ＣＭＯＳ、デュアル、クワッド PCIバス互換 広い入出力振幅(Rail-to-Rail) 超高速アナログＩ／Ｏボ−ド オペアンプ 特長 ・電源電圧範囲までの広い同相電圧入力 ・電源電圧範囲までの広い出力振幅 ・3V,5V,15V動作保証 ・優れたCMRRとPSRR；82dB ・極めて低い入力電流；20fA ・高い電圧ゲイン(@RL=500kΩ);130dB ・負荷2kΩおよび600Ωで仕様値を表示 ■ 主要スペック1(5V電源動作時) ■ 概要 断りなき限り +Vs=5V, -Vs=0V, Vcm=Vo=+Vs/2 およびRL=>1M、全使用温 度範囲での規定．ただし標準値は+25℃での値． 最小 標準 最大 AM-6482S（デユアル；2個入り）、ならびにAM-6484S（クワッド；4個入り）は 供給電源電圧範囲までの同相電圧範囲を持っています．加えて高い 単位 CMRRを持っていますから精度も高く、他の同種のアンプとの違いは際立っ 入力 入力オフセット電圧 同平均ドリフト 入力電流 入力オフセット電流 コモンモード入力容量 入力抵抗 CMRR 0V<Vcm<15.0V, +Vs=15V 0V<Vcm<5.0V, +Vs=5V 同相入力電圧範囲 +Vs=5Vおよび15V, CMRR>50dB 0.11 1.0 0.02 ています．広い入力信号振幅を必要とされるデータアクイジションのシステ 3.7 mV μV/℃ 4.0 pA 0.01 2.0 ムに最適です． 本品の出力振幅は600Ω負荷まで保証されています．保証された低電圧で の仕様値と低い消費電力が、本品をバッテリー駆動用のシステムに最適な ものとしています．形状が極めて小型なことも長所の一つです． pA 3 pF TeraΩ 10 62 82 62 ◆応用例 ・データアクイジションシステム ・トランスデューサ ・ｐHメータ ・アクティブフィルタ ・ピークディテクタ ・サンプルホールド dB ■ ブロック図とピン配置（図1） 82 dB AM-6482S AM-6484S 0 出力 出力スイング (*+Vs/2との間の負荷) +Vs=5V, RL=2kΩ* 上限 下限 RL=600Ω*上限 下限 +Vs=15V, RL=2kΩ*上限 下限 RL=600Ω*上限 下限 +Vs 4.7 4.9 0.1 4.7 0.3 14.7 0.16 14.1 0.5 4.24 14.2 13.0 V 出力 A 1 V V V V V V V V 0.24 0.65 0.45 1.3 -入力 2 A 出力 1 1 8 +Vs A 7 出力 B -入力(1) 2 6 B -入力 B +入力 5 B -Vs 4 +Vs 7 最小値 最大値 8.509 8.738 AM-6482S、6484S （共通） 5.791 5.791 6.198 6.198 0°〜 8° 0.254 max. 0.254 max. 0.203 typ. 1.346 1.753 1.270 BSC. 0.356 0.508 0.102 0.254 1.346 1.753 1.270 BSC. 0.203 typ. 0.356 0.508 0.102 0.254 0.203 0.254 3.810 3.988 0.406 1.270 -１- 13 -入力(4) 12 +入力(4) 11 -Vs 4 -入力(2) 6 AM-6484S 4.800 5.004 4 +入力(2) 5 単位：ミリ AM-6482S 1 +入力(1) 3 +入力 A 3 出力 2 ■ 外形寸法図(図2) 14 出力 4 10 +入力(3) 2 3 9 -入力(3) 8 出力 3 ■ 主要スペック1(5V電源動作時)（続き） 最小 標準 ■ 3V電源時主要スペック 最大 単位 断りなき限り +Vs=+3V, -Vs=0V, Vcm=Vo=+Vs/2 およびRL=>1M、全使用 温度範囲での規定．ただし標準値は+25℃での値． 