第 1 章 IRC (国際ロードマップ委員会)国際活動と

半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
第 1 章 IRC (国際ロードマップ委員会)国際活動と STRJ 国内活動
1-1 IRC(国際ロードマップ委員会)国際活動
1-1-1 はじめに
ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors, 国際半導体技術ロードマップ)は、欧州、日
本、韓国、台湾、米国の世界 5 極の専門家が半導体技術のロードマップを議論して、その結果をまとめたもの
である。日本では、社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)に半導体技術ロードマップ専門委員会(STRJ)が
設置されており、この場で議論と検討結果は ITRS の編集に反映されている。半導体技術の急速の進歩に対
応するため、2000 年以降、ITRS は 2 年に 1 度のペースで全面改訂版(Edition)を公表し、その中間年で、改訂
版(Update、改訂部分のみをまとめた資料)を公表することになっている。
2009 年は ITRS の全面改訂版(Edition)を作成する年にあたっている。ITRS 2009 年版は 2010 年 1 月にウェ
ブ上で公開されたが、Interconnect, Assembly & Packaging, Yield Enhancement の３つの章は編集作業が遅
れており、ウェブ公開時期は 2010 年 4 月以降となる見込みである。ITRS 2009 年版(ITRS 2009 Edition)の全文
については、ITRS または STRJ のウェブサイトを参照願いたい。
http://www.itrs.net/
http://strj-jeita.elisasp.net/strj/
1-1-2 微細化トレンド
ITRS 2009 年版では、MPU(マイクロプロセッサ)に使われるゲート長の微細化トレンドを後倒した。現実の
MPU に使われている MPU トレンドを反映させた形になっている。これにより、HP (High Performance, 高性
能)用途のゲート長と、LOP (Low Operating Power, 低動作電力)や LSTP (Low Standby Power, 低スタンバ
イ電力)のゲート長との差は、縮まる方向である。
図表 1-1 ITRS 2009 年版による微細化トレンド(ITRS 2009 Edition Table ORTC-1 から抜粋)
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
Flash メモリ poly-Si ハーフピッチ (nm)
38
32
28
25
23
20
18
DRAM Metal 1 ハーフピッチ (nm)
52
45
40
36
32
28
25
MPU/ASIC Metal 1 ハーフピッチ (nm)
54
45
38
32
27
24
21
MPU リソグラフィー後のゲート長 (nm)
47
41
35
31
28
25
22
MPU 物理的ゲート長 (nm)
29
27
24
22
20
18
17
生産開始年
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2023
2024
Flash メモリ poly-Si ハーフピッチ (nm)
15.9
14.2
12.6
11.3
10.0
8.9
8.0
7.1
6.3
DRAM Metal 1 ハーフピッチ (nm)
22.5
20.0
17.9
15.9
14.2
12.6
11.3
10.0
8.9
MPU/ASIC Metal 1 ハーフピッチ (nm)
18.9
16.9
15.0
13.4
11.9
10.6
9.5
8.4
7.5
MPU リソグラフィー後のゲート長 (nm)
19.8
17.7
15.7
14.0
12.5
11.1
9.9
8.8
7.9
MPU 物理的ゲート長 (nm)
15.3
14.0
12.8
11.7
10.7
9.7
8.9
8.1
7.4
生産開始年
-1-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
NAND フラッシュメモリの微細化トレンドは前倒しとなった。DRAM の微細化トレンドについて 2007 年版から
の変更はない。概要を図表 1-1、図表 1-2、図表 1-3 に示す。
MPU/ASIC などのロジック集積回路のテクノロジーノード呼称については、各社のプレスリリースや学会発表
で使われているもの(仮に、「ロジックノード」と呼ぶことにする)が今までの ITRS の定義と異なっていたが、両者
とも「ノード」という表現を使っていたため、混乱を与えていた。ITRS 2005 年版以降、「テクノロジーノード」という
言葉を使わないことにした。ITRS 2009 年版でもこれを踏襲している。「ロジックノード」の 45nm、32nm は、概ね、
2007 年、2009 年に相当する。「ロジックノード」との混同が軽減されることを期待している。
