合ICを用いたツイン低ノイズ・ブロック(LNB) LNA2 H LNA3 COMBINER LNA1 SPLITTER LNA3 BPF LNA2 LNA3 COMBINER SPLITTER LNA1 IF out 1 shared crystal LNA3 V TFF1014 SWITCHED TO LOW-BAND BPF TFF1014 IF out 2 SWITCHED TO HIGH-BAND 22 kHz TONE DETECT 3 H/V DETECT aaa-002896 注：セクション1.3.4『 衛星屋外装置: ミキサー/オシレータ/ダウオンコンバータ統合ICを用いたツイン低ノ イズ・ブロック(LNB)』も参照してください。 全集積型ミキサー/ オシレータ/ ダウンコンバータ LB/HB/H/V detection pHemt bias LO oscillator control linear regulated 5 V BIAS V/T LN HB Hor 2nd 10.7 ~ 12.75 GHz BPF 1st Ver 0 95 ~ 1.9 GHz/ 1.1 ~ 2.15 GHz mixer IF amps BFU710F 25.000 MHz PLL/VCO TFF101xHN LOOP F LTER 001aan954 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 57 2.3.3 VSAT、衛星を経由する双方向通信 NXPのKu/ KaバンドRF LOジェネレータで、IESS-308 準拠のKu/ KaバンドVSATトランシーバを設計 TFF100xHN ファミリーは、KuおよびKaバンドVSATトランスミッタおよびトランシーバー内の低位相雑音局部オシ レ―タ(LO)回路用に設計された、VCOを統合したKuバンドの RF PLLです。ハイパフォーマンス SiGe:C プロセスで 製造され、非常に低い位相雑音を提供し、IntelsatのIESS-308 に準拠します。 VSAT ネットワークは一般にクレジットカードのPOSトランザクショ ンなどの狭帯域のデータ伝送、または離れた場所へのインターネッ トアクセス、VoIP、またはビデオなどをサポートする広帯域のデータ 伝送に使用されます。 このネットワークは通常ディッシュ型アンテナ、屋外ユニット、屋内 ユニットで構成されます。屋外ユニットは、RF と IF間の周波数変換 に使用され、通常マイクロ波ベースのアップリンク/ダウンリンクセパ レータ、ダウンリンク信号を受信する低ノイズ・ブロック(LNB)、ブロ ック・アップコンバータ(BUC) が含まれます。 VSAT ICはリニアBUC向けのLOジェネレータに使用できます (IF ま たは RF 変換がLOでミキシングされることを意味します)。 特長 ` 位相ノイズはIESS-308 (Intelsat)に準拠 ` 差動入出力 ` 分周回路設定16、32、64、128、または256 ` ロック検出出力 ` SiGe:C テクノロジー (120 GHz fT プロセス) ` HVQFN24 (SOT616-1) パッケージ アプリケーション ` VSAT ブロック・アップコンバータ ` VSAT ダウンコンバージョン ` 局部オシレ―タ信号生成 58 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 正確な周波数と時間の多重化を可能にするには、ダウンリンク信号 が正確なリファレンス周波数10 MHzを提供する必要があります。 屋内ユニットは、アップリンクIF信号で多重化し、BUCのLO信号は リファレンス周波数に対しロックする必要があります。 TFF100xHN IC は 24ピンHVQFN (SOT616-1) パッケージに封入 されています。 これらのピンは最適なパフォーマンスを得るため に割り当てられています。3つの電圧ドメインは、ICのブロックを 隔離するために使用されます。各出力 (OUT-PとOUT-N) は20-mil RO4003 ボード (1.1 mm)上にライン幅Z = 50 Ω マイクロストリップ を使用した典型的レイアウトと整合するよう確保されています。 接地ピンはリファレンス入力および出力の横に配置され、アプリケ ーション上での交差を最小化するため、すべての供給ピンはICと同 じ側についています。 Satellite Satelli HUB 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー VSATs 一般的な VSAT ネットワーク TFF1003HNを使用したリニアBUC向けの完全 LO ジェネレータ Type fIN(REF) Package VCC ICC PLL PLL phase noise @ N=64 @ 100 kHz Typ Output buffer fo(RF) Max Input Po RLout(RF) Si Typ Max Min (MHz) (V) (mA) (dBc/Hz) (GHz) (dBm) (dB) (dBm) TFF1003HN SOT616 50 - 815 3.3 100 -92 12.8 - 13.05 -5 -10 -10 TFF1007HN SOT616 228.78 - 234.38 3.3 130 -104 14.62 - 15 -3 -10 -10 Icc (mA) Single supply (V) RF gain (dB) NF (dB) OIP3 (dBm) Ku-band LNA2 for single output LNB 3.5 3/5/6 13.5 1.6 12 BFU730F Ku-band LNA2 and LNA3 for multiple output LNB 11 3/5/6 11.5 1.25 17 Type Application Icc (mA) Single supply (V) LO drive SSB NF (dB) SSB conversion LO-RF isolation gain (dB) (dB) BFU710F Ku-band active mixer for single output LNB 2.5 3/5/6 < 0 dBm < 8 dB Type Application BFU710F > 5 dB min 20 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 59 2.3.4 マイクロ波およびミリ波無線向け低ノイズ LO ジェネレータ NXPの LO ジェネレータ (VCO/PLL内蔵) TFF11xxxHN NXPの革新的なQUBiC4X SiGe:C プロセステクノロジー。によって提供される、-高い統合性を持ち、アライメントの いらないLO ジェネレータは、低消費電力・低スプリアスソリューションです。お客様の設計を簡素化し、総所有コス トを抑えます。 これらの低ノイズ局部オシレ―タ(LO) ジェネレータは、7 ～ 15 GHzのレンジでさまざまなマイクロ波アプリケーションへの使用に 最適で、小さなフットプリントで非常に正確なパフォーマンスを実現 します。製造ラインにおいて、周波数修正などのアライメントが必要 ないため、シンプルに製造化できます。 高い統合性は、ボードのス ペースを節約し、設計が簡単なため、コストをさらに低く抑え、開発 期間を短縮できます。 特長 ` TFF11xxxHN ファミリー： 7 ～ 15 GHzレンジにおける最低ノイ ズのLOジェネレータ ` 全タイプの消費電力は330 mW (代表値) ` 位相ノイズはIESS-308 (Intelsat)に準拠 ` 実証済みQUBiC4X SiGe:C テクノロジー (120 GHz fT プロセス) ` 外付けループフィルタ差動入出力 ` ロック検出出力 ` ループフィルタ用内部安定電圧レファレンス ` 24ピンHVQFN (SOT616-1) パッケージ アプリケーション：TFF11xxxHN ファミリー： ` 産業/医療試験および測定機器 ` 電子戦(EW) ` 電子対抗装置(ECM) ` ポイント・ツー・ポイント ` ポイント・ツー・マルチポイント ` 衛星通信/VSAT ` レーダーシステム これらのICはNXPの業界を牽引するQUBiC4X SiGe:Cプロセスで 製造されているため、全体的なRFパフォーマンスは向上し、競合他 社製GaAsよりもはるかに堅牢で、電力消費も少なくて済みます。 このプロセステクノロジーは、追加機能との高い統合性を実現させ ます。NXP は、生産の拠点 (ウェハーファブ、試験、アセンブリ) を各 地に所有しているため、大量生産にも対応できます。 TFF1003HN は、LO ジェネレータファミリーの基礎となる製品で す。 12.8 ～ 13.05 GHz のVCOをカバーし、50 ～ 816 MHzの入力 信号を受容します。分周比は 16、32、64、128、256に設定でき、出 力レベルは±2 dBの安定性で -5 dBm です。LO ジェネレータファミ リーは、7 ～ 15 GHzにおいて18種類の異なる中間周波数のデバイ スを取りそろえています。これらの全デバイスのRF パフォーマンス はTFF1003HNと一貫性を持ちます。 すべてのLO ジェレータは非常に低い消費電力であり(通常 330 mW)、すべては省スペース設計の24ピン HVQFN パッケージ で使用できます。 汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズLOジェネレータの 完全ポートフォリオはセクション3.4.4もあわせてご覧ください。 60 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 2.4 ポータブル機器 2.4.1 最小フットプリントでGNSSシグナルを最適受信 NXP SiGe:C GPS LNA BGU700x/BGU8007 NXPのGPS低ノイズアンプは、強力なセルラー・WLAN送信信号のダイナミックサプレッションにより、微弱電波の 受信能力を高めます。さらに、必要とされる外部コンポーネントは2点のみのため、設計者はPCBサイズを50%まで、 主な特長 低雑音指数：0.75dB システムに最適化された利得は16.5 または 19 dB アダプティプバイアスが強力なセルラーおよびWLAN送信信号 をダイナミックに抑制、 -40～-20 dBm 混錯状態で10dB以上の IP3にリニアリティを改善、最大-15 dBmまでの妨害波環境におい て、GPS信号を効果的に出力 AEC-Q100 認定 (BGU7004、BGU7008)、過酷な環境下にも最 高の信頼性をお届けします 外部コンポーネント2つのみ必要 小さな6ピンリードレスパッケージ：1.45 x 1.0 x 0.5 mm 主なメリット できるだけ長く、最適なGPS信号受信を維持 PCBサイズの大幅節約(50%) コンポーネントコストを削減(10%) アプリケーション スマートフォン、フィーチャーフォン タブレット型端末 パーソナルナビゲーションデバイス(PND) デジタルスチルカメラ(DSC) デジタルビデオカメラ(DVC) RF フロントエンドモジュール (電話機で使用) 完全なGPS チップセットモジュール (DSCで使用) 車載アプリケーション (BGU7004/8):高速運賃支払い、緊急電話 これらのSiGe:C低ノイズアンプ(LNA)で、GloNassおよびGalileoを 含め、GPS信号受信が改善されます。非常に小さな6ピンパッケー ジを使用しているため、フットプリントやコストが削減でき、アクテ ィブまたはパッチアンテナを使用するシステムでの受信感度が向上 します。 GPSは、ナビゲーションデバイスからデジタルビデオカメラ、腕時 計、電気自動車を含む、非常に幅広い民生品で標準機能となって います。GPS信号出力レベルは弱く、-155 dBmのノイズフロア以 下です。これら製品の多く、特にスマートフォンでは、WLANやセル ラーなどの強い送信信号により、GPS LNA は圧縮状態になりま す。GPS LNA が圧縮されている場合、利得が小さくなり、GPS 受信 が弱くなります。また、LNAが圧縮されている場合、微弱なGPS信号 を上回る、変調波や高調波が送信信号から生成されるため、GPSの 受信ができなくなります。 NXP BGU700x/BGU8007シリーズは、アダプティブバイアスを使用 して、妨害波からの出力パワーをすぐに検出、一時電流を増やして 補償します。結果として、最適なGPS信号受信ができるかぎり長く 維持されます。 BGU700x/BGU8007シリーズの各デバイスは、入力整合インダク タ1つ、また電源デカップリングキャパシタ1つが必要です。これに より、よりコンパクトに設計でき、材料費が抑えられます。設計者 は、PCBサイズを最大50%、コンポーネントコストを10%削減できま す。たとえば、BGU7005は、アプリケーションエリアが4.53 mm2し か必要としない1.45 x 1 mm パッケージ品です。これは、9.06 mm2 のアプリケーションエリアを必要とする比較ソリューションよ り、50%小さくなります。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 61 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー コンポーネントコストも10%節約できます。 アプリケーション図 external active antenna LNA BPF SPDT embedded antenna LNA BPF BPF GPS RECEIVER IC 001aan955 最小フットプリント Type MMIC * Package size Package X Y Pins Pitch Area SMD's Appl. SMD size X Y SMD's area Appl. area mm2 mm mm mm # mm mm2 # mm mm mm2 1.45 x 1 1.7 1.25 6 0.5 2.13 2 1.5 0.8 2.4 4.53 Wafer-level package 1.26 x 0.86 1.5 1.1 6 0.4 1.65 6 1.5 0.8 7.2 8.85 Competitor Wafer-level package 0.86 x 0.86 1.1 1.1 4 0.4 1.21 4 1.5 0.8 4.8 6.01 Competitor Thin small leadless package 2 x 1.3 2.25 1.55 6 0.5 3.49 4 1.5 0.8 4.8 8.29 Competitor Thin small leadless package 1.4 x 1.26 1.65 1.5 6 0.48 2.48 4 1.5 0.8 4.8 7.28 Competitor Thin small outline non-leaded 1.5 x 1.5 1.75 1.75 6 0.5 3.06 5 1.5 0.8 6 9.06 BGU7005/7 SOT886 Competitor * 実装に必要なPCBのランドパターンエリアを含む SiGe:C GPS LNAs Supply voltage Supply current Insertion power gain Noise figure Input power at 1 dB gain compression Input third-order intercept point f1 = 1713 MHz, f2 = 1851 MHz Vcc Icc |s21|2 NF PL(1dB) IP3i (V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBm) Vcc = 1.8 V, Typ Vcc = 2.2 V, Min Vcc = 2.2 V, Typ Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA - - 9 - - - 5 12 - -14 -11 - - - -11 -8 - - 5 9 - - - 5 12 - -15 -12 - - - -14 -11 - - 1 4 - - - 2 5 - -15 -12 - - - -14 -11 - - 1 4 - - - 2 5 1 4 - - 2 5 - - - 18.3 20 0.8 - - BGU7004^ SOT886 1.5 2.85 - 4.5 - - 16.5* - 0.9 - - BGU7005 SOT886 1.5 2.85 - 4.5 - - 16.5* - 0.9 - BGU7007 SOT886 1.5 2.85 - 4.8 - - 18.5** - 0.9 - BGU7008^ SOT886 1.5 2.85 - 4.8 - - 18.5** - 0.9 - BGU8007 SOT886 1.5 2.2 - 4.6 - - 19.0*** - 0.75# * ジャマーなし16.5 dB/ ジャマーあり17.5 dB ** ジャマーなし18.5 dB/ ジャマーあり19.5 dB *** ジャマーなし19.0 dB/ ジャマーあり20.5 dB 62 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Typ Max Typ -15 -12 ^ AEC-Q101 認定済み (一部制限あり) # 評価ボードのロスは除く - - - - -20 - - -13 -10 - - - Vcc = 2.85 V, Typ Vcc = 1.5 V, Typ 0 5 16 Vcc = 2.85 V, Min Vcc = 1.5 V, Min - - 15 Vcc = 1.8 V, Min Vcc = 2.85 V, Typ - - - Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA - -8 3 Vcc = 2.85 V, Min - -11 2.85 Max Vcc = 2.2 V, Typ - - Min 2.2 Min Vcc = 2.2 V, Min - - Max SOT891 Vcc = 1.8 V, Typ - - Typ Vcc = 1.5 V, Typ - -14 -11 Min BGU7003 Vcc = 1.8 V, Min Package Vcc = 1.5 V, Min Type @ 1.575 GHz 2.5 産業、科学、医療 2.5.1 RFパワーで駆動する医療アプリケーション：画像処理から癌治療まで、柔軟かつ多様な テクノロジーを提供。 RFテクノロジーは、幅広く知られた低周波の医療用画像処理技術 (MRI、EPRI)から、外部温熱治 療および電子手術器具、低侵襲内視鏡がん治療(RF焼灼療法)まで、さまざまな医療アプリケー ションへと用途が拡大されつつあります。 そのトレンドのひとつには、高周波をベースとした焼灼療法があります。 またその一方に、高い (> 100 W) を求める傾向もあります。 RF(高周波)は、医療業界において決して新しいテクノロジーではあ りません。現在では、MRI(核磁気共鳴画像法)やEPRI (電子常磁性 共鳴画像法)など数メガヘルツから約500 MHzの周波数を用いる技 術が使用されています。 この他に、皮膚を回復させるためや筋肉痛を緩和するための外部 温熱療法では、高周波ではないもののいおよそ480 kHzが用いられ ています。血管を切ると同時に凝固させる医療機器では、およそ5 MHzの高周波が使用されます。 後者のアプリケーションは、現在急速に需要が伸びている治療技術 で、体のさまざまな部位においてRF 高周波を用い、一般的には不 要な組織を「除去」するものです。RF エネルギーが体内で周辺組織 が乾燥するまで、あるいは壊死するまで温めます。ダメージを受け た組織は、後に正常組織に吸収されます。損傷した繊維は後で、周 囲の生体繊維に再吸収されます。RF焼灼療法のアプリケーション例 には、肺がん、乳がん、骨腫瘍、肝臓がんの治療、静脈瘤の切除、不 整脈の治療など、RFによる高度な制御とフィードバックによる恩恵 を受けるアプリケーションはその他にも数多くあります。 医療分野におけるメリットには、小さなカテーテルの先端にRF信号 を発信するアンテナを取り付けるなどの応用ができる点があげられ ます。従来の直流技術と異なり、 アンテナのごく局部の組織のみに 熱が照射されます。近接する神経(心臓)には刺激を与えません。 こ れにより、RFのアクティブな場所を確定するための超音波またはX 線画像とともに、低侵襲治療で使用するためのさまざまな専用カテ ーテル導入につながりました。治療中は、周辺組織のインピーダン スを監視でき、エンドポイントを判断できます。適切なカテーテル を使えば、乾燥した組織へのRFエネルギー照射を制限する 「自己制 限」機能を実現できます。同様に、RF周波数は、 カテーテルのエネル ギーの凝華ゾーンを調整するためにも使用できます：周波数が高 ければ体液を含む組織における侵入深さおよびRFエネルギーの凝 華は小さくなります。 RF周波数と電力は高くなる傾向にあり、RFジェネレータの複雑 性とデバイステクノロジーへの要求も高まっています。10 MHz以 上、3.8 GHzまでのパワーアンプに最適な技術はSi LDMOS (横方 向拡散金属酸化膜半導体)です。 このテクノロジーは、ベースステー ション、 ブロードキャストトランスミッタ、およびその他の産業、科 学、医療(ISM)分野のアプリケーションでもパワフルで効率的、そし て耐久性にすぐれていることがすでに証明されています。LDMOS は最大50 Vの電源供給まで使用でき、単一デバイスにつき最大 1,200 Wのパワフルな電力レベルを、比類ない堅牢性と高利得、高 効率で実現できます。 LDMOSパワーアンプステージの駆動と制御のため、電圧制御され たオシレータ、位相ロックループ、 ミディアムパワーアンプが必要に なります。これらのRF信号チェーンに必要な製品は、信頼性が高く、 量産可能な SiGe:C (QUBiC) 半導体テクノロジーににより提供され ます。さらに一歩進んで、信号チェーンを完全にデジタルドメイン へと駆動する高速コンバータも使用でき、適用されたRFの形状と変 調を簡単に制御できます。 RF の活用 これらの現場における医療アプリケーションおよび、一般的には 多くのISMアプリケーションでは、通常使用サイクルの一環におい て、RFの不整合が発生する場合があります。これは、保護やその他 の措置なしでは、 「注入」されたRFパワーはすべてアンプの最終段 に反射されるため、トランジスタで抑える必要があることを意味し ます。またこの状況が長く続く場合、デバイスが破損する可能性が 高くなります。LDMOSトランジスタは非常に堅牢に設計されてお り、通常このような不整合の状況にも時間とともに衰えることなく 耐えるようになっています。 このような不整合または極端に短いパルスの発生におけるデバイス の堅牢性または「過酷」なRF条件に耐える能力は、信頼できるデバ イスパフォーマンスを得るためには欠かせないものです。 RFパワ ーデバイスを提供する企業は、クラス最高のデバイスの堅牢性を実 現するため、努力を図っています。 開発過程における堅牢性の厳し い試験を通過する中で、テクノロジーはますます鍛えられています が、特に50Vテクノロジーでそれは顕著となっています。 また他の 要素として、寄生バイポーラのベース抵抗およびLDMOSデバイスの ドレーンエクステンションも主要な役割を果たします。 この耐久性と電力密度と高い効率性こそ、LDMOSが3.8 GHzのRF アンプ向けのテクノロジーに最適な理由と言えます。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 63 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー 空間的解像度と制御性、短い治療期間が得られるように、高いRF 周波数(数GHz) および高出力 2.5.2 RFを利用したプラズマ照明： 固体化RFテクノロジーによる次期光源革命 向上したコスト構造、耐久性、デバイス単体での1200 W までのパワーレベルといったRF パワーテクノロジーの最近 の進歩は、光源テクノロジーに画期的な進化をもたらしました。それこそ、 「RF プラズマ照明」です。 RF プラズマ照 明は、アルゴンガスとメタルハライドをミックスした小型の無電極クオーツ電球を用いたものです。 この電球は直接 RFによって駆動するテクノロジーで、混合ガスが点火することで明るいプラズマを生成するものです。構成物質を調 整すれば、色も変えることができます。 このテクノロジーは、通常のHIDランプと異なり、 電球の電極なし で動作します。 電極がないため必然的に稼動時間が長くなり、効率性と将来的な ランプの不具合につながる電極汚染やワイヤ侵食などの心配があ りません。 RF光源は、光出力の50%を達成した場合に50,000 時間稼動を続けることができます。従来のHIDランプと比較する と、20,000時間の寿命が得られます。 プラズマ照明のその他の 利点には、効率性があげられます。 RFパワーの1Wは130-140 lm に変換されます。 これにより、太陽の光の色に近い10,000 ～ 20,000 lm の白色光を発光するコンパクトで非常に明るいランプが 実現します。 RF 光源を実現したのは、Si LDMOS RF パワートランジスタを基礎 とするRF テクノロジーのおかげです。 28 V で稼動するLDMOS テ クノロジーは、数MHz から3.8 GHz.までの周波数レンジにおける最 終アンプステージとしてのセルラーベースステーション向けまたは 放送用送信機向けのRFパワーテクノロジーの代表的存在です。 最近、他のLDMOS 技術である 50 V LDMOSが、放送、ISM、防 衛、航空レーダーアプリケーションで使用されるようになってきま した。 単一デバイスごとの高電力密度を1,200 Wまでに引き上げ、すぐれ た耐久性、高利得、高効率を1.5 GHzまでの周波数で実現します。 照明テクノロジーの比較 下表は、現在利用可能な明るい光を生成するテクノロジーの一覧で す。それぞれの効率性は異なります。 寿命、光束、有効性、演色評 価数、色温度、再点灯時間(通常の操作で、スイッチを切ってから再 度点灯するまでの時間)などの主なパラメータをご覧いただけます。 Color Start-up Re-strike Lifetime Luminous Efficacy Color flux temperature time time (lm/W) rendering (hrs) (klm) (K) (s) (s) Incandescent 2,000 1,700 10 to 17 100 3200 0.1 0.1 Fluorescent 10,500 3,000 115 51 to 76 2940 to 6430 0.3 0.1 LED 25,000 130 60 to 100 30 6000 0.1 0.1 Type HID (highintensity discharge) 20,000 25,000 65 to 115 40 to 94 4000 to 5400 60 480 RF plasma 50,000 25,000 100 to140 70 to 94 4000 to 5500 30 25 表1：光生成比較注：数値は定性的比較にのみ有効なものです。出典： www.wikipedia.org およびレファレンス 64 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 プラズマ光源は、その中でも最も明るく、最も効率性がよく、寿命も 長くなっています。 電球ごとの輝度の高さにもご注目ください。 たとえば、LEDと比較 すると非常に明るくなっています。その結果、1つのプラズマ光源の 光出力を生成するには、複数のLEDが必要となります。 そのため、 街灯のLED 発光体は、プラズマ光源と比較するとかなり大きくする 必要が出てきます。 RF の活用 RF プラズマ光源は幅広いレンジのRF周波数で動作しますが、通常 のアプリケーションでは、数百メガヘルツ向けにフォーカスされて います。 この周波数では、28および 50 V LDMOS テクノロジーの 両方を使用することができ、70% から80%以上の高い効率値をあ げることができ、放熱が少ないため、コンパクトなプラズマランプ設 計が可能となります。 RFプラズマ照明は、産業、科学、医療(ISM)の世界において、RFエネ ルギーで駆動させることができる新しいアプリケーションの好例で す。実証済みテクノロジーでは、RFを使用してレーザー共振器に放 出ガスを送り込みます。 この「放出ガス」アプリケーション(通常はISMアプリケーション)は 使用サイクルにおいてRF負荷の不整合を引き起こします。 ガスの 放出があると、気孔はスイッチがオンの状態になり、いわば「開回 路」の役目を果たします。 保護またはその他の措置がない場合に は、 「注入」されたRFパワーはすべてアンプの最終段に反射される ことを意味し、トランジスタで吸収しない限り、その状況が長く続け ばデバイスが破壊されてしまいます。 放出があると、負荷インピー ダンスは「整合」し、結果的にトランジスタは許容できるレンジの負 荷を得ることができるようになります。 明らかに、不整合状態はプラズマのスイッチが「オン」になる度に起 こり、最終ステージで負荷が発生します。 LDMOSトランジスタは 非常に堅牢に設計されており、通常このような不整合の状況にも時 間とともに衰えることなく耐えるようになっています。 この耐久性と高い電力密度および効率性が相まって、LDMOSはRF 照明およびその他のISM業界における要求の高い状況にも対応で きる優れたテクノロジーとなるのです。 あらゆるRFアプリケーションのためのQUBiC4 Si および SiGe:C トランジスタ 2.5.3 NXP 広帯域トランジスタ BFU6x0FおよびBFU7x0F のRFアプリケーションで使用することができます。たとえ ば、BFUx10F、BFUx30F、BFU725/N1は、低ノイズアンプとして使 用できますが、BFUx60FおよびBFUx90Fは、高リニアリティおよび 高出力アンプとして使用できます。他には、これらのトランジスタを バッファアンプ、ミキサーおよびオシレ―タとして使用することもで きます。 高トランジション周波数（40 to 110 GHz）により、高アプリケーシ ョン周波数（24/77 GHz車載レーダー、18 GHz Ka バンド、3.5-3.7 WiMAXなど）が可能となり、デバイスは広帯域アプリケーションの 低い電流要件に対応します。 結果として、これらのデバイスは、非常に幅広いアプリケーシ ョンでの使用に最適です：DBS LNBの2段目ならびに3段目 LNAやミキサー、Ka/Ku バンドのDRO、衛星ラジオ（SDARS） LNA、Cバンド/Xバンド高出力バッファアンプ、AMR、WLAN/ 主な特長 40 / 110 GHz の遮断周波数により、18 GHzまでのアプリケーシ ョンに対応 低雑音指数 1.45 dB と12 GHzでの高利得13.5 dB 1.8 GHzで34 dBm 高いリニアリティ (OIP3) 12 GHzで13.5 dBの利得を生成するのに、わずか3 mAの消費電流 ハイパフォーマンスと容易な製造を実現するプラスチック表面実 装 SOT343F パッケージ アプリケーション 以下を条件とする広帯域アプリケーション - 低ノイズアンプ - 高リニアリティと高出力アンプ - バッファアンプ - ミキサー - オシレ―タ WiFi、ZigBee、Bluetooth、FM ラジオ、GPS、セルラー(LTE、UMTS)、 モバイルTV、RKE、高リニアリティアプリケーション、低電流バッテ リ装備アプリケーション、 マイクロ波通信システム用低ノイズアン プ、中出力アプリケーション、 マイクロ波ドライバ/バッファアプリケー ションその他。 このファミリーのデバイスは、第6(Si)および第7(SiGe:C) 世 代RFトランジスタファミリーに分類され、ほとんどすべて セレクションガイド‐機能 Function LNAs, mixers, frequency multipliers, buffers Frequency range Band Type High-linearity, high-output amplifiers & drivers Oscillators <6 GHz 6 GHz – 12 GHz 12 GHz – +18 GHz <6 GHz 6 GHz – 12 GHz 12 GHz – 18 GHz <6 GHz 6 GHz – 12 GHz 12 GHz – +18 GHz L,S,C X, Ku low Ku high, Ka L,S,C X, Ku low Ku high L,S,C X, Ku low Ku high, Ka • • • • • • • • • • • BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU725F/N1 BFU710F BFU730F BFU760F BFU790F • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 赤 ＝アプリケーションノートはNXP.comでご覧いただけます。 Typenumber Package Package name generation fT [typ] (GHz) VCEO [max] (V) IC [max] (mA) Ptot [max] (mW) Polarity NF (dB) @ f (GHz) @ IC (mA) @ VCE (V) NF (dB) @ f (GHz) @ IC (mA) @ VCE (V) PL(1dB) [typ] (dBm) @ f (GHz) @ IC (mA) @ VCE (V) IP3 [typ] (dBm) @ f (GHz) @ IC (mA) @ VCE (V) セレクションガイド‐仕様 BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 DFP4 6th 6th 6th 6th 7th 7th 7th 7th 7th 15 21 21 18 43 55 55 45 25 5.5 5.5 5.5 5.5 2.8 2.8 2.8 2.8 2.8 10 30 60 100 10 40 30 70 100 136 200 225 230 136 136 197 220 234 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 1.1 0.85 0.6 0.6 0.85 0.7 0.8 0.4 0.4 2.4 2.4 1.5 1.5 5.8 5.8 5.8 1.5 1.5 2 3 6 15 2 5 5 12 20 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1.7 1.3 1.2 0.7 1.45 1.1 1.3 0.5 0.5 5.8 5.8 5.8 2.4 12 12 12 2.4 2.4 2 3 6 15 2 5 5 12 20 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 12.5 18.5 20 4.5 8 12.5 18.5 19 5.8 5.8 5.8 2.4 5.8 5.8 5.8 5.8 2.4 10 30 60 70 5 25 15 30 60 1.5 2.5 4 4 2.5 2 2.5 2.5 2.5 18 27.5 28 33 19.5 19 29 33 34 5.8 5.8 5.8 2.4 5.8 5.8 5.8 5.8 2.4 10 30 40 70 10 25 20 30 30 1.5 2.5 4 4 1.5 2 2.5 2.5 2.5 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 65 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー これらの次世代広帯域トランジスタでは、最適なRF雑音指数対利得パフォーマンスを提供し、電流を最 小にすることができます。 このパフォーマンスにより、低消費でよりよい信号受信ができるとともに、RF受 信機がノイズのある環境においてさらに強力に性能を発揮できるようになります。 2.5.4 マイクロ波およびレーダーにおける数十年に及ぶ技術革新 NXP は、半導体テクノロジーとコンポーネント設計において、50年以上の歴史を誇ります。 マイクロ波アプリケーシ ョンにおいては、30年以上の長きにわたり高性能RFテクノロジーを先導してきました。NXPは、クラス最高のSiデバ イスとプロセステクノロジーにより、RF小信号およびマイクロ波アンプ向けトランジスタの領域では、強固な立ち位 置を構築してきました。 NXPは、側方拡散金属酸化膜シリコン (LDMOS) に基づくSバンド トランジスタ (2700 - 3500 MHz) を供給した初の半導体企業で す。 将来への立ち位置をさらに強化するためにも、現在NXPでは 窒化ガリウム (GaN) 素材を使用した新しいハイパワー、高帯域テク ノロジーの開発を展開しています。 その他に、最大200 GHzのfTにおけるさまざまな種類のBICMOS プロセスQUBiC製品もあります。どれも特定のRF小信号アプリケー ションへの対応を目的としています。 製品ポートフォリオ: ‐ 低ノイズアンプ(LNA) - 可変利得アンプ(VGA) ‐ ミキサー - 局部オシレ―タ (LO) - LO ジェネレータ NXPは、現在マイクロ波およびミリ波向けの統合性の高い製品の開 発に専念しており、画期的なアーキテクチャを構築しようとしていま す。 その例のひとつには、LOジェネレータ (7G Hz～15 GHz) があ ります。位相同期回路 (PLL) および電圧制御オシレ―タ (VCO) を 統合しています。 その他の例には、Sバンド (3.1-3.5 GHz) 200 W におけるRFパワーモジュールがあげられます。 RF小信号製品の特長 飛躍的な開発によりNXPで製造されたQUBiC4X SiGe:C プロセス テクノロジーによって提供されます。高い統合性を持ち、アライメン トのいらないLO ジェネレータは、低電力消費・低スプリアスソリュ ーションです。お客様の設計を簡素化し、総所有コストを抑えます。 66 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 特長 ` 7～15 GHzレンジにおける、低ノイズのLOジェネレータ ` 全タイプの一般的な最大消費電力は330 mW ` 位相ノイズはIESS-308 (Intelsat)に準拠 ` 実証済みQUBiC4X SiGe:C テクノロジー (120 GHz fT プロセス) ` 外部ループフィルタ ` 差動入出力 ` ロック検出出力 ` ループフィルタ用内部安定電圧レファレンス RF パワー製品の特長 BLS6G2933P-200は、NXPがお届けする業界初のLDMOSベースの 業界標準パレットです。 このパレットは、Sバンドアプリケーション 向けの完全なバイアス回路を含め、40%以上の効率を提供します。 マイクロ波アプリケーションと動作帯域 System Frequency VHF and UHF <1 GHz L-band 1200 - 1400 MHz S-band 2700 - 3500 MHz X-band 8000 - 12000 MHz Commercial avionics DME (Distance Measuring Equipment) 978 - 1215 MHz Transponders Mode A / Mode S / Mode C / TCAS 1030 - 1090 MHz Military avionics IFF transponders (Identification, Friend or Foe) 1030 - 1090 MHz TACAN (Tactical Air Navigation) 960 - 1215 MHz JTIDS / MIDS (Joint Tactical Information Distribution System) 960 - 1215 MHz Marine radar 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー 特長 ` コンポーネントの数を減らし、レーダーシステムの設計を大幅に簡素化 ` P1 dB出力200 W ` 40%以上の効率 ` 業界標準のフットプリント ` 全帯域で50Ωの入出力整合 ` 軽量ヒートシンク付き ` バイポーラとの比較における LDMOSの優位点 - 高い利得とすぐれた効率 - 向上された耐久性 – リスクなく 5 dB までオーバードライブ - 向上されたパルスドループおよび挿入位相 - 一貫性のあるパフォーマンス – チューニングの必要なし - 熱特性は向上、熱暴走を回避 - パッケージは無害でROHSに準拠 9300 - 9500 MHz 全製品の一覧は、第3章の小信号ならびにマイクロ波パワートラン ジスタのページをご覧ください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 67 最高のデジタル放送 2.5.5 BLF881 / BLF888A トランジスタのラインナップにより、今日最もパワフルで効率的なデジタル放送用 送信機のアプリケーションを実現します。 BLF881 このトランジスタは、NXPの新しい50V LDMOSテクノロジーに基 づいて開発されました。放送用送信機および産業アプリケーショ ン向けの120 WのRF出力が特長です。 比類ないBLF881デバイス は、HF～1 GHzのレンジでご利用いただけます。 高い耐久性と優 れたブロードバンドパフォーマンスのため、スタンドアロンでも、ま たは高出力トランジスタBLF888Aのドライバとしても、デジタル送 信機のアプリケーションに最適です。 BLF881は、イヤーレスパッケージのBLF881Sもご用意していますの で、さらにコンパクトなPCB設計が可能になります。 主な特長とメリット ` すぐれた効率性と信頼性 ` 市場最高の電力レベルを実現 ` 全てのデバイスにおいてクラス最高の堅牢な設計 ` 最高のブロードバンドパフォーマンス ` 出力制御が簡単 ` クラス最高の設計サポート ` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計 ` 高度なフランジ素材による、最適な熱挙動と信頼性 ` ブロードバンド（470～860 MHz）操作用に設計 主なアプリケーション ` アナログおよびデジタルTV送信機 BLF888A 50 Vテクノロジーに基づき開発されたBLF888Aは、現在、最もパ ワフルな600 W LDMOS RF ブロードキャストトランジスタです。 このデバイスは、特にデジタル放送用送信機向けに作られたもの です。 このトランジスタは、470 MHz～860 MHzのUHF帯におい て、DVB-T信号で平均電力120 W、利得20dB、ならびにドレイン効 率31%を提供します。このトランジスタの優れた効率性と耐久性（40 ：1を超えるVSWRに対応）により、デジタル送信機アプリケーショ ンの最終段－理想としてはドライバにBLF881を用いて構成するの に最適です。 このデバイスには、BLF888ASと呼ばれるイヤーレス パッケージもご用意していますので、表面実装プロセスを可能にし、 非常に低い熱抵抗のパッケージで最適なメリットが得られます。 typ. 0.5 kW DVB-T Driver stages 8× final TV exciter DVB-T harmonic filter power monitor typ. 5 kW DVB-T output power amplifiers Type Product BLF642 BLF884P(S) BLF879P BLF888A(S) BLF888B(S) BLF881(S) Driver 68 Final brb339 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) η D (%) Gp (dB) Test signal Package 1 470 470 470 470 1 1400 860 860 860 860 1000 35 300 500 600 600 140 I I I I - 32 50 42 50 50 50 35 150 200 250 250 140 63 46 47 46 46 49 19 21 21 21 21 21 CW CW CW CW CW CW SOT467C SOT1121 SOT539A SOT539 SOT539 SOT467 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 2.5.6 超低消費ならびに高性能なコネクティビティソリューションの提案 チップセット、モジュールおよび対応ソフトウェアが提供可能なNXP JN5148/2 ワイヤレスマイクロコント ローラプラットフォーム NXPは、IEEE802.15.4ベースのワイヤレスネットワークソリューション開発用のソリューションを提供します。必要な ハードウェアおよびソフトウェアコンポーネントがすべて入っています。NXPの JN514x ワイヤレスマイクロコントロー ラチップの製品群は、ハイパフォーマンス処理および無線通信を組み合わせるワイヤレスノード設計用の最適ハー ンの開発を容易にする評価キットも提供しています。 製品 ` JenNet-IPスマートデバイス用JN5142-J01、JenNet-IPゲートウェ イ用JN5148-J01 ` JenNetおよびIEEE802.15.4用JN5148-001、RF4CEおよび IEEE802.15.4用JN5142-001 ` ZigBeeアプリケーション用JN5148-Z01 ` JN5148-001-M00、JN5148-001-M03、JN5148-001M04:JenNetおよびIEEE802.15.4用モジュール 主な特長 ` IEEE802.15.4準拠無線トランシーバーと合わせた超消費力MCU ` ハイパフォーマンスおよび低消費な拡張32ビットRISCプロセッサ ` アプリケーション格納用のオンチップROMとRAMネットワーキン グスタック、およびソフトウェアライブラリ ` アナログおよびデジタル周辺機能のリッチな組み合わせ ` バッテリ長持ち用の低電流ソリューション ` 標準出力および高出力モジュール ` JenNet、JenNet-IPおよびZigBee ネットワーキングスタックを含 むソフトウェア開発キット（SDK） ソフトウェア 業界基準IEEE802.15.4に基づくネットワークプロトコルスタックを 使用して、あなたのアプリケーションのワイヤレスコネクティビティ 要件をサポートできます。これには、ソフトウェアライブラリセットと してJenNet、JenNet-IP、およびZigBee PROが含まれます。 JenNetは、知的財産関連アプリケーションすべてに適していま す。ZigBee PROは、ZigBee相互接続が必要なスマートエネルギー およびその他アプリケーションに使用します。JenNet-IPは、エンド ノードへのIPv6コネクティビティができ、ビル内の照明やオートメー ションアプリケーションの標準的なソリューションとして急速に展開 しつつあります。 評価キット 主なアプリケーション ` スマート照明/スマートエネルギー/スマートグリッド ` ユ－テリティメーター ` 家庭用および商用ビルオートメーションおよび制御 ` リモートコントロール ` セキュリティシステム ` 場所認識サービスー例.