出力(続き） 出力短絡電流 +Vs=5V、 ソース、 Vo=0V シンク、Vo=5V +Vs=15V、ソース、Vo=0V シンク、Vo=12V*1 ダイナミック特性 スリュ-率*2 ゲインバンド幅積 位相マージン ゲインマージン アンプ間絶縁*3 ゲイン 大信号電圧ゲイン*4 RL=2kΩ、ソース シンク RL=600Ω、ソース シンク ノイズおよび歪み 最小 12 9.5 22 24 20 15 30 30 0.63 1.3 1.5 50 15 150 72 20 30 10 電圧ノイズ（入力換算） F=1kHz,Vcm=1V 電流ノイズ（入力換算） F=1kHz 全高調波歪み, F=10kHz, Av=-2 RL=10kΩ, Vo=4.1Vpp RL=10kΩ, Vo=8.5Vpp, +Vs=10V mA mA mA mA 入力オフセット電圧 同平均ドリフト 入力バイアス電流 入力オフセット電流 CMRR 0V≦Vcm≦3V 同相入力電圧範囲 CMRR>50dB V/μs MHz 度 dB dB 666 75 300 35 nV/ Hz pA/ Hz 0.01 0.01 % % 出力スイング (*+Vs/2との間の負荷) RL=2kΩ* 上限 下限 RL=600Ω*上限 下限 ダイナミック特性、歪み 電源電流 AM-6482S +Vs=5V, Vo=+Vs/2 +Vs=15V, Vo=+Vs/2 AM-6484S +Vs=5V, Vo=+Vs/2 +Vs=15V, Vo=+Vs/2 60 +Vs 2.8 0.2 2.7 0.37 2.5 1.0 1.3 2.0 2.6 電源電流 V/μs MHz 0.01 % AM-6482S AM-6484S 1.5 3.0 0.825 1.65 mA mA ■ 動作定格*6 dB dB 1.8 1.9 3.6 3.8 0.6 0.9 1.0 最小 82 82 V V V V 電源 電源除去比（PSRR) 62 62 単位 0.9 3.7 mV 2.0 μV/℃ 0.02 pA 0.01 pA 74 dB ±Vs±0.25 V スリュ-率*5 ゲインバンド幅積 全高調波歪み f=10kHz, RL=10kΩ,Vo=2Vpp 電源 5V≦+Vs≦15V, -Vs=0V, Vo=2.5V -5V≦-Vs≦-15V, +Vs=0V, Vo=-2.5V 最大 出力 V/mV V/mV V/mV V/mV 37 0.03 標準 入力 供給電源電圧 +Vs ジャンクション温度範囲 mA mA mA mA 最大 3.0 -40 15.5 +85 単位 V ℃ ■ 絶対定格(これらを超えると破壊します.) 最小 ESDトレランス＊7 差同入力電圧 入出力ピン端子電圧 供給電源電圧差 +Vs-(-Vs） 入力端子電流 出力端子電流＊1、＊8 供給電源端子電流 端子温度（半田付け、10秒間） 保存温度範囲 ジャンクション温度 ＊1．+Vsへ短絡しないこと． +Vsが13Vより高いと信頼性に悪影響あり． ＊2．+Vs=15V. 電圧フォロワーとして配線し、10Vのステップ入力を与え る．仕様値は正又は負方向へのスリュ-率の低いほうの値． ＊3．入力換算．+Vs=15V, RL=100kΩを7.5Vに接続．各アンプは順番に Vo=12Vppを1kHzで出力するよう駆動． ＊4．V+=15V, Vcm=7.5V, RLは7.5Vに接続．ソーステストでは； 7.5V≦Vo≦11.5V シンクテストでは； 3.5V≦Vo≦7.5V ＊5．電圧フォロワー、2Vステップ入力．正負いずれか遅いほうの値． ＊6．動作はしますが仕様性能に合わない場合があります． ＊7．人体モデル、1.5kΩシリーズ100pF. MIL-STD-883,3015.6, Class 1. ＊8．短絡状態で高温下で連続使用すると、絶対定格ジャンクション温度 150℃を超えることがあります．長期間±30mAを超えて使用すると信 頼性は損なわれます． 最大 1.5 -Vs +Vs -Vs-0.3 +Vs+0.3 16 ±5 ±30 40 260 -65 +150 +150 絶対定格値での使用はお勧めできません．通常の用例には ｢主要スペック｣ 表上の数値を用いてください． -2- 単位 kV V V V mA mA mA ℃ ℃ ℃ ■ テクニカルノート ますので、入力コモンモードレンジは供給電源電圧範囲まで拡張されてい ます．