FJ3P01130L 保守予定品種、保守品種、廃予定品種

Doc No. TT4-EA-14765
Revision. 1
製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
FJ3P01130L
Unit: mm
 外形図
Silicon P-channel MOSFET
2.0
 アプリケーション
0.2
3
 バッテリー向けFET
 ロードスイッチ用
2.0
(0.25)
 Features
低ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)max. =10.0 m（VGS = -3.5 V)
低ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)max. =21.0 m（VGS = -1.8 V)
低ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)max. =75.0 m（VGS = -1.5 V)
高放熱で小型・低背 PMCPパッケージ採用
鉛フリー対応パッケージ（EU RoHS / MSL:Level 1 適合）
A4
包装仕様
廃
Ta = 25 C
項目
記号
保
 電気的特性
静的特性
単位
-12
±8
-4.8
-7.5
-11
-14.4
-22.5
-33.0
320
770
1780
150
-55 to +150
V
V
3
1 Source
2 Gate
Panasonic
JEITA
Code
0.9
2
1
(0.675)
3 Drain
PMCP-2020-Z1
-
 等価回路、端子名
A
A
2
3
Rg
1. Source
2. Gate
3. Drain
mW
°C
°C
1
守
保
守
VDS
ドレイン・ソース間電圧
VGS
ゲート・ソース間電圧
ID1
Ta = 25 C, DC *2
*3
ID2
ドレイン電流
Ta = 25 C, DC
*4
ID3
Ta = 25 C, DC
IDp1
Ta = 25 C *1 *2
ドレイン電流
IDp2
Ta = 25 C *1 *3
(パルス)
IDp3
Ta = 25 C *1 *4
PD1
Ta = 25 C, DC *2
PD2
許容損失
Ta = 25 C, DC *3
PD3
Ta = 25 C, DC *4
Tch
チャネル温度
Tstg
保存温度
Note：*1 t = 10 μs, Duty Cycle < 1%
*2 ガラスエポキシ基板A(図1参照)に実装した場合
*3 ガラスエポキシ基板B(図2参照)に実装した場合
*4 ガラスエポキシ基板C(図3参照)に実装した場合
定格
0.65
0.3
0.33 0.825
エンボスタイプ（熱圧着方式）： 7 000 個 / 巻（標準）
 絶対最大定格
0.3
2
(0.8)
止
 形名表示記号:
1
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。





Ta = 25 C  3 C
項目
記号
ドレイン・ソース間降伏電圧
ドレイン・ソース間遮断電流
ゲート・ソース間漏れ電流
ゲートしきい値電圧
VDSS
IDSS
IGSS
Vth
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
RDS(on)5
ダイオード順方向電圧
VF(D-S)
条件
ID = -1.0 mA, VGS = 0 V
VDS = -12 V, VGS = 0 V
VGS = ±8 V, VDS = 0 V
ID = -1.0 mA, VDS = -10 V
ID = -3.7 A, VGS = -4.5 V
ID = -3.7 A, VGS = -3.5 V
ID = -3.7 A, VGS = -2.5 V
ID = -2.0 A, VGS = -1.8 V
ID = -0.5 A, VGS = -1.5 V
ID = -3.7 A, VGS = 0 V
最小標準最大
-12
-10
±10
-0.25 -0.6 -0.95
3.7
6.4
9.0
4.0
7.3 10.0
4.7
8.7 13.5
5.4 12.3 21.0
5.8 17.1 75.0
-0.76 -1.2
単位
V
μA
μA
V
m
V
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
動的特性
項目
入力静電容量 *1
出力静電容量 *1
帰還静電容量 *1
ターンオン遅延時間
上昇時間 *1 *2
ターンオフ遅延時間
下降時間 *1 *2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
*1 *2
*1 *2
条件
最小標準最大
VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = -10 V, VGS = 0 to -4 V,ID = -3.7 A
VDD = -10 V, VGS = -4 to 0 V,ID = -3.7 A
3000
440
410
1.0
2.4
13
7.5
単位
pF
μs
μs
1. 測定方法は、日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法による
2. *1 設計保証の項目
*2 ターンオン遅延時間 / 上昇時間 / ターンオフ遅延時間 / 下降時間の評価回路は図3参照
止
注:
記号
Cu pad
25.4mm
保
守
廃
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
図1：ガラスエポキシ基板A
材質：FR4、サイズ：25.4mm × 25.4mm × t 1.0mm 、Cuパッド：36m厚、25.9mm 2
25.4mm
保
守
図2：ガラスエポキシ基板B
材質：FR4、サイズ：25.4mm × 25.4mm × t 1.0mm 、Cuパッド：36m厚、82.0mm 2
Cu pad
25.4mm
25.4mm
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
Figure3: ガラスエポキシ基板C
材質：FR4、サイズ：25.4mm × 25.4mm × t 1.0mm 、Cuパッド：36m厚、600mm 2
Cu pad
廃
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
25.4mm
25.4mm
Figure4: ターンオン遅延時間 / 上昇時間 / ターンオフ遅延時間 / 下降時間評価回路
守
Vin
0V
PW = 10 μs
D.C. ≦ 1 %
保
-4 V
VDD = -10 V
ID = -3.7 A
RL = 2.7
Vout
D
G
Rg
Vi
 
