http://techon.nikkeibp.co.jp/ 「Tech-On!」は，製造業 /ハイテク産業に携わる技術者・研究者の方々に向けた総合情報サイトで，TechOn! 編 集 部と 「日経エレクトロニクス」 「日経マイクロデバイス」 「日経ものづくり」 「日経 Automotive Technology」編集部が，共同で運営しています。本ページのニュース・ランキングには，Tech-On! に掲載 されたニュースの中で，エレクトロニクス関連の 「機器」 「産業」 「部品」の各分野について，当該期間中にア クセス数が多かったものを掲載しています。なお，企業名や製品名などは Tech-On! 掲載時のものです。 ランキング1位から 機器 性能の両方を高めたエンジン，8速自 cept」を世界初公開した。ボディ・サ 動変速機「tiptronic」 ，タッチ・パネル イズは 全 長3400mm×全 幅1750 による文字認識機能付きHMI（hu- mm×全高1439mmで，前席は中央 man machine interface） ，停止/ 発 に運転席のみ，後席を独立した二人 進機能付きクルーズ・コントロール・ 席とした。動力源を車体後部に積む システム，フルLEDヘッドランプなど 後輪駆動車で，内燃機関（燃料の指 を装備する。ドイツでは2010年初 定なし） ，ハイブリッド，またはモータ 旬に発売する。 のいずれにも対応可能とした。 3 5 12/2 → 12/13 48コアの研究用プロセサ ARを応用したディスプレイ 1 Intel 社が開発 デパートや商店街に続々登場 米Intel社は，48 個のCPUコアを センサ技術を用いながら，コンピュ 1チップ上に集積した，研究用プロセ ータ経由の情報を現実の視界などに サ「Single-chip Cloud Computer」 リアルタイムに重畳する技術「AR」 「とにかく薄さにこだわった」 11.9mmの最薄ケータイ 京セラが開発したauの携帯電話 （SCC） を開発した。クラウド・コンピ （augmented reality）が，街中で実 機「SA001」は，最薄部の厚さが11.9 ューティングで利用するようなサーバ 際に使われるようになってきた。国内 mm（最厚部は同約14.7mm） と薄い。 ー機群の大幅な小型化と消費電力の で取り組みが早かったのは凸版印刷 ワンセグ視聴機能を備えたスライド 削減が狙い。今回は，Intel社が最終 だ。同社は2009年10月から，イト 方式の端末として「世界最薄」をうた 的に想定する100コア以上のプロセ ーヨーカドーの3店舗にて，電子チラ う。 「とにかく薄さにこだわって開発を サの開発に向けての試作品という位 シと連動させた，自動販売機風の店 進めた」 （京セラ） という。これまでは， 置付け。当面は今回のチップを大学 頭端末の実証実験を始めた。この端 NTTドコモの「N-04A」 （NEC製）が， など研究機関に提供して，多数コアの 末は，AR 機能やデジタル・サイネー ワンセグ対応のスライド開閉方式で チップで動作するソフトウエアやプロ ジ機能，商品陳列機能などを備えて 最薄部の厚さが12.9mm（最厚部は グラミング・モデルの研究に役立てる いる。 約14.6mm） と，最も薄かった。SA001 という。 では，N-04Aに比べて最薄部を1mm 薄型化したことになる。 2 Audi 社が新型「A8」を発表 4 ホンダ，3 人乗り次世代車の コンセプトを公開 6 安川電機，双腕型ロボットに 小型タイプを追加 安川電機は，小物部品の取り扱い ホンダは「2009年ロサンゼルス・ に向く双腕型ロボット 「MOTOMAN- モーターショー」で，同社の米国デザ SDA5D」を開発し，2009年12月か ドイツAudi社は，新型「A8」を発 イン・スタジオが手掛けた3人乗り次 ら受注を開始した。価格は1セット 表した。剛性を高めたアルミニウム 世代車のコンセプト 「Personal-Neo 880万円 （税込み） 。新製品の特徴は， 合金製軽量ボディ，動力性能と燃費 Urban Transport（P-NUT）Con- 設置スペース性。アーム1本当たりの フル LEDヘッドランプを採用 168 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 ニュース・ランキング 可搬質量は5kgと，既存モデル（10 とがあるというもの。対策として，全 kg，20kg/アーム）よりも小さいが， 車両の燃料計に補助回路を追加する。 設置床面積を280mm×280mm，肩 部分の幅を486mmとし，狭い場所 にも設置しやすくした。手首部分に 直径80mmの新開発の小型アクチュ 9 商船三井，環境負荷低減型の フェリー構想を発表 エータを採用し， アームを小型化した。 商船三井は，技術的に実用可能な 7 環 境 負 荷 低 減 型 次 世 代フェリー グーグル，ローカルで動作する 日本語入力ソフトを公開 「ISHIN-II」の構想を発表した。