プログラム - 日本表面科学会

第２６回表面科学講演大会
期
日：平成１８年１１月６日（月）∼９日（木）
場
所：大阪大学コンベンションセンター
〒565-0891 大阪府吹田市山田丘１−１
TEL. 06-6877-9852 (代表)
http://www.handai-kouenkai.org/convention/
主
催：日本表面科学会
共
催：大阪大学産業科学研究所
協
賛：日本化学会、応用物理学会、日本物理学会、日本トライボロジ学会､電子情報通信学会､
電気学会、電気化学会、日本顕微鏡学会、精密工学会、日本材料学会､触媒学会、
日本材料科学会、粉体工学会、日本機械学会、日本真空協会、高分子学会、化学工学会､
日本油化学会、日本セラミックス協会、表面技術協会、日本分析化学会、日本金属学会､
腐食防食協会、日本質量分析学会、軽金属学会、粉体粉末冶金協会
会
場：Ａ会場：１階会議室 1
Ｃ会場：２階会議室 2
ポスターセッション：３階
講演時間：受賞記念講演
シンポジウム
招待講演
一般講演
Ｂ会場：１階研修室
Ｄ会場：２階会議室 3
ＭＯホール
：１件につき学会賞４５分、論文・会誌・奨励の各賞３０分（討論時間を含む）
：１件につき３０分（討論時間を含む）
：１件につき３０分（討論時間を含む）
：口頭発表１件につき１５分（講演１０分+討論５分）
ポスターセッション１２０分
参加費：２,５００円（一般）１,５００円（学生）
要旨集代：３,５００円（２分冊；真空協会分も合わせて購入の場合）
２,５００円（１冊のみ購入の場合）
論文賞・会誌賞・奨励賞表彰式：
平成１８年１１月６日（月）
１５：１５∼１５：３０
Ａ会場：1 階会議室 1
合同懇親会：
日時平成 18 年 11 月 7 日（火）18：15∼20：15
場所大阪大学本部事務局福利厚生棟
「カフェテリア匠」の２階
http://www.osaka-u.ac.jp/jp/about/map/suita.html
参加費３,０００円（講演会参加登録時に受付）
連絡先：〒113-0033
東京都文京区本郷 2-40-13 本郷コーポレイション 402
日本表面科学会事務局
TEL 03-3812-0266
FAX 03-3812-2897
E-mail：[email protected] URL：http://www.sssj.org
−i−
プログラム一覧
11 月 6 日
（月）
午前
Ａ会場
9：00-12：15
触媒表面科学部会
Ｂ会場
9：00-12：00
表面ダイナミクス
午後
Ｃ会場
9：00-12：00
ナノ材料科学
Ｄ会場
9：00-11：55
ｿﾌﾄﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰ部会
於３階ＭＯホール
13:00-15:00 ポスターセッション
15:15-15：30
表彰式
11 月 7 日
（火）
午前
15：30-17：00
学会賞受賞記念講演
9:00-9：15
真空開会式・表彰式
9：15-10:45
受賞記念講演
午後
11 月 8 日
（水）
11 月 9 日
（木）
11：00-12:00
ナノ構造
13:00～15:30
合同シンポジウム 1
9:15-10:45
電極/燃料電池/環境/
エネルギ－
11：00-12:00
応用表面科学
13:00～15:30
薄膜
9:15-12:00
表面基礎物性
9:15-12:15
放射光表面科学部会
13:00～15:15
表面基礎物性
13：00-13：45
ﾏｲｸﾛ/ﾅﾉ微細加工
15：45-17：45
表面ﾅﾉﾊﾞｲｵｻｲｴﾝｽ
15：45-18：00
薄膜成長/ﾅﾉ構造作製･
評価
15：30-18：00
表面科学シンポジウム
14：00-17：45
表面反応/触媒作用
午前
9：00-12：00
合同セッション
9：00-10：30
プラズマ
10：45-12：00
ナノ構造
9:30-12：00
薄膜成長/ﾅﾉ構造作製
･評価
9：00-10：30
表面ﾅﾉﾊﾞｲｵｻｲｴﾝｽ
10：45-12：00
自己集合･自己組織化
午後
13:00-15：30
合同シンポジウム 2
15：45-17：45
自己集合･自己組織化
13：00-15:15
真空科学
15：45-17：30
ナノスケール物性
13:00-18：00
ﾅﾉｽｹｰﾙ分析手法
13：00-17：50
電極表面科学部会
午前
9：00-12：00
真空科学
9：15-11：45
ナノスケール物性
9：15-12：00
表面界面分析とその応用
午後
13：00-15：45
電子材料・薄膜
9：15-12：00
表面科学/応用表面科学
/ナノ構造
13：00-14：30
表面工学
合同シンポジウム・合同セッション
真空協会のプログラム
13：00-15：45
表面界面分析とその応用
* 真空協会のポスターセッション（於３階ＭＯホール）：
（1） 11 月 7 日 15：45-17：45、（2） 11 月 8 日 15：45-17：45
11 月 6 日（月）
会場Ａ会場
論文賞、会誌賞、奨励賞表彰式（１５：１５～１５：３０）
学会賞受賞記念講演（１５：３０～１７：００）
座長高柳邦夫（１５：３０～１７：００）
1A31《学会賞》ウェット処理シリコン表面における水素終端の発見とその解析に関する研究
1A34《学会賞》固体表面における単分子の動的挙動に関する研究
−ii−
（広大院）高萩隆行
（東大院,理研）川合真紀
プログラム
11 月 6 日（月）
Ａ会場午前 9：00～12：15
触媒表面科学部会セッション《依頼講演》
「水素製造と燃料電池触媒の表面科学」
座長大西洋（9：00～12：15）
1A01K
メタンからの高速・高効率水素製造：バイメタル微粒子の構造とホットスポット抑制機能
1A03K
水素透過膜を用いる CH4-H2O-O2 反応による低温での水素製造
1A05K
電極反応ダイナミクスの量子分子動力学シミュレーション
（筑波大）○冨重圭一
（九州大）○石原達己
（東北大）○久保百司
－休憩 10：30～10：45 －
1A08K
1A10K
1A12K
時間分解表面増強赤外分光による Pt 電極触媒反応ダイナミクスの解析
メタノール酸化、耐 CO 被毒水素酸化用電極触媒の開発とその触媒機構
高温酸化物電極での酸素の反応・輸送経路の解析
（北大）○大澤雅俊
（山梨大）○渡辺政廣
（東北大）○川田達也
－昼食 12：15～13：00 －
Ａ会場午後 15：15～17：00
15：15-15：30
論文賞・会誌賞・奨励賞表彰式
15：30-17：00
学会賞受賞記念講演（前掲）
11 月 6 日（月）
Ｂ会場午前 9：00～12：00
表面ダイナミクス
座長小森文夫（9：00～10：30）
1B01
Pt(111)表面上における孤立水分子の吸着挙動
（1）東大新領域,2）理研,3）学習院大理,4）CREST-JST）○本林健太 1)2),松本周子 2)3),金有洙 2)4),川合真紀 1)2)4)
1B02S
放射光硬 X 線を用いた内殻励起による CBr4 吸着 Ge(001)表面からの臭素イオン脱離
（1）横国大工,2）理研/SPring-8）○桐村知行 1)2),首藤健一 1)2),田中義人 2),石川哲也 2),田中正俊 1)
1B03
酸素吸着 Cu(001)表面のレーザー光電子スペクトル
（1)東大新領域,2)東北大工,3)理研,4)東北大通研,5)北陸先端大）
○荒船竜一 1),林慶 2),高木紀明 1),川合真紀 1)3),上原洋一 4),潮田資勝 5)
1B04
水分子の 2 次元 ice-like 吸着層形成による電極表面上に置いた油滴接触角変化
（1）阪大院基礎工,2）CREST-JST）○長井智幸 1),中西周次 1),中戸義禮 2)
1B05
UHV-TEM による Au 表面原子ダイナミクスのその場観察
（1)神戸大工,2)阪大電顕）○保田英洋 1),森博太郎 2)
1B06
ＳＴＭによる SrTiO3 (001)表面上の三次元穴の熱緩和過程の観察
（1)阪大産研）○山本真人 1),須藤孝一 1),岩崎裕 1)
－休憩 10：30～10：45 －
座長荒船竜一（10：45～12：00）
1B08
高速・時間分解 XPED を用いた表面構造ダイナミクスに関する研究
（1)東理大理工,2)東大生研,3)東大環境安全研究センター）
○木坂祐介 1)2),天野健太郎 2),橋本明奈 1)2),野島雅 1)2),尾張正則 3),二瓶好正 1)
1B09
グラファイト表面における光誘起構造相転移
（1)阪大産研）○木村健太 1),金崎順一 1),谷村克己 1)
−iii−
1B10
1B11
1B12
Ge(001)表面状態にトンネル注入されたキャリアーの伝播
（1)東大物性研）高木康多 1),中辻寛 1),吉本芳英 1),○小森文夫 1)