他のCMOSまたはバイポーラタイプのレールツーレール(Rail-to-rail) 製品と異なり、補正型並列差動入力回路は使っていませんので、CMRRや クロスオーバ歪み、ゲインの変動などによる不正確性はありません． Vin 3V Vout 500mV/div AM-6482SとAM-6484Sは特別に設計された広帯域電流ミラーを採用してい Vin (±7.5V) Vout (1V/div) 0V Bi-FETアンプと違い、本品は入力電圧が負の供給電源電圧を超えた場合 50μs/div 図４．±7.5Vの入力信号が±3Vの電源 電圧を大幅に超えても、RI の働きで位 相の反転はありません． 図３．入力信号が電源電圧を超えても、 位相の反転はありません． でも、位相反転現象を起こしません．図３は入力電圧が両端とも供給電圧 3V 範囲を超えていても、出力が反転していないことを示しています． 室温での入力電圧絶対定格は供給電源電圧を超えること300mVと規定され AM-6482,4 + Vin ています． 図４に示すように、絶対定格を大幅に超える電圧の場合には過大な電流が 流れ、信頼性に悪影響を及ぼします．この定格を超える恐れのある用例で は、図５のように入力抵抗（RI)を入れて、最大入力電流が±5mA以下になる Vout RI=10k 図５．入力保護用RI ソース シンク Vs=3V 180Ω 130Ω Vs=5V 110Ω 80Ω R=300 AM-6482,4 本品の出力抵抗はおよそ次のとおりです． 1V/div ようにします． + CL=330pF 1μs/div 図６．抵抗による絶縁 1 図７．周波数特性の改善．(図６利用） 出力抵抗の計算値を用いて、最大出力電圧振幅値を負荷の関数として推 測することができます． 10k C1=100pF 本品はVｓ=15V、ゲイン１の回路で、通常100pFの負荷を発振無しに直接駆 動できます．ゲイン１のフォロワは最も敏感な回路です．直接接続の容量性 Vin R1 300 AM-6482,4 + 負荷はオペアンプの位相マージンを低下させます．オペアンプの出力イン Cf R2 Vin Vout CL=330pF R1 AM-6482,4 Cin + 1μs/div ピーダンスと容量性負荷の組み合わせは、位相遅れを引き起こします．結 図８．抵抗による絶縁 2 果として減衰パルスや発振を生じさせます． Vout 図９．入力容量の相殺 容量性負荷を補正するには、図６に示すように抵抗絶縁を行うと効果があり ます．この簡単な方法で、マルチプレクサやA/Dコンバータ入力の容量性 +Vs R4 負荷成分を絶縁できます． 図８に示す配線で、容量性負荷を間接的に駆動することで、周波数応答性 能は改善できます．ここで R1とC1は出力信号の高い周波数成分をアンプ の反転入力端子にフィードフォワードすることによって、位相マージンの損 Vin 500k 1k R3 られます． R4 R1 AM-6482,4 + 200k Vout 500k -Vs Vout/Vin=-R4/R3 図10．反転回路オフセット電圧調整 5V R3 500k Vin -Vs R2 100 -5V 失を補うように働きます．そしてフィードバックループ全体の位相マージンを 保持します．R1とC1の値は要求されれるパルス応答によって経験的に決め +Vs 5V Vout AM-6482,4 + -5V Vout/Vin=1+R4/R3; R2<<R3 図11．非反転回路オフセット電圧調整 な超低入力電流の利点を生かすには、優れたレイアウトが必要です． 本品のように極めて低い入力電流のアンプには、大きな値の帰還抵抗を用 幸いなことに低い漏れ電流を達成する技術は簡単です．まず第一にPC板 いるのが普通です．大きな帰還抵抗はトランスデューサやフォトダイオード、 上の漏れ電流を過小評価しないことです．湿度が高いことや、表面上の汚 回路の浮遊容量などの微小な容量性入力と反応して位相マージンを小さく れや埃による漏れ電流が無視できないからです． させる働きをします． 表面上の漏れ電流を極小にするには、本品の入力端子をガードリングで完 入力容量の影響は帰還コンデンサを用いて補正できます．図9に示す帰還 全に囲むことです．