2009 年9月発表の次世代自動車船に続く もの。環境負荷をさらに低減させると 米Google 社の日本法人であるグ ともに，快適性も高めた。同フェリー ーグルは，パソコン向けの日本語入力 は航行中の燃料をLNG化すること ソフトウエア「Google日本語入力 （ベ で，従来のC重油に比較して1航海当 ータ）」 を公開した。同社のWebサイ たりの排出量をCO2 で50％，NOxで トからインストールできる。いったん 90％，SOxで98〜100％削減する。 インストールすればローカル環境で 加えて，港内航行/ 停泊中は，フェリ 動作するため，ネットワークのない環 ー岸壁から供給される電力を最大限 境でも利用できる。対応OSは，Win- に利用し，ゼロ・エミッション（排ガ dows 7/Vista SP1以降/XP SP2 ス・ゼロ） を実現する。 以降（32ビット版のみ）とMac OS X。特徴は語彙の多さだという。 8 日産，燃料計の不具合により 「セレナ」などをリコール 10 Ford 社， 「ECOnetic」に アイドリング・ストップを採用 米Ford Motor 社は， 「Focus」の 第2世代「ECOnetic」モデルを発表 日産自動車は，燃料計の不具合に した。新しいECOneticモデルは，ブ より 「セレナ」 「セフィーロ」の2車種， レーキまたは減速時のエネルギー回 合計10万2785台をリコールすると 生システム「Smart Regenerative 発表した。対象は2001年12月17日 Charging」と，補機類駆動用ベル 〜2003年10月9日に製造した車両。 トを低張力化した「Low Tension 不具合は，スピードメーターの基板 FEAD」 ，低燃費運転支援システム の材質が不適切なため，計器内の夜 「Eco Mode」 を採用し，オプションで 間照明の熱によって基板が熱膨張を アイドリング・ストップ機構「Auto- 繰り返し，燃料計の回路が断線するこ Start-Stop」 を設定した。 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 169 News Ranking うのが一般的だが， 「BDLはC言語よ 月における米州の売上高は，前年同月 りもVerilog-HDLに近く，SystemC 比で14.1％も増加している。 よりも壁は低いと感じた」 （富士通九州 ネットワークテクノロジーズ） という。 ランキング1位から 3 東芝，スピンMOS FETの 基本動作を実証 5 「11nmよりも先に行ける」 IBM 社が半導体の将来を語る 半導体製造技術関連の国際会議 「IEDM 2009」の開幕前日に，2件の 東芝は，電子スピンを利用して不揮 ショート・コースが開催された。その 発性などの新機能を実現するMOS うちの一つである微細化に関するコ FET（スピンMOS FET）を試作し， ースにおいて，米IBM社 Research その基本動作を実証した。業界初の DivisionのGhavam G. Shahidi氏 成果という。論理の再構成が可能な は，デバイスのスケーリングは「今後， ロジックLSIなどに向けて，2010年 15nm，11nm，そしてその先に行ける」 代後半の実用化を目指す。 との見通しを示した。さらに，それを 米Eastman Kodak 社は，同社の スピンMOS FETは，ソース・ドレ 担うのはやはりSiであること，つまり 有機EL事業に関するすべての資産 インを強磁性体で構成し，チャネルを 「Si自体は11nmよりも先にスケーリ を，韓国LGグループに売却すると発 流れるスピンの向きがそろった電子 表した。買収金額は明らかにされて 流を制御するもので，不揮発性メモリ いない。Kodak 社は， 1987年に「Or- 機能を備えたMOS FETとして動作 g a nic ele c t r olumin e s c e n t di- する。 産業 12/2 → 12/13 1 Kodak 社が有機 EL 事業を LGグループに売却 odes」という論文で，有機EL素子の 基本構造を発表した企業である。現 在も，白色有機EL 材料を用いたディ スプレイと照明の開発を進めている。 4 10月の半導体の世界売上高 8カ月連続増加で回復の様相 ングできる」 と語った。 6 ディーゼル部品を生産する 東松山工場をボッシュが公開 ボッシュは，ディーゼル関連部品を 生産する東松山工場（埼玉県）の報道 陣向け工場見学会を開いた。ディー 米Semiconductor Industry As- ゼル・エンジン車用の分配型燃料噴 sociation（SIA）の 発 表 によると， 射ポンプ，コモンレール，インジェクタ 2009年10月における半導体の世界 などを生産しており，現場における改 売上高は217億米ドルとなり （3カ月 善活動で生産性の向上を図っている。 