アセット管理 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 69 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー ドウェアです。NXPは、 モジュールに実装したJN514x ワイヤレスマイクロコントローラおよびカスタムアプリケーショ 2.6 テクノロジー 2.6.1 GaN製品を提供する初の主流半導体会社 NXP 窒化ガリウム (GaN)ブロードバンドアンプ RF パワーアンプの新しい性能基準となる革命的テクノロジー 独立した市場調査調査会社の予測が実現すれば、GaN製品の売上は 2014年300 Musdを超えるでしょう、これは、GaNが主流の半導体企 業により提供できることではじめて可能となります。NXPはその実現 を可能にする初の企業です。では、GaNおよびRFパワーアプリケーショ ンについてはどうでしょうか?簡単に言うと、GaNにより、ほとんどのア プリケーションで、Si LDMOSの効率および電力密度のパフォーマンス と比較して一段上がります。これは、JohnsonのFigure of Merit (FoM) によって定量化することができ、Siを1とした場合に、GaNのFoMは324 になります。また、RFで別の一般的に使用されている化合物GaAsの 場合は1.44のFoMになります。そのような高いFoMのため、GaNは本 当に画期的なテクノロジーとなります。 GaN製品は高電子移動度トランジスタ(HEMT)と呼ばれますが、これ は、高電子ドリフト速度のGaNの本質の1つを表す名称です。これらの トランジスタは、減少モードデバイス、つまり、通常はゲートバイアス を適用する必要なく、オンになっているデバイスです。マイナスゲート バイアスは、トランジスタをオフにするのに必要です。このバイアス手 法は容易ではないものの、NXPでは、バイアス回路を含む完全ソリュ ーション（個別コンポーネントではない）を開発しました。製品の寿命 があるかぎり、当社は継続してアプリケーションに関するサポートを行 います。 最初のNXP GaN製品は、最大3.5 GHzの広い周波数帯で高RFパフォ ーマンスが必要なアプリケーションで使用する非整合のブロードバン ドアンプです。NXPの第1世代GaNプロセスは、50V供給電圧から動 作する製品向けに設計され、クラス最高の効率とリニアリティを実現 します。これら製品はお客様がNXPの製品を、機構設計を変更せずに 既存の設計に使用できる業界標準パッケージのフットプリントを使用 しています。 NXPの次世代GaNデバイスは超高効率で、携帯基地局に代表され る最大のRFパワー市場に革命をもたらします。次に、このテクノロジ ーにより、リニアアンプのトポロジーからスイッチモードパワーアンプ (SMPA)へと技術革新を促します。NXPでは、全製品群でテクノロジー を利用する取り組みを行い、その結果、最大10GHzの製品の高周波数 アプリケーションの実現につながっています。 GaNの他の利点としては、非常な高温にも耐用できる堅固な構造をし ていることです。NXPのGaNトランジスタは、Si LDMOSの225 °Cに比 べ、250 °Cの最高温度でも耐用します。そのような高温に対応するに は、特殊パッケージが必要です。この点、NXPのGaNご利用のお客様 は、30年もの歴史によって培われたRFパワー製品技術および当社の大 量生産技術により、多くの利点を受けることができます。GaNサプライ ヤとして、当社は、製品の信頼性とコストに優れ、お客様のサプライチ ェーンにおいて高い信用を得ています。GaNが主流企業に必要なゆえ んはここにあります。 GaN RFパワーアンプ Type fmin (MHz) fmax (MHz) Pout (W) Matching CLF1G0035-50 0 3500 CLF1G0035-100 0 CLF1G0035-200 0 CLF1G0060-10 CLF1G0060-30 CLF2G2536-100 CLF2G2536-300 CLF3G4060-30 CLF3G4060-350 70 VDS (V) η D (%) 14.2 Test signal Pulsed Package SOT467 Planned release 50 - 50 3500 100 - 50 52 14.8 Pulsed SOT467 Q412 3500 200 - 50 50 14.2 Pulsed SOT1228 Q313 0 6000 10 - 50 54 14 Pulsed SOT1227 Q113 0 6000 30 - 50 54 14 Pulsed SOT1227 Q113 2500 2500 4000 4000 3600 3600 6000 6000 100 300 30 350 I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 65 65 55 55 13 13 13 13 Pulsed Pulsed Pulsed Pulsed SOT1135 SOT502 SOT1135 SOT502 Q413 Q413 Q114 Q114 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 54 Gp (dB) Q312 Applications Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, S-band Cellular, WiMAX, S-band C-band C-band 2.6.2 NXPのRF パワートランジスタ製品群：プラスチックパッケージの製品(OMP) NXPは現在、ピーク出力3 ~500Wのオーバーモールドプラスチック(OMP) RF パワートランジス タおよびMMICの製品群の開発を進めています。プラスチックパッケージの主なメリットは、パ フォーマンスにほとんど、あるいはまったく影響せずに、コスト効果を出せることです。プラスチ ックデバイスの製品群は、最大2.45 GHzの全周波数帯およびアプリケーション用のセラミック 開発中の製品 ` 3～10WのHSOPアウトラインのシングルステージブロードバンド ドライバ ` コスト競争力が求められるアプリケーション向けセラミック等価 品を置換する25～45WのシングルステージOMPドライバ ` 高利得ドライバ、または低出力デュアルステージドハティアンプ として組み合わせることができる、30～60Wのデュアルステージ MMIC ` 単一パッケージで完全統合プラグ・アンド・プレイドハティ PA (50～100W) ` 周波数帯730MHz～2.2GHzで140～200WのOMPパッケージ (SOT502サイズ) の最終段トランジスタ ` 周波数帯数MHz～2.45GHzで3～500WのOMPパッケージ (SOT502サイズ) の最終段トランジスタ これらの製品の中でいくつかは、すでにサンプル提供を開始していま すが、その他は2012年中の量産開始となります。 プラスチックパッケージのRFパワー製品(OMP) Type BLP7G22-10 BLM7G22S-60PB(G) BLP7G07S-140P(G) BLP7G09S-140P(G) fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 700 2000 700 900 2200 2200 900 1000 10 60 140 140 Matching Package I/O O O SOT1179 SOT1212 SOT1224 SOT1224 Description Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA & GSM applications Gen7 LDMOS MMIC for WCDMA applications (gull-wing) Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 71 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー パッケージでNXPが提供するRFパワー製品の拡張製品群に相当するものです。 2.6.3 SiGe:Cのトップ企業をお探しですか? NXPがあれば、もう迷うことはありません! NXP QUBiC4 プロセステクノロジー NXPの革新的、ハイパフォーマンスSiGe:C QUBiC4プロセスにより、お客様がさらに少ないスペースでより充実した 機能を使用でき、価格競争力、優れた信頼性と製造優位性を得られるメリットがあります。当社の最新QUBiC4 テク ノロジーとIP利便性の拡張により、最新製品にクラス最高の低ノイズパフォーマンス、リニアリティ、電力消費、帯域 外信号に対するイミュニティー、スプリアス特性と出力パワーを提供することで、GaAsコンポーネントからシリコンへ の移行を加速します。 QUBiCは、2002年から大量生産され、それ以降継続してパフォーマンスのアップグレードを重ねてきた優れたプロセ スです。QUBiC4プロセスは、車載向けに認定されており、業界では高い歩留まりと非常に低いppmにより柔軟で低 コスト製造を実現する、NXPが所有する大量生産が可能な8インチウエハ工場2ヶ所で生産されています。 QUBiC4には3つの種類があり、それぞれは特定アプリケーション エリアにおいてメリットがあります。 QUBiC4+ QUBiC4+ BiCMOSプロセスは、密度の高いデジタルロジックベー スのスマートな機能性を統合するメタル5層、高品質インダクタ用の 厚いトップメタル層を含む、高周波ミックスドシグナル設計向けア クティブおよびパッシブデバイスを組み合わせた0.25 μm CMOS です。デバイスのライブラリには、3.8V絶縁破壊電圧(BVce0)お よび低雑音指数(NF<1.1dB@2GHz)の35 GHz fT NPN、5 GHz fT VPNP、5.9V絶縁破壊電圧の28GHz高耐圧NPN、Q値>30の 差動およびシングルエンドバリキャップ、Q値>20のスケーラブル インダクタ、 800 MHz FTラテラルPNP、0.25 μm CMOS、137 、220および12～2000Ω/sq.ポリおよびアクティブ抵抗、270Ω/ sq.SiCr薄膜抵抗、5.7 fF/μm2酸化膜キャパシタ、5 fF/μm2 MIM キャパシタ、1～6 fF/μm2酸化膜キャパシタおよびL-PNP、絶縁 NMOS、3.3 V CMOSやRF-CMOSトランジスタキャパシタなど もあります。QUBiC4+プロセスはシリコンベースで、最大5 GHz (fT=35GHz、NF<1.1dB@2GHz)のアプリケーション、および最大 33dBmのメディアムパワーアンプに最適です。 QUBiC4X QUBiC4X BiCMOSプロセスは、高周波ミックスドシグナル設計 向けのQUBiCプロセスのSiGe:Cベースの拡張版で、2.0 V絶縁破 壊電圧および超低雑音指数(NF<1.0dB@10GHz)の110 GHz fT NPN、0.25μmCMOS、各種抵抗、5.7fF/μm2酸化膜キャパシタ、およ び5 fF/μm2 MIMキャパシタなどが揃っています。 72 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 QUBiC4Xは、最大30GHz(fT =110 GHz、NF<1.0dB@10 GHz)で通 常動作するアプリケーションおよびLNAおよびミキサーなどの超低 ノイズアプリケーションに最適です。 QUBiC4Xi QUBiC4Xi BiCMOSプロセスは、QUBiC4Xプロセスをさらに拡張 し、高周波ミックスドシグナル設計向けの高機能デバイスを実現 します。この例としては、1.4V絶縁破壊電圧および超低雑音指数 (NF<0.7dB@10GHz)の180 GHz fT NPN、0.25μm CMOS、各種抵 抗、5.7 fF/μm2酸化膜キャパシタおよび5 fF/μm2 MIMキャパシタ があります。QUBiC4Xiは、fT (> 200 GHz)が改善され、雑音指数 がさらに低い(NF<0.6dB@10GHz)最新SiGe:Cプロセスを表しま す。LOジェネレータなど、30GHz以上のアプリケーションに最適で す。 SiGe:C f / fmax = 180/200 GHz T QUBiC4X SiGe:C fT / fmax = 110/140 GHz +VPNP +TFR QUBiC4+ +DG +HVNPN BiCMOS f /f max = 35/80 GHz Features -4ML QUBiC4X ` SiGe:C プロセス ` fT/fMAX= 110/140 GHz ` 最大30 GHzのアプリケーションに最適 QUBiC4Xi ` SiGe:C プロセス ` fT/fMAXを最大180/200 GHzに向上 ` 30 GHzを超えるマイクロ波向け超低ノイズ アプリケーションに 最適 QUBiC4+ QUBiC4X QUBiC4Xi 2004 2006 2008 CMOS 0.25 um, bipolar 0.4 um, double poly, deep trench, Si CMOS 0.25 um, bipolar LV 0.4 um, double poly, deep trench, SiGe:C CMOS 0.25 um, bipolar LV 0.3 um, double poly, deep trench, SiGe:C LV NPN f T/Fmax (GHz) 35/80 (Si) 110/140 (SiGe:C) 180/200 (SiGe:C) HV NPN f T/Fmax (GHz) 28/70 (Si) 60/120 (SiGe:C) 90/200 (SiGe:C) NPN BVce0: HV/LV ** 5.9 / 3.8 V 3.2 / 2.0 V 2.5 / 1.4 V 5 / >9 Planned Planned CMOS voltage / dual gate 2.5 / 3.3 V 2.5 V 2.5 V Noise figure NPN (dB) 2 GHz: 1.1 10 GHz: 1.0 10 GHz: 0.6 NMOS 58, PMOS 19 NMOS 58, PMOS 19 NMOS 58, PMOS 19 Isolation (60 dB @ 10 GHz) STI and DTI STI and DTI STI and DTI Interconnection (AlCu with CMP W Plugs) 5 LM, 3 µm top metal 5 LM, 3 µm top metal 2 µm M4 5 LM, 3 µm top metal NW, DN, Poly-Poly 5fF/um2 MIM NW, DN, Poly-Poly 5fF/um2 MIM NW, DN, Poly-Poly 5fF/um2 MIM Poly (64/137/220/2K) Active (12, 57), high-precision SiCr (270) Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57), high-precision SiCr (tbd) Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57), high-precision SiCr (tbd) Varicaps (single-ended & differential) 1x single-ended, Q > 40 3x differential, Q 30-180 1x single-ended, Q > 40 3x differential, Q 30-180 1x single-ended, Q > 40 3x differential, Q 30-180 Inductors (1.5nH @ 2 GHz) - scalable Q > 21, thick metal, deep trench isolation, high R substrate Q > 21, thick metal, deep trench isolation, high R substrate Q > 21, thick metal, deep trench isolation, high R substrate Other devices LPNP, isolated NMOS, VPNP, transformers Isolated-NMOS, transformers Isolated-NMOS, transformers 32 (MIM) / 34 / 33 (HVNPN) / 35 (VPNP) 36 (MIM) 36 (MIM) Release for production CMOS/bipolar V-PNP f T / BVcb0 (GHz / V) RFCMOS f T (GHz) Capacitors Resistors (Ω/sq) Mask count NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 73 注目すべきアプリケーショ ン、製品、テクノロジー QUBiC4Xi QUBiC4+ ` ベースライン、0.25um CMOS、シングルポリ、5層メタル ` デジタルゲート密度26kゲート/mm2 ` fT/fMAX= 35/80 GHz ` +TFR – 薄膜抵抗 ` +DG – デュアルゲート酸化膜MOS ` +HVNPN – 高耐圧 NPN ` +VPNP – 縦型PNP (high Vearly) ` -4ML – 高密度 5fF/ìm2 MIM キャパシタ ` さまざまなアクティブデバイスおよび高品質パッシプデバイス ` 最大5 GHzのアプリケーションに最適 2.6.4 NXPリードレスパッケージプラットフォームおよびWL-CSPテクノロジー小型パッケージ RF小信号パッケージは、一部重複する2つの主要トレンドが動力 ` RFパフォーマンスを高めるための低い寄生インピーダンス ` ポータブルアプリケーション用の小型形状 これらのトレンドに対応するため、NXPはいくつかの方法を採用 ` スペース制約のないアプリケーションについては、ガルウィングバージョンの代わりにフラットパックパッケージを使用して、リード長が短 い（例.SOT343ではなくSOT343F）ため、寄生インピーダンスを減らします。これにより、KuおよびKaバンド（13-20GHz）でのパフォーマ ンスが向上します。PCBボードスペースを減らすため、小型バージョン(SOT1206)もございます。 SOT343 SOT343F SOT1206 ` スペース制約のあるアプリケーションについては、フットプリントと寄生インピーダンスを削減するのに2つの方法があります。 - リードレスパッケージプラットフォーム - ウェハーレベルチップスケールパッケージ（WL-CSP）テクノロジー リードレスパッケージプラットフォーム （25製品以上すでにリリー ス済み）は、パッケージサイズ、パッケージの高さ、およびI/Oピッ チについては高い柔軟性があります。たとえば、6ピンパッケージの 製品ですと、0.5mmピッチの1.45 x 1 x 0.5mmサイズから、0.3mm ピッチの0.8 x 0.8 x 0.35mmまであります。パッケージの高さが 0.25mmのものも計画中です。コンパクト設計のため、ワイヤ長およ び寄生インピーダンスも制約されます。リードがないことで、インダ クタンスがさらに削減されます。 SOT886 ウェハーレベルチップスケールパッケージテクノロジー は、I/Oピッ チがチップ領域に適合する必要があるRF機能に最適です。ピッチが大 きく設計が小さい（またほとんど効果的なチップ領域がない）ことで、 チップサイズを大きくする代わりに、リードレスパッケージを使用して ファンアウトを行うことがよりコスト効果的となります。 ワイヤがないので、寄生インダクタンスが最小になります。 SOT891 SOT1208 74 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 0.65 x 0.44 x 0.29mm (0.09 mmボールを含む) 5つのI/[email protected]ピッチ 3. 機能別製品 NXP RF 製品カタログ： http://www.nxp.com/rf 新製品 3.1 DEV = 開発中 CQS = 顧客認定サンプル RFS = 供給開始 Type Application / description Expected status June 2012 Planned release Section RFS Released 3.3.1 NEW: Wideband transistors BFU730LX Gen7 wideband transistor BGU8007 GPS LNA, 19.0 dB gain, AEC-Q100 RFS Released 3.4.1 BGU7003W General-purpose unmatched LNA for FM radio RFS Released 3.4.1 BGU6101 Unmatched wideband MMIC w/ bias enable function & wide range of supply voltage RFS Released 3.4.1 BGU6102 Unmatched wideband MMIC w/ bias enable function & wide range of supply voltage RFS Released 3.4.1 BGU6104 Unmatched wideband MMIC w/ bias enable function & wide range of supply voltage RFS Released 3.4.1 機能別製品 NEW: SiGe:C LNAs (for e.g. GPS) NEW: LNAs for set-top boxes BGU7044 LNA for STB tuning RFS Released 3.4.1 BGU7045 LNA for STB tuning RFS Released 3.4.1 NEW: General-purpose wideband amplifiers (50 Ω gain blocks) BGA2874 IF gain block 30.5 dB, 2.5 V RFS Released 3.4.1 BGA2817 IF gain block 24 dB, 3 V RFS Released 3.4.1 BGA2818 IF gain block 31 dB, 3 V RFS Released 3.4.1 BGA2851 IF gain block 25 dB, 5 V RFS Released 3.4.1 BGA2867 IF gain block 27 dB, 5 V RFS Released 3.4.1 BGA2869 IF gain block 32.5 dB, 5 V RFS Released 3.4.1 NEW: Medium power amplifier MMICs BGA7014 Medium power amplifier, 12.0 dB ,13.0 dBm P1dB, SOT89 Dev Q4 2012 3.4.1 BGA7017 Medium power amplifier, 13.5 dB, 16.5 dBm P1dB, SOT89 Dev Q4 2012 3.4.1 BGA7020 Medium power amplifier, 13.0 dB, 18.5 dBm P1dB, SOT89 Dev Q4 2012 3.4.1 BGA7130 Medium power amplifier, 18.0 dB, 30 dBm P1dB, SOT908 RFS Released 3.4.1 NEW: VGAs for wireless infrastructures BGA7351 50 MHz to 250 MHz high linearity variable gain amplifier - 28 dB gain range RFS Released 3.4.1 BGA7210 400 MHz to 2750 MHz high linearity variable gain amplifier RFS Released 3.4.1 BGA7204 700 MHz to 3800 MHz high linearity variable gain amplifier RFS Released 3.4.1 NEW: LNAs for wireless infrastructures BGU7051 LNA 900 MHz - from 0.5 to 1.5 GHz RFS Released 3.4.1 BGU7052 LNA 1.9 GHz - from 1.5 to 2.5 GHz RFS Released 3.4.1 BGU7053 LNA 2.5 GHz - from 2.3 to 2.8 GHz RFS Released 3.4.1 BGU7060 LNA with variable gain from 700 to 800 MHz RFS Released 3.4.1 BGU7061 LNA with variable gain from 700 to 950 MHz RFS Released 3.4.1 BGU7062 LNA with variable gain from 1710 to 1785 MHz RFS Released 3.4.1 BGU7063 LNA with variable gain from 1920 to 1980 MHz RFS Released 3.4.1 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 75 Type Application / description Expected status June 2012 Planned release Section DEV Q4 2012 3.4.2 NEW: PLL + VCO (LO generator) for wireless infrastructures BGX7300 Rx LO generator, 400 MHz to 3 GHz NEW: IQ modulators for wireless infrastructures BGX7100 IQ modulator, ouput power 0 dBm RFS Released 3.4.2 BGX7101 IQ modulator, ouput power 4 dBm RFS Released 3.4.2 NEW: Dual mixers for wireless infrastructures BGX7220 Dual mixer, NF 8 dB, IIP3 30 dBm, P < 1 W, 700 MHz to 1.2 GHz RFS Released 3.4.2 BGX7221 Dual mixer, NF 10 dB, IIP3 23 dBm, P < 1 W, 1.7GHz to 2.7 GHz RFS Released 3.4.2 NEW: RF power transistors for base stations BLF6G15L(S)-40RN Gen6 ceramic driver LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications RFS Released 3.7.1 BLF6H10L(S)-160 Gen6 ceramic high-voltage LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications DEV Q312 3.7.1 BLF7G20LS-260A Gen7 ceramic asymmetrical Doherty LDMOS transistor for GSM & LTE applications DEV Q412 3.7.1 BLF7G24L(S)-160P Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications RFS Released 3.7.1 BLF7G27LS-90PG Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) RFS Released 3.7.1 BLF8G10L(S)-160V Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications RFS Released 3.7.1 BLF8G10LS-200GV Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLF8G10LS-270GV Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLF8G10L(S)-300P Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.1 3.7.1 BLF8G10LS-400PGV Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 BLF8G20L(S)-200V Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications RFS Released 3.7.1 BLF8G20LS-270GV Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 3.7.1 BLF8G20LS-270PGV Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 BLF8G22LS-160BV Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications RFS Released 3.7.1 BLF8G22LS-200GV Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.1 BLF8G22LS-270GV Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.1 BLF8G22LS-400PGV Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.1 BLF8G24L(S)-200P Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications DEV Q312 3.7.1 BLF8G27LS-140G Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLF8G27LS-140V Gen8 ceramic LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications DEV Q412 3.7.1 BLF8G27LS-200PGV Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLF8G27LS-280PGV Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLM7G22S-60PB(G) Gen7 LDMOS MMIC for WCDMA applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.1 BLP7G07S-140P(G) Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLP7G09S-140P(G) Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for GSM, WCDMA & LTE applications (gull-wing) DEV Q412 3.7.1 BLP7G22-10 Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA & GSM applications DEV Q312 3.7.1 3.7.2 NEW: RF power transistors for broadcast / ISM applications BLF174XR(S) XR ceramic push-pull LDMOS transistor for ISM applications DEV Q312 BLF178XR(S) XR ceramic push-pull LDMOS transistor for FM broadcast & ISM applications RFS Released 3.7.2 BLF2425M6L(S)180P Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications DEV Q312 3.7.2 BLF2425M7L(S)140 Gen7 ceramic LDMOS transistor for 2.45GHz ISM applications RFS Released 3.7.2 BLF2425M7L(S)200 Gen7 ceramic LDMOS transistor for 2.45GHz ISM applications DEV Q412 3.7.2 BLF2425M7L(S)250P Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications RFS Released 3.7.2 BLF25M612(G) Gen6 ceramic LDMOS driver transistor for 2.45 GHz ISM applications (gull-wing) DEV Q312 3.7.2 BLF572XR(S) XR ceramic push-pull LDMOS transistor for ISM applications DEV Q412 3.7.2 BLF574XR(S) XR ceramic push-pull LDMOS transistor for ISM applications DEV Q312 3.7.2 BLF578XR(S) XR ceramic push-pull LDMOS transistor for UHF broadcast & ISM applications RFS Released 3.7.2 BLF647P(S) Ceramic push-pull LDMOS transistor for broadband applications DEV Q312 3.7.2 76 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Type Application / description Expected status June 2012 Planned release Section NEW: RF power transistors for aerospace and defense BLL6G1214LS-250 Gen6 ceramic LDMOS transistor for L-band applications RFS Released 3.7.3 BLL6H1214LS-500 Gen6 high-voltage ceramic LDMOS transistor for L-band applications DEV Q412 3.7.3 BLS6G2735L(S)-30 Gen6 ceramic LDMOS driver transistor for S-band radar applications RFS Released 3.7.3 BLS7G2729L(S)-350P Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications RFS Released 3.7.3 BLS7G3135L(S)-350P Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications DEV Q412 3.7.3 BLU6H0410L(S)-600P Gen6 high-voltage ceramic push-pull LDMOS transistor for UHF band radar applications RFS Released 3.7.3 NEW: Gallium Nitride (GaN) RF power amplifiers CLF1G0060-10 Gen1 GaN broadband amplifier DEV Q113 3.7.4 CLF1G0060-30 Gen1 GaN broadband amplifier DEV Q113 3.7.4 CLF1G0035-50 Gen1 GaN broadband amplifier DEV Q312 3.7.4 CLF1G0035-100 Gen1 GaN broadband amplifier DEV Q412 3.7.4 JN5142-J01 JenNet-IP RFS Released 3.8 JN5142-001 RF4CE / IEEE802.15.4 RFS Released 3.8 JN5148-J01 JenNet-IP RFS Released 3.8 JN5148-001 JenNet / IEEE802.15.4 RFS Released 3.8 JN5148-Z01 ZigBee RFS Released 3.8 JN5148-001-M00 JenNet / IEEE802.15.4 RFS Released 3.8 JN5148-001-M03 JenNet / IEEE802.15.4 RFS Released 3.8 JN5148-001-M04 JenNet / IEEE802.15.4 RFS Released 3.8 JenNet Networking stack RFS Released 3.8 JenNet-IP Networking stack RFS Released 3.8 ZigBee PRO Networking stack RFS Released 3.8 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 機能別製品 NEW: Low-power wireless microcontrollers and networking stacks 77 RFダイオード 3.2 3.2.1 バリキャップ・ダイオード バリキャップのセレクションガイドは www.nxp.com/varicapsをご 覧ください 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したバリキャ ップを選択できます。 NXPのバリキャップ・ダイオードが選ばれる理由 ` ` ` ` ` ` TVおよびラジオ・チューニング用レファレンス設計 ダイレクト整合プロセス 小さいトレランス 短納期対応 幅広い周波数レンジとパッケージ・バラエティ（リードレスを含む）を取り揃えた完璧なポートフォリオ 信頼性の高い量産供給 VCO および FM ラジオ・チューニング バリキャップ・ダイオード @ f = 1 MHz Type BB145B BB156 BB198 BB199 BB201 BB202^^ BB207^ BB208-02^ BB208-03^ Package Number of diodes SOD523 SOD323 SOD523 SOD523 SOT23 SOD523 SOT23 SOD523 SOD323 1 1 1 1 2 1 2 1 1 Configuration SG SG SG SG CC SG CC SG SG Cd min Cd typ Cd max @ VR = Cd min Cd typ Cd max @ VR = (pF) (pF) (pF) 6.4 14.4 25 36.5 89 28.2 76 19.9 19.9 16 95 81 - 7.2 17.6 28.5 42.5 102 33.5 86 23.2 23.2 (V) (pF) (pF) (pF) 1 1 1 0.5 1 0.2 1 1 1 2.55 4.2 4.8 11.8 25.5 7.2 25.5 4.5 4.5 4.8 27.6 27.6 - 2.95 5.4 6.8 13.8 29.7 11.2 29.7 5.4 5.4 ^ FM カーラジオ(CREST-IC:TEF6860)向けの特別設計を含む rs typ rs max @f= (V) (Ω) (Ω) (MHz) 4 7.5 2 7.5 2.3 7.5 7.5 7.5 0.4 0.25 0.25 0.35 0.2 0.35 0.35 0.6 0.7 0.8 0.5 0.6 0.4 0.5 0.5 470 470 100 100 100 100 100 100 100 Cd1/ Cd2 max @ V1 = @ V2 = (V) Cd1/ Cd2 min (V) 4 7.5 4 2 7.5 2.3 7.5 7.5 7.5 2.2 2.7 2.8 3.1 2.5 2.6 3.7 3.7 3.9 3.8 3.3 5.2 5.2 1 1 0.5 1 0.2 1 1 1 接続タイプ ^^ 携帯電話チューナーIC向けの特別設計を含む CC: コモンカソード SG: シングル TV / VCR / DVD / HDD バリキャップ・ダイオード – UHFチューニング @ f = 1 MHz Type Package Matched BB149 BB149A BB179 BB179B BB179BLX BB179LX BB184 BB189 Unmatched BB135 SOD323 SOD323 SOD523 SOD523 SOD882D SOD882D SOD523 SOD523 SOD323 Cd min Cd typ Cd max @ VR = (pF) (pF) (pF) (V) 1.9 1.951 1.951 1.9 1.9 1.95 1.87 1.89 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2 2.04 2.25 2.225 2.225 2.25 2.25 2.22 2.13 2.18 1.7 - 2.1 太字 = 推奨製品 78 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 rs typ rs max @f= @ Cd = (V) (Ω) (Ω) (MHz) (pF) 1 1 1 1 1 1 1 2 28 28 28 28 28 28 10 25 0.6 0.6 0.6 0.65 0.65 0.65 0.65 0.75 0.75 0.75 0.75 0.7 470 470 470 470 470 470 470 470 9 9 9 9 9 30 9 9 0.5 28 - 0.75 470 9 @ V1 = @ V2 = (V) 10 10.9 10.9 10 10.9 12 Cd1/Cd2 min Cd1/Cd2 typ Cd1/Cd2 max 28 28 28 28 28 28 10 25 8.2 8.45 8.45 8.45 8.45 6 6.3 9 9 9 9 9 9 7 7.3 28 8.9 - @ V1 = @ V2 = (V) (V) 2 2 2 2 2 2 2 1.8 0.5 1 1 1 1 1 1 2 28 28 28 28 28 28 10 25 10 10 10 10 10 5 5 10 - - - - ∆Cd/ Cd @ Ns = TV / VCR / DVD / HDD バリキャップ・ダイオード – VHFチューニング @ f = 1 MHz Type Package Matched BB148 BB152 BB153 BB178 BB178LX BB182 BB187 BB187LX Unmatched BB131 BB181 BBY40 SOD323 SOD523 SOT23 Cd typ Cd max @ VR = (pF) (pF) (pF) 2.4 2.48 2.361 2.361 2.36 2.48 2.57 2.57 2.6 2.7 2.6 2.6 2.6 2.7 2.75 2.75 0.7 0.7 4.3 - rs typ rs max @f= @ Cd = (V) (Ω) (Ω) (MHz) (pF) 1 1 1 1 1 1 2 2 28 28 28 28 28 28 25 25 1 0.65 0.65 0.7 1 - 0.9 1.2 0.8 0.8 1.2 0.75 0.75 100 100 100 100 470 100 470 470 12 30 30 30 30 30 - 0.5 0.5 3 28 28 25 - 3 3 0.7 470 470 200 9 9 25 Cd1/ Cd2 typ Cd1/ Cd2 max @ V1 = @ V2 = (V) Cd1/ Cd2 min (V) 2.75 2.89 2.754 2.754 2.75 2.89 2.92 2.92 28 28 28 28 28 28 25 25 14.5 20.6 13.5 13.5 13.5 20.6 11 11 15 22 15 15 15 22 - - 1.055 1.055 6 28 28 25 12 12 5 - 16 16 6.5 @ V1 = @ V2 = (V) (V) 2 2 2 2 2 2 2 2 0.5 1 1 1 1 1 2 2 28 28 28 28 28 28 25 25 10 10 10 10 5 10 10 10 - - - - ∆Cd/ Cd @ Ns = PIN ダイオード Cd (fF PINダイオードのセレクションガイドはwww.nxp.com/pindiodesを ご覧ください 。 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したPINダイオ ードを選択できます。 