最良の効果を期待するためには、ガードリングをPC板の コンデンサ Cf はまず次のように想定します． 表と裏の両面に設置します．そしてこのガードリングをアンプの入力電圧と 1/(2πR1Cin) ≧ 1/(2πR2Cf) または 同じ電位に結ぶことによって、漏れ電流が流れないようにします．たとえば R1Cin ≦ R2Cf 通常これで顕著な補正を期待できます． PC板上の配線とパッド間の抵抗値が１０１２Ωあったとします．これはかなり大 PC板での浮遊容量は試作ボードでのそれとは異なります．従って実使用時 きな値といえますが、5Vのバスが近接するパッドに5pAを漏れ電流として流 での最適なCｆの値は現実の回路で確かめてください． したとします．これだけで本品の実際の性能の２５０倍もの特性劣化をきたし てしまいます．しかしながらガードリングで入力電圧の5mV以内に電位を保 1000pA以下の漏れ電流しか許されないような回路設計の場合、PC板のレイ 持できていれば、抵抗値が１０１１Ωだったとしても、0.05pAの漏れ電流を生 アウトに特別な配慮が必要です．本品のように、通常20fA以下というよう じさせるだけです． -3- ■ テクニカルノート（続き） PC板を設計制作するほど大量に生産しない場合には、部品を空中に浮か -Vin R1 空気は優れた絶縁材です． Rg 図10、11 に回路例を示します．大きな値のポテンショメータが使われて、消 C4 + AM-6484 50k, 0.1% 10k せて配置すると、ガードリングよりも効果の高い漏れ電流防止が可能です． 費電力を押さえる役目をしています．両例ともVS＝±5Vで、調節電圧範囲 本品は業界標準のピン配列ですから、既存のシステムにもそのまま置き換 C3 AM-6484 C3 + 50k, 0.1% 50k, 0.1% AM-6484 R1 +Vin えが可能です．本品の優れた仕様を活用してシステムの性能を向上させて 50k, 0.1%* 50k, 0.1% R1 は通常±2.5mVです． *AC CMR 調節 Vout 48.7k DC CMR 調節 R2=500 C1 10pF + 10k 3〜20pF ください．本品を使用すれば信号のリニヤ領域が一段と広がります．大抵の 電圧リファレンス OPアンプは入力同相範囲に限界があります．この限界を超える信号はノン 図12 インスツルメントアンプ例 (アンプ3個使い） リニヤな出力応答をしてしまい、入力信号が同相範囲に戻るのに長い時間 を要してしまいます． 10,ゲイン調節 191 信号のリニヤ領域はフィルタの用例では特に重要です．もし信号のピークが 9.95k 同相電圧範囲を超えてしまいますと、フィルタの出力は位相の反転や極度 10k, 0.1% 10k, 0.1% CMRR調節 50 な歪をひきおこしてしまいます． + AM-6482 本品のCMRRは８２ｄBありますから、１２ビット解像力のA/Dコンバータの Vcm+1/2Vd 10k, 0.1% - AM-6482 + Vcm-1/2Vd Vout=100Vd 必要精度±０．３２５LSBを満たしています．他のアンプでCMRR＝５０dB程 図13 インスツルメントアンプ例 (アンプ2個使い） 度の製品では８ビットの精度しか得られません． 本品は高い入力インピーダンス、広い同相入力電圧範囲、高いCMRRを誇 Vs=+3V っています．本品を用いてデザインされた計装機器は、他のアンプを用いた ものよりも広い範囲の同相成分を除去することができます．この結果本品を ることができます．化学分析機器や電磁場検出器、ガス検知機、シリコン系 Ri Vin AM-6482,4 Vout 1V/div 10k 選択しておけば、雑音や環境条件が劣悪な場所での使用にも十分に耐え + トランスデューサでの用例にもこれらの利点が生きてきます． 10k 図12 では三つのOPアンプの差動ゲインの設定のために、RGにシリーズに 200μs/div 小さい値のポテンショメータを使っています．大きな値のポテンショメータ一 図14．半波整流器 図15．半波整流の実際(図14利用） つを使う代りに、この方法でゲインのトリム精度を上げ、振動によるエラーを 押さえています． 