2009 ITRS - Technology Trends
1000
2009 ITRS Flash ½ Pitch (nm) (un-contacted
Poly) - [2-yr cycle to 2010; then 3-yr cycle]
2009 ITRS DRAM ½ Pitch (nm) (contacted)
[2.5yr cycle '00-'10, then 3-yr cycle]
Nanometers (1e-9)
100
16nm
10
Near-Term
1
1995
2000
2005
Year of Production
2010
Long-Term
2015
2020
2025
2009 ITRS: 2009-2024
図表 1-2 メモリの微細化トレンド(ITRS 2009 年版 Executive Summary, Fig. 8a)
-2-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
2009 ITRS - Technology Trends
1000
2009 ITRS MPU/ASIC Metal 1 (M1) ½ Pitch (nm)
[historical trailing at 2-yr cycle; extended to 2013;
then 3-yr cycle]
2009 ITRS MPU Printed Gate Length (GLpr) (nm)
[3-yr cycle from 2011/35.3nm]
100
Nanometers (1e-9)
2009 ITRS MPU Physical Gate Length (nm) [begin
3.8-yr cycle from 2009/29.0nm]
16nm
10
Near-Term
1
1995
2000
2005
Year of Production
2010
Long-Term
2015
2020
2025
2009 ITRS: 2009-2024
図表 1-3 MPU と高性能(HP)ロジックの微細化トレンド(ITRS 2009 年版 Executive Summary, Fig. 8ｂ)
DRAM ½ Pitch
= DRAM Metal Pitch/2
MPU/ASIC M1 ½ Pitch
= MPU/ASIC M1 Pitch/2
FLASH Poly Silicon ½ Pitch
= Flash Poly Pitch/2
Poly
Pitch
Metal
Pitch
8-16 Lines
Typical flash
Un-contacted Poly
Typical DRAM/MPU/ASIC
Stagger-contacted Metal Bit Line
図表 1-4 ハーフピッチの定義
-3-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
ハーフピッチは図表 1-4 のように定義されている。ITRS 2009 年版でも以前の定義を踏襲している。NAND
型フラッシュメモリにおいては、セルアレイ内での poly-Si のワード線のハーフピッチが重要であり、これをハー
フピッチの定義としている。
図表 1-5 に示すように、先行 2 社の生産数量が月産１万個を超えた年として、生産開始年を定義している。こ
れは従来の定義と同じである。
ITRS の各種の表は生産開始年ベースで作成している。新世代の半導体集積回路開発のためには、生産開
始年以前に、試作のための製造装置が必要となる。また、量産開始年の 2 年程度前から、新世代の半導体集
積回路の試作結果が学会などで発表されはじめるが、これは ITRS の表と矛盾するものではない。これも従来
の定義と同じである。
Production Ramp-Up Model and Technology Cycle
Node Timing
100M
200K
Production
10M
20K
1M
100K
2K
Alpha
Tool
Beta
Tool
Production
Tool
10K
1K
First Two
Companies
Reaching
Production
First
Conf.
Papers
-24
200
-12
0
Months
12
20
Volume (Wafers/Month)
Volume (Parts/Month)
Development
2
24
図表 1-5 生産開始年の定義
1-1-3 ERD(Emerging Research Devices、新探究デバイス)の７候補
ITRS の ERD ワーキンググループではロジックの論理素子に使われる新探究デバイスの候補をして、下記の
7 つをあげて、どの技術が有望かを議論した。
・
Nano-electro Mechanical Switches
・
Collective Spin Devices
・
Spin Torque Transfer Devices
・
Atomic Switch/Electrochemical Metallization
・
Carbon-based Nanoelectronics
・
Single Electron Transistors