brb407 00 600 BAP65LX Freq = 00 MHz Cd @ VR = 0 V rD @ 0 5 mA rD @ 0 mA BAP65LX 500 400 BAP50LX BAP63LX BAP63LX BAP 32 LX BAP5 LX BAP5 LX BAP 32 LX BAP 42LX BAP 42LX 300 200 BAP64LX BAP 0 02 00 0 NXPのPINダイオードが選ばれる理由 ` 豊富なポートフォリオ ` 優れたパフォーマンス ` 短納期対応 ` 低直列インダクタンス ` 低挿入損失 ` 低キャパシタンス 0 0 25 BAP 0 20 BAP50LX BAP6 LX BAP5 LX BAP 2LX BAP 32 LX BAP63LX 5 0 BAP65LX 5 0 2 BAP5 LX BAP 2LX BAP 32 LX BAP65LX BAP65-02 BAP65-03 BAP65-05 BAP65-05W BAP63LX BAP63-02 BAP63-03 BAP63-05W SOD882D SOD523 SOD323 SOT23 SOT323 SOD882D SOD523 SOD323 SOT323 Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) 1 1 1 2 2 1 1 1 2 SG SG SG CC CC SG SG SG CC 30 30 30 30 30 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 100 100 100 BAP50LX BAP 0 02 BAP6 LX BAP63LX BAP65LX 0 1 0 Insertion Loss (dB 詳細情報：www.nxp.com/pindiodes @ f = 100 MHz Package 02 rD (Ω Freq = 800 MHz Isolation @ VR = 0 V Insertion Loss @ 0 5 mA Insertion Loss @ 0 mA 20 PINダイオード： rD @1mA≤2、スイッチング・ダイオード Type BAP64LX BAP 0 02 brb408 Isolation (dB 0 BAP50LX 機能別製品 3.2.2 SOD323 SOD323 SOD323 SOD523 SOD882D SOD523 SOD523 SOD882D Cd min @ IF = 0.5 mA @ IF = 1 mA @ f = 1 MHz @ IF = 10 mA @ VR =0V @ VR = 1 V @ VR = 20 V rD typ (Ω) rD max (Ω) rD typ (Ω) rD max (Ω) rD typ (Ω) rD max (Ω) Cd typ (pF) Cd typ (pF) Cd max (pF) Cd typ (pF) Cd max (pF) 2.3 2.5 2.5 2.5 3.3 3.5 3.5 3.5 0.94 1 1 1 1 1.87 1.95 1.95 1.95 3 3 3 3 0.49 0.56 0.56 0.56 0.56 1.19 1.17 1.17 1.17 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 1.8 1.8 1.8 1.8 0.61 0.65 0.65 0.7 0.7 0.34 0.36 0.4 0.4 0.48 0.55 0.55 0.575 0.575 0.29 0.32 0.35 0.35 0.85 0.9 0.9 0.9 0.9 - 0.37 0.375 0.375 0.425 0.425 0.24 0.25 0.27 0.3 0.3 0.32 0.32 0.35 PINダイオード：SOD882Dパッケージ品のアイソレーションと挿入損失による選択 ISL (isolation ) f= f= f= 900 MHz 1800 MHz 2450 MHz Type VR = VR = VR = 0V 0V 0V BAP65LX 10 5.5 3.9 BAP63LX 15.9 10.5 8.3 BAP55LX 19 14 12 BAP1321LX 17 12 10 BAP142LX 18 13 11 BAP51LX 19 15 13 BAP64LX 22 16 14 BAP50LX 20.3 17.9 16.5 太字 = 推奨製品 IF = 0.5 mA 0.09 0.20 0.24 0.25 0.24 0.36 1.22 1.82 f= 900 MHz IF = IF = 1 mA 10 mA 0.06 0.06 0.17 0.12 0.17 0.08 0.19 0.11 0.18 0.10 0.25 0.12 0.22 0.12 1.07 0.25 IL (Insertion loss) f= f= 1800 MHz 2450 MHz IF = IF = IF = IF = IF = IF = IF = IF = IF = 100 mA 0.5 mA 1 mA 10 mA 100 mA 0.5 mA 1 mA 10 mA 100 mA 0.05 0.09 0.07 0.07 0.06 0.10 0.08 0.08 0.07 0.11 0.20 0.17 0.13 0.11 0.21 0.19 0.15 0.15 0.05 0.25 0.18 0.09 0.07 0.26 0.19 0.10 0.08 0.09 0.26 0.20 0.13 0.11 0.27 0.21 0.14 0.12 0.07 0.24 0.19 0.11 0.09 0.25 0.25 0.12 0.10 0.90 0.36 0.26 0.14 0.10 0.38 0.27 0.15 0.12 0.09 1.21 0.23 0.13 0.10 1.22 0.24 0.15 0.11 1.80 1.06 0.26 1.81 1.08 0.27 - NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 79 PIN ダイオード： rD @1mA＝2.2～2.4、スイッチング・ダイオード @ f = 100 MHz Type BAP55LX BAP1321-02 BAP1321-03 BAP1321-04 BAP1321LX BAP142LX Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) SOD882D SOD523 SOD323 SOT23 SOD882D SOD882D 1 1 1 2 1 1 SG SG SG SR SG SG 50 60 60 60 60 50 100 100 100 100 100 100 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 3.3 3.4 3.4 3.4 3.3 3.3 rD max (Ω) 4.5 5 5 5 5 5 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 2.2 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 rD max (Ω) 3.3 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 0.8 1.2 1.2 1.2 1.2 1 rD max (Ω) 1.2 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 @ f = 1 MHz @ VR @ VR = 20 V @ VR = 1 V =0V Cd Cd Cd Cd Cd typ typ max typ max (pF) (pF) (pF) (pF) (pF) 0.28 0.23 0.18 0.28 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32 0.42 0.375 0.45 0.275 0.325 0.32 0.27 0.38 0.21 0.28 0.25 0.22 0.16 0.26 PIN ダイオード： rD @1mA＝3.2～3.6、スイッチング・ダイオード @ f = 100 MHz Type BAP51LX BAP51-02 BAP51-03 BAP51-04W BAP51-05W BAP51-06W Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) SOD882D SOD523 SOD323 SOT323 SOT323 SOT323 1 1 1 2 2 2 SG SG SG SR CC CA 60 60 50 50 50 50 100 50 50 50 50 50 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 4.9 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 rD max (Ω) 9 9 9 9 9 - @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 3.2 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 rD max (Ω) 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 - @ f = 1 MHz @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 1.4 1.5 1.5 1.5 1.5 2 rD max (Ω) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 - @ VR =0V Cd typ (pF) 0.3 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 @ VR = 1 V Cd typ (pF) 0.22 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 Cd max (pF) 0.4 0.55 0.55 0.55 0.55 - @ VR = 20 V Cd typ (pF) 0.17 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 Cd max (pF) 0.3 0.35 0.35 0.35 0.35 - PIN ダイオード： rD @1mA＝10、アッテネータ/スイッチング・ダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes Config VR max (V) BAP64Q SOT753 4 SR BAP64-02 SOD523 1 SG BAP64-03 SOD323 1 SG BAP64-04 SOT23 2 SR BAP64-04W SOT323 2 SR BAP64-05 SOT23 2 CC BAP64-05W SOT323 2 CC BAP64-06 SOT23 2 CA BAP64-06W SOT323 2 CA BAP64LX^ SOD882D 1 SG ^ = アッテネータ / スイッチング・ダイオード *= @ VR = 20 V 100 175 175 175 100 175 100 175 100 60 IF max (mA) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 31 rD max (Ω) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 50 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 16 rD max (Ω) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 26 @ f = 1 MHz @ VR = @ IF = 10 mA 0V Cd rD rD max typ typ (Ω) (Ω) (pF) 2 3,8 0.52 2 3.8 0.48 2 3.8 0.48 2 3.8 0.52 2 3.8 0.52 2 3.8 0.52 2 3.8 0.52 2 3.8 0.52 2 3.8 0.52 2.6 4.4 0.48 @ VR = 1 V @ VR = 20 V Cd typ (pF) 0.37 0.35 0.35 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.34 Cd typ (pF) 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.17* Cd max (pF) - Cd max (pF) 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.3* PIN ダイオード： rD @1mA＝14～16、アッテネータ・ダイオード @ f = 100 MHz Type BAP50-02 BAP50-03 BAP50-04 BAP50-04W BAP50-05 BAP50-05W BAP50LX Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) SOD523 SOD323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOD882D 1 1 2 2 2 2 1 SG SG SR SR CC CC SG 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 25 25 25 25 25 25 26 rD max (Ω) 40 40 40 40 40 40 40 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 14 14 14 14 14 14 14 rD max (Ω) 25 25 25 25 25 25 25 @ f = 1 MHz @ VR = 0V Cd rD max typ (Ω) (pF) 5 0.4 5 0.4 5 0.45 5 0.45 5 0.45 5 0.45 5 0.4 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 3 3 3 3 3 3 3 @ VR = 1 V @ VR = 5 V Cd typ (pF) 0.3 0.3 0.35 0.35 0.3 0.35 0.28 Cd typ (pF) 0.22 0.2 0.3 0.3 0.35 0.3 0.19 Cd max (pF) 0.55 0.55 0.6 0.6 0.5 0.6 0.55 Cd max (pF) 0.35 0.35 0.5 0.5 0.6 0.5 0.35 PIN ダイオード： rD @1mA＝40、アッテネータ・ダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) BAP70Q BAP70-02 BAP70-03 BAP70-04W BAP70-05 BAP70AM SOT753 SOD523 SOD323 SOT323 SOT23 SOT363 4 1 1 2 2 4 SR SG SG SR CC SR 50 50 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 太字 = 推奨製品 80 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 SG = シングル SR = 直列 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 77 77 77 77 77 77 rD max (Ω) 100 100 100 100 100 100 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 40 40 40 40 40 40 rD max (Ω) 50 50 50 50 50 50 CC = コモンカソード CA = コモンアノード @ f = 1 MHz @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 rD max (Ω) 7 7 7 7 7 7 @ VR =0V Cd typ (pF) 0.6 0.57 0.57 0.6 0.6 0.57 @ VR = 1 V @ VR = 20 V Cd typ (pF) 0.43 0.4 0.4 0.43 0.43 0.4 Cd max (pF) 0.25 0.2 0.2 0.25 0.25 0.2 Cd max (pF) - Cd typ (pF) 0.3 0.25 0.25 0.3 0.3 0.25 3.2.3 バンドスイッチ・ダイオード NXPのバンドスイッチ・ダイオードが選ばれる理由 ` 信頼性の高い量産サプライヤ ` 短納期対応 ` 低直列インダクタンス ` 低挿入損失 ` 低キャパシタンス ` 高い逆方向絶縁 Type Package VR max (V) IF max (mA) rD max (Ω) @ IF = (mA) @f= (MHz) Cd max (pF) @ VR = (V) @f= (MHz) BA277 BA591 BA891 BAT18 SOD523 SOD323 SOD523 SOT23 35 35 35 35 100 100 100 100 0.7 0.7 0.7 0.7 2 3 3 5 100 100 100 200 1.2 0.9 0.9 1 6 3 3 20 1 1 1 1 3.2.4 ショットキー・ダイオード 機能別製品 ショットキー・ダイオードのセレクションガイドはwww.nxp.com/ rfschottkydiodesをご覧ください 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したショットキー・ダイオ ードを選択できます。 NXPのショットキー・ダイオードが選ばれる理由 ` 低ダイオード・キャパシタンス ` 低フォワード電圧 ` シングルおよびトリプル絶縁ダイオード ` 小型パッケージ アプリケーション ` デジタルアプリケーション - 超高速スイッチング - クランプ回路 ` RFアプリケーション： - ダイオード・リング・ミキサー - RF ディテクタ - RF 電圧ダブラ 低キャパシタンス・ショットキー・ダイオード VR max. IF max. (V) (mA) BAT17 SOT23 Single 4 30 PMBD353 SOT23 Dual-series 4 30 PMBD354^ SOT23 Dual-series 4 30 1PS76SB17 SOD323 Single 4 30 1PS66SB17 SOT666 Triple-isolated 4 30 1PS79SB17 SOD523 Single 4 30 1PS88SB82 SOT363 Triple-isolated 15 30 1PS70SB82 SOT323 Single 15 30 1PS70SB84 SOT323 Dual-series 15 30 1PS70SB85 SOT323 Dual c.c 15 30 1PS70SB86 SOT323 Dual c.a. 15 30 1PS66SB82 SOT666 Triple-isolated 15 30 1PS10SB82 SOD882 Single 15 30 太字 = 推奨製品 ^ ダイオードのキャパシタンスは整合されています。 Type Package Configuration VF max. (mV) 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA CD max. (pF) 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 81 RF バイポーラトランジスタ 3.3 3.3.1 広帯域トランジスタ RF広帯域トランジスタのセレクションガイドは、www.nxp.com/rftransistorsをご 覧ください。 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したRF広帯域トランジスタ を選択できます。 広帯域トランジスタ 7種の世代のRF 広帯域トランジスタにおいてfT-IC曲線は、遮断周 波数（fT）特性とコレクター電流（IC）によって表されます。 同じコ レクター電流（IC）と同様の遮断周波数（fT）を持つトランジスタの グループが曲線で表されます。 曲線番号は、詳しいRF特性を示し た本セクションのセレクション表（各表3列目）に記載されている番 号と一致しています。 NXPの広帯域トランジスタが選ばれる理由 ` 豊富なポートフォリオ(第1 ～7世代) ` 短納期対応 ` 最小パッケージ ` 大量生産 周波数ごとのワイドバンド・トランジスタ・ラインナップ bra510 100 (33) (37) fT (GHz) 7th generation (39) (35) (27) (26) (29) (25) (36) 10 (31) (20) (30) (38) (40) 4th generation (23) (22) (21) (19) (34) (15) (14) (16) (18) 3rd generation (11) (7) (9) (8) (12) (10) 2nd generation (4) (1) 1 0.1 0.5 0.2 1 (3) 2 5 1st generation 10 20 Pin 4 1 3 3 2 2 Figure 1 82 6th generation 5th generation (32) (41) 1 2 3 4 4 1 2 3 4 1 Figure 2 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 1 2 3 4 50 100 200 500 IC (mA) Description Type (Figure 1) Collector Base Emitter Emitter Type/X (Figure 1) Collector Emitter Base Emitter Type/XR (Figure 2) Collector Emitter Base Emitter 1000 広帯域トランジスタ Function High-linearity, high-output amplifiers and drivers 6 GHz – 12 GHz – <6 GHz 12 GHz 18 GHz LNAs, mixers, frequency multipliers, buffers Frequency range Band Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU725F/N1 BFU710F BFU730F BFU760F BFU790F <6 GHz 6 GHz – 12 GHz 12 GHz – +18 GHz L,S,C X, Ku low Ku high, Ka • • • • • • • • • • • • • • • L,S,C X, Ku low • • • • • • • Oscillators <6 GHz 6 GHz – 12 GHz 12 GHz – +18 GHz L,S,C X, Ku low Ku high, Ka Ku high • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 赤 = アプリケーションノートはNXP.comでご覧いただけます。 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 7 7 7 - 1900 1900 1900 - 1 1 1 - 3.6 3.6 3.6 - @ IC = (mA) @ VCE = (V) 1 1 - - 1000 0.5 1 1.8 0.5 1 2 0.5 1 2 -70 -10 100 10 15 10 2 70 10 - 3.75 50 10 3.3 30 6 3.5 15 10 3 15 10 2 14 10 2.5 0.5 1 1.8 0.5 1 1.8 2.5 -15 -10 2.5 2.4 -30 -5 2.4 1000 1000 1000 1000 500 500 800 2000 1000 800 1000 1000 500 500 500 500 0.5 1 1 5 -50 50 30 5 5 2 1 0.5 -5 -5 -10 -10 1 1 1 10 -10 10 6 10 10 5 1 1 -10 -10 -5 -5 3 2.1 3 3 3 2000 1000 2000 1000 1000 5 5 5 -5 -10 10 10 10 -10 -5 800 800 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 1000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 100 50 80 80 70 15 15 30 30 45 70 15 30 30 30 30 30 1000 1000 1000 1000 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 15 15 5 5 45 5 5 5 5 5 5 8 8 8 8 10 8 8 8 8 8 8 2.5 2.5 2.3 2.3 3 2.7 3 3 3 2.1 2.1 2000 2000 2000 2000 1000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 5 5 5 5 45 15 5 5 5 5 5 8 8 8 8 10 8 8 8 8 8 8 SOT23 SOT323 SOT23 1 1.6 2.3 15 15 5 25 300 NPN 50 300 NPN 6.5 30 NPN BFG25A/X BFG25AW BFG25AW/X BFG31 BFG35 BFG92A/X BFG97 BFQ149 BFQ18A BFQ19 BFR106 BFR92A BFR92AW BFS17A BFS25A BFT25A BFT92 BFT92W BFT93 BFT93W 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 18 18 18 10 11 7 10 10 11 10 10 7 7 4 18 18 7 7 9 9 SOT143B 5 SOT343N 5 SOT343N 5 SOT223 5 SOT223 4 SOT143B 5 SOT223 5.5 SOT89 5 SOT89 4 SOT89 5.5 SOT23 5 SOT23 5 SOT323 5 SOT23 2.8 SOT323 5 SOT23 5 SOT23 5 SOT323 4 SOT23 5 SOT323 4 5 5 5 -15 18 15 15 -15 18 15 15 15 15 15 5 5 -15 -15 -12 -12 6.5 6.5 6.5 -100 150 25 100 -100 150 100 100 25 25 25 6.5 6.5 -25 -35 -35 -50 32 500 500 1000 1000 400 1000 1000 1000 1000 500 300 300 300 32 32 300 300 300 300 NPN NPN NPN 16 1000 0.5 PNP 16 500 -70 NPN 15 500 100 NPN 16 1000 15 NPN 16 500 70 PNP 12 500 -50 NPN NPN 11.5 500 50 NPN NPN 14 1000 15 NPN 14 1000 15 NPN NPN NPN PNP 18 500 -14 PNP 17 500 -15 PNP 16.5 500 -30 PNP 15.5 500 -30 18 16 1 8 -10 12 10 11 10 11 10 12 -10 10 7.5 - 11.5 10 8 10 8 - 13.5 13 15 -10 -10 11 -5 -5 10 1000 2000 2000 800 800 2000 800 800 800 2000 2000 800 1000 1000 1000 BFG135 BFG198 BFG590 BFG590/X BFG591 BFG67 BFG67/X BFG93A BFG93A/X BFG94 BFQ591 BFQ67W BFR93A BFR94A^ BFR93AR BFR93AW BFR94AW^ 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 16 15 22 22 22 14 14 8 8 8 22 14 8 8 8 8 8 SOT223 SOT223 SOT143B SOT143B SOT223 SOT143B SOT143B SOT143B SOT143B SOT223 SOT89 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT323 SOT323 15 10 15 15 15 10 10 12 12 12 15 10 12 12 12 12 12 150 100 200 200 200 50 50 35 35 60 200 50 35 35 35 35 35 1000 1000 400 400 2000 380 380 300 300 700 2250 300 300 300 300 300 300 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 10 8 4 4 12 8 8 8 8 12 8 8 8 8 8 8 7 8 5 5 7 8 8 6 6 6 7 8 6 6 6 5 5 Polarity 3 3 1 Type 1 1 1 16 18 13 13 13 17 17 16 16 11 13 13 13 13 13 13 500 500 900 900 900 1000 1000 1000 1000 900 1000 1000 1000 1000 1000 1000 100 50 80 80 70 15 15 30 30 70 15 30 30 30 30 30 12 15 7.5 7.5 7.5 10 10 10 10 13.5 5.5 8 7 7 7 8 8 10 8 4 4 12 8 8 8 8 10 12 8 8 8 8 8 8 1.7 1.7 1.7 1.7 2.7 1.3 1.9 1.9 1.9 1.5 1.5 NF (typ) (dB) - BFS17 BFS17W BFT25 NF (typ) (dB) - IC (max) (mA) 5 5 1 VCEO (max) (V) 2 2 1 f T (typ) (GHz) 500 500 500 Package 4.5 4.5 3.8 Curve @ VCE = (V) @ f = (MHz) 800 @ IC = (mA) GUM (typ) (dB) 12 @ f = (MHz) @ VCE = (V) 1 @ VCE = (V) @ IC = (mA) 1 @ IC = (mA) @ f = (MHz) 500 @ f = (MHz) GUM (typ) (dB) 18 Generation P tot (max) (mW) RF 広帯域トランジスタ第1 ～ 3世代 太字 = 推奨製品 ^ AEC-Q101 認定済み (一部制限あり) NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 83 機能別製品 GUM (typ) (dB) 400 400 400 2000 2100 2000 2000 @ VCE = (V) Polarity 250 250 250 500 250 250 500 @ IC = (mA) P tot (max) (mW) 8 8 10 10 8 10 9.5 SOT143 SOT143 SOT343 SOT223 SOT223H SOT223 SOT223 @f= (MHz) IC (max) (mA) BFG10 BFG10/X BFG10W/X BLT50 BLT70 BLT80 BLT81 VCEO (max) (V) Type Package ポータブル機器向けのRF パワートランジスタ(VHF) 1800 1800 1800 1800 5 5 15 15 3 3 3 3 - - - - 1 1 1.1 1.1 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 5 20 20 40 5 20 40 - 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 6 6 6 6 8 6 6 8 - 8.5 8.5 19.4 19.4 5 5 15 15 3 3 3 3 @ f = (MHz) 10 10 10 10 10 26 26 26 26 26 34 34 34 34 34 34 34 10 10 26 26 34 10 26 34 - @ VCE = (V) @ VCE = (V) NPN 18 NPN 18 NPN 18.3 NPN 18.3 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 5 20 20 40 5 20 40 - @ VCE = (V) 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.85 1.85 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 1.9 1.9 2.7 1.9 1.9 1.9 1.9 2.1 1.9 1.9 2.1 2 2 2.1 2.1 1.8 @ IC = (mA) 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 3 3 8 8 6 6 6 6 8 6 6 8 6 6 6 6 6 @ IC = (mA) 5 5 5 5 5 20 20 20 5 5 10 10 10 10 10 10 10 1 5 40 15 5 1.25 5 5 10 1.25 5 10 5 5 5 5 5 IP3 (typ) (dBm) 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 1000 900 900 900 900 900 900 900 900 1000 1000 1000 1000 1000 @ IC = (mA) 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.1 1.1 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.1 1.2 1.9 1.7 1.2 1.2 1.1 1.1 1.3 1.2 1.1 1.3 1.4 1.3 1.5 1.5 1.3 PL(1dB) (typ) (dBmW) 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 3 3 8 6 6 6 6 8 6 6 8 6 6 6 6 6 2000 1.25 2000 1.25 2000 1.25 2000 1.25 2000 1.25 2000 5 2000 5 2000 5 2000 5 2000 5 2000 10 2000 10 2000 10 2000 10 2000 10 2000 10 2000 10 2000 5 2000 5 2000 15 2000 5 2000 1.25 2000 5 2000 5 2000 10 2000 1.25 2000 5 2000 10 2000 5 2000 5 2000 5 2000 5 2000 5 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 3 3 8 6 6 6 6 8 6 6 8 6 6 6 6 6 4 4 4 4 4 17 17 17 17 17 21 21 21 21 21 21 21 4 5 17 17 21 4 17 21 - 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 6 6 6 6 8 6 6 8 - 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 - 2000 2000 2000 2000 3 3 3 3 1.8 1.8 8.7 8.7 3 3 3 3 1800 5 1800 5 1800 15 1800 15 @ VCE = (V) 60 60 210 210 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 20 15 5 5 20 20 40 5 20 40 15 30 15 15 30 @ IC = (mA) 10 10 35 35 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 @ f = (MHz) 6 6 6 6 14 14 14 14 13 13 12 12 12 13 13 13 11 11 11 11 11 10 10 10 9 10 9 8 10 10 9 9 7 10 9 8 9.5 8 10 10 9.2 NF (typ) (dB) SOT143R SOT343R SOT143R SOT343R @ VCE = (V) 30 30 31 31 @ IC = (mA) 4.5 4.5 4.5 4.5 @ f = (MHz) BFG310/XR BFG310W/XR BFG325/XR BFG325W/XR NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NF (typ) (dB) 150 150 500 500 500 300 300 300 500 500 400 400 400 500 500 500 650 500 1000 1,200 300 150 150 300 150 500 150 300 500 360 365 250 150 270 @ VCE = (V) 18 18 18 18 18 70 70 70 70 70 120 120 120 120 120 120 120 18 70 120 50 18 18 70 70 120 18 70 120 50 100 50 50 100 @ IC = (mA) P tot (max) (mW) 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 8 8 15 10 15 15 15 15 15 15 15 15 10 10 10 10 10 @ f = (MHz) IC (max) (mA) SOT143B 9 SOT143B 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT343R 9 SOT143B 9 SOT143B 9 SOT143R 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT143B 9 SOT143B 9 SOT143R 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT343R 9 SOT223 9 SOT363A 9 SOT363A 9 SOT89 9 SOT23 8 SOT23 9 SOT416 9 SOT23 9 SOT416 9 SOT23 9 SOT323 9 SOT323 9 SOT323 9 SOT23 8 SOT23 8 SOT323 8.5 SOT416 9 SOT323 8.5 GUM (typ) (dB) VCEO (max) (V) 19 19 19 19 19 20 20 20 20 20 21 21 21 21 21 21 21 19 20 21 14 19 19 20 20 21 19 20 21 20 21 20 20 21 Polarity Curve 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 f T (typ) (GHz) Generation BFG505 BFG505/X BFG505W BFG505W/X BFG505W/XR BFG520 BFG520/X BFG520/XR BFG520W BFG520W/X BFG540 BFG540/X BFG540/XR BFG540W BFG540W/X BFG540W/XR BFG541 BFM505 BFM520 BFQ540 BFQ67 BFR505 BFR505T BFR520 BFR520T BFR540 BFS505 BFS520 BFS540 PBR941 PBR951 PRF947 PRF949 PRF957 Package Type RF 広帯域トランジスタ第4 ～ 4.5世代 1 1 3 3 SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT883C SOT343F SOT343F 40 40 40 40 70 70 70 53 70 70 5 10 5 30 5 70 5 100 2.8 10 2.8 40 2.8 30 3.0 30 2.8 70 2.8 100 50 130 200 300 30 136 130 160 200 250 NPN 21 NPN 28 NPN 28.5 NPN 25.6 NPN 16.5 NPN 18 NPN 18.5 NPN 13.3 NPN 25 NPN 20.4 太字 = 推奨製品 84 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 PL(1dB) (typ) (dBmW) 34 35 36 37 38 33 39 40 41 900 900 900 900 900 900 1 1 2 2 2 8 2 2 2 2 2 2 1.6 1.2 1.2 1.2 1.2 1.8 2000 2000 2000 2000 2000 2000 1 1 2 2 2 8 2 2 2 2 2 2 5 1 5 2 12 2 12 2 12 2 20 3.6 900 1 6 1 2000 10 15 10 2000 25 22 25 2000 25 22 25 2000 25 22 25 2000 1 28 80 5800 2400 1500 1500 12000 5800 5800 5800 2400 2400 8 25 60 90 8 25 25 25 60 90 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0.75 0.58 0.6 0.7 0.9 0.47 0.56 0.55 0.5 0.56 2400 1500 1500 1500 5800 2400 2400 2400 1500 1500 1 5 20 50 2 5 5 5 20 50 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1.4 5800 1 0.73 2400 5 0.75 2400 20 0.9 2400 50 1.5 12000 2 0.7 5800 5 0.8 5800 5 0.8 5800 5 0.6 2400 20 0.7 2400 50 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 8 - - 14 8 5 - 23 25 5 - 30 60 5 - 35 90 5 - 14.5 8 2 5800 25 19 25 2 - 20.5 25 2 - 26 12.4 2.3 - 23 60 2 - 24 90 2 2 - IP3 (typ) (dBm) 1 0.9 0.8 0.8 0.8 1.2 @ IC = (mA) 3.6 2 2 2 2 2 2 @ f = (MHz) 1 3 10 25 25 25 80 @ VCE = (V) 1900 2000 2000 2000 2000 2000 2000 NF (typ) (dB) 10 22 21 23 22 20 16 NF (typ) (dB) @ VCE = (V) 6 6 6 6 7 7 7 7 7 7 @ IC = (mA) BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU730LX BFU760F BFU790F @ f = (MHz) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN @ VCE = (V) Polarity 600 16 54 135 135 135 360 @ IC = (mA) P tot (max) (mW) 4.5 500 4.5 3.6 4.5 12 4.5 30 4.5 30 4.5 30 4.5 250 @ f = (MHz) IC (max) (mA) 17 22 25 25 25 21 @ VCE = (V) VCEO (max) (V) SOT343R SOT343R SOT343R SOT343F SOT343R SOT343R SOT343R @ IC = (mA) f T (typ) (GHz) 32 25 26 27 27 27 29 @ f = (MHz) Curve 5 5 5 5 5 5 5 GUM (typ) (dB) Generation BFG21W BFG403W BFG410W BFG424F BFG424W BFG425W BFG480W Package Type RF 広帯域トランジスタ第5 ～ 7世代 1 2 2 2 2 2 3.4 3.4.1 RF IC RF MMIC アンプおよびミキサー RF MMICアンプのセレクションガイドは、www.nxp.com/mmicsをご覧ください 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したzRF MMICを選択できます。 