DNA への電子照射効果
（1)兵庫県大工）○二宮直樹 1),田中悠太 1),持地広造 1)
第一原理計算による SiC ポリタイプ生成機構の解析
（1)東大院工, 2)名大工, 3)東大工）○窪田靖彦 1),山口浩樹 2),崎山幸紀 3),高木周 3),松本洋一郎 3)
11 月 6 日（月）
Ｃ会場午前 9：00～12：00
ナノ材料科学
座長中嶋健（9：00～10：30）
1C01S AFM を用いたフェリチン粒子の観察および局所領域の加工
（1)神戸市立工業高専）○長谷中仁志 1)
1C02
STM 点接触法による単一分子伝導の精密測定 -S/Se 末端基の影響とその特性評価（1)筑波大物理工学系,21 世紀 COE,CREST-JST,2)産総研）
○奥津吉隆 1),保田諭 1),佐々木慈郎 1),吉田昭二 1),中村徹 2),谷中淳 1),武内修 1),重川秀実 1)
1C03
その場 Raman 観察による単層カーボンナノチューブ CVD 成長初期過程の解析
（1）NTT 物性基礎研,2）東理大,3）CREST-JST）○田沢雅也 2),高木大輔 2)3),本間芳和 2)3),鈴木哲 1)3),小林慶裕 1)3)
1C04
サファイア基板上でのカーボンナノチューブの配向成長機構
（1）明大,2）東理大,3）NTT 物性基礎研,4）CREST-JST）
○山嵜明 1),高木大輔 2)4),鈴木哲 3)4),Jeong Goo-Hwan3)4),小林慶裕 3)4),吉村英恭 1),本間芳和 2)4)
1C05
赤外振動分光によるカーボンナノチューブ表面の化学状態評価
（1）横国大院工,2）CREST-JST）○植田哲弘 1),磯野俊成 1),大矢剛嗣 1),荻野俊郎 1)2)
1C06
低エネルギー電子照射によるカーボンナノチューブ FET の金属-半導体転移
（1）横国大院工,2）NTT 物性基礎研,3）CREST-JST）○橋本惇一 1)2),鈴木哲 2)3),小林慶裕 2)3),荻野俊郎 1)3)
－休憩 10：30～10：45 －
座長安藤寿浩（10：45～12：00）
1C08
《奨励賞受賞記念講演》
電気化学電位による Au ナノワイヤーの構造制御
（1)北大院理）○木口学 1)
1)
2)
1C10
電子励起による GaSb ナノ粒子の構造相転移
（神戸大工, 阪大電顕）○保田英洋 1),森博太郎 2)
1C11
金属粒子によるダイヤモンド表面層の触媒化学的ナノ多孔化における結晶面依存性
（1)信州大・繊維）○大橋達也 1),小西俊輔 1),杉本渉 1),高須芳雄 1)
1C12
MA 法によるナノ構造マグネシウム合金磁性粉の作製と構造評価
（1)東海大開発工,2)東海大工）○千葉雅史 1),堀田英樹 2),信木関 1),久慈俊郎 1)
11 月 6 日（月）
Ｄ会場午前 9：00～11：55
ソフトナノテクノロジー研究部会セッション《依頼講演》
「膜タンパクを創薬ターゲットとする開発から基礎の研究」
座長藤井政俊（9：00～11：55）
1D01K 膜タンパク創薬スクリーニング技術の現状
1D03K 細胞シグナルクロストークにおけるＴＲＰチャネルの役割
（武田薬品工業）○神崎直之
（京大）○森泰生
－休憩 10：05～10：20 －
1D06K
1D08K
1D10K
固体基板表面におけるモデル生体膜の構築
糖鎖生体膜シミュレーションモデルによる膜タンパク質の挙動解析
小型高性能イオンチャンネルバイオセンサーの開発
−iv−
（産総研）○森垣憲一
（千葉大）○星野忠治
（分子研）○宇理須恒雄
11 月 6 日（月）
ＭＯホール午後 13：00～15：00
ポスターセッション
座長近藤寛、蒲生西谷美香
P01Y
Ru(0001)及び CO/Ru(0001)に堆積したアモルファス氷薄膜層の結晶化過程における表面モフォロジー変化
（1)理研,2)FOM,3)東大新領域）○近藤剛弘 1),加藤浩之 1),Bonn Mischa2),川合眞紀 1)3)
P02
NO/Si(111)7x7 解離吸着反応における分子立体効果
（1）阪大院理,2）兵庫県立大工,3）原研）
○橋之口道宏 1),盛谷浩右 2),岡田美智雄 1),寺岡有殿 3),笠井俊夫 1)
P03
ジカルボン酸の Cu(110)表面での吸着状態と仕事関数
（1)物材機構）○柳生進二郎 1),吉武道子 1),知京豊裕 1)
P04
光電子分光法によるナフタレン/HOPG 表面の電子状態の観測
（1)阪大理）○中西昂介 1),村上健 1),山田剛司 1),宮久保圭祐 1),宗像利明 1)
P05
ＡＦＭを用いたタウマチン結晶表面の分子分解能観察
（1)阪大産研）○堀信康 1),須藤孝一 1),岩崎裕 1)
P06
高温での酸素暴露による Sc-O/W(100)系の表面特性の変化
（1)阪大院工）○中西洋介 1),永富隆清 1),高井義造 1)
1)
P07
超低露点低有機環境のデバイス表面汚染抑制効果（（株）日立プラントテクノロジー）○頭島康博 1),杉浦匠 1)
P08
Au/Si 表面超構造上における L-Tyrosine 分子の吸着構造
（1)奈良先端大,2)CREST-JST）○吉村真史 1),松井文彦 1)2),大門寛 1)2)
P09
Cu(110)表面上に吸着したフェロセンの吸着構造と電子状態
（1)東大新領域,2)理研）○卞太寿 1),小原通昭 1),荒船竜一 1),白木將 1),高木紀明 1),川合真紀 1)2)
P10
STM と光電子分光を用いた非局在型一重項ビラジカル Ph2-IDPL 薄膜の構造と電子状態の研究
（1)名大理,2)阪大理,3)福井工大）
○池滝何以 1),清水章弘 2),久保孝史 2),金井要 1),王志宏 1),大内幸雄 1),森田靖 2),中筋一弘 3),関一彦 1)
P11
ＳＴＭ／ＳＴＳによる Fe-whisker 単結晶の表面結晶構造・電子構造の研究
（1)学習院大理）○田村秀俊 1),山田豊和 1),水野直澄 1),長谷川隆英 1),溝口正 1)
P12
Si(111)上での Er 成長過程
（1)大阪電通大エレ研）金井由加利 1),木幡彩子 1),○安江常夫 1),越川孝範 1)
P13
放射光光電子顕微鏡による In/Si(111)上での Sb の成長過程
（1)大阪電通大エレ研,2)JASRI/Spring-8,3)原研,4)理研）
○安江常夫 1),中口明彦 1),郭方准 2),橋本道廣 1),上田将人 1),為則雄介 2),松下智裕 2),齋藤祐児 3),
大浦正樹 4),竹内智之 4),辛埴 4),木下豊彦 2),小林啓介 2),越川孝範 1)
P14
金属／high-k 酸化膜界面における原子結合とショットキーバリアの関係
（1)千葉大自然）○鮎田隆一 1),中山隆史 1)
P15
金属／high-k 酸化膜界面の熱的混晶化安定性
（1)千葉大自然）○仁井陽道 1),中山隆史 1)
P16Y
磁性超薄膜におけるレーザー光電子による磁気二色性
（1)分子研）○中川剛志 1),横山利彦 1)
P17
種々の成膜条件で作製した透明導電性 ITO(Indium Tin Oxide)膜の光学定数評価
（1)東海大工）○八重田朝美 1),神崎陽介 1),若木守明 1)
P18
InP(100)表面構造の CAICISS による検討
（1)東理大理工,2)東理大基礎工）○川口寛樹 1),井上宏 2),色川勝己 1),藤代博記 2),三木裕文 1)
P19S
金ナノワイヤのシェル構造と量子化コンダクタンス
（1)東工大理工）○久留井慶彦 1),大島義文 2)3),高柳邦夫 1)3)
P20
カーボンナノチューブの引き剥がし過程の観察
（1)JST プラザ東海,2)愛教大物理,3)成蹊大理工）
○石川誠 1),原田竜一 2),金田祥江 2),加藤美穂 2),横見智之 2),佐々木成朗 3),三浦浩治 2)
P21
接触モード原子間力顕微鏡シミュレータの開発 - 探針先端の突起効果
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○大島和敏 1),高橋忠孝 1),板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
P22
動的モード原子間力顕微鏡におけるカオス
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○宮田政樹 1),高橋忠孝 1),小田拓美 1),板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
−v−
P23Y
光 STM を用いた GaAs p-n 接合のナノスケールキャリア輸送計測
（筑大物工、21 世紀 COE、CREST-JST）○吉田昭二 1),蟹谷裕也 1),大島隆治 1),武内修 1),岡田至崇 1),重川秀実 1)
