マイクロン テクノロジー、新手法でサーバのメモリ容量を増加し、パフォーマンスを 改善 負荷を軽減する新しいモジュールにより、標準的なレジスター付きモジュールに比べ、メモリ容量を3倍に、バス帯 域を57パーセント改善 Boise, Idaho , 2009年7月30日 – マイクロン テクノロジー社(本社:米国アイダホ州ボイジー、日本法人マイクロン ジャパン株式会社、本社:兵庫県西脇市、代表取締役社長 勝本 健一)は本日、業界初のDDR3 LRDIMM(loadreduced DIMM)の製造に成功し、この秋から16 GB(ギガバイト)製品のサンプル出荷を開始すると発表しました。マイクロン社のLRDIMMは、サーバのメモリバス の負荷を軽減することにより、より高いデータ周波数に対応し、メモリ容量を大幅に拡大することができます。 この新しいLRDIMMは、マイクロンによる1.35ボルト、2Gb(ギガビット)、50nm(ナノメートル)の最先端DDR3メモリ チップを使って製造されます。高密度かつ業界最小レベルのダイ・サイズを使用した新しいLRDIMMにより、容易 にかつコスト効率よくサーバモジュールの容量を拡大することができます。マイクロンの2Gb、50nmのDDR3製品 は現在、顧客評価が行われている最中であり、また量産に向けた準備が進められています。 ガートナー社の最近発表されたレポート(2009年 5 月)によれば、今日のミッドレンジのエンタープライズサーバの大部分は、システム当たり約32GBのDRAMを利用 していますが、この数字は2012年までに3 倍以上になると予想されています。サーバメーカーが今後もマルチコア・プロセッサを活用し、またデータセンター が効率的な仮想化技術を追求する中で、メモリに対する要求は高まる一方です。サーバシステムが、利用できる メモリを増加することにより、より多くのプログラムを同時に動かし、より大きなデータファイルを効率的に処理する ことができるなど、システム全体のパフォーマンスを向上させることができます。 マイクロンのLRDIMMは現在、インファイ社が最近発表したiMB(isolation memory buffer)チップをレジスターの代わりに使うことにより、メモリとプロセッサ間のデータ転送時にバス負荷を軽減して います。現在標準のDDR3サーバモジュールであるRDIMMに比べ、マイクロンの新しいLRDIMMはこのバス負荷 を2ランク構成の場合で50パーセント、4ランク構成の場合で75パーセント抑えることができます。バス負荷を軽減 できることにより、マイクロンのLRDIMMを使用すれば、サーバはデータ周波数を高めてシステムの全体的なパフ ォーマンスを向上させ、システムのメモリ容量を拡大するためにモジュール数を増やすことができます。 今日、標準的なサーバシステムはRDIMMを使用することにより、プロセッサ当たり最大で3枚の4ランク構成16GB RDIMMを取り付けることができます。しかし、4ランク構成16GB LRDIMMの場合、同一システムにプロセッサ当たり最大で9枚をサポートすることが可能なので、メモリ容量が48G Bから144GBに増加します。パフォーマンスを測定すると、マイクロンの16GB LRDIMMによって、システムメモリのバス帯域はRDIMMの場合と比較して57パーセント増加します。また顧客の最 大の課題が継続してサーバの消費電力であることから、マイクロンのLRDIMMは、業界で最も低い1.35ボルトの動 作電圧を実現しています。 マイクロンのDRAMマーケティング担当副社長であるRobert Feurle氏は、次のように語っています。「仮想化の進展に合わせ、当社の新しい16GBモジュールを利用すること で、メモリ容量を容易に拡張することができます。従来のRDIMMには、バス負荷の点から取り付け可能なメモリの 量に制限がありましたが、LRDIMMはモジュールによる負荷を軽減することで、その問題を解消しています。また このLRDIMMは、当社の低消費電力の新しい2Gbベース、50nmのDDR3チップを使って設計されており、モジュー ルチップ数を減らすことができます。このためLRDIMMは、コスト効果と効率性を改善する手段として、システムの メモリ容量とパフォーマンスを高めながら、消費電力の削減を可能にします。」 インファイ社のマーケティング担当副社長であるPaul Washkewicz氏は、次のように語っています。「この手法をメモリ技術に採用することで、サーバの仮想化とクラウド コンピューティングが今まで以上に実用的なものになります。この技術により、データセンターのサーバに強く求 められていた帯域幅とメモリ容量の増加を実現することができます。」 IDT社のエンタープライズ・コンピューティング部門副社長兼ゼネラル・マネージャーであるMario Montana氏は、次のように語っています。「当社は、AMB+やDDR3レジスタ/PLLなどの低消費電力メモリインター フェースデバイスの大手サプライヤーとして、DDR3 LRDIMMをターゲットとする新しいクラスのメモリバッファに業界で実証ずみの当社の技術と専門知識を再度活用 できることに大変期待しています。当社は、マイクロン、そしてエコシステム・パートナーと協力しながら、ハイパフ ォーマンス・コンピューティング市場向けの革新的なソリューションで貢献できることを喜ばしく思っています。」 生産スケジュール マイクロンは現在、8GBのLRDIMMを一部ユーザーにサンプル出荷中です。16GBのLRDIMMの量産は2010年に 開始される予定です。 関連リンク 以下のサイトでもマイクロン テクノロジー社の最新ニュースをご覧いただくことができます。 • • • Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com Micron on Twitter: http://twitter.com/microntechpr Micron RSS: www.micron.com/about/news/rssfeeds/aspx マイクロン テクノロジー社について マイクロン テクノロジー社は、先進的な半導体ソリューションを提供する世界的大手企業です。マイクロンは、世界全域での 事業活動を通じ、最先端のコンピューター、家電製品、ネットワーキング、モバイル機器などに使用される、DRAM 、NANDフラッシュメモリ、その他半導体部品とメモリモジュールなどを製造・販売しています。マイクロン テクノロジー社の普通株式はニューヨーク証券取引所(NYSE)にMUのコード名で上場取引されています。マイク ロン テクノロジー社に関する情報は、同社ウェブサイトwww.micron.comをご覧下さい。 「マイクロン」および「マイクロン」のロゴは、マイクロン テクノロジーの商標です。その他の商標はすべて、その各社に帰属するものです。 このプレスリリースは、マイクロン社のLRDIMM、および2Gb、50nmのDDR3の生産に関する「将来予測表明」を含 んでいます。実際の事象や結果は、「将来予測表明」に含まれたものと実質的に異なる可能性があります。マイク ロン社が、時宜を得て、米証券取引委員会に提出した連結ベースの書類、具体的には、当社直近の「10K」と「10Q」を参照願います。これらの書類は、実際の結果が当社にとり連結ベースで当社の、「将来予測表明」(「一部の 要因」参照)に記載されたものと実質的に異なる原因となり得る重要な要因を含むと共に、それらを特定していま す。「将来予測表明」に反映された期待は妥当なものと思われますが、当社は将来の結果、活動のレベル、実績 、業績などを保証することはできません。当社は、このプレスリリース当日以降、実際の結果に対応するために、 この「将来予測表明」を更新する義務を一切負うものではありません。 CONTACT: Micron Technology, Inc. Kirstin Bordner Phone +1-208-368-5487 [email protected] マイクロン ジャパン株式会社 広報担当(日本窓口) 才宮 章子 Phone:0795-23-6609 E-mail: [email protected] www.micron.com/japan
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