NXPのRF MMICアンプおよびミキサーが選ばれる理由 ` ` ` ` ` ` ` 少ないRFコンポーネント点数 回路への組み込みが簡単 ボード面積の削減 迅速な市場投入 豊富なポートフォリオ 大量生産 短納期対応 Gp [dB] Type Package BGA2870 BGA2874 SOT363 SOT363 2.5 2.5 BGA2800 BGA2803 BGA2748 BGA2714 BGA2801 BGA2802 BGA2815 BGA2817 BGA2819 BGM1012 BGA2816 BGA2818 BGA2819 BGA2850 BGA2851 BGA2715 BGA2717 BGA2712 BGA2866 BGA2867 BGA2709 BGA2716 BGA2776 BGA2865 BGA2868 BGA2869 BGM1013 BGM1014 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Pl(1dB) [dBm] NF [dB] IP3o[dBm] [Ohm] External Inductor 13.0 17.0 2150 MHz 50 50 N N 8.0 2.0 -1.4 0.0 9.0 6.0 10.0 15.0 11.0 13.0 8.0 14.0 14.0 8.0 5.0 0.6 6.3 6.0 12.0 14.1 14.0 15.9 14.4 10.0 21.5 19.0 18.6 15.1 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 75 75 N N N N N N N N N Y N N N N N N N N N N Y Y Y N N N Y Y 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 750 MHz 15.6 16.0 31.2 31.1 250 MHz 31.1 31.0 950 MHz 31.0 30.6 2150 MHz 5.0 5.0 250 MHz 4.0 4.0 950 MHz 4.0 4.0 2150 MHz 3.1 3.0 250 MHz 3.2 3.1 950 MHz 3.7 3.4 2150 MHz 15.0 19.0 950 MHz 10.5 5.8 5.7 4.6 14.3 12.5 18.2 20.0 16.0 14.6 22.0 19.9 18.0 9.1 7.0 4.3 8.0 12.3 17.4 21.7 23.5 15.9 24.4 26.4 26.0 22.0 27.5 21.0 19.9 23.6 17.6 20.7 22.2 25.6 25.8 24.5 27.0 19.6 31.9 30.1 30.0 23.2 23.3 15.6 20.0 21.1 23.2 26.4 22.5 22.4 22.9 30.9 31.5 30.9 35.3 30.2 20.5 23.4 21.9 20.4 22.4 25.8 25.3 24.7 27.0 20.0 32.0 29.8 30.0 24.0 24.7 21.5 24.2 21.2 23.9 27.2 22.7 22.8 23.2 32.2 32.8 30.9 35.6 32.2 20.2 23.0 17.8 20.8 23.0 25.5 25.2 25.1 28.0 20.4 26.9 30.0 31.0 22.9 25.2 23.3 25.1 22.0 24.3 27.2 23.0 22.9 23.2 29.6 33.5 32.2 32.1 34.3 -6.0 -6.0 -9.2 -7.9 2.0 1.0 5.0 6.0 2.0 6.0 5.0 6.0 5.0 -2.0 -8.0 -10.9 -9.0 0.0 -3.0 1.0 5.0 1.0 3.4 3.7 3.7 1.7 2.4 3.8 4.2 3.7 3.9 3.6 3.6 1.9 2.2 3.8 4.1 3.8 3.9 3.2 4.8 3.2 3.3 3.1 4.1 3.2 2.6 2.3 3.9 3.8 3.8 4.0 5.3 4.9 3.9 4.0 3.9 4.6 4.2 3.7 3.4 2.4 3.0 3.9 3.6 3.7 3.8 3.3 4.9 3.2 3.3 3.4 4.0 3.0 3.1 2.9 4.3 3.9 3.7 5.1 5.5 5.3 4.0 4.1 4.0 4.9 4.2 11.0 5.0 -1.9 2.1 14.0 13.0 17.0 18.0 12.0 18.0 15.0 18.0 16.0 10.0 8.0 2.3 10.0 11.0 17.0 18.8 22.0 22.2 18.6 19.0 23.5 20.0 22.7 20.5 Vcc (V) Is (mA) -7.8 2.0 3.0 8.0 6.0 7.0 7.0 5.0 -3.0 4.0 6.8 9.0 8.8 -4.0 -8.0 -2.6 0.2 4.0 6.5 8.3 8.9 7.2 8.0 11.0 8.8 13.0 11.2 4.9 3.2 3.5 3.0 4.2 4.0 2.6 2.3 4.2 3.9 3.7 4.3 5.5 4.7 3.8 4.0 3.0 -2.0 -5.0 -8.5 -3.1 -2.0 3.0 4.9 5.7 6.1 6.0 2.0 8.5 7.6 8.1 5.7 3.8 4.6 4.3 Zout 機能別製品 汎用広帯域アンプ (50 Ω) 汎用LNA MMIC |S21|2 [dB] (1) Type Package BGA2001 BGA2002 (1) BGA2003 BGA2011 BGA2012 BGU7003 BGU7003W BGU6101 BGU6102 BGU6104 Vcc (V) Is (mA) SOT343R SOT343R SOT343R SOT363 SOT363 SOT891 SOT886 SOT1209 SOT1209 2.5 2.5 2.5 3 3 2.5 2.5 3 3 4.0 4.0 10.0 15.0 7.0 5.0 5.0 1.5 3.0 SOT1209 3 6.0 450 MHz 900 1800 MHz MHz 18.0 18.0 19.0 19.0 2400 MHz Pl(1dB) [dBm] 5800 450 MHz MHz 900 2400 450 MHz MHz MHz 14.0 14.0 14.0 NFm n [dB] 900 1800 2400 5800 450 MHz MHz MHz MHz MHz 1.3 1.3 1.8 1.5 16.0 13.0 18.5 15.2 15.2 13.0 (2) 14.0 (3) 22.5 18.5 12.8 (4) AEC-Q101認定 (2) Icc 3 mA (3) Icc 6 mA (4) Icc 12 mA 1.3 1.3 1.8 900 1800 MHz MHz -7.4 -7.4 -6.5 10.0 1.7 20.0 20.0 12.0 16.5 11.4 11.4 -11.0 -5.0 0.5 -11.5 -6.5 (2) 0.8 -5.5 0 (3) 0.7 0.5 6.5 (4) 0.8 0.6 0.6 0.8 0.8 0.8 ESD protection IP3o [dBm] 2400 MHz 5800 MHz kV HBM -4.5 -4.5 -4.8 1 1 10.0 0.8 0.8 1.3 (2) 1.2 (3) 1.1 (4) 1.5 1.5 -2.5 5.5 11.0 -2.0 6.0 12.0 6.5 (2) 11.5 (3) 18.5 (4) 3 3 3 太字 = 推奨製品 赤の太字 = 新製品、推奨製品 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 85 SiGe:C LNA (GPSおよびその他アプリケーション向け) @ 1.575 GHz (dBm) Typ Max Min Typ Max 3 - 4.5 4.5 4.8 4.8 4.1 4.6 15 - 16 - 18.3 16.5* 16.5* 18.5** 18.5** 17.5**** 19.0*** 20 - * ジャマーなし16.5 dB/ ジャマーあり17.5 dB ** ジャマーなし18.5 dB/ ジャマーあり19.5 dB *** ジャマーなし19.0 dB/ ジャマーあり20.5 dB *** ジャマーなし17.5 dB/ ジャマーあり19 dB 0.8 0.9 0.9 0.9 0.9 0.6 # 0.75 # -15 -12 -14 -14 -15 -15 - - -20 -11 - -11 -8 -11 - -11 -8 -12 - -14 -11 -12 - -14 -11 -10 - -8 - -13 -10 - 1 Typ Vcc = 2.2 V, Typ Min 2.85 2.85 2.85 2.85 2.85 3.1 2.2 Vcc = 2.2 V, Min Max 2.2 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 Vcc = 1.5 V, Min Min Vcc = 1.8 V, Typ SOT891 SOT886 SOT886 SOT886 SOT886 WL-CSP SOT886 Vcc = 1.8 V, Min BGU7003 BGU7004^ BGU7005 BGU7007 BGU7008^ BGU8006 BGU8007 Vcc = 2.85 V, Min (dBm) Vcc = 2.85 V, Typ (dB) Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA IP3i (dB) Vcc = 2.2 V, Typ PL(1dB) (mA) Vcc = 2.2 V, Min NF (V) Vcc = 1.8 V, Typ |s21|2 Vcc = 1.8 V, Min Icc Vcc = 1.5 V, Typ Vcc Package Input third-order intercept point f1 = 1713 MHz, f2 = 1851 MHz Vcc = 1.5 V, Min Input power at 1 dB gain compression Vcc = 2.85 V, Min Noise figure Vcc = 2.85 V, Typ Insertion power gain Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA Supply current Vcc = 1.5 V, Typ Type Supply voltage 4 5 5 1 1 - 9 9 4 4 5 - 2 5 0 - 5 5 2 2 - 12 12 5 5 8 - ^ AEC-Q101 認定済み (一部制限あり) # 評価ボードのロスは除く セットトップボックス用LNA (75 Ω) Package Frequency range BGU7031 SOT363 (MHz) 40 - 1000 BGU7032 SOT363 40 - 1000 BGU7033 SOT363 40 - 1000 BGU7041 SOT363 40 - 1000 BGU7042 SOT363 40 - 1000 Type BGU7044 SOT363 40 - 1000 BGU7045 SOT363 40 - 1000 @ Mode VCC ICC GP 10 dB GP 10 dB Bypass GP 10 dB GP 5 dB Bypass GP 10 dB GP 10 dB Bypass GP 14 dB GP 14 dB Bypass (V) 5 5 5 5 5 5 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 (mA) 43 43 4 43 43 4 38 38 3 34 34 3 Gain (1) NF PL (1dB) OIP3 FL (2) RLout RLin (dB) 10 10 -2 10 5 -2 10 10 -2 14 14 -2 (dB) 4.5 4.5 2.5 4.5 6 2.5 4 4 2.5 2.8 2.8 2.5 (dBm) 14 14 14 9 12 12 13 13 - (dBm) 29 29 29 29 29 29 29 29 29 29 29 27 (dB) -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 (dB) 12 12 8 12 12 8 12 12 10 12 12 10 (dB) 18 18 8 18 17 8 21 21 10 20 20 9 ワイヤレスインフラ用LNA（50Ω） Type Package @ VCC [typ] (V) @ ICC [typ] (mA) BGU7051 SOT650-1 3.3 65 BGU7052 SOT650-1 3.3 80 BGU7053 SOT650-1 3.3 90 BGU7060 SOT1301AA 5 BGU7061 SOT1301AA BGU7062 BGU7063 86 frange [min] (MHz) 500 750 900 1500 1850 1950 2300 2700 frange [max] (MHz) 750 850 1500 1750 1900 2500 2500 2800 200 700 800 5 200 800 950 SOT1301AA 5 185 1710 1785 SOT1301AA 5 190 230 1920 1980 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Gass [typ] (dB) 23.5 21.5 21 21.5 20 19.7 18.5 17.5 3 12 18 35 3 12 18 35 3 12 18 35 18 35 NF [typ] (dB) 0.6 0.63 0.65 0.76 0.76 0.79 0.85 0.9 21 15 7.2 1 21 15 7.2 1 20.6 15 9.3 0.98 6.4 1.05 PL(1dB) [typ] (dBm) 17 16.5 16.5 15.5 14.5 14.5 13.5 13 11 7.5 -7 -12.5 11 7.5 -7 -12.5 10.7 5.4 -7 -12.8 -6.4 -12.5 IP3O [typ] (dBm) 32 32 33 37 35.5 35 36 36 25.5 22.5 4.5 2.5 25.5 22.5 4.5 2.5 25.6 21 3.4 1 5.4 0.9 RLin [typ] (dB) 27.5 26 24.5 23 23 22 23 26 20 20 20 24 20 20 20 24 23 23 23 26 35 31 RLout [typ] (dB) 18 17.5 18 22 22 21 19.5 23 19 19 19 19 19 19 19 19 16 16 16 16 15 15 @ VCC @ ICC Package [typ] (V) [typ] (mA) Frequency range [min] (MHz) BGA6289 SOT89 4.1 84 100-3000 BGA6489 SOT89 5.1 78 100-3000 BGA6589 SOT89 4.8 81 100-3000 BGA7014* SOT89 5 70 30-6000 BGA7017* SOT89 5 87 30-6000 BGA7020* SOT89 5 120 30-6000 BGA7024 SOT89 5 110 400 - 2700 BGA7027 SOT89 5 165 400 - 2700 BGA7124 SOT908 5 140 400 - 2700 BGA7127 SOT908 5 180 400 - 2700 BGA7130 SOT908 5 450 400 - 2700 Type RF input frequency [max] (MHz) 900 1800 900 1800 900 1800 2000 4000 2000 4000 2000 4000 940 1960 2140 2445 940 1960 2140 940 1960 2140 2445 940 1960 2140 2445 750 2140 Gain PL(1dB) IP3O NF [typ] (dB) 15.0 13.0 20.0 16.0 22.0 17.0 12.0 13.5 12.0 13.5 13.0 14.0 22.0 16.0 15.0 14.0 19.0 11.5 11.0 23.0 16.5 16.0 14.0 20.0 13.0 12.0 10.5 18.0 10.0 [typ] (dBm) 31.0 28.0 33.0 30.0 33.0 32.0 13.0 10.0 16.5 11.5 18.5 14.0 24.0 25.5 25.5 24.5 29.0 27.5 28.0 25.0 24.5 24.5 23.5 27.5 28.5 28.0 27.5 30.0 30.0 [typ] (dBm) 17.0 15.0 20.0 17.0 21.0 20.0 26.0 20.5 29.0 23.0 33.0 26.0 37.5 38.0 38.0 37.5 41.5 43.0 42.5 38.5 38.0 37.5 36.0 41.5 42.5 42.0 41.5 43.0 44.0 [typ] (dB) 3.5 3.7 3.1 3.3 3 3.3 6.2 6.0 6.4 6.3 6.5 6.2 2.9 3.7 3.7 4.0 2.6 3.8 3.9 5.2 4.6 4.8 5.4 3.1 4.5 4.6 4.7 5.0 5.0 機能別製品 汎用中出力パワーアンプ ワイヤレスインフラ用VGA Type Package type BGA7204 SOT617-3 single BGA7210 SOT617-3 single BGA7350 BGA7351 SOT617-1 SOT617-1 dual dual @ VCC @ ICC frange frange [typ] (V) 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 [typ] (mA) 115 115 115 115 185 185 185 185 185 245 280 [min] (MHz) 400 700 1450 2100 700 1400 1700 2200 3400 50 50 [max] (MHz) 700 1450 2100 2750 1400 1700 2200 2800 3800 250 250 Gp @ minimum attenuation Attenuation range (dB) (dB) 18.5 18.5 17.5 16.5 30 29.5 29 28 26 18.5 22 31.5 31.5 30.5 30 31.5 31.5 31.5 30.5 29.5 24 28 Gain(1) (dB) 23 @ 1900 MHz DG(2) P1dB (dB) (dBm) 56 13 ACPR (dBc) 49 @ 1900 MHz NF Gain(1) OIP3 (dB) (dB) (dBm) 9 6 10 Vs (V) 4 NF PL(1dB) IP3O [typ] (dB) 7 6.5 6.5 7 6.5 6.5 6.5 7 8 6 6 [typ] (dBm) 21 21 20.5 20 21 21 21 23 19 17 16.5 [typ] (dBm) 38 37.5 36 34 39 37 35 35 27 43 46 2ステージ可変利得リニアアンプ @ Vs (V) BGA2031/1 SOT363 3 (1) Gain = GP、電力利得 (2) DG = 利得制御範囲 Type Package Is (mA) 51 Frequency Gain(1) range (dB) 800-2500 24 @ 900 MHz DG(2) P1dB (dB) (dBm) 62 11 ACPR (dBc) 49 Vs (V) 3.3 Limits Is (mA) 77 P tot (mW) 200 広帯域リニアミキサー @ Type (1) Package BGA2022 SOT363 Gain = GP、電力利得 Vs (V) 3 Is (mA) 6 RF input Frequency range 800 - 2500 IF output Frequency range 50 - 500 NF (dB) 9 @ 880 MHz Gain(1) OIP3 (dB) (dBm) 5 4 Limits Is (mA) 10 Ptot (mW) 40 太字 = 推奨製品 赤の太字 = 新製品、推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 87 3.4.2 ワイヤレスインフラストラクチャ向けIC ワイヤレスインフラストラクチャ向け低ノイズPLL + VCO（LOジェネレータ) Type Package BGX7300* SOT1092-2 @ VCC @ ICC fi(ref) [typ] [typ] [min] (V) (mA) (MHz) 3.3 150 VCO output RF output frequency frequency (MHz) (MHz) 2200 - 2750 10 - 250 2750 - 3500 3500 - 4400 Normalized phase noise Phase noise @ 1MHz [max] [max] [max] [typ] (dBc/Hz) (dBc/Hz) deg (dBm) -225 -134 (2.2 GHz carrier) -133 (3.0 GHz carrier) -131 (4.2 GHz carrier) 0.24° @ 2.1 GHz -5 to +5 68 - 4400 Integrated RMS Programmable phase error output power ワイヤレスインフラストラクチャ向けIQ変調器置 Type Package @ VCC @ ICC [typ] [typ] (V) (mA) BGX7100 SOT616-3 5 BGX7101 SOT616-3 5 flo range (MHz) 165 165 173 173 178 178 184 172 172 180 180 178 182 188 400 4000 400 4000 flo (MHz) 750 910 1840 1960 2140 2650 3650 750 910 1840 1960 2140 2650 3650 Po BWmod Nflr(o) * PL(1dB) IP2O IP3O SBS CF [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] (dBm) (MHz) (dBm/Hz) (dBm) (dBm) (dBm) (dBc) (dBm) -159/-158.5 -159/-158.5 -158.5/-158 -158.5/-158 -158.5/-158 -158/-158 -158/-158 -159/-158.5 -159/-158.5 -158.5/-158 -158.5/-158 -158.5/-158 -158/-158 -158/-158 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 12 12 12 12 12 12 12 71 72 69 72.5 74 62 60 71 75 71 72 75 65 65 29 29 27 27 27 26 25 28 28 27 27 27 26 25 55 49 47 49 51 60 53 63 49 55 57 63 50 57 -55 -55 -50 -48 -45 -45 -43 -51 -57 -50 -47 -45 -45 -42 -0.2 400 4 650 * 変調なし/変調あり ワイヤレスインフラストラクチャ向けデュアルミキサー Type @ VCC @ ICC RF input frequency RF input frequency Local oscillator frequency Local oscillator frequency Second-order spurious rejection 2RF-2LO NFSSB singlesideband IP3i Gconv [typ] [typ] [min] [max] [min] [max] [max] [typ] [typ] [typ] (V) (mA) (MHz) (MHz) (MHz) (MHz) (dBc) (dB) (dBm) (dB) 5 5 330 365 700 1400 950 2700 500 1500 1150 2500 -60 -60 10 10 26 25.5 8 8.5 Package BGX7220 BGX7221 SOT1092-2 SOT1092-2 赤の太字 = 新製品、推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 88 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 3.4.3 衛星 LNB RF IC Type Package TFF1014HN TFF1015HN TFF1017HN TFF1018HN 3.4.4 SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 Input freq range Vcc I Gconv NF OIP3 LO Freq Integrated Phase noise density (degrees RMS) (V) (mA) (dB) (dB) (dB) (GHz) 10.7 - 12.75 5 52 36 7 13 9.75 / 10.6 1.5 10.7 - 12.75 5 52 39 7 13 9.75 / 10.6 1.5 10.7 - 12.75 5 52 42 7 13 9.75 / 10.6 1.5 10.7 - 12.75 5 52 45 7 13 9.75 / 10.6 1.5 VSAT および汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズLO ジェネレータ 機能別製品 NXPの低ノイズLOジェネレータが選ばれる理由 ` 低い総所有コスト ` アラインメントのいらないコンセプト ` 回路への組み込みが簡単 ` LO安定性の向上 VSATアプリケーション用低ノイズLOジェネレータ VCC fIN(REF) Type TFF1003HN TFF1007HN ICC PLL phase noise @ N=64, @ 100 kHz Package SOT616 SOT616 Typ Typ Max PLL Output buffer fo(RF) Input Po RLout(RF) Si Typ Max Min (dBm) (MHz) (V) (mA) (dBc/Hz) (GHz) (dBm) (dB) 50 - 815 3.3 100 -92 12.8 - 13.05 -5 -10 -10 230.46 - 234.38 3.3 100 -104 14.62 - 15 -3 -10 -10 汎用マイクロ波アプリケーション用低ノイズLOジェネレータ Type TFF11070HN* TFF11073HN* TFF11077HN* TFF11080HN* TFF11084HN* TFF11088HN* TFF11092HN* TFF11094HN* TFF11096HN* TFF11101HN* TFF11105HN* TFF11110HN* TFF11115HN* TFF11121HN* TFF11126HN* TFF11132HN* TFF11139HN* TFF11145HN* TFF11152HN* 太字 = 推奨製品 Package SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 fIN(REF) VCC ICC (MHz) 27 - 448 28 - 468 29 - 490 31 - 513 32 - 537 34 - 562 35 - 588 36-600 37 - 616 38 - 644 40 - 674 42 - 706 44 - 738 46 - 773 48 - 809 51 - 846 53 - 886 55 - 927 58 - 970 Typ (V) 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 Typ (mA) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 PLL phase noise @ N=64 @ 100 kHz @ 10 MHz (dBc/Hz) (dBc/Hz) -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 Min (GHz) 6.84 7.16 7.49 7.84 8.21 8.59 8.99 9.00 9.41 9.85 10.31 10.79 11.29 11.81 12.36 12.9 13.54 14.17 14.83 PLL fo(RF) Typ (GHz) 7 7.33 7.67 8.02 8.4 8.79 9.2 9.4 9.63 10.07 10.54 11.03 11.55 12.09 12.65 13.2 13.85 14.5 15.18 Max (GHz) 7.16 7.49 7.84 8.21 8.59 8.99 9.41 9.6 9.85 10.31 10.79 11.29 11.81 12.36 12.94 13.5 14.17 14.83 15.52 Output buffer Po RLout(RF) Typ Max (dBm) (dB) -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 -5 -10 Input Si Min (dBm) -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 Frequency band C C C C. X X X X X X X Ku Ku Ku Ku Ku Ku Ka Ka Ka * ご要望に応じてリリースしますので、最寄のNXP営業所または正規代理店までご相談ください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 89 RF MOS トランジスタ 3.5 3.5.1 JFET JFETのセレクションガイドは www.nxp.com/rffetsをご覧ください 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適した接合型電界効 果トランジスタを選択できます。 NXPのJFETが選ばれる理由： ` 信頼性の高い量産サプライヤ ` 短納期対応 ` 豊富なポートフォリオ スイッチング用Ｎチャンネル接合型電界効果トランジスタ Type Package BSR56 BSR57 BSR58 PMBFJ108 PMBFJ109 PMBFJ110 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBF4391 PMBF4392 PMBF4393 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 VDS IG (V) max 40 40 40 25 25 25 40 40 40 40 40 40 (mA) max 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 I DSS (mA) min max 50 20 100 8 80 80 40 10 20 5 2 50 150 25 75 5 30 Vgsoff (V) min max 4 10 2 6 0.8 4 3 10 2 6 0.5 4 3 10 1 5 0.5 3 4 10 2 5 0.5 3 CHARACTERISTICS RDSON C rs (Ω) (pF) max min max 25 5 40 5 60 5 8 15 12 15 18 15 30 typ.3 50 typ.3 100 typ.3 30 3.5 60 3.5 100 3.5 t on (ns) typ 4 4 4 13 13 13 - t off (ns) max 15 15 15 typ 6 6 6 35 35 35 - max 25 50 100 20 35 50 スイッチング用Ｐチャンネル接合型電界効果トランジスタ Type Package PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 90 VDS IG (V) max 30 30 30 30 (mA) max 50 50 50 50 I DSS (mA) min max 20 135 7 70 2 35 1.5 20 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Vgsoff (V) min max 5 10 3 6 1 4 0.8 2.25 CHARACTERISTICS RDSON C rs (Ω) (pF) max min max 85 typ.4 125 typ.4 250 typ.4 300 typ.4 t on (ns) typ 7 15 35 45 t off (ns) max - typ 15 30 35 45 max - 汎用RFアプリケーション用Ｎチャンネル接合型電界効果トランジスタ Package VDS IG (V) max (mA) max I DSS (mA) min max CHARACTERISTICS Vgsoff |Yfs| (V) (mS) min max min max DC, LF, and HF amplifiers BF545A SOT23 30 10 2 6.5 0.4 7.5 BF545B SOT23 30 10 6 15 0.4 7.5 BF545C SOT23 30 10 12 25 0.4 7.5 BF556A SOT23 30 10 3 7 0.5 7.5 BF556B SOT23 30 10 6 13 0.5 7.5 BF556C SOT23 30 10 11 18 0.5 7.5 Pre-amplifiers for AM tuners in car radios BF861A SOT23 25 10 2 6.5 0.2 1.0 BF861B SOT23 25 10 6 15 0.5 1.5 BF861C SOT23 25 10 12 25 0.8 2 BF862 SOT23 20 10 10 25 0.3 2 RF stages FM portables, car radios, main radios & mixer stages SOT23 20 10 0.7 3 typ. 0.8 BF510 (1) SOT23 20 10 2.5 7 typ. 1.5 BF511(1) SOT23 20 10 6 12 typ. 2.2 BF512(1) SOT23 20 10 10 18 typ. 3 BF513 (1) Low-level general-purpose amplifiers BFR30 SOT23 25 5 4 10 <5 BFR31 SOT23 25 5 1 5 < 2.5 General-purpose amplifiers BFT46 SOT23 25 5 0.2 1.5 < 1.2 AM input stages UHF/VHF amplifiers PMBFJ308 SOT23 25 50 12 60 1 6.5 PMBFJ309 SOT23 25 50 12 30 1 4 PMBFJ310 SOT23 25 50 24 60 2 6.5 PMBFJ620 SOT363 25 50 24 60 2 6.5 C rs (pF) min max 3 3 3 4.5 4.5 4.5 6.5 6.5 6.5 - 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 - 12 16 20 35 20 25 30 - 2.1 2.1 2.1 typ=1.9 2.7 2.7 2.7 - 0.4 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 1.5 1.5 - >1 1.5 - > 10 > 10 > 10 10 1.3 1.3 1.3 1.3 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 4 6 7 1 1.5 4 4.5 機能別製品 Type 非対称 (1) 3.5.2 MOSFET RF MOSFETのセレクションガイドは www.nxp.com/rffetsをご覧ください 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したRF MOSFETを選択できます。 NXPのMOSFETが選ばれる理由： ` ` ` ` ` ` ` TVチューニング用レファレンス設計 短納期対応 豊富なポートフォリオ 最小パッケージ チューナーアプリケーション用2-in-1 FET 信頼性の高い量産供給 TVチューニングに最高のパフォーマンスを発揮するMOSFET スイッチング向けN-チャンネル、シングル MOSFET VDS Type Package BSS83 SOT143 Silicon RF Switches BF1107 SOT23 BF1108 SOT143B BF1108R SOT143R BF1108W SOT343 BF1108WR SOT343R BF1118 SOT143B BF1118R SOT143R BF1118W SOT343 BF1118WR SOT343R (V) max 10 ID (mA) max 50 3 3 3 3 3 3 3 3 3 10 10 10 10 10 10 10 10 10 I DSS (mA) min max - 100 100 100 100 100 100 100 100 100 VGS(th) (V) min max 0.1 2 - 7 7 7 7 7 7 7 7 7 RDSON (Ω) max 45 20 20 20 20 20 22 22 22 22 Characteristics C rs t on (pF) (ns) min max typ max typ.0.6 1 - - - - t off (ns) typ - max 5 |S21(on)|2 (dB) max - - - 2.5 3 3 3 3 3 3 3 3 |S21(off)|2 (dB) min - MODE 30 30 30 30 30 30 30 30 30 depl. depl. depl. depl depl depl depl depl depl enh. 太字 = 推奨製品 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 91 N-チャンネル、デュアルゲートMOSFET Type Package With external bias BF908 SOT143 BF908R SOT143R BF908WR SOT343R BF991 SOT143 BF992 SOT143 BF994S SOT143 BF996S SOT143 BF998 SOT143 BF998R SOT143R BF998WR SOT343R Fully internal bias BF1105 SOT143 BF1105R SOT143R BF1105WR SOT343R Partly internal bias BF904A SOT143 BF904AR SOT143R BF904AWR SOT343R BF909A SOT143 BF909AR SOT143R BF909AWR SOT343R SOT363 BF1102(R)(4) BF1201 SOT143 BF1201R SOT143R BF1201WR SOT343R BF1202 SOT143 BF1202R SOT143R BF1202WR SOT343R BF1203 (5) SOT363 BF1204(4) SOT363 BF1206(5) SOT363 BF1207(5)(7)(8) SOT363 BF1208 (5)(6)(7) SOT666 BF1208D (5)(6)(7) SOT666 BF1210 (5)(6) SOT363 BF1211 BF1211R BF1211WR BF1212 BF1212R BF1212WR BF1214 (4) SOT143 SOT143R SOT343 SOT143 SOT143R SOT343 SOT363 BF1218 (5)(6)(7) SOT363 Characteristics |Yfs| C is C os (mS) (pF) (pF) min max typ typ VDS ID (V) max (mA) max 12 12 12 20 20 20 20 12 12 12 40 40 40 20 40 30 30 30 30 30 3 3 3 4 4 4 2 2 2 27 27 27 25 20 20 18 18 18 - -2 -2 -2 -2.5 -1.3 -2.5 -2.5 -2.0 -2.0 -2.5 36 36 36 10 20 15 15 21 21 22 50 50 50 - 3.1 3.1 3.1 2.1 4 2.5 2.3 2.1 2.1 2.1 7 7 7 30 30 30 8 8 8 16 16 16 0.3 0.3 0.3 1.2 1.2 1.2 25 25 25 - 7 7 7 7 7 7 7 10 10 10 10 10 10 10 10 10 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 30 30 30 40 40 40 40 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 8 8 8 12 12 12 12 11 11 11 8 8 8 11 8 8 14 9 13 9 14 9 14 10 14 9 11 11 11 8 8 8 13 14 10 13 13 13 20 20 20 20 19 19 19 16 16 16 19 16 16 23 17 23 19 24 17 24 20 24 17 19 19 19 16 16 16 23 24 20 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 1 1 1 1 1 1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.0 1.0 1.0 1.0 1 1 1 1 1 1 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1 1 22 22 22 36 36 36 36 23 23 23 25 25 25 23 25 25 33 29 25 26 26 28 26 25 26 28 25 25 25 28 28 28 25 26 25 30 30 30 50 50 50 35 35 35 40 40 40 35 40 40 48 44 40 41 41 43 41 40 41 43 40 40 40 43 43 43 35 41 40 I DSX (mA) min max VGS(th) (V) min max F @ 800 MHz (dB) typ VHF 1.7 1.7 1.7 1.1 2 1 0.8 1.05 1.05 1.05 1.5 1.5 1.5 1 1.2(1) 1(1) 1.8 1 1 1 X X X X X X X X X X X X X X X X 2.2(3) 2.2(3) 2.2(3) 1.2(2) 1.2(2) 1.2(2) 1.7 1.7 1.7 X X X X X X 2.2 2.2 2.2 3.6 3.6 3.6 2.8(3) 2.6 2.6 2.6 1.7 1.7 1.7 2.6 1.7 1.7 2.4 1.7 2.2 1.8 2.2 2 2.1 2.1 2.2 2 2.1 2.1 2.1 1.7 1.7 1.7 2.2 2.1 2.1 1.3 1.3 1.3 2.3 2.3 2.3 1.6(2) 0.9 0.9 0.9 0.85 0.85 0.85 0.9 0.85 0.85 1.1 0.85 0.9 0.8 0.9 0.85 0.8 0.85 0.9 0.85 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 0.8 0.85 2 2 2 2 2 2 2 1.9 1.9 1.9 1.1 1.1 1.1 1.9 1.1 1.1 1.6 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.1 1.4 1.4 1.4 1.3 1.3 1.3 1.1 1.1 1.1 1.4 1.1 1.4 X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X - X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X UHF (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) @ 200 MHz C OSS C ig 2つの同じデュアルゲート MOSFETを1つのパッケー ジに 2つの低ノイズ利得アンプ を1つのパッケージに トランジスタA:完全内蔵 バイアス、トランジスタ B:一部内蔵バイアス 内部スイッチング機能 トランジスタA:一部内蔵 バイアス、トランジスタ B:完全内蔵バイアス セット・トップ・ボックス向けN-チャンネル、デュアルゲートMOSFET Characteristics Package Type BF1215 (1)(2)(3) SOT363 BF1216(1) SOT363 BF1217 SOT343 VDS ID (V) max 6 (mA) max 30 30 30 30 30 6 (mA) max 19.5 23 19.5 23 23 2つの低ノイズ利得アンプを1つのパッケージに トランジスタA:完全内蔵バイアス、トランジスタB:一部内蔵バイアス 内部スイッチング機能 太字 = 推奨製品 (1) (2) (3) 92 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 V(th)gs IDSX (V) min 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 max 1 1 1 1 1 |Yfs| Cis COS (mS) typ 27 27 27 27 27 (pF) typ 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 (pF) typ 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 F@ 800 MHz (dB) typ 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 X-Mod @ 40 dB gain reduction (dB) typ 107 107 107 107 107 3.6 RFモジュール CATVモジュールのセレクションガイドは、www.nxp.com/catvをご覧 ください 。 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したCATVモジュ ールを選択できます。 NXPのRFモジュールが選ばれる理由： ` 優れたリニアリティ、安定性、および信頼性 ` 堅牢な構成 ` 超低ノイズ ` 高い電力利得 ` 低い総所有コスト Cタイプ（中国） ` CATVプッシュ・プル、セクション3.6.2:BGY588C、BGE788C、 CGY888C ` CATVパワーダブラー、セクション3.6.3: BGD712C, CGD982HCi,CGD985HCi, CGD987HCi ` CATV光レシーバー、セクション3.6.4:BGO807C、BGO807CE 中国向けCATVタイプ(Cタイプ)および1 GHz GaAs HFETラインナップ C タイプは、特に中国市場向けに設計されており、2つの政府プロ ジェクトに向けたものです。全世界に向けたハイエンド・アプリケー ション用として、GaAs HFET ファミリーには1 GHz ラインナップが 含まれます。 