層状ニッケルアルカンチオラート結晶アルカン鎖依存磁性
（1)東大物性研,2)JN 先端研究センター）
○小森文夫 1),John Neena Susan 2),Kulkarni G.U.2),Datta Ayan2),Pati Swapan K.2)
Si(113)表面上における Ga 吸着構造の研究
（1)東理大理工,2)東理大基礎工,3)東理大理）
○名倉裕一朗 1),小林秀和 1),原紳介 1),太田浩平 2),色川勝己 1),藤代博記 2),渡辺一之 3),三木裕文 1),河津璋 1)
摩擦力顕微鏡におけるグラファイト表面観察時の薄膜探針への転移
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○寺田一揮 1),板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
HREELS による水一次元鎖の振動分析
（1)京大理）○玉森正多 1),山田剛司 1),八田振一郎 1),奥山弘 1),有賀哲也 1)
純水中の懸濁微粒子を用いて平坦化した Si(001)表面の原子レベル解析と表面創成機構の考察
（1)阪大院工,2)熊大工）
○有馬健太 1),久保田章亀 2),三村秀和 1),加藤潤 1),稲垣耕司 1),森勇藏 1),遠藤勝義 1),山内和人 1)
パターニングした Si 基板上への GaN ナノロッド成長
（1）阪大産研）○寺山正敏 1),長谷川繁彦 1),朝日一 1)
固体表面におけるカーボンナノチューブの配列操作（1）横浜国立大学,2）CREST/JST）○池田高之 1),荻野俊郎 1)2)
高温斜め蒸着による金属ウィスカの気相成長
（1)京大工,2)コベルコ科研）○鈴木基史 1),永井孝治 1),木下定 1),中嶋薫 1),木村健二 1),岡野智規 2),笹川薫 2)
酸化ダイヤモンド担持 Pd 触媒を用いたカーボンナノコイルの選択合成
（1)東洋大院工,2)東洋大・先端光センター,3)凸版総研,4)物材機構）
○菊地真由子 1),中川清晴 2),蒲生秀典 3),安藤寿浩 4),蒲生西谷美香 1)2)
アルコール中アーク放電法による CNT の合成
（1)東理大･工）○西川英一 1),金勇一 1),清水浩 1),喜岡俊英 1)
電気化学的合成法による多孔質皮膜の孔径をテンプレートした酸化チタン粒子の合成
（1)近大理工応化,2)近大総合理工）藤野隆由 1),○東新之助 2),井上卓也 2)
ESR による Pd ナノ粒子の g 因子の評価
（1)慶大理工）○岡本啓明 1)
Si(001)パターン化表面への自己集合 Ge アイランド形成
（1)防大電気電子,2)LBNL）○北嶋武 1),Liu Bing2),レオーネスティーブ 2),中野俊樹 1)
コンパクトなホスフィンを末端基とするアルカンチオールの自己組織化単分子層の高密度形成
（1)北大理）○原賢二 1),秋山龍人 1),高草木達 1),魚崎浩平 1),澤村正也 1)
自己組織化単分子膜修飾金電極を用いたドーパミンの電気化学応答
（1)防衛大）○小澤真一郎 1),川村和郎 1)
液液界面での電析振動反応による微細周期構造形成
（1)阪大院基礎工,2)関学院理）○園田憲太郎 1),中西周次 1),深見一弘 1),中戸義禮 2)
極薄 Si 酸化膜上の Ge ナノドットの電気伝導特性
（1）JST,2)東大理･物理,3)東大工･物理工学）
○中山泰生 1),松田巌 2),山崎詩郎 2),長谷川修司 2),市川昌和 1)3)
希ガス希釈酸素プラズマによるシリコン酸化膜形成（1)防大電気電子）○北嶋武 1),小野真 1),中野俊樹 1)
極薄シリコン酸化膜の精密膜厚測定における表面汚染の影響
（1)産総研・計測標準,2)産総研・計測フロンティア）○東康史 1),尾高憲二 2),黒河明 2),藤本俊幸 1),小島勇夫 1)
Si(100) 表面上に成長した GaAs ナノ結晶の異方的な格子整合性
（1)神戸大 VBL,2)神戸大・工,3)阪大超高圧電顕センター）○薄井洋行 1),向井聡史 2),保田英洋 2),森博太郎 3)
AlSiO 薄膜を用いた SiC MIS 構造の検討
（1)阪大院工）○栗本裕史 1),小松直佳 1),木村千春 1),青木秀充 1),杉野隆 1)
ダイヤモンド(111)メサ上へのステップフリー表面の形成
（1）産総研,2）CREST-JST,3)物材機構,4)筑波大,5)TIMS）
○徳田規夫 1)2),三木一司 3)4),梅沢仁 1),李成奇 1)2),小倉政彦 1)2),山部紀久夫 4)5),大串秀世 1)2),山崎聡 1)2)4)
1）
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InAsSbN 赤外量子井戸レーザダイオードの発光特性
（1）大阪府立大学,2）CREST-JST）○河村裕一 1)2),井上直久 1)
Si(110)-16x2 清浄表面初期酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察
（1）東北大学際,2）原研）○高橋裕也 1),富樫秀晃 1),加藤篤 1),朝岡秀人 2),今野篤史 1),末光眞希 1)
Si(110)-16x2 清浄表面初期酸化過程の放射光・光電子分光による観察
（1）東北大学際,2）九工大,3）原研光都,4）原研）
○加藤篤 1),富樫秀晃 1),今野篤史 1),成田克 2),山本喜久 1),寺岡有殿 3),吉越章隆 3),高橋裕也 1),
朝岡秀人 4),末光眞希 1)
原子レベルで平坦なエピタキシャルアルミナ極薄膜の成長
（1)物材機構,2)カレル大学）○吉武道子 1),ネムシャクスラボミール 1)2),リハチヤロスラバ 1)
ATRP 法による Si 基板上へのポリスチレンブラシの作製
（1)首都大・理工）○伊勢恵 1),藤井政俊 1),加藤直 1)
溶液法で作成されたポリ（3‐ヘキシルチオフェン）薄膜の表面形状と配向
（1)愛知工大）○元谷卓 1),落鎮康 1),水谷照吉 1)
巨大トンネル磁気抵抗効果薄膜における表面構造と磁気輸送特性の相関
（1)阪大基礎工,2)産総研）○水口将輝 1),鈴木義茂 1),長浜太郎 2),湯浅新治 2)
DC スパッタリングによる Al 粉末粒子表面上への Sn 蒸着
（1)産総研）○園田勉 1),加藤清隆 1),全仁秀 1),朝比奈正 1)
フッ素と窒素をドープした TiO2 光触媒による水中有機物の分解
（1)阪大工）○牧圭一 1),袁帥 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
ZnO(1010)表面上の吸着 Cu 層の電子状態：前吸着 H2O が及ぼす効果
（1)立大理,2)東工大理工）○大塲由香子 1),枝元一之 1),小澤健一 2)
Ag(110)表面上の AgO 一次元鎖の構造と反応に関する理論的考察
（1)分子研,2)北大触媒セ,3)東大新領域）○中井郁代 1),渡邊一也 1),松本健俊 1),中越修 2),高木紀明 3),松本吉泰 1)
固体電解質型メンブレンリアクターを用いたイソブタンからの選択的イソブテン合成
（1)阪大工）○辰巳雅俊 1),荒木崇 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
Au(111)電極における鎖状分子と水および硫酸イオンの電位誘起交換反応
（1)東京農工大工,2)北里大理）○遠藤理 1),辻敬太 1),尾﨑弘行 1),真崎康博 2)
Ag(111)面における AgBr 単層の形成と光化学反応
（1)東京農工大工）○後藤博道 1),遠藤理 1),尾﨑弘之 1)
シングルサイト光触媒と光析出法を利用したナノ金属粒子の調製
（1)阪大工）○三浦祐生 1),三村直樹 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
窒化ケイ素に担持した酸化チタン光触媒による水浄化とフィルターの調製
（1)阪大工）○野瀬博之 1),袁帥 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
各温度で焼成した TiO2 の結晶性と光触媒活性の相関
（1)阪大工）○島田真 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
ゼオライト担持 TiO2 光触媒による環境汚染有機物の分解
（1)阪大工）○桑原泰隆 1),大道徹太郎 1),森浩亮 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
Al 含有メソポーラスシリカに担持した可視光応答型クロム酸化物光触媒の触媒特性