・
CMOL / Field Programmable Nanowire Interconnect (FPNI))
これらの技術のうち、Carbon-based Nanoelectronics が将来有望との意見が多数であった。この技術は、カー
ボンナノチューブやグラフェンを MOSFET のチャンネル部に適用するものである。ERD は ITRS 2008 年改訂
版での改訂を見送ったため、この議論の内容は ITRS 2009 年版に反映された。
-4-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
1-1-４ 450mm ウェーハの導入時期について
ITRS では 450nm 直径のシリコンウェーハの導入時期について議論を続けてきた。ITRS 2009 年版では、図
表 1-6 に示すように、2012 年から 2014 年にかけて、450mm ウェーハ対応の製造装置を導入したパイロットライ
ンの整備が進み、2014 年から 2016 年にかけて 450mm ウェーハを用いた量産が可能になるとしている。
Production
Development
Volume
Consortium
Alpha
Tool
Manufacturing
Pilot Line
Beta
Tool
22nm (extendable
to 16nm) M1 halfpitch capable tools
Tools for
Pilot line
32nm (extendable to 22nm) M1
half-pitch capable Beta tools by
end of 2011
Beta
Tool
Production
Tool
450mm 32nm M1 half-pitch
Pilot Line Ramp
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
Years
図表 1-6 450nm シリコンウェーハの導入時期
1-1-5 まとめ
ITRS 2009 年版では、多数の改訂が行われ、半導体技術の現状と将来についての技術トレンドを反映した
ものとなった。本稿が ITRS を参照される際の参考になれば幸いである。より詳しくは、前述のウェブサイトを参
照されたい。今後とも、ITRS と STRJ の活動にご理解とご支援を頂きますよう、お願い申し上げます。
-5-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
1-2 STRJ 国内活動 (STRJ ワークショップ報告)
1-2-1 概要
2009 年度の国内ロードマップ活動の期末報告として、STRJ 会員企業 10 社、コンソーシアム、大学関係者
を対象に、2010 年 3 月 5 日品川のコクヨホールに於いて STRJ ワークショップを開催した。14 ワーキンググル
ープからの活動報告に加え、高梨弘毅氏 (東北大学)から特別講演を行なって頂いた。図表 1-8 にワークシ
ョップのプログラムを示す。当日の参加者数は 175 名(昨年の 96.7%)で、2 日間開催した昨年の 1 日目と同レ
ベルの加者数となった。
尚、今年度より開催費用の削減のために従来の 2 日間開催から 1 日間開催に変更している。
3/5(金) 9:20 – 17:10
8:50 - 9:20
受付
9:20 - 9:25
開会の辞
石内秀美 (STRJ 委員長：東芝)
9:25 - 9:30
来賓ご挨拶
小竹幸浩 (経済産業省商務情報政策局情報通信機器課課長補佐)
9:30 - 9:50
International Roadmap Committee (IRC)
「ITRS2009 版の概要」
石内秀美(STRJ 委員長：東芝)
Ｓｅｓｓｉｏｎ１
9:50 - 10:10
ES&H WG 「ITRS2009 ESH の概要」
大越隆之(WG9：NEC エレクトロニクス)
10:10 - 10:30
FI WG 「ＦＩ／ＴＷＧ活動の歴史と意義、－ムダ削減による生産性向上に向けて－」
本間三智夫(WG8：NEC エレクトロニクス)
<休憩> (10:30 -10:40) 10 分
Ｓｅｓｓｉｏｎ 2
10:40 - 11:00
歩留向上 WG
「Non visual defect & contamination への挑戦」
津金賢(WG11：日立製作所)
11:00 - 11:20
モデリング／シミュレーション WG
「ITRS 2009 年版のモデリング&シミュレーションの概要」
佐藤成生(WG10：富士通マイクロエレクトロニクス)
11:20 - 11:45
メトロロジーWG 「3D 計測の現状と課題＆故障解析 SWG の活動状況報告」
河村栄一(WG14：富士通マイクロエレクトロニクス)
<昼食> (11:45-13:00) 75 分
図表 1-7a STRJ ワークショップ・プログラム (1/2)
-6-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
特別講演
13:00 - 13:40 「スピン流とスピントロニクス」
高梨弘毅氏(東北大学)
Ｓｅｓｓｉｏｎ 3