保
守
S
10 %
Vin
90 %
90 %
Vout
10 %
td(on) tr
td(off) tf
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
Technical Data ( reference )
ID - VDS
RDS(on) - ID
-10
35
Ta = 25℃
Ta = 25℃
-4.5V
-2.5V
-7
-1.8V
-6
-1.5V
-5
-1.2V
-3
-2
-1
25
20
VGS = -1.5V
15
-1.8V
5
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
Drain-source Voltage VDS (V)
ID - VGS
-10
守
-1
-0.1
85℃
-0.01
保
25℃
Ta = -40℃
-0.001
0
0
-1
廃
0
-2
-6
-8
-10
Drain Current ID (A)
50
ID = -3.7A
40
30
20
85℃
10
25℃
Ta = -40℃
0
-0.5
-1
-1.5
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
Gate-source Voltage VGS (V)
IGS - VGS
守
IF - VF
保
10
-4
RDS(on) - VGS
Gate-source Voltage VGS (V)
1E-01
1E-02
Gate Leakage Current IGS (A)
Source-drain Forward Current IF (A)
-2.5V
-4.5V
10
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
VGS = -1.0V
30
止
-4
Drain-source On-state Resistance
RDS (on) (mΩ)
Drain Current ID (A)
-8
Drain Current ID (A)
Drain-source On-state Resistance
RDS (on) (mΩ)
-9
1
85℃
0.1
25℃
Ta = -40℃
1E-03
85℃
1E-04
25℃
1E-05
1E-06
Ta = -40℃
1E-07
1E-08
1E-09
0.01
1E-10
0
0.5
Source-drain Forward Voltage VF (V)
1
0
3
6
9
12
15
Gate-source Voltage VGS (V)
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
Technical Data ( reference )
Rth - tsw
止
100
10
1
保
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width tsw (s)
Rth - tsw
守
100
保
Thermal Resistance Rth (°C/W)
0.01
守
0.001
廃
Ta=25℃,
Mounted on FR4 board (25.4×25.4×t1.0mm).
Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended
pad size(Cu area=82.0mm2 including traces, Cu thickness=36m).
0.1
0.0001
1000
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
Thermal Resistance Rth (°C/W)
1000
10
1
0.1
0.0001
Ta=25℃,
Mounted on FR4 board (25.4×25.4×t1.0mm).
Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended
pad size(Cu area=25.9mm2 including traces, Cu thickness=36m).
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width tsw (s)
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
Technical Data ( reference )
Rth - tsw
止
100
廃
10
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
Thermal Resistance Rth (°C/W)
1000
Ta=25℃,
Mounted on FR4 board (25.4×25.4×t1.0mm).
Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended
pad size(Cu area=600mm2 including traces, Cu thickness=72m).
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width tsw (s)
保
守
保
守
0.1
0.0001
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製品規格
MOS FET
FJ3P01130L
PMCP-2020-Z1
2.00±0.05
0.33±0.05
0.20±0.05
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
±0.03
:// は守 0.30
w ホ廃品
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
0.25
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
(0.8)
.c さ
o. い
を
0.90±0.03
jp
。
2
廃
1
止
2.00±0.05
3
(0.25)
Unit: mm
0.30±0.03
0.65±0.03
保
守
3
2
1
0.825
(0.675)
2.0
0.9
0.3
1.075
保
守
 Land Pattern (Reference) (Unit: mm)
0.5
0.825
0.65
0.3
Page 7 of 7
Established : 2013-07-05
Revised
: ####-##-##
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本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
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用途に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
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のお客様は、事前に当社営業窓口までご相談願います。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては
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(4)
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がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
(5)
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いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については当社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、当
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
(6)
製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
廃
守
守
保
20100202
本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
保
(7)
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(1)

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