（1)阪大院工）○増井洋介 1),森浩亮 1),大道徹太郎 1),片山巌 1),山下弘巳 1)
Au クラスター一次イオン源を備えた TOF-SIMS 装置による高分子材料の高感度測定
（1)成蹊大工,2)島根大生物資源,3)アルバック・ファイ(株)）
○相本健一 1),加藤信彦 1),青柳里果 2),飯田真一 3),眞田則明 3),工藤正博 1)
TOF-SIMS によるｐH に依存したプロテイン A の構造変化解析
（1)成蹊大・工,2)島根大・生物資源）○樋口雅浩 1),加藤信彦 1),工藤正博 1),青柳里果 2)
主成分分析を用いた TOF-SIMS イメージング
（1)旭化成）○宮阪豊光 1),河野禎市郎 1)
フラーレン（Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ８4)のＴＯＦ-ＳＩＭＳ測定によるフラグメントパターンの解析
（1)成蹊大工,2)アルバック・ファイ（株））○山下陽士 1),加藤信彦 1),工藤正博 1),飯田真一 2),眞田則明 2)
大面積高密度金属イオンビーム源
（1)阪大・産研）○布垣昌伸 1),江村修一 1)
−vii−
P70
P71
P72
P73
P74
P75
P76
P77
P78
P79
P80
P81
P82
P83
P84
P85
P86
P87
P88
P89
P90
SiO2 の電子線照射損傷 -低速イオンによる炭素汚染除去- （1)阪大院工）○中村拓 1),永富隆清 1),高井義造 1)
MgO 薄膜のイオン誘起二次電子収率の加熱による変化
（1)阪大院工,2)松下電器産業㈱）○桑山剛 1),永富隆清 1),高井義造 1),森田幸弘 2),西谷幹彦 2),北川雅俊 2)
Ar クラスターイオン衝撃により生体高分子薄膜から放出される二次イオン収率の入射サイズ依存性
（1)京大工量子理工,2)京大工原子核工）○二宮啓 1),市木和弥 2),中田由彦 2),瀬木利夫 1),青木学聡 1),松尾二郎 1)
高エネルギーイオン照射による生体高分子薄膜表面における二次イオン生成
（1)京大工原子核,2)京大工 QSEC）○中田由彦 1),二宮啓 2),松尾二郎 2)
クラスターイオン照射における二次イオン収率の入射サイズ依存性
（1)京大工原子核,2)京大工 QSEC）○市木和弥 1),二宮啓 2),瀬木利夫 2),青木学聡 2),松尾二郎 2)
SPM によるアビジンの固体表面吸着特性の評価
（1)横国大院工,2)分子研）○青木隆仁 1),荒川太郎 1),宇理須恒雄 2),荻野俊郎 1)
SPM 応用によるゲノム解析：染色体の切断、回収、DNA 増幅及びマッピング
（1)農研機構食総研,2)生物研）
○杉山滋 1),塚本和巳 1),山内武志 1),桑崎誠剛 2),末次克行 2),生川潤子 2),高橋宏和 1),山本公子 2),大谷敏郎 1)
ダイナミックモード AFM を用いた高分子表面のナノレオロジー解析
（1)東工大院理工）○中嶋健 1),西敏夫 1)
有機単結晶の結晶成長と AFM による結晶評価
（1)東北大院工）○坂田雅文 1),佐々木亮人 1),大笹慎也 1),今村芳樹 1),野田浩之 1),板谷謹悟 1)
電圧印加非接触原子間力分光法による表面状態解析をめざした超高真空極低温走査型プローブ顕微鏡の開発
（1）JST,2)筑波大院数理）○平出雅人 1),新井豊子 1)2)
トーションモードによる固体表面の観察
（1)愛教大物理,2)JST プラザ東海,3)成蹊大理工）
○原田竜一 1),加藤美穂 1),横見智之 1),金田祥江 1),石川誠 2),佐々木成朗 3),三浦浩治 1)
プローブ先端形状とＡＦＭ像からのノイズの影響を考慮した実表面形状の推測
（1)物材機構）○大西桂子 1),藤田大介 1)
染色体特定領域解析に向けた染色体断片の AFM による連続回収
（1)食総研,2)生物研）○塚本和己 1),桑崎誠剛 2),山本公子 2),大谷敏郎 1),杉山滋 1)
液中 AFM による高分子表面の生体適合性の直接的評価
（1)産総研･計測標準,2)北大電子研ナノテク,3)北大創成,4)東工大総理工,5)理研局所時空間機能）
○林智広 1),田中賢 2),山本貞昭 3),下村政嗣 2),原正彦 4)5)
走査型トンネル顕微鏡法による MOSFET 断面のポテンシャル計測
（1)阪大産研）○長谷川繁彦 1),朝日一 1)
スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡 (SPLEEM)による磁性体表面の観察
（1)大阪電通大エレ研,2)アリゾナ州立大学）
○鈴木雅彦 1),橋本道廣 1),上田将人 1),安江常夫 1),越川孝範 1),Bauer Ernst2)
温度可変４探針走査トンネル顕微鏡の開発
（1）筑波大数理物質科学,2）CREST-JST,3)21 世紀 COE）
○市川慶太郎 1)2)3),石橋聡史 1)2)3),谷中淳 1)2)3),武内修 1)2)3),重川秀実 1)2)3)
高分解能透過型電子顕微鏡による単層および多層膜の膜厚評価
（1)産総研）○寺内信哉 1),藤本俊幸 1),東康史 1),張麓ルウ 1)
放射光 X 線光電子顕微鏡を用いた Ag/Si(111)の化学結合状態のマッピング
（1）阪電通大,2）JASRI,3）理研,4）原研）
○橋本道廣 1),郭方准 2),上田将人 1),鈴木雅彦 1),木下豊彦 2),小林啓介 2), 辛埴 3),大浦正樹 3),竹内智之 3),
斎藤祐児 4),松下智裕 2),安江常夫 1),越川孝範 1)
2 光子光電子顕微鏡の開発と Cu(111)表面電子状態のイメージング
（1)千葉大工,2)阪大院理）○山本勇 1),松浦伸志 2),山田剛司 2),上野信雄 1),宗像利明 2)
２πステラジアンの原子立体写真
（1）奈良先端大物質,2）CREST-JST,3）JASRI）
○松井文彦 1)2)3),稲地加那子 1),加藤有香子 1),松下智裕 3),郭方准 3),大門寛 1)2)3)
−viii−
P91
P92
P93Y
P94
P95Y
X 線反射率法による HfO2/Si の界面粗さ分析
（1)産総研）○張ルウルウ 1),譚瑞琴 1),東康史 1),藤本俊幸 1),小島勇夫 1)
固体電解質センサを用いた Cu-Zr 合金中の酸素分圧の測定
（1)阪大院工）○谷川秀次 1),片山巌 1),山下巳 1)
SAM 被覆金属ナノ粒子集積膜の構築と電極触媒への応用
（1)北大理）○高草木達 1),原田素子 1),Tzanetakis Nikolaos1),岡村昌幸 1),魚崎浩平 1)
無機材料認識ペプチドによるタンパク質固定
（1）JST,2)癌研,3)松下電器先端研,4)奈良先端大）○門谷文子 1),松川望 3),佐野健一 1)2),芝清隆 1)2),山下一郎 1)3)4)
金属イオン含有メソポーラスシリカ薄膜表面の光誘起特性
（1)阪大工,2)阪大基礎工）○森浩亮 1),今岡禎晴 1),西尾真一郎 1),島田真 1),西山憲和 2),山下弘巳 1)
11 月 7 日（火）
Ａ会場午後 13：00～17：45
合同シンポジウム「スピントロニクスの表面科学」
座長福田常男（13：00～15：30）
2A21
磁壁の電流駆動の理論
2A23
カーボンナノチューブ人工原子における単一スピンの発生と制御
2A25
カーボンナノチューブ探針を用いた高分解能磁気力顕微鏡
2A27
スピン偏極 STM・STS による層状反強磁性 Cr 薄膜の表面磁性
2A29
スピン分解光電子分光でみるナノ磁性体の電子構造
（首都大東京）○多々良源
（理研）○石橋幸治
（産総研）○秋永広幸
（大阪教育大）○川越殻
（広大）○木村昭夫
－休憩 15：30～15：45 －
表面ナノバイオサイエンス
座長中嶋健（15：45～16：45）
2A32
《招待講演》
AFM による蛋白質力学計測
（1)東工大生命理工）○関口博史 1)
2A34
αヘリックスペプチドの原子間力顕微鏡観察
（1)学習院大理）○青木岳 1),小島修一 1),山田豊和 1),溝口正 1)
2A35
金表面上におけるアミノ酸単分子層の化学吸着
（1）原研,2)東中国技研）○本田充紀 1),馬場祐治 1),平尾法恵 1),Deng Juzhi2),関口哲弘 1)
座長手老龍吾（16：45～17：45）
2A36S
基板上の核酸の TOF～SIMS による構造評価
（1)島根大生物資源）○岡田慶悟 1),木原淳一 1),青柳里果 1)
2A37
Investigating DNA Monolayer Preparation Methods on Silicon(111) Surface: Sum Frequency Generation Study.