1 GHz GaAs HFET ハイエンド・ハイブリッド ` CATVプッシュ・プル、セクション3.6.2:CGY1032、CGY1041、 CGY1043、CGY1047、CGY1049 CATV プッシュ・プル Type Frequency range (MHz) (1) Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (2) RLIN/RLOUT (dB) CTB (dB) (3) 40-550 33.5 - 35.5 18 - 19 33.2 - 35.2 21 - 22 28.5 - 29.5 16.5 - 17.5 16.5 - 17.5 18 - 19 21 - 22 34.5 - 36.5 33.5 - 34.5 28.5 - 29.5 33.5 - 34.5 0.2 - 1.7 0-2 0.3 - 2.3 0 - 1.5 0.2 - 2.2 0.2 - 1.2 0.2 - 1.4 0-2 0.2 - 2 1.5 0.5 - 2.5 0.5 - 2.5 0.5 - 2.5 0.5 0.1 0.6 0.2 0.45 0.5 0.3 0.2 0.2 0.25 0.5 0.5 0.2 16 / 16 20 / 20 16 / 16 20 / 20 20 / 20 14 / 14 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 -57 -54.5 -49 -54.5 -48 BGY588C BGY785A BGE788C BGY787 BGE787B BGE885 BGX885N BGY885A BGY887 CGY888C BGY835C BGY887B BGY888 3.6.2 機能別製品 3.6.1 ` CATVパワーダブラー、セクション3.6.3:CGD1040Hi、CGD1042Hi、 CGD1044Hi、CGD1046Hi、CGD1042H、CGD1044H 40-750 40-870 -65 -64.5 -65 -60 -60 -63.5 X mod (dB) (3) -57.5 -54 -52 -65 -64.5 -72 -60 -63 CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) -62 -62 -52 -57.5 -56 77 110 110 110 110 44 44 44 44 44 -67 -67.5 -63 -55 -60 -64 49 49 112 49 49 49 44 44 44 44 44 44 8 6 8 5 6.5 8 8 6 5 4 7 6.5 5.5 345 225 325 220 340 240 240 225 220 280 340 340 325 CATVプッシュ・プル1GHz Frequency range (MHz) (1) RLIN/RLOUT CTB FL X mod CSO (dB) (1) (dB) (3) (dB) (3) (dB) (3) (dB) @ Vo NF @ fmax (dB) (dBmV) Itot (mA) Gain (dB) Slope (dB) CGY1041 21 - 22.5 1.2 - 2.7 0.9 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.3 CGY1043 23 - 24.5 1.2 - 2.7 0.9 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.2 265 CGY1047 27 - 28.5 1.5 - 2.5 0.8 20 / 18 -64 -60 -66 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.5 250 Type CGY1049 40 - 1003 @ Ch 265 29 - 31 0.85 - 2.35 0.85 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.5 265 CGY1032 32 - 34 1.05 - 2.55 0.85 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.4 265 BGY1085A 18 - 19 0-2 0.3 20 / 20 -53 -54 -56 150 40 7.5 240 太字 = 推奨製品 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 93 3.6.3 CATV パワーダブラー Frequency range (MHz) (1) Type BGD712 BGD712C BGD714 BGD812 BGD814 BGD816L CGD942C CGD944C CGD1040HI CGD1042HI CGD1044HI CGD1046HI CGD1042H CGD1044H CGD982HCI CGD985HCI CGD987HCI 3.6.4 40 - 870 40 - 1003 Slope (dB) FL (dB) (1) 18.2 - 18.8 18.2 - 18.8 20 - 20.6 18.2 - 18.8 19.7 - 20.3 21.2 - 21.8 22 - 24 24 - 26 19.5 - 22 22 - 23.5 23.5 - 25.5 26.5 - 28 22 - 24 24 - 26 22 - 24 23.5 - 25.5 26 - 28 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 0.4 - 1.4 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 1-2 1-2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.7 - 2.2 1.5 1 0.5 - 2 0.5 - 2 0.7 - 2 0.35 0.35 0.35 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1 1 1 1 0.5 0.5 1 1 1 RLIN/RLOUT CTB (dB) (3) (dB) 17 / 17 17 / 17 23 / 23 25 / 23 25 / 24 22 / 25 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 21 20 / 21 20 / 20 20 / 20 20 / 20 X mod (dB) (3) -62 -62 -61 -57 -56 -55 -66 -66 -70 -70 -70 -75 -75 -75 -66 -66 -66 -62 -62 -61 -58 -66 -66 -66 -65 -64 -68 -67 -67 -68 -68 -68 CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) -63 -63 -62 -58 -57 -56 -66 -66 -76 -75 -75 -70 -76 -76 -69 -69 -66 112 112 112 132 132 132 98 98 79 79 79 79 79 79 98 98 98 44 44 44 44 44 44 48 48 58.4 58.4 58.4 56.4 59 59 48 48 48 7 7 7 7.5 7.5 7.5 3.5 3.5 5.5 5.5 5 5 5 5 5.5 5 5 395 410 395 395 395 360 450 450 440 440 440 450 450 450 440 440 440 -63 CATV 光レシーバー Type BGO807C BGO807CE 3.6.5 40 - 750 Gain (dB) Frequency range (MHz) (1) S (V/W) (4) Slope (dB) FL (dB) (1) RLOUT (dB) IMD3 (dB) (3) IMD2 (dB) (3) @ fmeasured (MHz) @ Pi(opt) (mW) NF @ fmax (dB) Itot (mA) Connectors 40 - 870 750 750 0-2 0-2 1 1 11 11 -71 -69 -55 -53 854.5 854.5 1 1 8.5 8.5 205 205 FC and SC FC and SC CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) 4 14 22 22 28 50 48 50 50 50 3.5 5 5.5 5.5 5.5 135 135 215 215 160 CATV リバースハイブリッド Type BGY68 BGY66B BGY67 BGY67A BGR269 Frequency range (MHz)(1) Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (1) RLIN/RLOUT (dB) CTB (dB) (3) X mod (dB) (3) 5 - 75 5 - 120 29.2 - 30.8 24.5 - 25.5 21.5 - 22.5 23.5 - 24.5 34.5 - 35.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.6 0.2 0.2 0.2 0.2 0.5 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 -68 -66 -67 -67 -57 -60 -54 -60 -59 -50 5 - 200 太字 = 推奨製品 Frequency range: データ特性(@ Ch / @ Vo)を示す最小および最大周波数（MHz） FL は周波数応答の平坦度 (3) 最大周波数における、Xmod、CSO、IMD2、IMD3特性を示すチャンネル数と出力電圧 (4) Sは、光レシーバーの最小応答を示します (1) (2) 94 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 -66 RF パワートランジスタ 3.7 新規：RFパワートランジスタのセレクションガイドは、 www.nxp.com/rfpowerをご覧ください。 使いやすいパラメータフィルタで、あなたの設計に適したRFパワー トランジスタを選択できます。 3.7.1 ベースステーション用RFパワートランジスタ ベース・ステーション向けRFパワートランジスタの品番体系 22 L S -45 P R B N G V video bandwidth enhanced gullwing-shaped leads specialty option: current sense lead enhanced ruggedness push-pull device P1dB power option: earless package option: low thermal resistivity operating frequency (in 100MHz; maximum) G: standard LDMOS LDMOS technology generation F: LDMOS transistor in ceramic package C: LDMOS transistor in air cavity plastic (ACP) package D: fully integrated Doherty amplifier M: MMIC module L: high frequency power transistor B: semiconductor die made of Si 機能別製品 B L F 6 G ベースステーション向けNXPのRFパワートランジスタが選ばれる理由 ` 業界をリードするテクノロジー(第 6 、7および第8世代のLDMOS) ` 最高効率 ` 最高の耐久性 ` 最先端のドハティアンプ設計 ` 非常に広帯域（ビデオ帯域拡張済み） ` 業界初の 3.8 GHz ドハティ ` 業界初の3ウェイ 900 MHz ドハティ ` 業界初の 50V、600W、シングルパッケージドハティ NXP では、800 MHz から3.8 GHz までで動作するベースステーション用RFパワートランジスタの完全なラインナップを提供 しています。すべてのセルラー技術(MC-GSM/EDGE、TDMA、(TD-S)CDMA、W-CDMA/UMTS、LTE) とWiMAX インフラに 対応しています。 3.7.1.1 0.7 - 1.0 GHz ラインアップ Type BLP7G22-10* BLM6G10-30(G) BLF6G10L-40BRN BLF6G10(S)-45 BLP7G07S-140P(G)* BLF8G10L(S)-300P* BLF8G10L(S)-160 BLF7G10L(S)-250 BLF6G10(LS)-200RN BLF6G10(LS)-135RN BLF6H10L(S)-160 BLF6G10(LS)-160RN BLF8G10L(S)-160V* BLF8G10LS-200GV* BLF6G10L(S)-260PRN BLF8G10LS-270GV* BLF8G10LS-400PGV* BLP7G09S-140P(G)* Product Driver MMIC Driver/final Final Test signal performance fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 700 920 700 700 700 850 920 920 688 700 700 700 700 700 700 700 700 900 2200 960 1000 1000 900 960 960 960 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 10 30 40 45 140 300 160 250 200 135 160 160 160 200 260 270 400 140 Matching VDS (V) PL (W) BO (dB) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package I/O I I O I/O I/O I/O I I I I/O I/O I I/O I/O O 28 28 28 28 28 28 30 30 28 28 50 32 30 28 28 28 28 28 2 2 2.5 1 35 60 35 60 40 26.5 45 32 35 45 40 56 79 35 7.0 11.8 12.0 16.5 6.0 7.0 6.6 6.2 7.0 7.1 5.5 7.0 6.6 6.5 8.1 6.8 7.0 6.0 26 11.5 15 8 28 30 29 30.5 28.5 28 30 27 28 28 26.5 28 27 28 17 29 23 23 19 19 19.7 19.5 20 21 20 22.5 30 19.3 22 19.6 19.4 19 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT822 SOT1112A SOT608 SOT1224 SOT539 SOT502 SOT502 SOT502 SOT502 SOT467 SOT502 SOT1244 SOT1244C SOT539 SOT1244C SOT1242C SOT1224 赤の太字 = 新製品、推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 95 3.7.1.2 1.4 - 1.7 GHz ラインアップ Test signal performance Type Product BLF6G21-10G BLP7G22-10 BLF6G15L-40BRN BLF6G15L(S)-40RN* BLF7G15LS-200 BLF6G15L-250PBRN BLF7G15LS-300P 3.7.1.3 Type Driver Driver/final Final Type Product P1dB (W) 1 700 1450 1450 1450 1450 1450 2200 2200 1550 1550 1550 1550 1550 10 10 40 40 200 250 300 Matching VDS (V) PL (W) BO (dB) I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 0.7 2 2.5 2.5 50 60 85 11.5 7.0 12.0 12.0 6.0 6.2 5.5 fmin (MHz) 1 700 1800 1427 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1805 1805 fmax (MHz) 2200 2200 2000 2170 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 1900 2000 2000 1990 1880 VDS (V) 28 28 28 28 28 28 28 28 30 28 28 28 28 28 28 28 PL (W) 0.7 2 2.5 40 29.5 25 35.5 60 40 55 65 50 50 56 55 70 BO (dB) 11.5 7.0 12.6 3.5 4.1 6.4 6.0 3.7 6.5 5.6 5.5 7.2 7.3 6.8 5.6 5.5 ηD (%) 15 26 14 41 37.5 32 30 41 27 33 32 44 25 28 33 35 Gp (dB) 18.5 17 19.2 19.5 19 19 16.5 17.5 17.2 17.5 17.5 15.5 17.8 19.4 18 18 Test signal Package 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA GSM EDGE GSM EDGE 2-c WCDMA 2-c WCDMA GSM EDGE 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT538A SOT1179 SOT608 SOT1121 SOT502 SOT502 SOT502B SOT1121B SOT502 SOT1120 SOT539B SOT539B SOT1244C SOT1242C SOT502 SOT539 2010 2025 28 8 8.0 43 14.5 TD-SCDMA SOT1130 Product fmin (MHz) 1 700 1800 1800 2110 2000 2000 2100 2000 1800 1800 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2110 2110 fmax (MHz) 2200 2200 2200 2200 2170 2200 2200 2200 2200 2050 2050 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2170 2170 VDS (V) 28 28 26 26 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 32 30 28 28 28 28 28 PL (W) 0.7 2 6 30 13.5 2.5 2.5 2 3.2 45 45 17 25 20 30 30 43 55 50 40 48 50 50 55 70 BO (dB) 11.5 7.0 0.0 0.0 4.7 12.0 12.6 11.8 12.7 5.5 5.5 6.4 6.0 7.0 6.4 6.4 5.7 4.6 5.6 6.5 6.2 7.3 9.0 5.6 5.5 ηD (%) 15 26 39 35 30 16 13 9 10 34 34 30.5 29 28.5 28.5 32 30 30 27.5 25 28 26 26 31 31 Gp (dB) 18.5 17 15.5 13.5 19 19 18.5 29.5 30 18 18 18.7 18.5 19.1 17 18.5 18 18.5 17.5 16 20.2 17.8 18 18.5 18.5 Test signal Package 2-c WCDMA 2-c WCDMA CW CW 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT538A SOT1179 SOT538A SOT467C SOT1121 SOT1112A SOT608 SOT822 SOT1212 SOT1121B SOT1121 SOT502B SOT502B SOT1121B SOT502B SOT502 SOT502B SOT1120B SOT539 SOT502 SOT1244C SOT1244C SOT1242C SOT502 SOT539 2110 2170 28 8 8.0 40 14 TD-SCDMA SOT1130 PL (W) BO (dB) 2 20 30 30 60 7.0 7.0 6.7 7.3 5.2 ηD (%) 15 26 13 13 29 33 31 Gp (dB) Test signal Package 18.5 17 22 21.5 19.5 18.5 18 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT538A SOT1179 SOT1112A SOT1135 SOT502B SOT1110A SOT539B Test signal performance P1dB Matching (W) 10 10 45 I/O 90 I/O 75 I/O 110 I/O 140 I/O 140 I/O 180 I/O 200 I/O 230 I/O 260 I/O 270 I/O 270 I/O 200 I/O 250 I/O 50 O 2.0 - 2.2 GHz ラインアップ BLF6G21-10G BLP7G22-10* Driver BLF3G21-6 BLF3G21-30 BLF6G22L(S)-40P BLF6G22L-40BN Driver/final BLF6G22(S)-45 BLM6G22-30(G) MMIC BLM7G22S-60PB(G)* BLF7G21LS-160 BLF7G21L(S)-160P BLF6G22LS-75 BLF6G22LS-100 BLF7G22L(S)-100P BLF6G22LS-130 BLF7G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-160 Final BLF8G22LS-160BV* BLF6G22(LS)-180PN BLF6G22(LS)-180RN BLF8G22LS-200GV* BLF8G22LS-270GV* BLF8G22LS-400PGV* BLF7G22L(S)-200 BLF7G22L(S)-250P Integrated BLD6G22L(S)-50 Doherty 3.7.1.5 fmax (MHz) 1.8 - 2.0 GHz ラインアップ BLF6G21-10G Driver BLP7G22-10 BLF6G20(S)-45 Driver/final BLF7G20L(S)-90P BLF6G20(LS)-75 BLF6G20(LS)-110 BLF6G20LS-140 BLF7G20LS-140P BLF6G20(LS)-180RN Final BLF8G20L(S)-200V* BLF6G20S-230PRN BLF7G20LS-260A* BLF8G20LS-270GV* BLF8G20LS-270PGV* BLF7G20L(S)-200 BLF7G20L(S)-250P Integrated BLD6G21L(S)-50 Doherty 3.7.1.4 fmin (MHz) Test signal performance P1dB Matching (W) 10 10 6 30 40 I/O 40 I/O 45 I/O 30 I/O 60 I/O 160 I/O 160 I/O 75 I/O 100 I/O 100 I/O 130 I/O 130 I/O 160 I/O 160 I/O 180 I/O 180 I/O 200 I/O 270 I/O 400 I/O 200 I/O 250 I/O 50 I/O 2.3 - 2.4 GHz ラインアップ Test signal performance Type Product BLF6G27-10(G) Driver BLF7G24L(S)-100 BLF7G24L(S)-140 Final BLF7G24L(S)-160P* BLF8G24L(S)-200P* 赤の太字 = 新製品、推奨製品 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) 2300 2300 2300 2300 2300 2700 2400 2400 2400 2400 10 100 140 160 200 I I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 96 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 ηD (%) 20 27 26.5 27.5 30 Gp (dB) Test signal Package 19 18 18.5 18.5 16.5 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 1-c WCDMA SOT975 SOT502 SOT502 SOT539 SOT539 2.5 - 2.7 GHz ラインアップ Type Product BLF6G27-10(G) Driver BLF6G27L(S)-40P BLF6G27(S)-45 Driver/final BLF6G27L(S)-50BN BLF7G27L(S)-75P BLF6G27(LS)-75 BLF7G27L(S)-90P BLF7G27LS-90PG* BLF6G27(LS)-100 BLF7G27L(S)-100 BLF6G27(LS)-135 BLF7G27L(S)-140 Final BLF8G27LS-140 BLF8G27LS-140G* BLF7G27L(S)-150P BLF8G27LS-200PGV* BLF8G27LS-280PGV* BLF8G27LS-140V* BLF7G27L-200PB 3.7.1.7 fmax (MHz) 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 Test signal performance P1dB Matching (W) 10 I 40 I/O 45 I/O 50 I/O 75 I/O 75 I/O 90 I/O 90 I/O 100 I/O 100 I/O 135 I/O 140 I/O 140 I/O 140 I/O 150 I/O 200 I/O 280 I/O 140 I/O 200 I/O VDS (V) 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 28 28 28 28 28 28 32 32 PL (W) 2 20 7 3 12 9 16 16 14 25 20 30 50 50 30 32 50 45 65 BO (dB) 7.0 3.0 8.1 12.2 8.0 9.2 7.5 7.5 8.5 6.0 8.3 6.7 4.5 4.5 7.0 8.0 7.5 4.9 4.9 VDS (V) 28 28 28 28 PL (W) 2 4.5 9 18.5 BO (dB) 7.0 7.4 7.4 7.3 3.5 - 3.8 GHz ラインアップ Type Product BLF6G38-10(G) BLF6G38(S)-25 BLF6G38(LS)-50 BLF6G38(LS)-100 3.7.1.8 fmin (MHz) 2300 2500 2500 2500 2300 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2600 2600 Driver Driver/final Final fmin (MHz) 3400 3400 3400 3400 fmax (MHz) 3600 3800 3800 3600 P1dB (W) 10 25 50 100 Matching I/O I/O I/O I/O ηD (%) 20 37 24 14.5 26 23 29 27.5 23 28 22.5 22 31 31 26 23 21 30 29 Gp (dB) 19 17.5 18 16.5 17 17 18.5 17.5 17 18 16 16.5 18 18 16.5 17 16.4 16.5 16.5 Test signal Package N-CDMA/IS95 1-c WCDMA N-CDMA/IS95 2-c WCDMA N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 1-c WCDMA N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 N-CDMA/IS95 2-c WCDMA 2-c WCDMA N-CDMA/IS95 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT975 SOT1121 SOT608 SOT1112 SOT1121 SOT502 SOT1121 SOT1121C SOT502 SOT502 SOT502 SOT502 SOT502B SOT502E SOT539 SOT1242C SOT1242C SOT1244B SOT1110A Test signal performance Gp ηD Test signal (dB) (%) 20 14 N-CDMA/IS95 24 15 N-CDMA/IS95 23 14 N-CDMA/IS95 21.5 13 N-CDMA/IS95 Package SOT975 SOT608 SOT502 SOT502 パワーLDMOSドハティ設計 PPEAK (dBm) POUT-AVG (dBm) VDS (V) Gain (dB) Drain efficiency (%) Type Main transistor Peak transistor 55.5 57.2 58 47 49.5 50 28 32 32 19 20 20.5 42 42 47 SYM SYM SYM 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN 46 52 52.7 54.7 55.1 56.2 56.6 57 57.1 57.1 57.2 57.3 57.5 38 44 44.5 47.5 47.1 48 50 49.2 49 49 49.3 49.3 50.8 28 28 28 28 28 28 30 28 30 28 28 30 30 24 20 15 17.3 20.5 18.5 18.8 15.8 16.1 15 16.5 16 18 51 48 50 48 44 40 44.5 48 46.7 48 49.5 50 48.8 SYM SYM 3-WAY SYM SYM SYM SYM SYM ASYM 3-WAY SYM ASYM ASYM BLF6G21-10G BLF6G10S-45 BLF6G10S-45 BLF6G10LS-135RN 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-200RN BLF7G10LS-250 BLF8G10LS-160 BLF8G10LS-160 BLF7G10LS-250 BLF8G10LS-160 BLF6G10LS-200RN BLF6G21-10G BLF6G10S-45 2x BLF6G10S-45 BLF6G10LS-135RN 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-200RN BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 2x BLF8G10LS-160 BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 925-960 57.7 869-894 57.9 869-894 58 869-894 58.9 925-960 58.9 869-894 59.2 1476-1555 MHz 1526-1555 56.6 1476-1511 58.1 1476-1511 58.6 1805-1880 MHz (DCS) 1805-1880 48 1805-1880 50 1805-1880 52.5 1845-1880 52.6 1805-1880 54 1805-1880 55 1805-1880 55.4 1805-1880 55.5 1805-1880 56.1 1805-1880 56.5 49.7 52 50 52 50.9 50.4 28 28 32 28 32 28 20.5 18.2 20.5 16.1 22 16 40 50.1 46 49.1 47 52 SYM / MPPM SYM / MMPP SYM ASYM SYM / MMPP 3-WAY BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-260PRN BLF6G10-200RN BLF6G10LS-200RN BLF6G10L(S)-260PRN BLF7G10LS-250 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-260PRN BLF6G10-200RN 2x BLF7G10LS-250 BLF6G10L(S)-260PRN 2x BLF7G10LS-250 48.6 49.6 50.6 28 28 32 18.4 16 16.5 42 42 42 SYM ASYM SYM BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-200 BLF6G15LS-250PBRN BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-300P BLF6G15LS-250PBRN 40 42.8 44.5 45 47 49 47.5 47 48.1 49 28 28 28 28 28 28 31 28 30 28 15.4 15.8 16 14.5 16 15.5 16.3 16 15.2 32 42.4 48 44 46.5 49 47 49 41 48 45.5 SYM SYM SYM SYM SYM SYM ASYM SYM ASYM ASYM 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P BLF6G20LS-110 BLF7G21LS-160P BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G20L(S)-250P BLF7G20LS-90P BLF6G21-10G 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P BLF6G20LS-110 BLF7G21LS-160P BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G20L(S)-250P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 Freq band (MHz) 728-821 MHz 790-821 790-821 728-768 869-960 MHz 920-960 869-894 869-894 920-960 920-960 920-960 920-960 920-960 920-960 920-960 869-894 920-960 869-894 赤の太字 = 新製品、推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 97 機能別製品 3.7.1.6 PPEAK (dBm) 1805-1880 57.1 1805-1880 57.5 1805-1880 57.5 1805-1880 57.8 1805-1880 57.9 1805-1880 58.2 1805-1880 58.6 1805-1880 58.7 1930-1990 MHz (PCS) 1930-1990 53 1930-1990 54.3 1930-1990 55.2 1930-1990 55.5 1930-1990 55.7 1930-1990 56 1930-1990 56 1930-1990 57 1930-1990 57 Freq band (MHz) POUT-AVG (dBm) 49 49.5 50.5 50.4 50 50 51 51 VDS (V) 28 30 28 30 32 28 28 30 Gain (dB) 14.3 16 14 16 15.5 16 16 15.8 Drain efficiency (%) 45.1 42 48 41.5 37 42 47.6 47 Type Main transistor Peak transistor 3-WAY SYM ASYM SYM SYM / MMPP SYM MPPM 3-WAY 3-WAY BLF7G21LS-160P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF6G20-230PRN BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 2x BLF7G21LS-160P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P BLF6G20-230PRN BLF7G20LS-250P 2x BLF7G20LS-200 2x BLF7G20LS-200 45 47.4 47.2 47.5 49 48 48 49 49.5 28 28 28 28 28 31 28 30 28 16.5 16.7 16 14.5 14.5 15.3 14.8 17.2 15.1 40 48.2 40 46 48 38 45 41 46 SYM SYM SYM ASYM ASYM SYM ASYM SYM ASYM BLF6G20-75 BLF6G20LS-110 1/2 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-90P BLF7G21LS-160P BLF6G20LS-140 BLF7G20LS-140P BLF7G20LS-200 BLF7G21LS-160P BLF6G20-75 BLF6G20LS-110 1/2 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 BLF6G20LS-140 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 2x BLF7G21LS-160P 50 49.1 50.5 28 28 30 16 32 15.7 40 42.3 43 SYM ASYM 3-WAY BLF7G20LS-250P BLF6G21-10G BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-200 2x BLF7G20LS-200 39 42 42 44.5 44 44.5 28 28 28 28 28 28 14.4 17 17.2 15.2 15.6 16 41 46 47.2 41.5 43 44 SYM SYM SYM SYM SYM SYM BLD6G21L(S)-50 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P BLD6G21L(S)-50 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 39 40 40.5 46.5 47 47 47 46.4 49 47.9 48 48.5 49 49.2 50 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 13 17 17.2 16.5 17 17 15.5 15 14.5 17.3 15 16.2 14.2 16 17.5 38 44 46 43 43 43 38 43 47 42 48 41 46 47 40 SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM SYM 3-WAY SYM ASYM 3-WAY SYM BLD6G22L(S)-50 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF6G22L-40P BLF6G22LS-100 BLF7G22L(S)-130 1/2 BLF7G22LS-250P BLF6G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-130 BLF7G22LS-130 BLF7G22LS-160 BLF7G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-200 BLF7G22LS-160 BLF7G22LS-160 BLF7G22LS-250P BLD6G22L(S)-50 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF6G22L-40P BLF6G22LS-100 BLF7G22L(S)-130 1/2 BLF7G22LS-250P BLF6G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-200 BLF7G22LS-200 BLF7G22LS-160 2x BLF7G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-200 BLF7G22LS-200 2x BLF7G22L(S)-160 BLF7G22LS-250P 42 45 47 47.5 48.5 48.5 28 28 28 28 30 30 14.6 15 15.5 15.2 15 15 44 42.3 45 44 40 42 SYM SYM SYM ASYM SYM 3-WAY 1/2 BLF7G27L(S)-75P 1/2 BLF7G24LS-160P BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-140 BLF7G24LS-100 1/2 BLF7G27L(S)-75P 1/2 BLF7G24LS-160P BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-140 BLF7G24LS-140 2x BLF7G24LS-100 39 40 40 42 42 42.3 44 44 44 44.5 47 47.2 47.3 47 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 30 28 28 14.6 14.4 14.6 15 15 14.5 14 14 14 14 15.2 15 15 15 46.2 41 44 43 37.5 39 40 40 40 38 43 41 41 40.4 ASYM SYM SYM SYM SYM SYM 3-WAY 3-WAY ASYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM BLF6G27-10G 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF7G27L(S)-75P BLF6G27S-45 1/2 BLF7G27LS-90P BLF6G27-45 BLF6G27-45 BLF6G27-45 1/2 BLF7G27LS-150P BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF7G27L(S)-75P BLF6G27S-45 1/2 BLF7G27LS-90P 2x BLF6G27-45 2x BLF6G27-45 BLF6G27(LS)-100 1/2 BLF7G27LS-150P BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 43 45 28 28 11.5 10 32 30 SYM ASYM BLF6G38-50 BLF6G38LS-50 BLF6G38-50 BLF6G38LS-100 1930-1990 58.2 1930-1990 56.8 1930-1990 58.5 1805-2025 MHz (TD-SCDMA) 2010-2025 47 1880-2025 50 2010-2025 50 1805-2050 52 2010-2025 52.2 1880-1920 52.5 2110-2170 MHz (UMTS / LTE) 2110-2170 47 2110-2170 48.3 2110-2170 48.5 2110-2170 54.7 2110-2170 54.9 2110-2170 55 2110-2170 55 2110-2170 55.5 2110-2170 55.7 2110-2170 55.9 2110-2170 56 2110-2170 56.5 2110-2170 56.5 2110-2170 57.2 2110-2170 58 2300-2400 MHz (WiBRO / LTE) 2300-2400 49.5 2300-2400 53 2300-2400 54.1 2300-2400 55 2300-2400 56.2 2300-2400 56.8 2500-2700 MHz (WiMAX / LTE) 2620-2690 46.9 2580-2620 48.2 2620-2690 48.2 2570-2620 49.5 2500-2700 50 2500-2700 50.3 2500-2600 52 2600-2700 52 2600-2700 52 2500-2700 52.5 2570-2620 54.1 2620-2690 55.2 2545-2575 55.3 2570-2620 55.4 3300-3800 MHz (WiMAX) 3400-3600 51 3500-3700 52 98 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 3.7.2 ブロードキャスト / ISM用RF パワートランジスタ ブロードキャスト/ISM用向けNXPのRFパワートランジスタが選ばれる理由 ` 最高出力 ` 最高の耐久性 ` 最高のブロードバンドパフォーマンス ` クラス最高の設計サポート ` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計 NXPの世界をリードするLDMOSテクノロジーと高度なパッケージ技術により、クラス最高のパワーアンプ性能を実現すること が可能です。 すべてのブロードキャスト・テクノロジーに向けた業界で最も高い電力と耐久性を誇ります。 当社のポートフォリオは、極超短波(UHF)、超短波(VHF) 、高周波(HF) アプリケーションおよびISM周波帯に対応します。 