NECは，動作合成ツールを核とし の移動平均値） ，対前月比で5.1％増 改善活動では，これまでに各工程 たC言語ベースのLSI設計システム 加した。8カ月連続で前月よりも売上 がまとめ生産であったのを，工程を同 「CyberWorkBench（CWB）」のプ 高が増えており，V字回復の様相を見 期させるようにインライン化。さらに， ライベート・セミナーを開催し，3 社の せている。 無駄な歩行や手の動きをできるだけ CWBユーザーが講演した。CWBの 地域別の売上高を見ると，米州の 減らすために，J字ラインやU字ライ 入力ではC言語を拡張したBDLを使 好調が目立つ。例えば，2009年10 ンに変更してきた。 2 「SystemCよりも壁が低い」 NECの動作合成の評価結果 170 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 ニュース・ランキング 7 9 「我々には六つの信念がある」 LSIテスタ決算 Google 社のCFOが説明 売り上げ / 受注とも大幅な伸び グーグルが同社サービスに広告を出 LSIテスタ・メーカー大手4 社の している顧客向けに開催した 「Google 2009年9月期/10月期の四半期決 Business Day」で，米Google 社の 算が出そろった。半導体市場の回復 CFOであるPatrick Pichette氏が登 を受けて，売上高や受注高が前期に 壇し，インターネットの将来の方向を 比べて大きく伸びているのが目立つ。 「Google 社の信念（belief）」として 対前年四半期比では依然として大 紹介した。 きなマイナス成長となっているもの 最初に挙げたのが， 「Everything の，いずれの企業も最悪期は脱した was Offline is now Online」である。 ようで，前期比では業績が大きく改善 つまり，すべてのものがオンライン化 した。例えば，業界トップの米 Tera- されていくということだ。 dyne 社のSemiconductor Test部 8 シャープ，堺市の生産拠点を 報道陣向けに公開 シャープは大阪府堺市に建設中の， 液晶パネルと太陽電池パネルの生産 拠点「シャープグリーンフロント 堺」 門では，2009年9月期の四半期売上 高・受注高は共に，同年6月期に比べ て68％も増えている。 10 スズキ，Volkswagen 社と 資本業務提携 を報道陣向けに公開した。 スズキとドイツVolkswagen社は グリーンフロント 堺は，約127万 2009年12月9日，資本業務提携す m という亀山工場（三重県）の約4 倍 ると 発 表した。Volkswagen社は に相当する敷地内に，関連するインフ 2010年1月にスズキの株式の19.9 ラ設備や部材・装置メーカーなどが集 ％ （約2200億円） を取得し，スズキの う。シャープを含め，19 社が進出し 筆頭株主となる。一方のスズキは， ている。同施設のうち，既に稼働して Volkswagen社が出資した金額の いる液晶パネル工場では，外形寸法 1/2 （約1100億円） を限度としてVolk- が 2880mm×3130mmの「第10世 swagen社株を取得する。スズキは 代」と呼ばれるガラス基板を使い，主 Volkswagen社の株式の3％程度を に40型以上の液晶パネルを製造す 取得する見込み。今回の提携によっ る。液晶パネル工場への投資額は約 て両社は商品ラインアップや販売地 4300 億円だという。 域を補完し， 世界での競争力を高める。 2 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 171 News Ranking ランキング1位から 部品 特性向上の効果に関して，定量的な 「Cuナノコロイド」を加えることで導 評価を行った。その結果について，電 電性を高めたとする。開発品の抵抗 子情報通信学会と情報処理学会が共 率は，窒素ガス雰囲気中で150℃， 催した「デザインガイア 2009」で講 60分で焼成した場合で60µΩ・cm， 演した。登壇したのは，パナソニック 大気中で150℃，15分焼成した場合 の齊藤義行氏（PE技術開発室 EMC で30µΩ・cmである。同社は開発品 デザイン第一チーム チームリーダー） によって，まずはAgペーストの置き である。 換えを狙っている。 3 5 12/2 → 12/13 Soitec 社ら，Si 貫通ビアによる 0.5Vで動作するSRAM 1 3 次元積層技術を一貫提供 東大などが強誘電体 FETで実現 フランスSoitec 社とCEA-LETI わずか0.5Vで駆動できるSRAM （フランス原子力庁 電子・情報技術 を，東京大学と産業技術総合研究所 研究所）が共同で，Si貫通ビアを使っ が共同で開発した。SRAMの動作 童夢カーボンマジックは， 「SAMPE たウエハー・ツー・ウエハーの3次元 時電力を従来比で32％削減でき， JAPAN（先端材料技術展）」でホン 積層技術を，一貫したプロセスとして セル面積も増大しない。