13:40 - 14:00 Emerging Research Devices(ERD)WG
「Emerging Research Device (ERD) WG －Beyond CMOS 候補の位置付けと研究動向－」
平本俊郎(WG12：東京大学)
14:00 - 14:20 Emerging Research Materials(ERM)WG 「新探究材料～応用別にみたERMの可能性」
秋永広幸(WG13：産業総合研究所)
14:20 - 14:40 設計 WG 「検証課題の深耕－大規模化に向けての検証阻害要因－」
松崎正己(WG1：富士通マイクロエレクトロニクス)
14:40 - 15:00 テストWG 「LSI多様化へのテストのあくなき挑戦～品質とコストのバランスを目指して～」
佐藤康夫(WG2：九州工業大学)
<休憩> (15:00 -15:20) 20 分
Ｓｅｓｓｉｏｎ 4
15:20 - 15:40 実装 WG 「More than Moore に辿る道－Packaging Integration－」
中島宏文(WG7：NEC エレクトロニクス)
15:40 - 16:00 Process-Integration and Device Structures(PIDS)WG
「ロジック、及び、メモリデバイスのスケーリングトレンド
～ロジックデバイススケーリングの鈍化とメモリデバイススケーリングの加速」
尾田秀一 (WG6：ルネサステクノロジ)
16:00 - 16:20 リソグラフィ WG
「光延命と EUV の現状」
内山貴之(WG5：NEC エレクトロニクス)
16:20 - 16:40 Front-End Processes(FEP)WG 「FEP技術動向とITRS2009改定」
北島洋(WG3：NEC エレクトロニクス)
16:40 - 17:00 配線 WG 「～さらなる配線微細化の実現に向けて～」
廣井政幸(WG4：ＮＥＣエレクトロニクス)
17:00 - 17:10
総括
開俊一
(STRJ 諮問委員会：委員長)
図表 1-7b STRJ ワークショップ・プログラム (2/2)
-7-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
1-2-2 アンケート集計結果
ワークショップでは、日頃の STRJ 活動に対する参加者の皆様のご意見を収集すべくアンケート調査を行っ
た。回収率は 69.1％であった。以下に集計結果を述べる。
(1) ワークショップの全体的評価
図表 1-9 に示すように、全体的評価としては、「大変良い」と「良い」を含めると下記のように良い評価結果で
ある。今後とも、プログラム構成の検討等につき、アンケートの自由記述欄の意見・コメントなどを精査し改善に
努める。
ロードマップ： 71％ (昨年： 79%)
２０１０．０３．０５「半導体技術ロードマップ専門委員会」ついての評価
5：大変良い
9%
3月5日
5：大変良い
4：良い
3：普通
2：やや不満
1：不満
未回答
回答数
30
56
21
3
0
11
％
24.8%
46.3%
17.4%
2.5%
0.0%
9.1%
合計
121
100.0%
25%
3%
17%
参加者数 175名
（昨年
181名）
昨年比 96.7％
4：良い
4% 19
161%
0%
%
3：普通
%
2：やや不満
60
%
1：不満
未回答
46%
※昨年比とは昨年の１日目を参考にしています
図表 1-8 「半導体技術ロードマップ専門委員会の部」の全体的評価
(2) アンケートで寄せられた意見
3/5 のワークショップでは、以下に記すようにたくさんのご意見が寄せられた。今後の活動を進める上で貴重
なご意見であり、今後の参考とさせていただきます。アンケートにご協力頂いた方々に感謝を申し上げます。
尚、前々回からコスト削減を図り、且つ少しでも環境問題に役立つことを目的に冊子配布を止め、参加者に
は事前に web から講演内容をダウンロードして頂く方式としました。昨年と同様に今回も STRJ の Home Page
を担当している豊通エレクトロニクスに願いし、スムーズなアクセスを可能としました。今後もやり方を改善しつ
つ進めていく予定です。
-8-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
設問 3(0305)：半導体技術ロードマップ活動についてのご意見をお聴かせ下さい。
［肯定的］
¾
大変有用
¾
頑張ってほしい
¾
今後も有用な情報発信をよろしくお願いします。
¾
メンバーの皆様の日ごろの活動に敬意を表したい。これほどしっかりとしてレベルの高い活動を行ってい
る委員会は他にはなく今後も大いに期待したい。
¾
内容、構成、特別講演とも良かった。有意義でした。
¾
日本の半導体産業の今後に対する指針となりえるような活動に期待する。
¾
より活発な活動を期待します。
¾
経済環境が厳しく特にメーカー側からの参画は容易でないが今後も活発な活動を継続することを期待し
ます。
¾
日本の半導体メーカーが強くなる方向になると良い
¾
ロードマップの活用は、材料／設備機器メーカーの活用メリットが大きいと思う。
¾
半導体技術全般の技術動向がわかる、このような報告会は大変貴重です。