Type Product BLF571 BLF645 BLF871(S) BLF647 BLF572XR(S)* BLF647P(S)* BLF573(S) BLF369 BLF574 BLF574XR(S)* BLF578 BLF578XR(S)* BLF861A BLF174XR(S) BLF178XR(S) Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package 10 1 1 1 10 10 10 10 10 10 10 10 470 10 10 500 1400 1000 800 500 1400 500 500 500 500 500 500 860 128 128 20 100 100 300 200 200 300 500 600 600 1200 1400 150 600 1400 50 32 40 32 50 32 50 32 50 50 50 50 32 50 50 20 100 100 150 200 200 300 500 500 600 1000 1400 150 600 1400 70 56 60 60 70 70 70 60 70 70 75 69 60 75 72 27,5 18 21 12,5 24 18 27.2 18 26.5 26 26 23 14 28 29 CW CW CW CW pulsed pulsed CW CW CW pulsed CW pulsed CW pulsed pulsed SOT467C SOT540A SOT467 SOT540A SOT1121 SOT1121 SOT502 SOT800-2 SOT539A SOT539 SOT539A SOT539 SOT540A SOT539 SOT539 機能別製品 3.7.2.1 0-1000 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS ラインアップ 3.7.2.2 UHF 470-860 MHz LDMOS ラインアップ Type Product BLF642 BLF871(S) BLF881(S) BLF878 BLF884P(S) BLF879P BLF888 BLF888A(S) BLF888B(S) Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) 1 1 1 470 470 470 470 470 470 1400 1000 1000 860 860 860 860 860 860 35 100 140 300 300 500 500 600 600 32 40 50 42 50 42 50 50 50 35 100 140 300 150 200 250 250 250 63 60 49 46 46 47 46 46 46 19 21 21 21 21 21 19 21 21 Test signal Package CW CW CW CW CW CW CW CW CW SOT467C SOT467 SOT467 SOT979A SOT1121 SOT539A SOT979A SOT539 SOT539 3.7.2.3 2.45 GHz ISM LDMOS トランジスタラインアップ Type BLF25M612(G) BLF2425M7L(S)140 BLF2425M6L(S)180P BLF2425M7L(S)200 BLF2425M7L(S)250P Product Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package 1 2400 2400 2400 2400 2500 2500 2500 2500 2500 12 140 180 200 250 28 28 28 28 28 12 140 180 200 250 60 52 55 52 55 19 17.5 12 15 15 CW CW CW CW CW SOT975 SOT502 SOT539 SOT502 SOT539 赤の太字 = 新製品、推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 99 3.7.3 航空および防衛用RF パワートランジスタ 航空および防衛用RF パワートランジスタの品番体系 B L S 6 G 2731 S -120 G option: gullwing shaped leads P1dB power S: earless package P: pallet frequency band (in 100MHz; here: 2700-3100) G: standard LDMOS (≤ 28V) H: high voltage LDMOS (50V) LDMOS technology generation A: avionics frequency band operation L: L-band frequency operation S: S-band frequency operation L: high frequency power transistor B: semiconductor die made of Si NXPのマイクロ波RFパワートランジスタが選ばれる理由 ` ` ` ` ` ` 高い利得 高効率 最高の信頼性 パルスドループおよび挿入位相の向上 耐久性の向上 – リスクなく +5 dB までオーバードライブ コンポーネント数を削減し、LおよびSバンドのレーダー設計を簡素化 ` 無害な ROHS 準拠のパッケージを使用 3.7.3.1 航空レーダー向けLDMOS トランジスタ Type Product BLA1011-2 BLA1011-10 BLA1011(S)-200R BLA6G1011-200R BLA6G1011LS-200RG BLA0912-250R BLA1011-300 BLA6H0912-500 BLA6H1011-600 BLU6H0410L(S)-600P Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package 1030 1030 1030 1030 1030 960 1030 960 1030 400 1090 1090 1090 1090 1090 1215 1090 1215 1090 1000 2 10 200 200 200 250 300 500 600 600 36 36 36 28 28 36 32 50 48 50 2 10 200 200 200 250 300 450 600 600 40 50 65 65 50 57 50 52 57 16 16 15 20 20 13.5 16.5 17 17 20 pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed SOT538A SOT467C SOT502 SOT502A SOT502 SOT502A SOT957A SOT634A SOT539A SOT539 Test signal Package pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed SOT467C SOT467C SOT1135 SOT502A SOT502A SOT502 SOT539A 3.7.3.2 Lバンド向けLDMOS トランジスタ Type Product BLL6H0514-25 BLL1214-35 BLL6H0514L(S)-130 BLL1214-250R BLL6G1214L-250 BLL6H1214L(S)-250 BLL6H1214(LS)-500 Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) 500 1200 500 1200 1200 1200 1200 1400 1400 1400 1400 1400 1400 1400 25 35 130 250 250 250 500 50 36 50 36 36 50 50 25 35 130 250 250 250 500 50 43 50 47 45 55 50 19 13 17 13 15 17 17 赤の太字 = 新製品、推奨製品 100 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 3.7.3.3 Sバンド向けLDMOS トランジスタ Type Product BLS6G2731-6G BLS6G3135(S)-20 BLS6G2735L(S)-30 BLS2933-100 BLS7G2325L-105 BLS6G2731(S)-120 BLS6G3135(S)-120 BLS6G2731S-130 BLS6G2933S-130 BLS7G2933S-150 BLS7G2729L(S)-350P BLS7G3135L(S)-350P fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package 2700 3100 2700 2900 2300 2700 3100 2700 2900 2900 2700 3100 3100 3500 3500 3300 2500 3100 3500 3100 3300 3300 2900 3500 6 20 30 100 105 120 120 130 130 150 350 350 32 32 32 32 30 32 32 32 32 32 32 32 6 20 30 100 105 120 120 130 130 150 350 350 33 45 50 40 55 48 43 50 47 47 50 43 15 15.5 13 8 16.5 13.5 11 12 12.5 13.5 13.5 10 pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed pulsed SOT975C SOT608 SOT1135 SOT502A SOT502A SOT502 SOT502 SOT922-1 SOT922-1 SOT922-1 SOT539 SOT539 Driver Final 窒化ガリウム(GaN) RF パワーアンプ 3.7.4 GaN RFパワーアンプの品番体系 evic n m n v t aN RF po er C L F 1G 0040 S # P 機能別製品 P: push-pull indicator, P = push-pull type; no P means single-ended transistor 2 to 1500: nominal P3dB in Watts: eg 50 = 50W S earless type, S = earless; no S means eared package 35 to 60: upper frequency, 10x GHz value: 35 = 3.5GHz; 60 = 6.0GHz 00 to 40: lower frequency, 10x GHz value: 00 = 0GHz or DC; 40 = 4.0GHz 1G: technology genera ion: 1G = 1st genera ion F: package style: F = ceramic, P = overmolded plastic L: high frequency power transistor C: primary material identifier: C = wide band-gap compound materials, eg GaN fmin (MHz) fmax (MHz) Pout (W) Matching VDS (V) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package Applications CLF1G0060-10* 0 6000 10 - 50 54 14 Pulsed SOT1227 Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose CLF1G0060-30* 0 6000 30 - 50 54 14 Pulsed SOT1227 Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose CLF1G0035-50* 0 3500 50 - 50 54 14.2 Pulsed SOT467 CLF1G0035-100* 0 3500 100 - 50 52 14.8 Pulsed SOT467 Type Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose Cellular, WiMAX, ISM, avionics, S-band, general purpose 3.8 ワイヤレスマイコンチップセットおよびモジュール Type Module/ single chip JN5148-001-M00 Module JN5148-001-M03 Module JN5148-001-M04 Module JN5142-J01 Single chip JN5148-J01 Single chip JN5142-001 Single chip JN5148-001 Single chip JN5148-Z01 Single chip Application 2.4-2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4-2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4-2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4-2.4835 GHz JenNet-IP 2.4-2.4835 GHz JenNet-IP 2.4-2.4835 GHz RF4CE & IEEE802.15.4 2.4-2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4-2.4835 GHz ZigBee PRO TX RX Operating current current voltage Form factor TX power Receiver sensitivity +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V +20 dBm –98 dBm 110mA 23 mA 2.7-3.6 V +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V 6 x 6 mm QFN40 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V 8 x 8 mm QFN56 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V 6 x 6 mm QFN40 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V 8 x 8 mm QFN56 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3-3.6 V 8 x 8 mm QFN56 Integral antenna 18 x 32 mm U.FL connector 18 x 30 mm U.FL connector 18 x 41 mm 赤の太字 = 新製品 推奨製品 * このタイプはまだ量産開始していないため、セクション3.1で現状を確認してください。 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 101 4. 設計サポート 本章では、当社製品の組み込みがしやすくなる各種ツール、ドキュメント、資料およびリンクをご紹介します。 4.1 NXPのRFポートフォリオ情報 4.3 製品評価 このRFマニュアル以外に、NXPテクニカルアカデミー、各種ウェブセ NXPでは、RF製品を評価し、お使いのアプリケーションのパフォー ミナーやYouTubeのNXPチャンネルで、NXPの豊富なRFポートフォリ マンスを最適化するためのサポート資料を豊富に用意しています。 オについて知ることができます。 データシートおよびアプリケーションノート NXPテクニカルアカデミーではトレーニングモジュールを提供し、 RFマニュアルの第1章には、アプリケーション図、推奨品番、および 当社の製品やアプリケーション、実践トレーニングを受けたり、観た 製品ハイライトが記載されています。 り、また認定を受けることもできます!トレーニングモジュールは、モ 第2章、製品データシートあるいは、NXP Webサイト(www.nxp.com/ バイル機器でも視聴できます。 products/all_appnotes)のアプリケーションノートセクションではア プリケーションの詳細な情報を得ることができます。 NXPでは、定期的にRFウェブセミナーを実施しています。 (www.nxp.com/news/meet-nxp/webinars-and-podcasts.html#rf) シミュレーションツール あなたの特定のアプリケーションで当社製品を評価いただくため NXPのYouTubeチャンネル(www.youtube.com/user/ に、NXPでは、小信号のSパラメータやバイアス条件に応じてカス nxpsemiconductors)には、ポートフォリオ、アプリケーション関連情 タマイズできるパラメータモデルなどの各種シミュレーションツー 報、お使いのシステムパフォーマンスを最適化するヒントと方法そ ルを用意しています。パラメータモデルは、物理ベースモデルでは の他を説明した短いビデオがあります。 有名なPhilips Researchが開発したクラス最高のMextramモデルお よびRFLDMOSモデルをベースにしています。パラメータモデルは 4.2 NXP.comの製品セレクション AC、DC、Sパラメータ、調波平衡および時間領域シミュレーション を完全サポートしています。 これらのモデルにより、設計者は開発プロセスの初期の段階で複雑 各RF製品には、NXP Web サイト上に Web ページがあります。ペー なシステムのパフォーマンスを評価することができます。 ジにアクセスするにはいくつかの方法があります：製品ツリーから、 アプリケーションエリアから、またはクロス・レファレンス検索からア モデルは、Advanced Design System (ADS)、Microwave Office クセスできます。また、Google検索バーに「nxp <製品名>」を入力 (MWO) および Ansoft Designerに対応しています。ほとんどすべて するだけでも大丈夫です。 の商用設計ツールで使用できるパラメータモデルのSpiceバージョ ンもご用意しています。 製品ツリーおよびパラメータ検索 製品ツリー(www.nxp.com/products/rf)では、製品を機能別に分類 しています。パラメータ検索ツールを使用することで、パフォーマン ス要件に基づいてセレクションを再定義できます。 アプリケーションエリア 各アプリケーションエリアでNXPが提供する製品を検索するに は、NXP Web サイトの[アプリケーションを探す]セクションを使用 します。 クロス・レファレンス NXPでは、競合他社の製品およびNXP代替品のクロス・レファレン スを定期的に更新しています。このリストは、NXP Web サイトの検 索ツールバーからオンラインで、またはXレファレンスツールをインス トールしてオフラインで検索できます。 102 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 4.4 追加設計サポート さらなる設計サポートが必要な場合は、最寄のNXP営業所または公 認代理店にお問い合わせください。NXP Web サイトのウェブフォー ムから質問することもできます。 4.5 アプリケーションノート Product category Filename Description Amplifiers AN11152 Reducing the Spurs at RF_out caused by the biasing choke during fast switching on and off in TDD system Amplifiers AN11148 BGU7003 1900MHz to 2100MHz LNA Application PLL’s and Oscillators AN11144 Universal Single LNB with TFF101x FIMOD IC Amplifiers AN11135 Replacing HMC625 by NXP BGA7204 Amplifiers AN11130 Bias module for 50 V GaN demonstration boards Transistors AN11118 BFU725F/N1 1.5 GHz LNA evaluation board Amplifiers AN11103 Externally-matched 900 MHz LNA using BGU7005 Transistors AN11102 BFU725F/N1 2.4 GHz LNA evaluation board Amplifiers AN11101 BGU7007 GPS front end evaluation board Amplifiers AN11091 Ohmic FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU6102 Amplifiers AN11090 50 Ohm FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU6102 Amplifiers AN11086 BGU7003 LNA application for GPS L2 band Amplifiers AN11072 BGU7003 400MHz and 900 MHz applicaiton Amplifiers AN11068 Transistors AN11066 Amplifiers AN11062 Amplifiers AN11035 Amplifiers AN11034 Transistors AN11024 Transistors AN11010 Single stage Ku band LNA using BFU730F Transistors AN11007 Single stage 5-6 GHz WLAN LNA with BFU730F Transistors AN11006 Single stage 2.3_2.7GHz LNA with BFU730F Amplifiers AN10967 BLF578 demo for 352 MHz 1kW CW power Amplifiers AN10953 BLF645 10 MHz to 600 MHz 120 W amplifier Amplifiers AN10951 Amplifiers AN10945 Amplifiers AN10944 Amplifiers AN10933 Amplifiers AN10923 Amplifiers AN10921 Amplifiers AN10896 Amplifiers AN10885 Amplifiers AN10882 Amplifiers AN10869 Broadband DVB-T UHF power amplifier with the BLF888 Amplifiers AN10858 174 MHz to 230 MHz DVB-T power amplifier with the BLF578 Amplifiers AN10847 Doherty RF performance using the BLF6G20-230PRN Amplifiers AN10800 Using the BLF578 in the 88 MHz to 108 MHz FM band Amplifiers AN10714 Using the BLF574 in the 88-108 MHz FM band BGU7005 matching options for improved LTE jammer immunity SDARS active antenna 1st stage LNA with BFU730F, 2.33 GHz Broadband DVB-T UHF power amplifier with the BLF888A 50 Ohm FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU7003W High Ohmic FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU7003W SDARS active antenna 2nd stage LNA with BFU690, 2.33 GHz 設計サポート 顧客評価キットおよびサンプル 当社製品の評価には、いくつかのキットをご用意しています。ボード には、測定およびアプリケーションとの統合ができるように、業界 基準のRFコネクタが付いています。各キットの特長と内容は、NXP Web サイトの対応する製品ページに記載されています。顧客評価キ ットのページには、最新ユーザーマニュアルやソフトウェアアップデ ートなど、サポート資料も用意されています。全製品は少数注文が可 能なため、試作機を組んで評価することができます。 キットの入手またはサンプルの注文については、最寄のNXP営業所 または正規代理店にお問い合わせください。 1805 MHz to 1880 MHz asymmetrical Doherty amplifier with the BLF7G20LS-90P and BLF7G21LS-160P 174 MHz to 230 MHz DVB-T power amplifier with the BLF881 1930 MHz to 1990 MHz Doherty amplifier using the BLF7G20LS-200 2.5 GHz to 2.7 GHz Doherty power amplifier using the BLF7G27LS-150P 1.5GHz Doherty power amplifier for base station applications using the BLF6G15L-250PBRN BLF7G20LS-200 Doherty 1.805-1.88 GHz RF power amplifier Mounting and Soldering of RF transistors Doherty RF performance analysis using the BLF7G22LS-130 Dependency of BLF578 gate bias voltage on temperature NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 103 4.6 4.6.1 シミュレーション・モデル RFパワーデバイス用シミュレーション・モデル この概要のアップデートは、PDF形式でhttp://www.nxp.com/ wcm_documents/models/RFPower_Model_Overview.pdfでご 覧になれます。 Type ADS model Microwave Office model BLF6G38-10G Available Available BLF6G38-25 Available Available BLF6G38-50 Available Available BLF6G38LS-100 Available BLF6G38LS-50 Available Available BLF6G38S-25 Available Available BLF7G15LS-300P Available BLF7G15LS-200 Available BLF7G20L-200 Available BLF7G20L-250P Available BLF7G20L-90P Available BLF7G20LS-140P Available Type ADS model Microwave Office model BLA6G1011-200R Available Available BLF7G20LS-200 Available BLA6G1011L-200RG Available Available BLF7G20LS-250P Available BLA6G1011LS-200RG Available Available BLF7G20LS-90P Available BLA6H0912-500 Available Available BLF7G21L-160P Available BLA6H1011-600 Available Available BLF7G21LS-160P Available BLF369 Available BLF7G22L-130 Available BLF3G21-6 Available BLF7G22L-160 Available BLF571 Available Available BLF7G22L-200 Available BLF573 Available Available BLF7G22L-250P Available BLF573S Available Available BLF7G22LS-130 Available BLF574 Available Available BLF7G22LS-160 Available BLF578 Available Available BLF7G22LS-200 Available BLF645 Available Available BLF7G22LS-250P Available BLF6G10-135RN Available Available BLF7G24L-100 Available BLF6G10-200RN Available BLF7G24L-140 Available BLF6G10-45 Available BLF7G24LS-100 Available BLF6G10L-260PRN Available BLF7G24LS-140 Available BLF6G10L-40BRN Available BLF7G27L-100 Available BLF6G10LS-135RN Available BLF7G27L-140 Available BLF6G10LS-200RN Available BLF7G27L-150P Available BLF6G10LS-260PRN Available BLF7G27L-200PB Available BLF6G10S-45 Available BLF7G27L-75P Available BLF6G15L-250PBRN Available BLF7G27L-90P Available BLF6G15L-40BRN Available BLF7G27LS-100 Available BLF6G20-180RN Available BLF7G27LS-140 Available BLF6G20-230PRN Available BLF7G27LS-150P Available BLF6G20-45 Available BLF7G27LS-75P Available BLF6G20LS-180RN Available BLF7G27LS-90P Available BLF6G20S-230PRN Available BLF871 Available Available BLF6G20S-45 Available Available BLF871S Available Available BLF6G21-10G Available Available BLF878 Available Available BLF6G22-180RN Available BLF881 Available Available BLF6G22-45 Available BLF881S Available Available BLF6G22L-40P Available BLF888 Available BLF6G22LS-180RN Available BLF888A Available Available BLF6G22LS-40P Available BLF888AS Available Available BLF6G22S-45 Available BLL6H0514-25 Available Available BLF6G27-10 Available BLL6H0514L-130 Available Available BLF6G27-10G Available BLL6H0514LS-130 Available Available BLF6G27-135 Available BLL6H1214-500 Available BLF6G27-45 Available BLL6H1214L-250 Available Available BLF6G27-75 Available BLL6H1214LS-250 Available Available BLF6G27L-40P Available BLM6G22-30 Available BLF6G27LS-135 Available BLS6G2731-6G Available BLF6G27LS-40P Available BLS6G2731S-130 Available Available BLF6G27LS-75 Available BLS6G3135-120 Available Available BLF6G27S-45 Available BLS6G3135-20 Available BLF6G38-10 Available BLS6G3135S-120 Available BLF6G38-100 Available BLS6G3135S-20 Available 104 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Available Available Available Available Available Available Available Available Available Available Available Available BFQ540 BFQ67 BFQ67W BFR106 BFR505 BFR505T BFR520 BFR540 BFR92A BFR92AW BFR93A BFR93AW BFS17 BFS17A BFS17W BFS25A BFS505 BFS520 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Spice model Mextram model Spice model S-parameters Spice model √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Ansoft Designer design kit NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 設計サポート √ Microwave Office design kit Spice model BFG67 BFG67/X BFG10 BFG10W BFG10W/X BFG135 BFG198 BFG21W BFG25A/X BFG25AW/X BFG31 BFG35 BFG310/XR BFG310W/XR BFG325/XR BFG325W/XR BFG403W BFG410W BFG424F BFG424W BFG425W BFG480W BFG505 BFG505/X BFG505W/X BFG520 BFG520W BFG520X BFG520/XR BFG540 BFG540/X BFG540/XR BFG540W BFG541 BFG590 BFG590/X BFG591 BFG92A/X BFG93A BFG94 BFG97 BFM505 BFM520 BFQ149 BFG18A BFQ19 S-parameters Type Evaluation board ADS 2009 design kit v2.2 S-parameters RFバイポーラ広帯域トランジスタ用シミュレーション・モデル S-parameters 4.6.2 105 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ BB145B BB149 BB149A BB156 BB179 BB179B BB201 BB202 BB207 BB208-2 106 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model √ √ √ √ √ √ √ Mextram model √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model S-parameters √ √ √ √ Spice model Ansoft Designer design kit Mextram model Microwave Office design kit √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model Spice model Mextram model Ansoft Designer design kit Spice model Mextram model Spice model S-parameters Spice model S-parameters Evaluation board √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Microwave Office design kit S-parameters RFバリキャップ・ダイオード用シミュレーション・モデル ADS 2009 design kit v2.2 Type √ Spice model Mextram model Spice model S-parameters Spice model S-parameters Evaluation board BF1211 BF1211R BF1211WR BF1212 BF1212R BF1212WR BF511 BF513 BF862 BF904 BF908 BF909 BF998 4.6.4 √ RF MOSFET トランジスタ用シミュレーション・モデル ADS 2009 design kit v2.2 Type √ Spice model Mextram model Spice model S-parameters √ √ √ √ √ √ √ √ √ Spice model √ Ansoft Designer design kit S-parameters 4.6.3 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Microwave Office design kit S-parameters BFS540 BFT25 BFT25A BFT92 BFT92W BFT93 BFT93W BFU725F BFU725F/N1 BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU730F BFU730LX BFU760F BFU790F PBR941 PBR951 PRF947 PRF949 PRF957 Spice model Type S-parameters Evaluation board ADS 2009 design kit v2.2 S-parameters RF バイポーラ広帯域トランジスタ用シミュレーション・モデル S-parameters 4.6.2 √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ √ Mextram model Spice model Mextram model Ansoft Designer design kit Spice model Mextram model Spice model S-parameters Spice model Microwave Office design kit 設計サポート BGA2001 BGA2002 BGA2003 BGA2711 BGA2748 BGA2771 BGA2776 BGA2709 BGA2712 BGA2714 BGA2715 BGA2716 BGA2717 BGA2011 BGA2012 BGA2031 BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGM1011 BGM1012 BGM1013 BGM1014 BGU6102 BGU7031 BGU7032 BGU7033 BGU7041 BGU7042 BGU7044 BGU7045 BGU7050 BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU7061 BGU7062 BGU7063 BGU7064 BGU7003 BGU7003W BGU7004 BGU7005 BGU7007 BGU8007 S-parameters Type Evaluation board ADS 2009 design kit v2.2 S-parameters RF MMICアンプ用シミュレーション・モデル S-parameters 4.6.5 √ √ √ √ √ NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 107 5. クロス・レファレンスおよび代替部品 NXP クロス・レファレンス http://www.nxp.com/xref/nxp?typenumber NXP生産終了品 http://www.nxp.com/products/eol/ 5.1 クロス・レファレンス：他社品番に対応するNXP品番 製造品番(アルファベット順) 略語: Base station Broadcast BS diode CATV OR CATV PD CATV PPA CATV PPA/HG CATV RA FET A&D MMIC Varicap WB trs 1-4 WB trs 5-7 ベースステーション用パワートランジスタ ブロードキャスト用パワートランジスタ バンドスイッチ・ダイオード CATV 光レシーバー CATV パワーダブラー CATV プッシュ・プルアンプ 高利得CATV プッシュ・プルアンプ CATV リバースアンプ 電界効果トランジスタ マイクロ波パワートランジスタ モノリシックマイクロ波集積回路 バリキャップ・ダイオード 広帯域トランジスタ第1～4 世代 広帯域トランジスタ第5～7世代 Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family 3001 3003 3005 10502 AH125 SXB-4089 0510-50A 1011LD110A 1011LD110B 1014-12 1014-2 1014-6A 10AM20 1617-35 1SS314 1SS356 1SS381 1SS390 1SV172 1SV214 1SV214 1SV215 1SV228 1SV231 1SV232 1SV233 1SV234 1SV239 1SV241 1SV246 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Triquint RFMD Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Toshiba Rohm Toshiba Rohm Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Sanyo Sanyo Toshiba Sanyo Sanyo BLS7G3135LS-350P BLS7G3135L-350P BLS6G3135S-20 BLA1011-200R BGA7127 BGA7127 BLF1043 BLA1011-300 BLA1011S-200 BLL1214-250R BLL1214-35 BLL6G1214L-250 BLF1046 BLL6G1214LS-250 BA591 BA591 BA277 BA891 BAP50-04 BB149 BB149A BB153 BB201 BB152 BB148 BAP70-03 BAP64-04 BB145B BAP64-02 BAP64-04W A&D A&D A&D A&D MMIC MMIC Broadcast A&D A&D A&D A&D A&D Broadcast A&D BS diode BS diode BS diode BS diode PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap PIN diode PIN diode Varicap PIN diode PIN diode 1SV247 1SV248 1SV249 1SV250 1SV251 1SV252 1SV254 1SV263 1SV264 1SV266 1SV267 1SV269 1SV270 1SV271 1SV278 1SV279 1SV282 1SV282 1SV283 1SV283 1SV284 1SV288 1SV290 1SV294 1SV305 1SV307 1SV308 1T362 1T362A 1T363A Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Toshiba Toshiba Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Sanyo Toshiba Toshiba Toshiba PEC PEC PEC BAP70-02 BAP50-02 BAP50-04W BAP50-03 BAP50-04 BAP50-04W BB179 BAP50-02 BAP50-04W BAP50-03 BAP50-04 BB148 BB156 BAP50-03 BB179 BB179 BB178 BB187 BB178 BB187 BB156 BB152 BB182 BAP70-03 BB202 BAP51-03 BAP51-02 BB149 BB149A BB153 PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap PIN diode Varicap PIN diode PIN diode Varicap Varicap Varicap 108 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family 1T368A 1T369 1T379 1T397 1T399 1T402 1T403 1T404A 1T405A 1T406 1T408 2324-12L 2324-20 2324-25 2424-25 2F1G20DS 2F1G20DS 2F1G20P 2F1G22DS 2F1G22DS 2F1G22DS 2F1G23P 2F1G23P 2F1G24D 2F1G24D 2F1G24DS 2F722DS 2F8718P 2F8719DS 2F8720DS 2F8723P 2F8734P 2N4856 2N4857 2N4858 2SC4094 2SC4095 2SC4182 2SC4184 2SC4185 2SC4186 2SC4226 2SC4227 2SC4228 2SC4247 2SC4248 2SC4315 2SC4320 2SC4321 2SC4325 2SC4394 2SC4536 2SC4537 2SC4592 2SC4593 2SC4703 2SC4784 2SC4807 2SC4842 2SC4899 2SC4900 2SC4901 2SC4988 2SC5011 2SC5012 2SC5065 2SC5085 2SC5087 2SC5088 2SC5090 2SC5092 2SC5095 2SC5107 2SC5463 2SC5508 2SC5508 2SC5593 PEC PEC PEC PEC PEC PEC PEC PEC PEC PEC PEC Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC Standard Standard Standard Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Toshiba Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics BB148 BB152 BB131 BB152 BB148 BB179B BB178 BB187 BB187 