（1)Simon Fraser Univ.,2)北大理）○浅沼秀彦 1),野口秀典 2),Yu Hua-Zhong1),魚崎浩平 2)
2A38S
DNA による高密度カーボンナノチューブの分散
（1）横国大院工,2）CREST-JST）○磯野俊成 1),大矢剛嗣 1),荻野俊郎 1)2)
2A39S
Si 基板を用いたプレーナー型パッチクランプバイオセンサーの製作
（1)総研大,2)分子研,3)ロチェスター大,4)SII ナノテク(株),5)生理研,6)兵県大）
○浅野豪文 1),張振龍 1),宇野秀隆 2),手老龍吾 1)2),ガオヨンリー2)3),鈴井光一 2),
中尾聡 2),皆藤孝 4),柴崎貢志 1)5),富永真琴 1)5),内海裕一 6),宇理須恒雄 1)2)
11 月 7 日（火）
Ｂ会場午前 9：15～10：45
電極／燃料電池／環境／エネルギー
座長安藤寿浩（9：15～10：45）
2B02
規則性メソポーラスシリカ表面に結合した有機官能基間距離の見積り
（1)横国大院環情,2)横国大院工,3)リヨン高等師範大学校）
○宮島知久 1),吉武英昭 2),セバスチャンアブリィ 3),ベレンアルベラ 3),ローランボンネヴィオ 3)
−ix−
2B03
2B04S
2B05
2B06
ガラス基板上への無電解めっき触媒の吸着状態
（1)山梨大医工,2)アルプス電気(株）)○青木健太朗 1),三森健一 2),柴田正実 1)
電気化学 SFG 分光法による電極／電解質溶液界面における水の構造評価
（1）北大院理,2）JST）○岡田翼 1),野口秀典 1)2),魚崎浩平 1)
酸化ルテニウムナノシート被覆白金担持カーボンの燃料電池触媒への応用
（1)信州大繊維）○坂本雄亮 1),永森聖崇 1),才田隆広 1),杉本渉 1),高須芳雄 1)
《招待講演》
燃料電池実用化への闘い～実用耐久性獲得のための研究開発
（1)富士電機）○瀬谷彰利 1)
－昼食－
Ｂ会場午後 15：45～18：00
薄膜成長／ナノ構造作製・評価
座長六田英治（15：45～17：00）
2B32
《招待講演》
生体分子を用いた固体表面上ナノ構造構築-バイオナノプロセス- （1)松下電器産業）○熊谷慎也 1),山下一郎 1)
2B34S
ナノインプリントリソグラフィによるモルフォ・ブルーの量産技術の開発
（1）阪大院工,2）阪府大院工,3）理研・播磨研究所,4）ICORP-JST）
○石川陽子 1),宮村友輔 1),中島匡貴 2),十河健司 2),平井義彦 2),齋藤彰 1)3)4)
2B35
DLC 中間層を利用した石英ガラス上への Y2O3 薄膜の形成
（1)東芝セラミックス）○横山優 1)
2B36
Ag(100)上におけるチタン酸化物超薄膜の研究
（1)立大理,2)東工大理工）○金子誉 1),小野真梨江 1),枝元一之 1),小澤健一 2)
座長蒲生秀典（17：00～18：00）
2B37
金めっきによるナノ電子源の作製
（1)早大理工,2)台湾中央研究院）
○野村健一 1),六田英治 1),板垣考洋 1),Hong-Shi Kuo2),Tien.T Tsong2),大島忠平 1)
2B38S
再構成した Au(111)上での異種金属析出過程の電気化学 STM による追跡
（1)北大院理）○北村健 1),高草木達 1),魚崎浩平 1)
2B39
クエン酸ナトリウムを錯化剤とする無電解ニッケルめっきにおけるナノダイヤモンド粒子の共析機構
（1)長岡技術科学大）○中島隆 1),松原浩 1),斉藤信雄 1),西山洋 1),程内和範 1),井上泰宣 1)
2B40
熱フィラメント CVD 法によるアルコールを炭素源としたカーボンナノチューブの合成
（1)日本工業大学）○石塚景 1),岩崎琢磨 1),石川豊 1)
11 月 7 日（火）
Ｃ会場午前 9：15～12：00
表面基礎物性
座長中辻寛（9：15～10：45）
2C02
《招待講演》
低温における Si（001)清浄表面の低速電子回折による観察
（1)九大総合理工）○水野清義 1)
2C04
LT～NC～AFM による Si(001)ダイマー構造変化の観察
（1)阪大工）○内藤賀公 1),河崎謙一郎 1),野村光 1),影島賢巳 1),菅原康弘 1)
2C05S Control of SiC surfaces by the annealing in a hydrogen gas and the immersion in solutions of HCN
（1)ISIR, Osaka Univ.,2)CREST-JST）
○Madani Mohammad1)2),Liu Yueh-Ling1)2),Im Sung-Soon1)2),Takahashi Masao1)2), Kobayashi Hikaru1)2)
2C06
ホモエピタキシャル(100)及び (111)ダイヤモンドの酸化による表面電気伝導性の変化
（1)東洋大院工,2)凸版総研,3)東洋大・先端光センター,4)物材機構）
○岩崎幸治 1),蒲生秀典 2),蒲生西谷美香 1)3),中川清晴 3),安藤寿浩 4)
−x−
2C07
STM と NC-AFM による TiO2(001)-(nx1)再構成表面の原子像の違い
（1)産総研,2)アルバック・ファイ）○久保利隆 1),折田秀夫 1),野副尚一 2)
－休憩 10：45～11:00 －
座長内藤賀公（11:00～12：00）
2C09S 探針誘起バンドベンディング効果と Al ナノクラスターの局所電子状態の研究
（1)広大理,2)広大放射光セ）
○成田尚司 1),掛谷満 1),木村昭夫 1),谷口雅樹 1),仲武昌史 2),謝天 2),喬山 2),生天目博文 2)
2C10
金ナノ粒子２次元単層構造における局在プラズモン励起に関する近接場分光
（1）物材機構ナノ計測,2）筑波大,3）分子研）
○北島正弘 1)2)3),Mohammad Kammal Hossain1)2),島田透 1),井村考平 3),岡本裕巳 3)
2C11
銀めっき材における摺動面の観察と潤滑処理の効果
（1)矢崎技術研究所）○山形由紀 1),川嵜春香 1),鳥越昭彦 1),池田実 1)
2C12
異なる冷却方式で調製したパーム油-大豆油混合油の結晶状態と力学物性
（1)岩手大農）小林昭一 1),三浦靖 1),○谷地畝郁枝 1)
－昼食 12：00～13:00 －
Ｃ会場午後 13：00～18：00
表面基礎物性
座長尾嶋正治（13：00～14：15）
2C21
ZnO(1010)表面上の吸着 Cu 層の電子状態
（1)東工大理工,2)立大理）○小澤健一 1),大塲由香子 2),枝元一之 2)
2C22
ZrC(100)面上に作成した ZrO(100)薄膜の電子状態
（1)立教大理,2)東工大院理工）○枝元一之 1),永山隆博 1),小澤健一 2)
2C23
窒素吸着した Cu(001)表面上のスズの表面構造と電子状態
（1）東大物性研）○矢治光一郎 1),奈良裕樹 1),中辻寛 1),飯盛拓嗣 1),下山田篤史 1),石坂香子 1),辛埴 1),小森文夫 1)
2C24S ストライプ表面 Cu(110)(2×1)O の表面電子状態
（1)広大理,2)広大放射光,3)東大物性研）
○柳楽未来 1),沢田正博 2),東口光晴 1),矢治光一郎 3),望戸力 1),上野哲郎 1),
三浦雄一 1),島田賢也 2),木村昭夫 1),生天目博文 2),谷口雅樹 1)2)