¾
ISSCC、IEDM とともに本ロードマップワークショップでは重要な情報が得られます。きわめて貴重なワー
クショップと考えてます。
¾
今後も継続してください。ただし、全体の意見が反映されるようにお願いしたいです。
¾
技術の将来に渡る地図がわかり大変有益
¾
ITRS における議論と STRJ のギャップについてリアルな意見が出されるのはありがたい。
¾
非常に Broad な範囲の活動をよくやっている。
¾
広くアンテナが張られており、最新の動向をしっかり含んでおり、大変安心できる活動だと思う。
¾
COMS 関連と Emerging 関連のＷＧの連携という形で COMS 限界/beyondCOMS への移行について解説
が有ると参考になる。
¾
定期的報告会は有益で、良い活動と思われる。
¾
ボランティアに近い活動であり、各委員の方もそのサポートも大変だと思いますが、世界と競うため頑張っ
てください。
¾
開発方向性を決めるうえで、参考になる情報源。
¾
重要度の低い分野の活動は絞ったほうがいい。
¾
NEAR-TERM のみのロードマップとし、それ以降は定期的な表現にとどめたほうが良い。
¾
技術開発の流れを産官学で共有し、ペースメーカーとすることは非常に有意義。
¾
より、日本の半導体産業の戦略としての位置づけが明確になる事を望む。
¾
戦略的に各国(各企業)にどうのような活動をしてもらいたいかも視野に入れながら新しい展開を期待す
る。
¾
必要技術の展望と課題を明確化するには有効な手法だと考える。
［否定的］
［意見・要望］
¾
委員(会社)の減少、活動(会議)回数の削減で、委員の負担が増えており、ＷＧのアウトプット維持が難し
-9-
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
い状況である。
¾
活動の仕方はさらに検討が必要だと思う。
¾
日本として何を重点的にするのか考えていくべき。
¾
すべての面で多様化が進む中、JEITA の ITRS との係り合いの見直しが必要。
¾
４つのＷＧ休止で 2010 以降の対応だが、数年先の見直す議論を行うべき。
¾
国内活動に重点を置いてるＷＧは、もともとのミッションと合っているのでしょうか？
¾
活動の中には、もはや日本に優位性のない領域もあり、何のためにこの活動を行っているのかわからな
いものもある。
¾
このぐらいの人数ならＪＥＩＴＡ会議室で十分ではないか？
¾
難しい活動になってきていると感じています。半導体の置換技術は今の Beyond COMS の方向以外にも
あるのでは？
¾
技術分野に特化しすぎているように思う。
¾
市場／経済見通しと合わせての今後の位置づけ、ロードマップの検討も必要ではと思います。
¾
国内(日本版)ロードマップを復活させるべきと思います。
¾
歩留向上ＷＧの活動が終わってしまうのは残念。50mm 以下のデバイスを作るのに計測技術が追いつい
てこないようでは困る。
¾
アプリケーションサイドの分析も必要。
¾
(国策として)半導体技術ＲＭを政策の連携必要。
¾
TSV、3D 実装の Design に関する議論をしてほしい。
¾
ITRS と STRJ 独自活動で、活動効果が異なるのではないか？
¾
STRJ 独自活動部分は、日本での効果を主眼にして、必ずしも先端だけでなくても良いのではないか。そ
ういうワークショップであれば参加者も増えるのでは？
¾
４ＷＧの休止は非常に残念
¾
業界へのアピールをもっとすべき。
¾
各ＷＧがバラバラに議論されている項目については、意見を合わせる意味でＷＧとは別に特別セッション
を設けたらどうでしょう。
¾
先端デバイス開発が 1 社でできなくなっており、プレーヤーも減ってきている。インテルのように日本の半
導体ロードマップを引っ張ってくれる会社が必要か。
¾
休止４ＷＧは活動の意義はあるのでは。STRJ 活動の休止が技術開発の停滞につながらないか懸念され
る。最低限の活動を維持し、国際的な活動を続けなくてよいか心配である。
¾
各企業の問題でもあるが、半導体ビジネスモデルとの整合をとっていく事が大きなポイントであり、国々の
政策へ差と、政府への要望を明確化していく必要を感じる。
¾
ロードマップ活動による課題の共有化と共用解決策を早く引き出すことのみか？並行してビジネス対応の
戦略作りが今後より重要となる。新たなブレークスルー技術の創出か？
設問 4(0305)：本日のワークショップ運営全体について、ご意見をお聴かせ下さい。
［肯定的］
¾
委員(会社)の減少、活動(会議)回数の削減で、委員の負担が増えており、ＷＧのアウトプット維持が難し
い状況である。
- 10 -
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
¾
活動の仕方はさらに検討が必要だと思う。
¾
日本として何を重点的にするのか考えていくべき。
¾
すべての面で多様化が進む中、JEITA の ITRS との係り合いの見直しが必要。
¾
４つのＷＧ休止で 2010 以降の対応だが、数年先の見直す議論を行うべき。
¾
国内活動に重点を置いてるＷＧは、もともとのミッションと合っているのでしょうか？
¾