BB182 BB187 BLS6G2731S-120 BLS6G2731-6G BLS6G2731-120 BLS6G2731S-130 CGD1040Hi CGD1042H CGY1041 CGD1042H CGD1042Hi CGD982HCi CGY1041 CGY1043 CGD1044Hi CGD985HCi CGD1044H BGD816L BGY885A BGD812 BGD814 BGY887 CGY888C BSR56 BSR57 BSR58 BFG520/XR BFG520/XR BFS17W BFS17W BFS17W BFR92AW PRF957 BFQ67W BFS505 BFR92AW BFR92AW BFG520/XR BFG520/XR BFQ67W BFS505 PRF957 BFQ19 BFR93AW BFG520/XR BFS520 BFQ19 BFS505 BFQ18A BFG540W/XR BFS505 BFG520/XR BFS520 BFQ540 BFG540W/XR BFG540W/XR PRF957 PRF957 BFG520/XR BFG540W/XR BFS520 BFG520/XR BFS505 BFS505 BFQ67W BFU660F BFU660F BFG410W Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap A&D A&D A&D A&D CATV PD CATV PD CATV PP CATV PD CATV PD CATV PD CATV PP CATV PP CATV PD CATV PD CATV PD CATV PD CATV PP CATV PD CATV PD CATV PP CATV PP FET FET FET WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 5-7 WB trs 5-7 WB trs 5-7 2SC5594 2SC5623 2SC5624 2SC5631 2SC6023 2SK210BL 2SK508 3SK290 AD8376 AD8376 ADL5354 ADL5356 ADL5358 ADL5372 ADL5375 ADL5812 ADRF660x AH115-S8G AH116-S8G AH118 AH118 AH118 AH118 AH125 AH125 AH212-EG AH212-S8G AH215 AH215 AH215-S8G AH225-S8G AH312-S8G AH314-G AH315-G AH315-G AH315-G AH315-G AH315-G AH315-G AN26112A AN26120A AN26122A BA592 BA595 BA595 BA597 BA885 BA892 BA892-02V BA892-02V BA892V-02V-GS08 BA895 BAR14-1 BAR15-1 BAR16-1 BAR17 BAR50-02L BAR50-02V BAR50-02V BAR50-02V BAR50-03W BAR60 BAR61 BAR63 BAR63-02L BAR63-02L BAR63-02V BAR63-02W BAR63-03W BAR63-05 BAR63-05W BAR63V-02V-GS08 BAR63V-05W-GS08 BAR64-02LRH BAR64-02V BAR64-02W BAR64-03W Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Sanyo Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Panasonic Panasonic Panasonic Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Vishay Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Vishay Vishay Infineon Infineon Infineon Infineon BFG425W BFG410W BFG425W BFQ540 BFG424W PMBFJ309 PMBFJ308 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MMIC BS diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode BS diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 109 クロス・レファレン スおよび代替部品 Manufacturer type Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family BAR64-04 BAR64-04W BAR64-05 BAR64-05W BAR64-06 BAR64-06W BAR64V-02V-GS08 BAR64V-04-GS08 BAR64V-05-GS08 BAR64V-06-GS08 BAR64V-06W-GS08 BAR65-02L BAR65-02V BAR65-02W BAR65-03W BAR65V-02V-GS08 BAR66 BAR67-02W BAR67-03W BAT18-04 BB304C BB304M BB305C BB305M BB403M BB501C BB501M BB502C BB502M BB503C BB503M BB535 BB545 BB555 BB565 BB601M BB639 BB639 BB640 BB641 BB659 BB664 BB664 BB669 BB814 BB831 BB833 BB835 BBY58-02V BBY65 BF1005R BF1005S BF1005SR BF2030 BF2030 BF2030R BF2030R BF2030W BF2030W BF2040 BF2040R BF2040W BF5020 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Renesas Electronics Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Mimix Mimix Mimix Mimix Infineon Infineon RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD BFR93A BFR93AW BFR93AW BFR93A BFS17 BFS17A BFS17 BFS17A BFS17W BFS17W BFM505 BFM520 BFT92 BFT93 BF1203 BF1203 BF1214 BF1214 BF1207 BF1210 BF1206 BF1208D BGU7003 BGU7003 BGU7007 BGU8007 BGU7005 BGU6102 BGU6102 BF1105WR BF1105R BF1105WR BF1105R BF1105 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 BGX885N BGX885N BGA7024 BGA7124 BGA7124 BGA7204 BGA2022 BGA2022 BGA6489 BGA6589 CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1042H CGD1044H CGD1044H CGD1044H CGD1044H CGD1044H CGD1044H CGD1044H CGD942C CGD942C CGD942C CGD942C CGD944C CGD944C CGD944C CGD944C CGD944C WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 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diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap A&D A&D A&D A&D NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 クロス・レファレン スおよび代替部品 Manufacturer type 111 Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family IB0912M350 IB0912M500 IB0912M600 IB0912M70 IB1011S1000 IB1011S1500 IB1011S190 IB1011S250 IB1011S350 IB1011S70 IB1214M130 IB1214M150 IB1214M300 IB1214M32 IB1214M375 IB1214M55 IB1214M6 IB2729M25 IB2729M5 IB2731M110 IB2731MH110 IB2731MH25 IB2931MH155 IB2931MH55 IB2934M100 IB3135MH100 IB3135MH20 IB3135MH45 IB3135MH5 IB3135MH65 IB3135MH75 IB450S300 IB450S500 IDM165L650 IDM175CW300 IDM265L650 IDM30512CW100 IDM30512CW20 IDM30512CW50 IDM500CW120 IDM500CW150 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Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D MMIC PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode BS diode PIN diode FET FET FET Varicap MMIC MMIC MMIC BS diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap MA366 MA368 MA372 MA372 MA4CP101A MA4P274-1141 MA4P275-1141 MA4P275CK-287 MA4P277-1141 MA4P278-287 MA4P789-1141 MA4P789ST-287 MAX19985A MAX19995 MAX2634 MAX2657 MAX2658 MAX2659 MAX2667 MAX2687 MAX2694 MC7712 MC7716 MC7722 MC7726 MC-7831 MC7831-HA MC-7831-HA MC-7832 MC7832-HA MC-7832-HA MC-7833 MC-7836 MC-7836 MC-7846 MC-7847 MC7852 MC7866 MC-7882 MC-7883 MC-7884 MC-7891 MC7893 MC7893 MC-7893 MC7894 MC7894 MC-7894 MC7896 MC7896 MC-7896 MCH4009 MD7IC18120GNR1 MD7IC18120NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1 MD7IC21100NR1 MD7IC2250GNR1 MD7IC2250NBR1 MD7IC2250NR1 MD7IC2755GNR1 MD7IC2755NR1 MD8IC970GNR1 MD8IC970NR1 MDS60L MGA631P8 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Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station Base station A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D Base station Base station A&D A&D Base station Base station A&D Base station Base station A&D Base station Base station A&D A&D A&D Base station A&D Base station A&D Broadcast NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 113 クロス・レファレン スおよび代替部品 Manufacturer type Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family MRF6V2010NBR5 MRF6V2010NR1 MRF6V2150NBR1 MRF6V2150NBR5 MRF6V2150NR1 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5 MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6VP11KHR5 MRF6VP11KHR6 MRF6VP21KHR5 MRF6VP21KHR6 MRF6VP2600HR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5 MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HSR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP41KHR5 MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHR7 MRF6VP41KHSR5 MRF6VP41KHSR6 MRF6VP41KHSR7 MRF7P20040HR3 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Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Freescale Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics BLF6G10L-260PBM BLF6G10L-260PRN BLF6G20LS-180RN BLF6G20LS-75 BLF6G20S-230PRN BLF6G20S-45 BLF7G20LS-140P BLF7G20LS-260A BLF7G21L-160P BLF7G21LS-160 BLF6G22LS-40P BLF7G22L-200 BLF7G22L-250P BLF7G22LS-200 BLF7G27L-200PB BLF8G27LS-140V BLF8G10L-160V BLF8G10LS-160V BLF8G10LS-200GV BLF8G10LS-270GV BFQ67W BFS25A BFG520/X BFS520 PRF947 BFG540/X PRF957 BLF888A BLF578XRS BLF7G10LS-250 BLF8G10LS-300P BLF7G10L-250 BLF6H10LS-160 BLF8G10L-160 BLM6G10-30 BLM6G10-30G BLF888AS BLF888B BLF888BS BLU6H0410L-600P BLF145 BLF177 BLF175 BLF147 BLF248 BLF178XRS BLF178XR BLA1011-10 BLA6H0912-500 BFG424W BFG425W BFG410W BB182LX BLF6G21-10G BLF1043 BLF988 BLF7G21LS-160P BLF7G24L-160P BLF8G24L-200P BLF7G24LS-100 BLF8G24LS-200P BLF7G24LS-140 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Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon RFMD Standard Standard RFMD RFMD RFMD BFU760F BFU790F BFU730F BFU725F BGU7044 PRF947 PRF947 BLF8G10L-300P BLF8G10LS-300P BLF7G10L-250 BLF1046 BLF145 BLF147 BLF6G10LS-200RN BLF6G10-135RN BLF6G21-10G BLF1043 BLF6G10L-260PRN BLF6G10L-40BRN BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-160RN BLF6G10LS-260PRN BLF6G10S-45 BLF6H10L-160 BLF6H10LS-160 BLF8G10L-160 BLF8G10L-160V BLF8G10LS-160V BLF8G10LS-200GV BLF8G10LS-270GV BLM6G10-30 BLM6G10-30G BLF175 BLF177 BLF6G20-40 BLF6G20-45 BLF6G20-75 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-180RN BLF6G20LS-75 BLF6G20S-230PRN BLF6G27-75 BLF6G27L-40P BLF6G27L-50BN BLF6G27LS-100 BLF6G27LS-135 BLF6G27LS-40P BLF6G10L-260PBM BLF8G10LS-400PGV BLF7G10LS-250 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SMP1307-011 SMP1320-004 SMP1320-011 SMP1320-074 SMP1321-001 SMP1321-005 SMP1321-011 SMP1321-075 SMP1321-079 SMP1322-004 SMP1322-011 SMP1322-074 SMP1322-079 SMP1340-011 SMP1340-079 SMP1352-011 SMP1352-079 SMV1235-004 SMV1236-004 SST111 SST112 SST113 SST174 SST175 SST176 SST177 SST201 SST202 SST203 SST308 SST309 SST310 SST4391 SST4392 SST4393 SST4856 SST4857 SST4859 SST4860 SST4861 SVC201SPA SXA-389B SXA-389B SXA-389B SXA-389B SXB-4089 SXB-4089 T1G4005528-FS T1G4005528-FS T1G4005528-FS T1L2003028-SP T1P2701012-SP TAN150 TAN250A TAN300 TAN350 TAN75A TBB1016 TMF3201J TMF3202Z TMPF4091 TMPF4092 TMPF4093 Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Skyworks Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Sanyo RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD RFMD Triquint Triquint Triquint Triquint Triquint Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Renesas Electronics AUK AUK Standard Standard Standard BGA2851 BGA2869 BGA2869 BGA2869 BGA2869 BAP50-05 BAP50-04 BAP50-03 BAP50-05W BAP50-04W BAP50-02 BAP70-03 BAP70-03 BAP70-03 BAP70-03 BAP65-05 BAP65-03 BAP65-05W BAP1321-03 BAP1321-04 BAP1321-03 BAP1321-04 BAP1321-02 BAP65-05 BAP65-03 BAP65-05W BAP65-02 BAP63-03 BAP63-02 BAP64-03 BAP64-02 BB181 BB156 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 BFT46 BFR31 BFR30 PMBFJ308 PMBFJ309 PMBFJ310 PMBF4391 PMBF4392 PMBF4393 BSR56 BSR57 BSR56 BSR57 BSR58 BB187 BGA7024 BGA7124 BGA7124 BGA7204 BGA7027 BGA7127 BLF6G38-25 BLS6G3135-120 BLS6G3135-20 BLL6H0514L-130 BLS6G2731-120 BLS7G2325L-105 BLL6H1214LS-500 BLL6H1214LS-250 BLL6H1214L-250 BLL6H1214-500 BF1204 BF1204 BF1202WR PMBF4391 PMBF4392 PMBF4393 MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET Varicap MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC Base station A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D A&D FET FET FET FET FET FET 116 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family TMPF4391 TMPF4392 TMPF4393 TMPFB246A TMPFB246B TMPFB246C TMPFJ111 TMPFJ112 TMPFJ113 TMPFJ174 TMPFJ175 TMPFJ176 TMPFJ177 TPR400 TPR400 TPR400A TPR500 TPR500A TPR700 TRF370315 TRF370417 TRF3705 TSDF54040 TSDF54040-GS08 TSDF54040X-GS08 TSDF54040XR-GS08 uPC2709 uPC2711 uPC2712 uPC2745 uPC2746 uPC2748 uPC2771 uPC3224 uPC3224 uPC3226 uPC3226 uPC3227 uPC3227 uPC3232 uPC3232 uPC3240 uPC3240 uPC3241 uPC3241 uPC8112 UPC8230TU UPC8236T6N uPD5740T6N uPD5756T6N UTV005 UTV005P UTV010 UTV020 UTV040 UTV080 UTV120 UTV200 UTV8100B Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Standard Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi TI TI TI Vishay Vishay Vishay Vishay Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Renesas Electronics Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi PMBF4391 PMBF4392 PMBF4393 BSR56 BSR57 BSR58 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 BLA1011-2 BLA1011-200 BLA6G1011-200R BLL1214-250 BLA6H1011-600 BLA6G1011LS-200RG BGX710x BGX710x BGX710x BF1102 BF1102 BF1102 BF1102R BGA2709 BGA2711 BGA2712 BGA2001 BGA2001 BGA2748 BGA2771 BGA2851 BGA2851 BGA2867 BGA2867 BGA2851 BGA2851 BGA2869 BGA2869 BGA2802 BGA2802 BGA2817 BGA2817 BGA2022 BGU7007 BGU8007 BGU7045 BGU7045 BLF888B BLF888AS BLF888A BLF888 BLF884PS BLF884P BLF879P BLF878 BLF861A FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET A&D A&D A&D A&D A&D A&D MMIC MMIC MMIC FET FET FET FET MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC MMIC Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast Broadcast 5.2 クロス・レファレンス：NXP 生産終了品番に対応する代替品番 製造中止品番(アルファベット順) 略語: BS diode バンドスイッチ・ダイオード CATV 共聴アンテナ式テレビシステム FET 電界効果トランジスタ Varicap バリキャップ・ダイオード WB trs 広帯域トランジスタ RFP trs RF パワートランジスタ Product family NXP Replacement type NXP NXP discontinued type Product family NXP Replacement type NXP BA277-01 BS diode BS diode BS diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET WB trs WB trs FET FET FET WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs BA277 BA277 BA591 BAP142LX BAP51LX BAP51LX BAP55LX BB152 BB145B BB145B BB135 BB187 BB178LX BB179BLX BB179LX BB181 BB182 BB182 BB187LX BB149 BB202 BB207 BBY40 BF1211 BF1211R BF1211WR BF1203 BF1210 BF1210 BF1208 BF545A BF545B BF545C BFS17 BFS17 BF861A BF861C BF992 BFM505 BFM520 BFM505 BFM520 BFS17A BFG198 BFG198 BFG25AW/X BFG410W BFG425W BFG505/X BFG505 BFG520W/X BFG590/X BFG590 BFG590 BFG67 BFG92A/X BFG92A/XR BFG93A/XR BFQ34/01 BFR92 BFR92AR BFR92AT BFR93 BFR93AT BFR93R BFU510 BFU540 BFU725F BGA2031 BGD502 BGD602D BGD702 BGD702D BGD702D/08 BGD702N BGD704 BGD704N BGD802 BGD802N BGD802N/07 BGD804 BGD804N BGD804N/02 BGD902 BGD902L BGD904 BGD904L BGD906 BGE788 BGE847BO/FC BGE847BO/FC0 BGE847BO/FC1 BGE847BO/SC BGE847BO/SC0 BGE887BO/FC BGE887BO/FC1 BGE887BO/SC BGO807C BGO807CE BGO827 BGO827/SCO BGO847/FC0 BGO847/FC01 BGO847/SC0 BGQ34/01 BGU2003 BGX885/02 BGY1085A/07 BGY585A BGY587 BGY587B BGY588N WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs WB trs CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV WB trs WB trs CATV CATV CATV CATV CATV CATV BFG92A/X BFG93A/X BFG35 BFR92A BFR92A BFR92AW BFR92A BFR93AW BFR93A BFU725F/N1 BFU725F/N1 BFU725F/N1 BGA2031/1 BGD712 BGD712 BGD712 BGD712 BGD712 BGD712 BGD714 BGD714 BGD812 BGD812 BGD812 BGD814 BGD814 BGD814 BGD812 BGD812 BGD814 BGD814 CGD942C BGE788C BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO807C/FCO BGO807CE/SCO BGO807CE/FCO BGO807CE/SCO BGO827/SC0 BGO827/SC0 BGO827/SC0 BFG35 BGA2003 BGX885N BGY1085A BGY785A BGY787 BGE787B BGY588C BA278 BA792 BAP142L BAP51-01 BAP51L BAP55L BB132 BB145 BB145B-01 BB151 BB157 BB178L BB179BL BB179L BB181LX BB182B BB182LX BB187L BB190 BB202LX BB804 BBY42 BF1101 BF1101R BF1101WR BF1203 BF1205 BF1205C BF1206F BF245A BF245B BF245C BF689K BF763 BF851A BF851C BF992/01 BFC505 BFC520 BFET505 BFET520 BFG17A BFG197 BFG197/X BFG25AW/XR BFG410W/CA BFG425W/CA BFG505/XR BFG505W/XR BFG520W/XR BFG590/XR BFG590W BFG590W/XR BFG67/XR BFG92A NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 クロス・レファレン スおよび代替部品 NXP discontinued type 117 NXP discontinued type Product family NXP Replacement type NXP NXP discontinued type Product family NXP Replacement type NXP BGY66B/04 BGY67/04 BGY67/09 BGY67/14 BGY67/19 BGY67A/04 BGY67A/14 BGY68/01 BGY685A BGY685AD BGY685AL BGY687 BGY687B BGY687B/02 BGY785A/07 BGY785A/09 BGY785AD BGY785AD/06 BGY785AD/8M BGY787/02 BGY787/07 BGY787/09 BGY847BO/SC BGY883 BGY887/02 BGY887BO/SC BLC6G22-100 BLC6G22-100 BLF1822-10 BLF2043 BLF2045 BLF3G22-30 BLF4G08LS-160A BLF4G08LS-160A BLF6G10-135RN BLF6G10-160RN BLF6G10-160RNL BLF6G20-180RN BLF6G20-40 BLF6G20S-230PRN BLF6G22-180RN CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV CATV RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs BGY66B BGY67 BGY67 BGY67 BGY67 BGY67A BGY67A BGY68 BGY785A BGY785A BGY785A BGY787 BGE787B BGE787B BGY785A BGY785A BGY785A BGY785A BGY885A BGY787 BGY787 BGY787 BGO827/SC0 BGY885A BGY887 BGO827/SC0 BLF6G22-100 BLF6G22LS-100 BLF6G21-10G BLF6G21-10G BLF6G20-45BLF6G22-45 BLF6G22-45 BLF6G10LS-160RN BLF6G10LS-160RN BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-160RN BLF6G10-200RN BLF7G20LS-200 BLF6G20-45 BLF7G20LS-250P BLF7G22LS-200 BLF6G22LS-180PN BLF6G22LS-75 BLF6G27-10 BLF6G27-10 BLF6G27-135 BLF6G27LS-135 BLF6G27LS-135 BLF6G27LS-75S BLF6G27LS-75S BLF6G38-10 BLF6G38-10 BLS2731-110 BLS2731-110T BLS2731-20 BLS2731-50 CGD1042 CGD1044 CGD914 CGY887A CGY887B GD923 J108 J109 J110 J111 J112 J113 J174 J175 J176 J177 OM7650 OM7670 ON4831-2 ON4876 ON4890 ON4990 PMBT3640/AT PN4392 PN4393 TFF1004HN RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs RFP trs CATV CATV CATV CATV CATV CATV FET FET FET FET FET FET FET FET FET FET CATV CATV CATV CATV CATV CATV WB trs FET FET Satellite IC BLF7G22LS-200 BLF7G22LS-100 BLF6G27-10G BLF6G27-10G BLF7G27L-135 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF6G27LS-75 BLF6G27LS-75 BLF6G38-10G BLF6G38-10G BLS6G2731-120 BLS6G2731-120 BLS6G2731-6G BLS6G2731-6G CGD1042H CGD1044H CGD1042H CGY1043 CGY1047 CGD942C PMBFJ108 PMBFJ109 PMBFJ110 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 BGY588C BGE788C BGY885A BGY1085A BGD712 BGD885 BFS17 PMBF4392 PMBF4393 TFF1014HN 118 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 6. パッキングおよびパッケージ情報 パッケージあたりの梱包数量と関連注文コード Package Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOD323/SC-76 1.7 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOD523/SC-79 1.2 x 0.8 x 0.6 3,000 10,000 8,000 20,000 115 135 315 335 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel 2 mm pitch tape and reel 2 mm pitch tape and reel SOD882D 1.0 x 0.6 x 0.4 10,000 315 reel SOT23 2.9 x 1.3 x 0.9 3,000 10,000 215 235 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT54 4.6 x 3.9 x 5.1 5,000 5,000 10,000 10,000 112 412 116 126 bulk, delta pinning bulk, straight leads tape and reel, wide pitch tape ammopack, wide pitch SOT89/SC-62 4.5 x 2.5 x 1.5 1,000 4,000 115 135 12 mm tape and reel 12 mm tape and reel SOT115 44.5 x 13.65 x 20.4 100 112 4 tray/box SOT143(N/R) 2.9 x 1.3 x 0.9 3,000 10,000 215 235 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT223/SC-73 6.7 x 3.5 x 1.6 1,000 4,000 115 135 12 mm tape and reel 12 mm tape and reel SOT307 10 x 10 x 1.75 1,500 96 480 518 551 557 13" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT323/SC-70 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT341 5.3 x 10.2 x 2.0 1,000 658 118 112 13" tape and reel tube SOT343(N/R) 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT343F 2.1 x 1.25 x 0.7 3,000 115 8 mm tape and reel SOT360 6.5 x 4.4 x 0.9 2,500 118 16 mm tape and reel SOT363/SC-88 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT401 5 x 5 x 1.4 2,000 360 118 151 13" tape and reel 1 tray SOT403 5.0 x 4.4 x 0.9 2,500 118 12 mm tape and reel SOT416/SC-75 1.6 x 0.8 x 0.75 3,000 115 8 mm tape and reel SOT467B 9.78 x 18.29 x 4.67 60 20 112 112 blister, tray blister, tray SOT467C 20.45 x 18.54 x 4.67 60 20 112 112 blister, tray blister, tray SOT502A 19.8 x 9.4 x 4.1 60 300 112 135 blister, tray reel NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 パッキングおよびパッ ケージ情報 6.1 119 8 O 120 Package Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOT502B 19.8 x 9.4 x 4.1 60 100 112 118 blister, tray reel SOT538A 5.1 x 4.1 x 2.6 160 112 blister, tray SOT539A 31.25 x 9.4 x 4.65 60 300 112 135 blister, tray reel SOT540A 21.85 x 10.2 x 5.4 60 112 blister, tray SOT608A 10.1 x 10.1 x 4.2 60 60 300 112 112 135 blister, tray blister, tray reel SOT608B 10.1 x 10.1 x 4.2 60 100 300 112 118 135 blister, tray reel reel SOT616 4.0 x 4.0 x 0.85 6,000 1,500 100 118 115 551 12 mm tape and reel 8 mm tape and reel tray SOT617 5 x 5 x 0.85 6,000 118 tape and reel SOT618 6 x 6 x 0.85 4,000 1,000 490 2,450 118 515 551 157 13" tape and reel 7" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray SOT638 14 x 14 x 1 1,000 90 450 518 551 557 13" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT650-1 3.0 x 3.0 x 0.85 6,000 118 reel SOT666 1.6 x 1.2 x 0.7 4,000 115 8 mm tape and reel SOT684 8 x 8 x 0.85 1,000 260 260 1,300 518 151 551 157 13" tape and reel dry pack 1 tray 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT724 8.7 x 3.9 x 1.47 2,500 118 16 mm tape and reel SOT753 2.9 x 1.5 x 1.0 3,000 125 8 mm tape and reel SOT763-1 2.5 x 3.5 x 0.85 3,000 6,000 115 135 reel SOT778 6.0 x 6.0 x 0.85 490 4,000 551 518 tray multiple trays SOT822-1 15.9 x 11 x 3.6 180 127 tube SOT834-1 15.9 x 11 x 3.15 180 127 tube SOT883 1.0 x 0.6 x 0.5 3,000 115 8 mm tape and reel SOT886 1.45 x 1.0 x 0.5 5,000 115 8 mm tape and reel SOT891 1.0 x 1.0 x 0.5 5,000 132 8 mm tape and reel SOT908 3.0 x 3.0 x 0.85 6,000 118 12 mm tape and reel SOT922-1 17.4 x 9.4 x 3.88 60 112 blister, tray SOT975B 6.5 x 6.5 x 3.3 180 100 112 118 blister, tray tape and reel SOT975C 6.5 x 6.5 x 3.3 180 100 112 118 blister, tray tape and reel SOT979A 31.25 x 10.2 x 5.3 60 112 blister, tray SOT1110A 41.28 x 17.12 x 5.36 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1110B 41.15 x 36.32 x 4.68 60 112 blister, tray NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOT1112A 16.65 x 20.32 x 4.205 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1112B 16.65 x 15.22 x 4.205 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1120A 9.4 x 19.815 x 4.1 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1120B 9.4 x 19.815 x 4.1 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1121A 34.16 x 19.94 x 4.75 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1121B 20.70 x 19.94 x 4.75 60 100 112 118 blister,tray reel SOT1121C 13.4 x 20.575 x 3.785 DEV DEV DEV SOT1130A 20.45 x 17.12 x 4.65 60 112 blister, tray SOT1130B 9.91 x 17.12 x 4.65 60 112 blister, tray SOT1135A 20.45 x 19.94 x 4.65 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1135B 16.65 x 9.78 x 4.205 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1135C 16.65 x 9.78 x 4.205 60 100 112 118 blister, tray reel SOT1138 19.48 x 20.57 x 3.9 DEV DEV DEV SOT1179 4.0 x 6.0 x 0.85 DEV DEV DEV SOT1198-1 10.0 x 5.5 x 0.8 1000 115 reel SOT1204 13.2 x 20.57 x 3.9 DEV DEV DEV SOT1209 2 x 1.3 x 0.35 5000 147 8 mm tape and reel SOT1240B 21.60 x 20.575 x 3.875 DEV DEV DEV SOT1240C 18.00 x 20.575 x 3.875 DEV DEV DEV SOT1242B 22.60 x 32.45 x 4.455 DEV DEV DEV SOT1242C 18.00 x 32.45 x 4.455 DEV DEV DEV SOT1244B 19.43 x 20.575 x 3.875 DEV DEV DEV SOT1244C 18.00 x 20.575 x 3.875 DEV DEV DEV パッキングおよびパッ ケージ情報 6 ON HX Package NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 121 6.2 マーキング・コード 一般的に、デバイスマーキングには、製品番号、製造情報およびNXP ロゴが含まれます。