2C25
角度分解光電子分光による Ni(111)表面状態の研究
（1)広大院理,2)広大放射光セ,3)産総研,4)広大理）
○東光晴 1),島田賢也 2),有田将司 2),三浦雄一 1),飛田尚寿 1),田中克典 4),
崔小宇 1),相浦義弘 3),生天目博文 1),谷口雅樹 1)2)
座長小川浩二（14：15～15：15）
2C26
Pb 超薄膜の電子輸送の振動現象
（1)東大理）○宮田伸弘 1),松田巌 1),堀越孝太郎 1),平原徹 1),長谷川修司 1)
2C27
反射高速陽電子回折による In/Si(111)表面構造の研究
（1）原研先端基礎研,2）日女大理）○橋本美絵 1),深谷有喜 1),河裾厚男 1),一宮彪彦 1)2)
2C28
Si(111)4×1-In 超構造上 Ag 薄膜の擬 1 次元的量子化状態の研究
（1)東大理,2)物材機構）○永村直佳 1),松田巌 1),宮田伸弘 1),平原徹 1),内橋隆 2),長谷川修司 1)
2C29
表面 Hume-Rothery 相の研究
（1)東大理,2)お茶大理）○松田巌 1),小林功佳 2),平原徹 1),宮田伸弘 1),長谷川修司 1)
－休憩 15：15～15：30 －
シンポジウム「波数空間の表面科学：最先端のフェルミオロジー」
座長松田巌（15：30～18：00）
2C31
高エネルギー励起光によるバルク敏感角度分解光電子分光
−xi−
（1)阪大基礎工）○関山明 1)
2C33
2C35
2C37
2C39
電子波とフリーデル振動の実空間観察
波数空間で見る表面相転移
陽電子消滅 2 光子 2 次元角相関法による物質内部のナノ領域分析
単一成分分子性金属の金属性の証明
11 月 7 日（火）
Ｄ会場午前 9：15～12：15
放射光表面科学部会セッション《依頼講演》
「放射光によるリアルタイム分析と新物質探索」
座長木下豊彦（9：15～10：40）
2D02K MBE 成長中の X 線回折
2D04K 溶液表面の偏光全反射蛍光 XAFS 法
2D06K リアルタイム光電子ホログラフィー
（1)東大物性研）○長谷川幸雄 1)
（1)京大理）○有賀哲也 1)
（1)東北大金材研）○永井康介 1)
（1)産総研）○田中寿 1)
（原研）○高橋正光
（JASRI/SPring-8）○谷田肇
（JASRI/SPring-8）○松下智裕
－休憩 10：40～10：50 －
座長大門寛（10：50～12：15）
2D08K SPring-8 光電子顕微鏡
2D10K レーザーMBE 成長薄膜の in-situ 光電子分光
2D12K 1 次元表面新物質のＳＲ角度分解光電子分光
（JASRI/SPring-8）○木下豊彦
（東大工）○組頭広志
（立命館大理工）○小川浩二
－昼食 12：15～13：00 －
Ｄ会場午後 13：00～17：45
マイクロ／ナノ微細加工
座長笹川薫（13：00～13：45）
2D21
Si(100)表面上の微細構造の超高真空中加熱による変形
（1)阪大産研）○中村純 1),須藤孝一 1),岩崎裕 1)
2D22
マスキングフィルムを用いた高規則性 Al トンネルピット配列の形成
（1）首都大都市環境,2）CREST-JST）○西尾和之 1)2),武田彬史 1),益田秀樹 1)2)
2D23
微細規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナの形成
（1)首都大都市環境,2)KAST）○前川弘明 1),原田真宏 1),畠山翔 1),西尾和之 1)2),益田秀樹 1)2)
－休憩 13：45～14：00 －
表面反応／触媒作用
座長中村潤児（14：00～15：15）
2D25
ロジウム表面上の N2O 分解における生成分子の脱離指向角への吸着種の効果（1）北大触媒セ）○松島龍夫 1)
2D26
Pd(111)上の CO 酸化の生成 CO2 の振動・回転温度の角度依存性
（1)北大触媒セ）○山中俊朗 1),松島龍夫 1)
2D27S Pd(110)および Pd(111)上における CO + NO 反応：生成 CO2 分子の振動励起状態と活性錯合体構造
（1)筑波大院数理物質）○中尾憲治 1),渡辺整 1),佐々木俊彰 1),冨重圭一 1),国森公夫 1)
2D28S TiO2 (001)表面上における可視光応答反応とその機構解明
（1)東大理,2)分子研,3)東大新領域）
○有賀寛子 1),谷池俊明 1),唯美津木 1),渡辺一也 2),松本吉泰 2),池田進 3),斉木幸一朗 1)3),岩澤康裕 1)
2D29
なぜカルボン酸だけが TiO2(110)表面上に室温で安定に吸着するのか？-無水カルボン酸を用いた研究
（1)北大触媒セ,2)CREST-JST）○芦間英典 1)2),田旺帝 1)2),朝倉清高 1)
－休憩 15：15～15：30 －
−xii−
座長松島龍夫（15：30～16：45）
2D31
微細加工技術による薄膜型モデル触媒の作成とその反応活性の研究
（1）北大院工,2）北大触媒セ）○中村元弘 1)2),松平宣明 1)2),鈴木秀士 1),田旺帝 1),朝倉清高 1)
2D32
Co2/γ-Al2O3 モデル触媒上の高活性 cis-(NO)2 dimer 種と新規 NO-CO 反応機構
（1）東大理,2）東大新領域,3）阪大産研）
○谷池俊明 1),唯美津木 1),Rudy Coquet1),佐々木岳彦 2),森川良忠 3),岩澤康裕 1)
2D33S グラファイト表面上の白金微粒子の電子状態と反応性
（1)筑波大数物）○田崎保徳 1),岩崎陽介 1),中村潤児 1)
2D34
グラファイト表面における金属触媒ナノ粒子の STM 観察
（1）筑波大数物）○藤城明弘 1),波部太一 1),中村潤児 1)
（1)筑波大数物）○和泉健一 1),中村潤児 1)
2D35
Pt-HOPG モデル触媒による H2-D2 交換反応
座長福井賢一（16：45～17：45）
2D36
Si(111)-7×7 表面への O2 室温吸着において観測される準安定吸着種の入射並進運動エネルギー依存性
―超音速分子線と放射光リアルタイム光電子分光を用いた”その場”観察―
（1)原子力機構）○吉越章隆 1),盛谷浩右 1),成廣英介 1),寺岡有殿 1)
2D37
Si(111)-7×7 表面上へのピロールの吸着
（1)静岡大電子研）○川口健典 1),下村勝 1),村上健司 1),福田安生 1)
2D38
金の摩擦面におけるオレフィンの吸着と水素化
（1)岩大工）○森誠之 1),呉行陽 1),久保朋生 1),七尾英孝 1),南一郎 1)
2D39
ハードディスク表面のナノ潤滑膜のトライボ化学分解とその防止
（1)岩大工）○七尾英孝 1),阿部智 1),久保朋生 1),南一郎 1),森誠之 1)
11 月 8 日（水）
Ａ会場午前 9：00～12：00
合同セッション
座長越川孝範（9:00～10:30）
3A01
複素ナノ構造体を組み立てる-AFM で原子を識別・操作・組立（1)阪大工）○森田清三 1)
3A03
Cu/W(110)の PEEM コントラストの被覆率依存性
（1）大阪電通大エレ研,2）アリゾナ州立大）
清水宏 1),中口明彦 1),橋本道廣 1),上田将人 1),○安江常夫 1),E. Bauer2),越川孝範 1)
3A04
電子‐電子‐イオンコインシデンス分光装置の開発，