図13 に二つのオペアンプを使ってのゲイン１００の回路例を示しています． Vs=+3V オフセット電圧、CMRRおよびゲインの感度を低くしています．この例での主 な利点は低価格、低消費電力です．高周波数帯域で同相電圧範囲の広い 用例では、三つのアンプを使う回路が最適です． Ri Vin AM-6482,4 1N914 Vout + 図14に入力電流保護つきの半波整流器の例を示します．サイン波をグラン 5V/div 10k 10k 500μs/div ド近辺を中心として半波整流します．図１５を参照して下さい． 図16．全波整流器 図１６に全波整流器の例を示します．図１７を参照して下さい． 図17.全波整流の実際(図16利用） ■ アプリケーション例 20k +Vs IL VL R 100, R2 0.1, R1 AM-6482,4 AM-6482,4 Vin + RL + 図18．電流ソース 1k 1k AM-6482,4 + Vout ホールドC 100pF Iout Iout=(+Vs-Vin)/R Vin AM-6482,4 + Vout=1k(R1/R2)IL R1<<R2 図19．電流センス ポリエチレンまたはポリスチレンコンデンサの使用をお勧めします． ドループレートはコンデンサの値とダイオードの漏れ電流によります が、本品の極めて低い入力電流がドループに与える影響ははほとん ど無視できる程度です． 図20．ピーク検知器 -4- ■ アプリケーション例(続き) 20k C1 Vin + AM-6482,4 + AM-6482,4 + R1 R2 AM-6482,4 Vout - 1k C2 Vin + AM-6482,4 - Vout ホールドC サンプル R1=R2, C1=C2; f=1/(2πR1C1); DF=1/2 C2/C1 R2/R1 図21. サンプルホールド 図22. ロウパスフィルタ 3.0 ソース電流 (mA) AM-6484S +85℃ 電源電流 (mA) 2.5 2.0 AM-6484S +25℃ AM-6482S +85℃ 1.5 1.0 ソース電流対出力電圧（図23-2） 100 AM-6482S +25℃ 100 10 ソース電流 (mA) 電源電圧対電源電流（図23-1） 3.5 Vs=15V単一電源、Ta=25℃) +Vs=+15V 1 0.1 シンク電流対出力電圧（図23-4） ソース電流対出力電圧（図23-3） 100 +Vs=+5V 10 1 シンク電流 (mA) ■ 諸特性カーブ(図23)(断り無き限り このロウパスフィルタはA/Dコンバータと電源を共通に用いて、 アンチエリアシングフィルタとして使用できます．本品の極めて 低い入力電流という特長を生かせば、大きな抵抗を使ってもオ フセット誤差は無視できる程度となります．その結果コンデンサ は小さくてすみますので、スペースとコストの節約になります． +Vs=+3V 0.1 1 +Vs=+5V +Vs=+3V 0.1 0.01 0.01 0.01 +Vs=+15V 10 0.5 0.0 4 6 8 10 12 14 16 0.001 0.01 0.1 出力電圧スイング対電源電圧（図23-5） 30 10 100 0.001 0.001 0.01 180 24 160 上限側 18 15 下限側 12 9 6 0.1 10 1 0.001 0.001 入力電圧ノイズ対入力電圧（図23-7） 80 Vs=15V 140 120 100 80 60 40 60 50 40 30 Vs=5V F=1kHz 70 60 50 40 30 20 3 9 12 15 10 100 入力電圧ノイズ対入力電圧（図23-9） 80 10k クロストーク除去比対周波数（図23-10） 170 Vs=3V F=1kHz 60 50 40 30 140 Vs=5V RL=5k 130 0.5 1 1.5 2 2.5 3 100 0.1 1.0 120 40 Vs=15V RL=5k 100 40 CMRR (dB) CMRR (dB) 50 80 60 4 5 RL=5k Vs=3V 60 50 40 30 20 20 10 1 10 100 1k 10k 0 100k 1 