パッケージが製品番号全体を記載するのに小さ すぎる場合は、短縮品番をマーキング・コードとして使用します（%＝製造場所コード）。正式な製品番号は常に、ボックス上の梱包ラベル またはデバイスの個別梱包クに記載されています。 p = 香港製 t = マレーシア製 W = 中国製 Marking code 10% 13% 20% 21% 22% 24% 25% 26% 28% 29% 30% 31% 32% 33% 34% 35% 36% 38% 39% 40% 41% 42% 47% 48% 49% 50% 1 2 2 4 4 7 7 8 8 9 9 %1V %1W %6G %6J %6K %6N %6S %6W %6X %6Y %7N %8N %AB %BG %E7 %E8 %E9 %EA %EB %EC %ED %M1 %M2 %M3 %M4 122 Final product BAT18 BB207 BF545A BF545B BF545C BF556A BF556B BF556C BF861A BF861B BF861C BFR505 BFR520 BFR540 BFT25A ON4288 ON4690 PMBFJ108 PMBFJ109 PMBFJ110 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ308 PMBFJ309 PMBFJ310 BA277 BB182 BB182/L BB189 BB189/L BA891 BA891/L BB178 BB178/L BB179 BB179/L BFR93AW/DG BAP51-05W PMBF4393 PMBF4391 PMBF4392 ON5088 PMBFJ176 PMBFJ175 PMBFJ174 PMBFJ177 ON5087 ON5089 BF1210 PMBFJ177/DG BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BF908 BF908R BF909 BF909R Package SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOT323 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT343 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT343 SOT343 SOT363 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Marking code %M5 %M6 %M7 %M8 %M9 %M9 %MA %MB %MC %MD %ME %MF %MG %MH %MK %ML %MM %MM %MN %MP %MP %MR %MS %MT %MU %MV %MW %MX %MY %MZ %VA %VB LE L4 LC L3 1A 1B 1B% 1C 1C% 1N% 2A% 2E 2L 2N 4A 4K% 4L% 4W% 5K% 5W% 6F% 6K% 6W% 7K% 8K% A1 A1 A1 A1 A2 Final product BF909A BF909AR BF904A BF904AR BSS83 ON4906 BF991 BF992 BF904 BF904R BFG505 BFG520 BFG540 BFG590 BFG505/X BFG520/X BFG540/X ON4832 BFG590/X BFG520/XR ON4973 BFG540/XR BFG10 BFG10/X BFG25A/X BFG67/X BFG92A/X BFG93A/X BF1100 BF1100R BGU7041 BGU7042 BAP64LX BB179LX BAP55LX BB178LX BGU6101 BGU6102 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BFG325W/XR PMBFJ620 BAP70-03 BGU7005 BGU7003 BSR12 BGU7007 BGA2715 BGU7008 BF862/B BFU725F/N1 BGA2716 BGA2714 BFQ591 BB179B BGM1011 BGM1012 BGM1013 BGM1014 BAP70-03/DG BFU610F BAP63-03 BFU630F BAP65-03 BFU660F BFU690F BFU710F BFU730F BFU760F BFU790F BFS17 BFS17/FD ON4438 BFS17W BFS17A ON5023 BGA2712 BGA2709 BAP55L BFQ19 BFQ18A BFQ149 BA278 BGA2711 BGA2748 BGA2771 BGA2776 BAP51-02 BAP51-05W Package SOD523 SOT343 SOT753 SOT363 SOD323 SOD523 SOT343 SOT363 SOD323 SOT363 SOT363 SOT343 SOD323 SOT343 SOT363 SOD323 SOT886 SOT891 SOT23 SOT886 SOT363 SOT886 SOT23 SOT343 SOT363 SOT363 SOT89 SOD523 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOD323 SOT343 SOD323 SOT343 SOD323 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT23 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT363 SOT363 SOD882 SOT89 SOT89 SOT89 SOD523 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOD523 SOD523 Final product BAP50-02 BAP63-02 BAP65-02 BAP1321-02 BAP70-02 BB199 BB202LX BB202 BAP51LX BF1203 BB178LX BF1204 BB179LX BF1205 BB179BLX BB181LX BF1206 BB182LX BA792 BB187LX BF1208 BF1201WR BF1201 BAP50LX BF1201R PBR941B BAP55LX BAP63LX BF1202 BF1202/L BAP64LX BF1202WR BF1202WR/L BF1202R BAP65LX BF1211 BAP142LX BF1212 BAP1321LX BF1211R BGU7044 BF1212R BGU7045 BGA2867 BGA2874 BGA2817 BFR30 BFR31 BF1207 BF908 BF908R BF909 BF909R BFT46 BF909A BF909AR BF1215 BSR56 BF904A BF904AR BSR57 BF1216 BF1100 BF1100R BSR58 BF1205C BF1218 BSS83 ON4906 BF991 BF992 BGA2802 BF998WR BGA2803 BF904WR BGA2851 BF908WR BF909WR BF1100WR BF909AWR BF994S Package SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD882T SOD523 SOD882T SOT363 SOD882T SOT363 SOD882T SOT363 SOD882T SOD882T SOT363 SOD882T SOD110 SOD882T SOT363 SOT343 SOT143 SOD882T SOT143 SOT23 SOD882T SOD882T SOT143 SOT143 SOD882T SOT343 SOT343 SOT143 SOD882T SOT143 SOD882T SOT143 SOD882T SOT143 SOT363 SOT143 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT23 SOT23 SOT363 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT23 SOT143 SOT143 SOT363 SOT23 SOT143 SOT143 SOT23 SOT363 SOT143 SOT143 SOT23 SOT363 SOT363 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT363 SOT343 SOT363 SOT343 SOT363 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT143 Marking code MH MH% MK ML ML MO% MO% MO4 MO6 N N0 N0% N0% N2 N2% N2% N3 N33 N36 N37 N38 N39 N4 N4 N4% N42 N43 N43 N44 N48 N49 N6% N7 N70 N71 N8 N9 N9% NA NA% NB NB% NC NC% ND ND% NE NE% NF% NG% NG% NH% NL% 33* P1 P1 P2% P2% P2% P3 p3A P4 p4A P5 P5 p5A P6 p6K p6L P8 P9 PB PC PF PL R2% R2% R5% R7% R8% S Final product BF904AWR BF996S BF1211WR BF1212WR BF1212WR/L BF998 BF998R BF904 BF904R BB181 BFR505T BFS505 BFM505 BFR520T BFS520 BFM520 BFG520W BFG505 BFG520 BFG540 BFG590 BFG505/X BFG520W/X BFQ540 BFS540 BFG520/X BFG540/X ON4832 BFG590/X BFG520/XR BFG540/XR BFS25A BFG540W/X BFG10 BFG10/X BFG540W/XR BFG540W BAP70AM BF1105WR BF1105R BF1109WR BF1109R BF1101WR BF1101R BFG424W BF1101 BFG424F BF1105 BF1109 BF1108 BF1108/L BF1108R BFR94A BFR540 BB131 BFG21W BFR92A ON4640 BFR92AW BFG403W BGA6289 BFG410W BGA6489 BB135 BFG425W BGA6589 BFG480W BGA7024 BGA7027 BB148 BB149 BB152 BB153 BB156 BB149A BFR93A BFR93AW BFR93AR BFR106 BFG93A BAP64-02 Package SOT343 SOT143 SOT343 SOT343 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOD523 SOT416 SOT323 SOT363 SOT416 SOT323 SOT363 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT343 SOT89 SOT323 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT323 SOT343 SOT143 SOT143 SOT343 SOT343 SOT363 SOT343 SOT143 SOT343 SOT143 SOT343 SOT143 SOT343 SOT143 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT23 SOT143 SOD323 SOT343 SOT23 SOT23 SOT323 SOT343 SOT89 SOT343 SOT89 SOD323 SOT343 SOT89 SOT343 SOT89 SOT89 SOD323 SOD323 SOD323 SOD323 SOD323 SOD323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT143 SOD523 Marking code S1% S2% S2% S3% S6% S7% S8% S9% SB% SB% SC% SC% SD% SE% T5 TA% TB% UW UY UZ V0% V0% V1 V1% V11 V12 V14 V15 V2% V2% V2% V3% V4% V6% V8 VA VB VC VC% VD% W1 W1% W1% W2% W2% W2% W4% W6% W7% W9% X X X1% X1% XG% YC% Z ZA% ZC ZD ZE ZF ZK% ZX% Final product BFG310/XR BFG325/XR BBY40 BF1107 BF510 BF511 BF512 BF513 BF1214 BF1214/L BB201 BGU7031 BGU7032 BGU7033 BFG10W/X BGA2818 BGA2819 BGU7003W BGU7004 BGU8007 PBR941 PRF947 BFG25AW/X BFT25 BFG25A/X BFG67/X BFG92A/X BFG93A/X BFQ67 ON5042 BFQ67W BFG67 BAP64-06W BAP65-05W BAP1321-03 BF1217WR BF1118W BF1118WR BF1118 BF1118R BF1102 BFT92 BFT92W PBR951 PRF957 BF1102R BAP50-05W BAP51-04W BAP51-06W BAP63-05W BB187 BB187/L BFT93 BFT93W BFR94AW BGA2870 BB145B BFU668F BFU710LX BFU730LX BFU760LX BFU790LX ON5052 BGA2022/C Package SOT143 SOT143 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT363 SOT363 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 SOT343 SOT363 SOT363 SOT886 SOT886 SOT886 SOT23 SOT323 SOT343 SOT23 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT23 SOT23 SOT323 SOT143 SOT323 SOT323 SOD323 SOT343 SOT343 SOT343 SOT143 SOT143 SOT363 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT363 SOT323 SOT323 SOT323 SOT323 SOD523 SOD523 SOT23 SOT323 SOT323 SOT363 SOD523 SOT343 SOT883 SOT883 SOT883 SOT883 SOT23 SOT363 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 パッキングおよびパッ ケージ情報 Marking code K4 K5 K6 K7 K8 K9 L1 L2 L2 L2% L3 L3% L4 L4% L5 L6 L6% L7 L8 L8 L9% LA LA% LB LB% LB% LC LD LD% LD% LE LE LE LE% LF LF% LG LG% LH LH% LJ% LK% LK% LP% LR% LS% M1% M2% M2% M26 M27 M28 M29 M3% M33 M34 M4% M4% M41 M42 M5% M5% M56 M57 M6% M6% M7% M74 M74 M91 M92 MA% MB MB% MC MC% MD ME MF MG MG% 123 7. 略語 3つのディスクリート・トランジスタを使用したドハ ティ設計 振幅変調 特定用途向け集積回路 非対称ドハティ設計 (メインおよびピークに異なる デバイスを使用) 帯域通過フィルタ ブロックアップコンバータ 共聴アンテナ式テレビ 符号分割多重接続 中国マルチメディア・モバイル・ブロードキャステ ィング 相補型金属酸化膜半導体 顧客向け認定サンプル デジタル・オーディオ・ブロードキャスティング デジタルコードレス電話規格 3-way AM ASIC ASYM BPF BUC CATV CDMA CMMB CMOS CQS DAB DECT IF ISM ダイセック方式 デジタル・シグナル・プロセッサ デジタル・ビデオ・ブロードキャスティング GSM進化型高速データレート 静電気デバイス 電界効果トランジスタ 周波数変調 ヒ化ガリウム 窒化ガリウム 世代 衛星利用測位システム 汎欧州デジタル移動電話方式 ヘテロ接合2極トランジスタ ハイビジョンテレビ 短波(3-30 MHz) ファイバー同軸ハイブリッド ヘテロ構造電界効果トランジスタ ハイパワーアンプ 熱的に拡張されたプラスチックの極薄クアッド・フ ラット・リードレスパッケージ 中間周波数 産業科学医療用(ISM)バンド LDMOS LNA LNB LO LPF MESFET MMIC 横拡散金属酸化膜半導体 低雑音アンプ 低雑音ブロック 局部オシレ―タ 低域通過フィルタ 金属半導体電界効果トランジスタ モノリシックマイクロ波集積回路 略語 DiSEqC DSB DVB EDGE ESD FET FM GaAs GaN Gen GPS GSM HBT HDTV HF HFC HFET HPA HVQFN 124 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 MMPP MPPM MoCA MOSFET プッシュプルトランジスタの半分を別々に使用した メインとピークデバイス 同じプッシュプルトランジスタを使用したメインと ピークデバイス MoCA(Multimedia over Coax Alliance) 金属オキサイド半導体電界効果トランジスタ MPA MRI NF NIM NMR PA PAR PEP pHEMT ミディアムパワーアンプ 磁気共鳴画像装置 雑音指数 ネットワーク・インターフェース・モジュール 核磁気共鳴 パワーアンプ ピーク対平均電力比 尖頭包絡線電力 擬似格子整合高電子移動度トランジスタ PLL QUBiC RF RFS RoHS Rx SARFT 位相ロックループ 高品質 BiCMOS 無線周波数 供給開始 有害物質の使用制限指令(RoHS指令) 受信機 国立ラジオ、映画、テレビ管理省 シリアライザー シリコン・ゲルマニウム・炭素 サテライト・マスター・アンテナTV (SMATV) 表面実装型デバイス 単極双投 対称ドハティ設計 (メインおよびピークに同一のデ バイスを使用) TD-SCDMA 時分割同期符号分割多元接続(中国規格) SER SiGe:C SMATV SMD SPDT SYM TCAS TMA TTFF Tx UHF UMTS VCO VGA VHF VoIP VSAT WCDMA WiMAX WLAN 航空機衝突防止システム 搭設アンプ Time to First Fix (初期位置算出時間) 送信機 極超短波(470-860 MHz) ユニバーサル・モバイル・テレコミュニケーション・ システム 電圧制御オシレ―タ 可変利得アンプ 極超短波(30-300 MHz) ボイス オーバー インターネット プロトコル 超小型衛星通信地上局 広帯域符号分割多元接続 ワイマックス 無線LAN 8. 連絡先とweb リンク 正規代理店および最寄のNXP営業所の連絡方法 正規代理店 アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific_dist 欧州/アフリカ/中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe_dist 北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica_dist NXP営業所 アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific 欧州/アフリカ/中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe 北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica NXP RF MMIC: http://www.nxp.com/mmics NXP RFワイドバンド・トランジスタ: http://www.nxp.com/rftransistors NXP RF パワー&ベースステーション: http://www.nxp.com/rfpower NXP RF FET: http://www.nxp.com/rffets NXP RF CATV(電気信号および光信号): http://www.nxp.com/catv NXP RF アプリケーション: http://www.nxp.com/rf NXP RF アプリケーションノート: http://www.nxp.com/technical-support-portal/50812/50961 NXPクロス・レファレンス: http://www.nxp.com ウェブリンク NXP RFマニュアルWebページ http://www.nxp.com/rfmanual NXPバリキャップ http://www.nxp.com/varicaps NXP RF PINダイオード http://www.nxp.com/pindiodes NXP RFショットキー・ダイオード: http://www.nxp.com/rfschottkydiodes NXPパッケージ: http://www.nxp.com/package NXP生産終了品: http://www.nxp.com/products/eol NXPクオリティ・ハンドブック: http://www.standardics.nxp.com/quality/handbook NXP資料: http://www.nxp.com/products/discretes/documentation NXPの営業所と正規代理店: http://www.nxp.com/profile/sales NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 連絡先とweb リンク NXP セミコンダクターズ http://www.nxp.com 125 9. 製品目録 Portfolio chapter Type Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter 1PS10SB82 3.2.4 BAP70Q 3.2.2 BF1208D 3.5.2 BFG325W/XR 3.3.1 1PS66SB17 3.2.4 BAT17 3.2.4 BF1210 3.5.2 BFG35 3.3.1 1PS66SB82 3.2.4 BAT18 3.2.3 BF1211 3.5.2 BFG403W 3.3.1 1PS70SB82 3.2.4 BB131 3.2.1 BF1211R 3.5.2 BFG410W 3.3.1 1PS70SB84 3.2.4 BB135 3.2.1 BF1211WR 3.5.2 BFG424F 3.3.1 1PS70SB85 3.2.4 BB145B 3.2.1 BF1212 3.5.2 BFG424W 3.3.1 1PS70SB86 3.2.4 BB148 3.2.1 BF1212R 3.5.2 BFG425W 3.3.1 1PS76SB17 3.2.4 BB149 3.2.1 BF1212WR 3.5.2 BFG480W 3.3.1 1PS79SB17 3.2.4 BB149A 3.2.1 BF1214 3.5.2 BFG505 3.3.1 1PS88SB82 3.2.4 BB152 3.2.1 BF1215 3.5.2 BFG505/X 3.3.1 BA277 3.2.3 BB153 3.2.1 BF1216 3.5.2 BFG505W 3.3.1 BA591 3.2.3 BB156 3.2.1 BF1217 3.5.2 BFG505W/X 3.3.1 BA891 3.2.3 BB178 3.2.1 BF1218 3.5.2 BFG505W/XR 3.3.1 BAP1321-02 3.2.2 BB178LX 3.2.1 BF510 3.5.1 BFG520 3.3.1 BAP1321-03 3.2.2 BB179 3.2.1 BF511 3.5.1 BFG520/X 3.3.1 BAP1321-04 3.2.2 BB179B 3.2.1 BF512 3.5.1 BFG520/XR 3.3.1 BAP1321LX 3.2.2 BB179BLX 3.2.1 BF513 3.5.1 BFG520W 3.3.1 BAP142LX 3.2.2 BB179LX 3.2.1 BF545A 3.5.1 BFG520W/X 3.3.1 BAP50-02 3.2.2 BB181 3.2.1 BF545B 3.5.1 BFG540 3.3.1 BAP50-03 3.2.2 BB182 3.2.1 BF545C 3.5.1 BFG540/X 3.3.1 BAP50-04 3.2.2 BB184 3.2.1 BF556A 3.5.1 BFG540/XR 3.3.1 BAP50-04W 3.2.2 BB187 3.2.1 BF556B 3.5.1 BFG540W 3.3.1 BAP50-05 3.2.2 BB187LX 3.2.1 BF556C 3.5.1 BFG540W/X 3.3.1 BAP50-05W 3.2.2 BB189 3.2.1 BF861A 3.5.1 BFG540W/XR 3.3.1 BAP50LX 3.2.2 BB198 3.2.1 BF861B 3.5.1 BFG541 3.3.1 BAP51-02 3.2.2 BB199 3.2.1 BF861C 3.5.1 BFG590 3.3.1 BAP51-03 3.2.2 BB201 3.2.1 BF862 3.5.1 BFG590/X 3.3.1 BAP51-04W 3.2.2 BB202 3.2.1 BF904A 3.5.2 BFG591 3.3.1 BAP51-05W 3.2.2 BB207 3.2.1 BF904AR 3.5.2 BFG67 3.3.1 BAP51-06W 3.2.2 BB208-02 3.2.1 BF904AWR 3.5.2 BFG67/X 3.3.1 BAP51LX 3.2.2 BB208-03 3.2.1 BF908 3.5.2 BFG92A/X 3.3.1 BAP55LX 3.2.2 BBY40 3.2.1 BF908R 3.5.2 BFG93A 3.3.1 BAP63-02 3.2.2 BF1102(R) 3.5.2 BF908WR 3.5.2 BFG93A/X 3.3.1 BAP63-03 3.2.2 BF1105 3.5.2 BF909A 3.5.2 BFG94 3.3.1 BAP63-05W 3.2.2 BF1105R 3.5.2 BF909AR 3.5.2 BFG97 3.3.1 BAP63LX 3.2.2 BF1105WR 3.5.2 BF909AWR 3.5.2 BFM505 3.3.1 BAP64-02 3.2.2 BF1107 3.5.2 BF991 3.5.2 BFM520 3.3.1 BAP64-03 3.2.2 BF1108 3.5.2 BF992 3.5.2 BFM540 3.3.1 BAP64-04 3.2.2 BF1108R 3.5.2 BF994S 3.5.2 BFQ149 3.3.1 BAP64-04W 3.2.2 BF1108W 3.5.2 BF996S 3.5.2 BFQ18A 3.3.1 BAP64-05 3.2.2 BF1108WR 3.5.2 BF998 3.5.2 BFQ19 3.3.1 BAP64-05W 3.2.2 BF1118 3.5.2 BF998R 3.5.2 BFQ591 3.3.1 BAP64-06 3.2.2 BF1118R 3.5.2 BF998WR 3.5.2 BFQ67 3.3.1 BAP64-06W 3.2.2 BF1118W 3.5.2 BFG10 3.3.1 BFQ67W 3.3.1 BAP64LX 3.2.2 BF1118WR 3.5.2 BFG10/X 3.3.1 BFR106 3.3.1 BAP64Q 3.2.2 BF1201 3.5.2 BFG10W/X 3.3.1 BFR30 3.5.1 BAP65-02 3.2.2 BF1201R 3.5.2 BFG135 3.3.1 BFR31 3.5.1 BAP65-03 3.2.2 BF1201WR 3.5.2 BFG198 3.3.1 BFR505 3.3.1 BAP65-05 3.2.2 BF1202 3.5.2 BFG21W 3.3.1 BFR505T 3.3.1 BAP65-05W 3.2.2 BF1202R 3.5.2 BFG25A/X 3.3.1 BFR520 3.3.1 BAP65LX 3.2.2 BF1202WR 3.5.2 BFG25AW 3.3.1 BFR520T 3.3.1 BAP70-02 3.2.2 BF1203 3.5.2 BFG25AW/X 3.3.1 BFR540 3.3.1 BAP70-03 3.2.2 BF1204 3.5.2 BFG31 3.3.1 BFR92A 3.3.1 BAP70-04W 3.2.2 BF1206 3.5.2 BFG310/XR 3.3.1 BFR92AW 3.3.1 BAP70-05 3.2.2 BF1207 3.5.2 BFG310W/XR 3.3.1 BFR93A 3.3.1 BAP70AM 3.2.2 BF1208 3.5.2 BFG325/XR 3.3.1 BFR93AR 3.3.1 126 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter BFR93AW 3.3.1 BGA6102 3.4.1 BGX7300 3.4.2 BLF6G20S-230PRN 3.7.1.3 BFR94A 3.3.1 BGA6104 3.4.1 BGX885N 3.6.1 BLF6G21-10G 3.7.1.2 BFR94AW 3.3.1 BGA6289 3.4.1 BGY588C 3.6.1 BLF6G22(LS)-180PN 3.7.1.4 BFS17 3.3.1 BGA6489 3.4.1 BGY66B 3.6.5 BLF6G22(LS)-180RN 3.7.1.4 BFS17A 3.3.1 BGA6589 3.4.1 BGY67 3.6.5 BLF6G22(S)-45 3.7.1.4 BFS17W 3.3.1 BGA7014 3.4.1 BGY67A 3.6.5 BLF6G22L-40BN 3.7.1.4 BFS25A 3.3.1 BGA7017 3.4.1 BGY68 3.6.5 BLF6G22L(S)-40P 3.7.1.4 BFS505 3.3.1 BGA7020 3.4.1 BGY785A 3.6.1 BLF6G22LS-100 3.7.1.4 BFS520 3.3.1 BGA7024 3.4.1 BGY787 3.6.1 BLF6G22LS-130 3.7.1.4 BFS540 3.3.1 BGA7027 3.4.1 BGY835C 3.6.1 BLF6G22LS-75 3.7.1.4 BFT25 3.3.1 BGA7124 3.4.1 BGY885A 3.6.1 BLF6G27-10(G) 3.7.1.5 BFT25A 3.3.1 BGA7127 3.4.1 BGY887 3.6.1 BLF6G27(LS)-100 3.7.1.6 BFT46 3.5.1 BGA7130 3.4.1 BGY887B 3.6.1 BLF6G27(LS)-135 3.7.1.6 BFT92 3.3.1 BGA7204 3.4.1 BGY888 3.6.1 BLF6G27(LS)-75 3.7.1.6 BFT92W 3.3.1 BGA7210 3.4.1 BLA0912-250R 3.7.3.1 BLF6G27(S)-45 3.7.1.6 BFT93 3.3.1 BGA7350 3.4.1 BLA1011-10 3.7.3.1 BLF6G27L(S)-40P 3.7.1.6 BFT93W 3.3.1 BGA7351 3.4.1 BLA1011-2 3.7.3.1 BLF6G27L(S)-50BN 3.7.1.6 BFU610F 3.3.1 BGD712 3.6.3 BLA1011-300 3.7.3.1 BLF6G38-10(G) 3.7.1.7 BFU630F 3.3.1 BGD712C 3.6.3 BLA1011(S)-200R 3.7.3.1 BLF6G38(LS)-100 3.7.1.7 BFU660F 3.3.1 BGD714 3.6.3 BLA6G1011-200R 3.7.3.1 BLF6G38(LS)-50 3.7.1.7 BFU690F 3.3.1 BGD812 3.6.3 BLA6G1011LS-200RG 3.7.3.1 BLF6G38(S)-25 3.7.1.7 BFU710F 3.3.1 BGD814 3.6.3 BLA6H0912-500 3.7.3.1 BLF6H10L(S)-160 3.7.1 BFU725F/N1 3.3.1 BGD816L 3.6.3 BLA6H1011-600 3.7.3.1 BLF7G10L(S)-250 3.7.1.1 BFU730F 3.3.1 BGE787B 3.6.1 BLD6G21L(S)-50 3.7.1.3 BLF7G15LS-200 3.7.1.2 BFU730LX 3.3.1 BGE788C 3.6.1 BLD6G22L(S)-50 3.7.1.4 BLF7G15LS-300P 3.7.1.2 BFU760F 3.3.1 BGE885 3.6.1 BLF174XR(S) 3.7.2 BLF7G20L(S)-200 3.7.1.3 BFU790F 3.3.1 BGM1013 3.4.1 BLF178XR(S) 3.7.2 BLF7G20L(S)-250P 3.7.1.3 BGA2001 3.4.1 BGM1014 3.4.1 BLF2425M6L(S)180P 3.7.2 BLF7G20L(S)-90P 3.7.1.3 BGA2002 3.4.1 BGO807C 3.6.4 BLF2425M7L(S)140 3.7.2 BLF7G20LS-140P 3.7.1.3 BGA2003 3.4.1 BGO807CE 3.6.4 BLF2425M7L(S)200 3.7.2 BLF7G20LS-260A 3.7.1 BGA2011 3.4.1 BGR269 3.6.5 BLF2425M7L(S)250P 3.7.2 BLF7G21L(S)-160P 3.7.1.4 BGA2012 3.4.1 BGU6101 3.4.1 BLF25M612(G) 3.7.2 BLF7G21LS-160 3.7.1.4 BGA2022 3.4.1 BGU6102 3.4.1 BLF369 3.7.2.1 BLF7G22L(S)-100P 3.7.1.4 BGA2031/1 3.4.1 BGU6104 3.4.1 BLF3G21-30 3.7.1.4 BLF7G22L(S)-130 3.7.1.4 BGA2709 3.4.1 BGU7003 3.4.1 BLF3G21-6 3.7.1.4 BLF7G22L(S)-160 3.7.1.4 BGA2712 3.4.1 BGU7003W 3.4.1 BLF571 3.7.2.1 BLF7G22L(S)-200 3.7.1.4 BGA2714 3.4.1 BGU7004 3.4.1 BLF572XR(S) 3.7.2 BLF7G22L(S)-250P 3.7.1.4 BGA2715 3.4.1 BGU7005 3.4.1 BLF573(S) 3.7.2.1 BLF7G24L(S)-100 3.7.1.5 BGA2716 3.4.1 BGU7007 3.4.1 BLF574 3.7.2.1 BLF7G24L(S)-140 3.7.1.5 BGA2717 3.4.1 BGU7008 3.4.1 BLF574XR(S) BGA2748 3.4.1 BGU7031 3.4.1 BLF578 BGA2776 3.4.1 BGU7032 3.4.1 BLF578XR(S) BGA2800 3.4.1 BGU7033 3.4.1 BLF642 BGA2801 3.4.1 BGU7041 3.4.1 BLF645 BGA2802 3.4.1 BGU7042 3.4.1 BLF647 BGA2803 3.4.1 BGU7044 3.4.1 BGA2815 3.4.1 BGU7045 BGA2817 3.4.1 BGA2818 BGA2819 3.7.2 BLF7G24L(S)-160P 3.7.1 3.7.2.1 BLF7G27L-200PB 3.7.1.6 3.7.2 BLF7G27L(S)-100 3.7.1.6 3.7.2.2 BLF7G27L(S)-140 3.7.1.6 3.7.2.1 BLF7G27L(S)-150P 3.7.1.6 3.7.2.1 BLF7G27L(S)-75P 3.7.1.6 BLF647P(S) 3.7.2 BLF7G27L(S)-90P 3.7.1.6 3.4.1 BLF6G10(LS)-135RN 3.7.1.1 BLF7G27LS-90PG BGU7051 3.4.1 BLF6G10(LS)-160RN 3.7.1.1 BLF861A 3.4.1 BGU7052 3.4.1 BLF6G10(LS)-200RN 3.7.1.1 BLF871(S) 3.7.2.1 3.4.1 BGU7053 3.4.1 BLF6G10(S)-45 3.7.1.1 BLF878 3.7.2.2 BGA2850 3.4.1 BGU7060 3.4.1 BLF6G10L-40BRN 3.7.1.1 BLF879P 3.7.2.2 BGA2851 3.4.1 BGU7061 3.4.1 BLF6G10L(S)-260PRN 3.7.1.1 BLF881(S) 3.7.2.2 BGA2865 3.4.1 BGU7062 3.4.1 BLF6G15L-250PBRN 3.7.1.2 BLF884P(S) 3.7.2.2 BGA2866 3.4.1 BGU7063 3.4.1 BLF6G15L-40BRN 3.7.1.2 BLF888 3.7.2.2 BGA2867 3.4.1 BGU8006 3.4.1 BLF6G15L(S)-40RN 3.7.1 BLF888A(S) 3.7.2.2 BGA2868 3.4.1 BGU8007 3.4.1 BLF6G20(LS)-110 3.7.1.3 BLF888B(S) 3.7.2.2 BGA2869 3.4.1 BGX7100 3.4.2 BLF6G20(LS)-180RN 3.7.1.3 BLF8G10L(S)-160 3.7.1.1 BGA2870 3.4.1 BGX7101 3.4.2 BLF6G20(LS)-75 3.7.1.3 BLF8G10L(S)-160V 3.7.1 BGA2874 3.4.1 BGX7220 3.4.2 BLF6G20(S)-45 3.7.1.3 BLF8G10L(S)-300P 3.7.1 BGA6101 3.4.1 BGX7221 3.4.2 BLF6G20LS-140 3.7.1.3 BLF8G10LS-200GV 3.7.1 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 3.7.1 3.7.2.1 127 製品目録 Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter BLF8G10LS-270GV 3.7.1 BLT80 3.3.1 PMBF4393 3.5.1 BLF8G10LS-400PGV 3.7.1 BLT81 3.3.1 PMBFJ108 3.5.1 BLF8G20L(S)-200V 3.7.1 BLU6H0410L(S)-600P 3.7.3 PMBFJ109 3.5.1 BLF8G20LS-270GV 3.7.1 BSR56 3.5.1 PMBFJ110 3.5.1 BLF8G20LS-270PGV 3.7.1 BSR57 3.5.1 PMBFJ111 3.5.1 BLF8G22LS-160BV 3.7.1 BSR58 3.5.1 PMBFJ112 3.5.1 BLF8G22LS-200GV 3.7.1 BSS83 3.5.2 PMBFJ113 3.5.1 BLF8G22LS-270GV 3.7.1 CGD1040HI 3.6.3 PMBFJ174 3.5.1 BLF8G22LS-400PGV 3.7.1 CGD1042H 3.6.3 PMBFJ175 3.5.1 BLF8G24L(S)-200P 3.7.1 CGD1042HI 3.6.3 PMBFJ176 3.5.1 3.7.1.6 CGD1044H 3.6.3 PMBFJ177 3.5.1 BLF8G27LS-140G 3.7.1 CGD1044HI 3.6.3 PMBFJ308 3.5.1 BLF8G27LS-140V 3.7.1 CGD1046HI 3.6.3 PMBFJ309 3.5.1 BLF8G27LS-200PGV 3.7.1 CGD942C 3.6.3 PMBFJ310 3.5.1 BLF8G27LS-280PGV 3.7.1 CGD944C 3.6.3 PMBFJ620 3.5.1 Type BLF8G27LS-140 Type Portfolio chapter BLL1214-250R 3.7.3.2 CGD982HCI 3.6.3 PRF947 3.3.1 BLL1214-35 3.7.3.2 CGD985HCI 3.6.3 PRF949 3.3.1 BLL6G1214L-250 3.7.3.2 CGD987HCI 3.6.3 PRF957 3.3.1 3.7.3 CGY1032 3.6.2 TFF1003HN 3.4.4 BLL6H0514-25 3.7.3.2 CGY1041 3.6.2 TFF1007HN 3.4.4 BLL6H0514L(S)-130 3.7.3.2 CGY1043 3.6.2 TFF1014HN 3.4.3 BLL6H1214(LS)-500 3.7.3.2 CGY1047 3.6.2 TFF1015HN 3.4.3 BLL6H1214L(S)-250 3.7.3.2 CGY1049 3.6.2 TFF1017HN 3.4.3 BLL6H1214LS-500 3.7.3 CGY1085A 3.6.2 TFF11070HN 3.4.4 BLM6G10-30(G) 3.7.1.1 CGY888C 3.6.1 TFF11073HN 3.4.4 BLM6G22-30(G) 3.7.1.4 CLF1G0035-100 3.7.4 TFF11077HN 3.4.4 BLM7G22S-60PB(G) 3.7.1 CLF1G0035-50 3.7.4 TFF11080HN 3.4.4 BLP7G07S-140P(G) 3.7.1 CLF1G0060-10 3.7.4 TFF11084HN 3.4.4 BLP7G09S-140P(G) 3.7.1 CLF1G0060-30 3.7.4 TFF11088HN 3.4.4 BLP7G22-10 3.7.1 JenNet 3.8 TFF11092HN 3.4.4 BLP7G22-10* 3.7.1.4 JenNet-IP 3.8 TFF11094HN 3.4.4 BLS2933-100 3.7.3.3 JN5142-001 3.8 TFF11096HN 3.4.4 BLS6G2731-6G 3.7.3.3 JN5142-J01 3.8 TFF11101HN 3.4.4 BLS6G2731(S)-120 3.7.3.3 JN5148-001 3.8 TFF11105HN 3.4.4 BLS6G2731S-130 3.7.3.3 JN5148-001-M00 3.8 TFF11110HN 3.4.4 3.7.3 JN5148-001-M03 3.8 TFF11115HN 3.4.4 BLS6G2933S-130 3.7.3.3 JN5148-001-M04 3.8 TFF11121HN 3.4.4 BLS6G3135(S)-120 3.7.3.3 JN5148-J01 3.8 TFF11126HN 3.4.4 BLS6G3135(S)-20 3.7.3.3 JN5148-Z01 3.8 TFF11132HN 3.4.4 BLS7G2325L-105 3.7.3.3 PBR941 3.3.1 TFF11139HN 3.4.4 3.7.3 PBR951 3.3.1 TFF11145HN 3.4.4 3.7.3.3 PMBD353 3.2.4 TFF11152HN 3.4.4 BLS7G3135L(S)-350P 3.7.3 PMBD354 3.2.4 ZigBee PRO 3.8 BLT50 3.3.1 PMBF4391 3.5.1 BLT70 3.3.1 PMBF4392 3.5.1 BLL6G1214LS-250 BLS6G2735L(S)-30 BLS7G2729L(S)-350P BLS7G2933S-150 128 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 メモ NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 129 メモ 130 NXPセミコンダクターズRF マュアル第16版 www.nxp.com © 2012 NXP B.V. 複製を禁ず。本書の全部または一部の複製には、事前に著作権者からの書面による同意が必要です。 本書に記載されてい る情報は、見積もりや契約の一部には含まれません。情報の正確さや信頼性には万全を期しております。また、情報は予告 なく変更されることがあります。 本書の情報を用いた結果につきましては、一切の責任を負いかねます。 本書は、特許権 あるいは他の工業的または知的所有権の使用ライセンスを提供するものでも、その提供を暗示するものでもありません。 53520-1205-1011 www.climatepartner.com リリース日：2012年6月 ドキュメント注文番号： 9397 750 17299 印刷：オランダ
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