性能評価，SiO2/Si(111)のサイト選択的 Si LVV オージェ過程研究への応用
（1）総研大物質構造,2）産総研,3）群馬大教育,4）千葉大工,5）物構研,6）PRESTO-JST）
○垣内拓大 1),小林英一 2),岡田直之 3),小山田健 3),奥沢誠 3),奥平幸司 4),間瀬一彦 1)5)6)
3A05
白金上に吸着した酸素へのプロトン移動
（1)阪大工）○津田宗幸 1),笠井秀明 1)
3A06
電子衝撃脱離法による MgO(001)劈開面へのメタノール吸着の観察
（1)東邦大理）鷺坂圭亮 1),高木祥示 1),後藤哲二 1)
－休憩 10:30～10：45 －
座長間瀬一彦（10：45～12：00）
3A08
NH3-MBE 法を用いた GaN 成長における Ga の触媒効果
（1)早大理工,2)早大医工研）○平塚崇人 1),吉崎忠 1),川原塚篤 2),堀越佳治 1)
3A09
Co/N/Cu(001)表面の電子状態
（1)東大物性研,2)東大理）
○中辻寛 1),飯盛拓嗣 1),関場大一郎 1),土肥俊介 1),柳生数馬 1),高木康多 1),大野真也 1),
宮岡秀治 1), 山田正理 1),雨宮健太 2),松村大樹 2),太田俊明 2),小森文夫 1)
3A10
ケルビンプローブ顕微鏡を用いた Pt/TiO2 モデル触媒の電荷移動計測
（1）神戸大理,2）JST）笹原亮 1)2),稗圃久美子 1),○大西洋 1)
−xiii−
3A11
3A12
フェムト秒時間分解 STM で覗く GaNAs の超高速光誘起キャリアダイナミクス
（1)筑波大数理,2)CREST-JST,3)21 世紀 COE）
○青山正宏 1)2)3),近藤博行 1)2)3),寺田康彦 1)2)3),武内修 1)2)3),重川秀実 1)2)3)
Pt(997)表面における CO の拡散
（1)東北大多元研）○高岡毅 1),米田忠弘 1)
－昼食 12：00～13：00 －
Ａ会場午後 13：00～17：45
合同シンポジウム「超高真空表面電子顕微鏡の最前線」
座長尾嶋正治、高柳邦夫（13：00～15：30）
3A21
50pm 分解能物質解析電子顕微鏡と表面研究
3A23
超高真空 SEM を用いた表面観測
3A25
LEEM/PEEM を用いた表面の動的観測
3A27
スピン偏極走査電子顕微鏡
3A29
放射光光電子顕微鏡を用いた磁性ナノ構造の観察
（東工大理）○高柳邦夫
（東理大理）○本間芳和
（大阪電通大工）○越川孝範
（北大理）○小池和幸
（東大工）○尾嶋正治
－休憩 15：30～15：45 －
自己集合・自己組織化
座長荻野俊郎（15：45～16：45）
3A32
《招待講演》
非線形化学ダイナミクスによる固体表面上への自己組織化構造形成
（1)阪大院基礎工）○中西周次 1)
3A34
自己組織化単分子膜の成長過程と分子交換反応
（1)東工大総理工,2)理研）○山田由美子 1),田島右副 2),玉田薫 1),原正彦 1)2)
3A35
Cu(001)面上におけるアミノ酸共吸着構造に関する研究
（1)宇大工）○小久保里美 1),岩井秀和 1),江川千佳司 1)
座長中西周次（16：45～17：45）
3A36
クラウンエーテルの分子配向：紫外光/準安定励起原子電子分光による研究
（1)千葉大工,2)千葉大院自然,3)理研）○青木健 1),細貝拓也 2),解良聡 1)2),満尾徳孝 2),堀江正樹 3),上野信雄 1)2)
3A37
ジアルキルアンモニウム塩混合ベシクルの固液界面吸着状態
（1)首都大理工,2)ライオンファブリックケア研）
○藤井政俊 1),池上誠 1),田中千香子 1),甲純人 2),宮坂広夫 2),加藤直 1)
3A38
水素終端 Si(111)表面上における直鎖アルキル自己組織化膜の作成と表面力特性
（1)首都大理工）○岩橋浩之 1),藤井政俊 1),加藤直 1)
3A39
自己組織化単分子膜を用いた接点の低挿入力化と成膜プロセスの最適化
（1)矢崎総業）○川嵜春香 1),山形由紀 1),池田実 1),鳥越昭彦 1)
11 月 8 日（水）
Ｂ会場午後 15：45～17：30
ナノスケール物性
座長佐藤智重（15：45～17：30）
3B32
《論文賞受賞記念講演》
Superlubricity of C60 Intercalated Graphite Films
3B34S
3B35
（1)愛教大物理, 2)成蹊大理工,3）PREST- JST）○三浦浩治 1),津田大輔 1),佐々木成朗 2)3)
電気化学 STM によるアルカンチオール SAM 中に埋め込んだレドックス活性な分子アイランドの
電子移動特性評価
（1)東工大理工,2)理研フロンティア,3)東工大総理工）○横田泰之 1)2),宮崎明 1),福井賢一 1),榎敏明 1),原正彦 2)3)
金電極に架橋したテトラチアペンタレン分子ワイヤーの電子伝導特性に関する理論的研究
（1）京大工,2）CREST-JST）○奥村成喜 1),笛野博之 1),田中一義 1)2)
−xiv−
3B36S
3B37
3B38
ハロゲン修飾に伴う安息香酸イオンの局所電子状態変化
（1)東大新領域,2)理研）○堀雅史 1)2),片野諭 2),金有洙 2),川合真紀 1)2)
放射光励起高分解能角度分解紫外光電子分光法による Ni(332)ステップ面上の低次元電子状態の研究(II)
（1）立命大理工）○小川浩二 1),藤澤信幸 1),中西康次 1),難波秀利 1)
Si(111)√3×√3-Ag 表面上電子定在波の STM 室温観察と FEM 解析
（1)東工大総理工）○源聡 1),石塚健 1),平山博之 1)
11 月 8 日（水）
Ｃ会場午前 9：30～12：00
薄膜成長／ナノ構造作製・評価
座長影島賢巳（9：30～10：30）
3C03S 大気圧近傍パルス電界プラズマ CVD 法を用いた PET 基板上 Si 系薄膜の室温・高速堆積
（1)東北大学際センター,2)積水化学工業,3)産総研）
○松本光正 1),末光眞希 1),屋良卓也 2),中嶋節男 2),上原剛 2),豊島安健 3)
3C04
Ge/Si ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
（1)原子力機構,2)エイコー・エンジニアリング）○朝岡秀人 1),山崎竜也 1)2),社本真一 1)
3C05
X 線反射率法を用いた SI トレーサブルな膜厚評価
（1)産総研）○藤本俊幸 1),東康史 1),渡部司 1),大澤尊光 1),高辻利之 1)
3C06
In 吸着 GaP(001)表面の STM による観察
（1)静岡大電子研）○市川大介 1),下村勝 1),福田安生 1)
－休憩 10：30～10：45 －
座長下村勝（10：45～12：00）
3C08
STM を用いた Gd/Si(111)初期成長過程（1)大阪電通大）○五十嵐忠則 1),繁田和也 1),安江常夫 1),越川孝範 1)
3C09
Si(111)表面に SPE 成長した Fe シリサイドの構造と磁性
（1）奈良先端大物質創成,2）JST）○服部賢 1)2),片岡恵太 1),服部梓 1),大門寛 1)2)
3C10
RDE 成長した Si(111)2×2-Fe シリサイドの構造
（1）奈良先端大物質創成,2）JST）○澤田大輔 1),梅里計匡 1),服部賢 1)2),大門寛 1)2)