SRAMを構 ダ「インサイト」の外装部品をCFRP 提供すると発表した。デバイス・メー 成する6 個のMOS FETを，強誘電 （炭素繊維強化樹脂）製とした軽量コ カーは，Soitec 社のSOIウエハーや 体FET（MOS FETのゲート部に強 ンセプト車を展示した。コンセプト車 関連技術，CEA-LETIのプロセス技 誘電体を挟んだFET）で置き換える は前部フードや前後バンパー，フェン 術を活 用し，① CEA-LETIの 200 ことで実現した。東京大学などは今 ダー， ドア，ルーフ，後部ハッチ，ホイ mm/300mmウエハー対応ラインを 回，強誘電体FETを利用することで， ールなどをCFRP製として質 量を 使ってプロセス開発し，試作を行った SRAMを構成するトランジスタのし 45kg軽量化したもの。例えば鋼板の 後，②デバイス・メーカーの量産ライ きい値電圧のウインドウ （許容される 代替では，フェンダーが 2.2kgから ンにプロセスを移植する。これによっ バラつき） を広げられることを理論計 0.8kgに，前部ドアが14kgから5.5 て，Si貫通ビアを使った3次元積層 算で示した。 kgに軽くなった。 技術を迅速に実用化できるとする。 童夢カーボン，CFRP パーツで 「インサイト」を45kg 軽量化 2 4 6 東芝，半導体素子の 新たな評価技術を開発 パナソニック，雑音低減や 旭硝子，スクリーン印刷可能な 電気特性向上の効果を定量評価 Cuペーストを開発 パナソニックとパナソニックエレク 旭硝子は，スクリーン印刷で描画 （SSRM：scanning spreading re- トロニックデバイスは，BGAパッケー 可能なCuペーストを開発した。大気 sistance microscopy）を応用した ジのインターポーザに容量（パスコ 中で焼成できる点を特徴とする。 新しい半導体素子の評価技術を開発 ン）を内蔵した際の雑音低減や電気 開発品では樹脂と銅粒子のほか， した。SSRMは，素子に針を当てて 172 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 東芝は，走査型広がり抵抗顕微鏡 ニュース・ランキング 内部の電気抵抗を調べる顕微鏡であ エハー （Si基板） を厚さ7µmまで薄化 る。同社は今回，空間分解能が1nm する技術を開発した。例えば，この技 と高く，濃度が1015 〜1020 cm−3と広 術を用いて16Gバイトのメモリ・チッ 範囲のキャリア濃度に対応した定量 プを100層積層し，チップ間をSi貫 解析ができ，かつウエハー上の任意 通ビア（TSV）で接続すれば，親指大 の個所の計測が可能な検査方法を開 の実装寸法で1.6Tバイトのメモリ・ 発した。これにより，従来はシミュレ モジュールが実現可能とする。 ーションによって推測していたキャリ ア分布の濃度を数値化できることに 加え，ウエハー上の任意の個所での キャリア分布を測定できるので，製造 9 NEC エレ，RTNの分析で新手法 トラップの分布を推測 ラインで不良解析の検証に用いるこ NECエレクトロニクスは，微細なト とも可能になる。 ランジスタで発生するバラつきの一 7 被覆付きのAu/Cuワイヤを 田中貴金属工業が展示 つである，ランダム・テレグラフ・ノイ ズ（RTN）の分析で新手法を考案し た。RTNは， トランジスタのチャネル を移動するキャリア（電子や正孔）が， 田中貴金属工業は，被覆付きのAu ゲート絶縁膜などに存在するトラップ ボンディング・ワイヤ「TANAKA-X」 （トラップ準位）に捕獲されたり， トラ や，同じく被覆付きのCuボンディン ップから放出されたりする現象をい グ・ワイヤ「CLR-1」を， 「セミコン・ジ う。RTNが発生するとトランジスタ ャパン2009」で展示した。 の特性が動作中に変化し，最悪の場 被覆付きのAuボンディング・ワイ 合，誤動作に至る。 ヤは，LSIチップの設計・試作段階向 けの製品である。表面に絶縁膜を付 けてあるため，ワイヤ同士を交差させ ることが可能になった。 8 7µm 厚の極薄ウエハーでも CMOSデバイスに影響なし 10 しきい値電圧を調整しやすい ノーマリー・オフ型 GaN 系FET NECとNECエレクトロニクスは， パワー素子向けに，しきい値電圧の値 を調整しやすくしたGaN系FETを開 発した。導通するために印加するゲ 東京大学大学院 工学系研究科付 ート電圧が正である，いわゆるノーマ 属総合研究機構は，ディスコや大日 リー・オフ動作が可能である。基板に 本印刷，富士通研究所，WOWリサー は安価なSi基板を利用する。2011 チセンターなどと共同で，300mmウ 年の実用化を目指す。 NIKKEI ELECTRONICS 2009.12.28 173
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