活動の中には、もはや日本に優位性のない領域もあり、何のためにこの活動を行っているのかわからな
いものもある。
¾
このぐらいの人数ならＪＥＩＴＡ会議室で十分ではないか？
¾
難しい活動になってきていると感じています。半導体の置換技術は今の Beyond COMS の方向以外にも
あるのでは？
¾
技術分野に特化しすぎているように思う。
¾
市場／経済見通しと合わせての今後の位置づけ、ロードマップの検討も必要ではと思います。
¾
国内(日本版)ロードマップを復活させるべきと思います。
¾
歩留向上ＷＧの活動が終わってしまうのは残念。50mm 以下のデバイスを作るのに計測技術が追いつい
てこないようでは困る。
¾
アプリケーションサイドの分析も必要。
¾
(国策として)半導体技術ＲＭを政策の連携必要。
¾
TSV、3D 実装の Design に関する議論をしてほしい。
¾
ITRS と STRJ 独自活動で、活動効果が異なるのではないか？
¾
STRJ 独自活動部分は、日本での効果を主眼にして、必ずしも先端だけでなくても良いのではないか。そ
ういうワークショップであれば参加者も増えるのでは？
¾
４ＷＧの休止は非常に残念
¾
業界へのアピールをもっとすべき。
¾
各ＷＧがバラバラに議論されている項目については、意見を合わせる意味でＷＧとは別に特別セッション
を設けたらどうでしょう。
¾
先端デバイス開発が 1 社でできなくなっており、プレーヤーも減ってきている。インテルのように日本の半
導体ロードマップを引っ張ってくれる会社が必要か。
¾
休止４ＷＧは活動の意義はあるのでは。STRJ 活動の休止が技術開発の停滞につながらないか懸念され
る。最低限の活動を維持し、国際的な活動を続けなくてよいか心配である。
¾
各企業の問題でもあるが、半導体ビジネスモデルとの整合をとっていく事が大きなポイントであり、国々の
政策へ差と、政府への要望を明確化していく必要を感じる。
¾
ロードマップ活動による課題の共有化と共用解決策を早く引き出すことのみか？並行してビジネス対応の
戦略作りが今後より重要となる。新たなブレークスルー技術の創出か？
［否定的］
［意見・要望］
¾
原稿中に必ず用語集をつけてほしい。
¾
1 日に集中したことにより、１つ１つの発表が簡素化し、物足りなさを感じた。
¾
プレゼンテーションを素人でもわかりやすく作成してほしい。
¾
もう少し長いほうが良い。
- 11 -
半導体技術ロードマップ専門委員会平成 21 年度報告
¾
特別講演を増やしてほしい。
¾
メンバー表も欲しい
¾
資料をわけてＰＷをつけるのはＤＬするのにとても手間がかかる。1 つのファイルにマージしてほしい。
¾
2 日間構成にもどしてはどうか？
¾
1 日になってしまったのは残念
¾
ITRS の日本からのインプットおよび、ロードマップのトピックス、方向性、クロスカットの話と、ＳＴＲＪ独自の
活動とを分離して話してほしい
¾
短いので発表が駆け足になりがち。
¾
活動内容に注力するよりも今後の課題と解決の議論にフォーカスして時間をかけるような運営にすると良
いのでは。
¾
もう少し細部化し(例えばカーボン系を１つの分野としてしまう)日にちをわけてもらえたらと感じた。
¾
発表時間が短く内容がつかみにくい。
¾
講演時間が短く、メッセージが中途半端
¾
質問が出る雰囲気作りが必要。
¾
現状、韓国、台湾ひいては中国に対し、日本の経済性について懸念されます。この経済性に関しての観
点から何らかの suggestion が必要なのではと思う。
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1 時間 30 分程度でパネルディスカッションを導入したらどうか。
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20 分は少し短い。同様のテーマはまとめて発表した方が良い。
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発表のレベルがバラバラなのである程度統一した方がききやすい。
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時間厳守でお願いしたい。
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国際活動と国内活動が明確に区別されておらず、理解が難しかったので分けて発表してほしい。
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ワークショップではなく「報告会」が実質的にマッチしている。
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より活発な質疑応答がなされるような仕組みはできないか？
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日本の半導体をどう持っていくのか？Post Selete などを含めた議論をしてはどうでしょうか？
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