10 100 1k 10k 100k 周波数 (Hz) CMRR対入力電圧（図23-15） CMRR対入力電圧（図23-16） 120 Vs=±2.5V F=10kHz RL=5k 100 70 60 70 30 120 Vs=±7.5V F=10kHz RL=5k 3 Vs=5V 周波数 (Hz) CMRR対入力電圧（図23-14） 90 80 50 周波数 (kHz) CMRR対周波数（図23-13） 90 Vs=3V 60 0 2 コモンモード入力電圧 (V) 80 70 10.0 1 -PSRR対周波数（図23-12） 100 RL=5k 10 コモンモード入力電圧 (V) 100 0 15 80 Vs=15V RL=5k 150 10 Vs=5V 90 110 20 5 コモンモード入力電圧 (V) +PSRR対周波数（図23-11） 100 120 0 20 0 160 除去比 (dB) 70 1k 周波数 (Hz) PSRR (dB) 6 電源電圧 (V) 100 CMRR (dB) 3 PSRR (dB) 0 電圧ノイズ (nV/ Hz) 10 1 入力電圧ノイズ対入力電圧（図23-8） 80 Vs=15V F=1kHz 70 0.1 GND基準の出力電圧 (V) 20 CMRR (dB) 0.01 Vs基準の出力電圧 (V) 入力電圧ノイズ対周波数（図23-6） 200 27 21 1 Vs基準出力電圧 (V) 電圧ノイズ (nV/ Hz) 電源電圧−出力スイング (mV) 電源電圧 (V) 電圧ノイズ (nV/ Hz) 2 電圧ノイズ (nV/ Hz) 0 80 60 80 60 30 20 40 40 40 10 0 10 100 1k 周波数 (Hz) 10k 100k 20 -7.5 -4.5 -1.5 0.0 1.5 4.5 7.5 20 -2.5 20 -1.5 -0.5 0.0 0.5 入力電圧 (V) 入力電圧 (V) -5- 1.5 2.5 -1.5 -0.9 -0.3 0 0.3 入力電圧 (V) 0.9 1.5 0.4 0.2 Vs=±2.5V 0 Vs=±1.5V -0.2 -0.4 RL=600 80 RL=2k 40 0 RL=50k 0 RL=50k RL=600 80 60 40 -80 -80 -0.8 -120 -120 0 -1.0 -160 -160 -20 0.1 1.5 2.5 -8 -6 -4 -2 RL=500k Vs=15V RL=2k 85℃ 60 ゲイン (dB) RL=600 40 20 8 ゲイン 50 40 -20 位相 30 135 20 45 0 -10 10 100 1k 10k 100k -20 1M 10M 1k 10k 100k 30 Vs=15V RL=600 90 CL=1000pF 0 -10 0 位相（度） =0 CL CL=500pF 10 45 -20 -45 CL=500pF -30 CL=1000pF -40 -50 10k 100k -90 1M 10M 1.50 700 600 500 Vs=5V 300 Vs=15V 100 1k 10k 100k 1M 10M ゲイン、位相対CL（図23-24） 50 位相 30 CL 20 ゲイン =5 Vs=15V RL=500k 90 CL =0 00p 45 F 10 0 0 -20 CL=0 -30 CL=500pF -45 1 100 10 -50 -90 10k 100k 1M 10M 周波数 (Hz) スリュ−率対電源電圧（図23-27） 非反転大信号パルス応答（図23-28） Av=1 RL=10k Vin=1Vpp 1.40 1.35 立下りエッジ 1.30 1.25 1.20 1.15 1.10 入力信号 Ta=25℃ RL=2k 出力信号 立上りエッジ 1.05 100 0 0.1 1 10 100 1000 10000 1.00 3 5 周波数 (kHz) 周波数 (kHz) 非反転小信号パルス応答（図23-29） 10 周波数 (kHz) 1.45 200 1 周波数 (Hz) Av=+1 Vs=15V RL=2k THD=3% 0 0.1 900 400 CL=0 3 -40 -45 10M 1M 800 ゲイン 20 2 -10 1000 出力インピーダンス (Ω) 位相 1 5 開ループ出力Z対周波数（図23-26） ゲイン、位相対CL（図23-25） 40 0 40 周波数 (Hz) 周波数 (Hz) 50 -1 10 スリュ−率 (V/μs) 1 -2 15 90 0 0.1 -3 最大出力振幅対周波数（図23-23） 180 10 0 -40 6 出力電圧 (V) 70 RL=2k 60 4 開ループ周波数対応（図23-22） 80 Vs=3V 100 80 2 出力スイング (Vpp) 開ループ周波数対応（図23-21） 120 0 出力電圧 (V) ゲイン (dB) 1 20 振幅 (1V/div) 0 位相（度） -1.5 -1 入力電圧 (V) ゲイン (dB) RL=2k -40 -40 Vs=15V RL=2k 100 RL=600 40 RL=500k 120 -0.6 -2.5 ゲイン (dB) 80 開ループ周波数対応（図23-20） 140 Vs=±2.5V 120 入力電圧 (μV) 入力電圧 (μV) Vos 変化 (mV) 120 0.6 入力電圧対出力電圧（図23-19） 160 Vs=±7.5V 7 9 11 13 15 16 時間 (1μs/div) 電源電圧 (V) 反転小信号パルス応答（図23-31） 反転大信号パルス応答（図23-30） 10000 安定性対容量性負荷（図23-32） 入力信号 Ta=25℃ RL=2k 出力信号 入力信号 1000 不安定領域 Ta=25℃ RL=2k 容量性負荷 CL (pF) 振幅 (50mV/div) Ta=25℃ RL=2k 振幅 (50mV/div) 振幅 (1V/div) Av=+1 Vs=±7.5V RL=1M 入力信号 100 出力信号 出力信号 時間 (1μs/div) 安定性対容量性負荷（図23-33） 10000 安定性対容量性負荷（図23-34） 100 100 25%オーバーシュート 10 -6 -4 -2 0 2 出力電圧 (V) 4 6 10 -6 -2 0 2 出力電圧 (V) 4 -4 -2 0 安定性対容量性負荷（図23-35） 10000 10 -6 4 6 安定性対容量性負荷（図23-36） Av=10 Vs=±7.5V 1000 RL=600 100 100 6 2 出力電圧 (V) 1000 25%オーバーシュート -4 25%オーバーシュート Av=10 Vs=±7.5V RL=1M 不安定領域 1000 不安定領域 容量性負荷 CL (pF) 容量性負荷 CL (pF) 1000 10000 Av=1 Vs=±7.5V RL=600 Av=1 Vs=±7.5V RL=2k 容量性負荷 CL (pF) 10000 10-6 時間 (1μs/div) 容量性負荷 CL (nF) 時間 (1μs/div) 25%オーバーシュート -4 -2 0 2 出力電圧 (V) 4 6 位相（度） 入力電圧対出力電圧（図23-18） 160 0.8 ゲイン (dB) ⊿Vos対CMR（図23-17） 1.0 10 -6 RL=2k -4 25%オーバーシュート -2 0 2 4 6 出力電圧 (V) ＊掲載された回路例の使用に起因する回路上および第3者の特許上の諸問題に関し、当社ではその責任を負いません．＊品質保証期間：当社製品は通常の使用条件で使用された場合には、納入日から1年間は製品の材質及 び仕上げに何らの欠点も生じないことを保証します．本期間中に万一、使用者の重大な過誤に基づく用法又は事故によらない不具合が発生した場合は、同等の良品との無償交換又は無償修理を行いますが、これ以上の要求に は応じ兼ねます．＊製品の仕様ならびに性能は予告無しに変更されることがあります．＊当文面に記載の内容については、Murata Power Solutions Inc. 発行のデータシートの翻訳版であり、英文データシートを優先致します. www.murata.co.jp/murataelectronics/
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