3C11
RDE 成長した Si(111)2×2-Fe シリサイドの磁性
（1）奈良先端大物質創成,2）JST）
○梅里計匡 1),澤田大輔 1),服部梓 1),服部賢 1)2),児玉謙司 1),細糸信好 1),大門寛 1)2)
3C12S β-FeS2/Si(111)の強磁性へテロ構造
（1）奈良先端大物質創成,2）JST）○服部梓 1),服部賢 1)2),児玉謙司 1),細糸信好 1),大門寛 1)2)
－昼食 12：00～13：00 －
Ｃ会場午後 13：00～18：00
ナノスケール分析手法
座長菅原康弘（13：00～14：15）
3C21S 導電性有機薄膜の局所電気伝導二次元マッピング
（1）阪大院工,2）PRESTO-JST,3) ICORP-JST,4)理研播磨研究所）
○鶴田真司 1),楊青 1),植村隆文 1),赤井恵 1)2),齋藤彰 1)3)4),桑原裕司 1)3)4)
3C22
金(111)表面上に吸着した BDA 分子へのトンネル電子注入による操作
（1）東北大多元研,2）CREST-JST）○長田達朗 1),朱娜 1),道祖尾恭之 1)2),米田忠弘 1)2)
3C23
金属及びグラファイト上に作製したルブレン分子膜のＳＴＭ発光分光
（1）筑波大物理工,2）２１世紀ＣＯＥ,3）CREST-JST）○林究,岡田有史,金澤研,Maxime Berthe,武内修,重川秀実
3C24
電荷状態の異なる S-Au(111)表面吸着系での STM-BH イメージング
（1)京大工,2)京大国際融合創造センター）○宮脇悠 1),黒川修 2),酒井明 2)
−xv−
3C25
Ｐ型 GaAs(110)表面近傍に存在するドーパント原子の STM-LBH 計測
（1)京大工,2)京大 IIC）○小林賢吾 1),黒川修 2),酒井明 2)
座長長谷川幸雄（14：15～15：30）
3C26S 放射光 STM によるナノスケールでの表面分析( I )
（1）阪大院工,2）理研/SPring -8,3）ICORP-JST,4)阪府大院工,5)JASRI/SPring-8,6)物材機構ナノマテ研）
○高橋浩史 1)2),齋藤彰 1)2)3),高木康多 2),花井和久 2)4),田中義人 2),三輪大五 2),矢橋牧名 5),
石川哲也 2),辛埴 2),桑原裕司 1)2)3),青野正和 3)6)
3C27
放射光 STM によるナノスケールでの表面分析(II) -絶縁被膜探針による S/N 比向上（1）理研/SPring-8,2)阪大院工,3)ICORP-JST,4)阪府大院工,5)兵庫県立大高度研,
6)
JASRI/SPring-8,7)物材機構ナノマテ研）
○高木康多 1),齋藤彰 1)2)3),高橋浩史 1)2),細川博正 1)2),花井和久 1)4),中松健一郎 5),松井真二 5),
田中義人 1),三輪大五 1),矢橋牧名 6),石川哲也 1),辛埴 1),桑原裕司 1)2)3),青野正和 3)7)
3C28
放射光 X 線と NC-AFM による新しい元素分析法の開発
（1）北大触媒セ,2）北大院工,3）CREST-JST,4)高エ研 PF）
○鈴木秀士 1)2)3),中村元弘 2),木下久美子 2),小池祐一郎 4),藤川敬介 2),松平宣明 2),田旺帝 1)2)3) ,
野村昌治 4),朝倉清高 1)2)
3C29
定量的スピン偏極走査トンネル顕微分光法の開発
（1)学習院大理）○水野直澄 1),山田豊和 1),田村秀俊 1),溝口正 1)
3C30
高輝度スピン偏極電子源開発に向けた Mott 散乱検出装置の校正
（1)三重大院工）○永井滋一 1),藤原裕司 1),畑浩一 1)
－休憩 15：30～15：45 －
座長板倉明子（15：45～17：00）
3C32
《招待講演》
電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法による量子力学的共鳴相互作用の測定（1)筑波大院）○新井豊子 1)
3C34
散逸的相互作用力を用いたケルビンプローブ力顕微鏡の距離依存性
（1)阪大院工,2)CREST-JST）○野光 1),河崎謙一郎 1),李艶君 1)2),内藤賀公 1)2),影島賢巳 1)2),菅原康弘 1)2)
3C35
Q 値制御法を用いた位相変調法原子間力顕微鏡の性能評価
（1）阪大院工,2）CREST-JST）○小林成貴 1),李艶君 1)2),内藤賀公 1)2),影島賢巳 1)2),菅原康弘 1)2)
3C36
高酸化 Cu(110)表面の非接触原子間力顕微鏡観察
（1)阪大院工）○岸本匠平 1),影島賢巳 1),内藤賀公 1),菅原康弘 1)
座長木下豊彦（17：00～18：00）
3C37
非接触 AFM による有機結晶表面の分子像観察
（1)東北大院工,2)日本電子）
○坂田雅文 1),野田浩之 1),佐木亮人 1),今村芳樹 1),佐藤智重 2),北村真一 2),板谷謹悟 1)
3C38
光異性化現象を用いた AFM 探針の親水性/疎水性制御法の開発
（1)阪大院工,2)CREST-JST）○油屋吉宏 1),李艶君 1)2),内藤賀公 1)2),影島賢巳 1)2),菅原康弘 1)2)
3C39
化学力顕微鏡による高分子フィルム表面処理の評価
（1)ソニー,2)東工大生命理）○森川淳子 1),星一男 1),西田康代 1),藤平正道 2)
3C40
静電気力分光法を用いた絶縁性 CaF2/Si 表面の電子状態の観測
（1)阪大院工）河崎謙一郎 1),野村光 1), ○内藤賀公 1),影島賢巳 1),菅原康弘 1)
−xvi−
11 月 8 日（水）
Ｄ会場午前 9：00～12：00
表面ナノバイオサイエンス
座長関口博史（9：00～10：30）
3D01
単原子ステップを持つルチル型二酸化チタン表面上での supported lipid bilayer 形成
（1)分子研,2)名大工）○手老龍吾 1),宇治原徹 2),宇理須恒雄 1)
3D02
DNA テンプレートを利用する金属ナノアレイの作製
（1)物材機構,2)静大,3)名古屋市工業研究所）○中尾秀信 1),岩田太 2),柄澤英範 2),林英樹 3),三木一司 1)
3D03
Ag ナノロッドアレイによる SERS 基盤を用いた細胞測定への試み
（1）京大工,2）京都府 CREATE-JST,3)同大工）
○浅田映美 1),鈴木基史 1),和田吉典 1),福岡隆夫 2),森康維 3),富田直秀 1)
3D04
表面プラズモン共鳴法による光応答自己組織化膜上への抗体吸着反応の検討
（1)東工大総理工,2)産総研,3)農業生物資源研）
○大野江莉奈 1),玉田薫 1),原正彦 1),石井則行 2),玉田靖 3),秋山陽久 2)
3D05
表面赤外分光を用いた抗原抗体反応の溶液中その場観察
（1)東北大通研,2)産総研,3)徳島大ゲノム機能研究センター）
○小野寺恒太 1),宮本浩一郎 1),片岡正俊 2),篠原康雄 3),庭野道夫 1)
3D06
自己組織化ハニカムパターンに対する血管内皮細胞の初期応答
（1)北大創成研,2)北大電子研,3)CREST-JST）
○山本貞明 1)3),田中賢 2)3),伊藤絵美子 3),角南寛 1)3),居城邦治 2)3),下村政嗣 2)3)
－休憩 10：30～10：45 －
自己集合・自己組織化
座長玉田薫（10：45～12：00）
3D08
《会誌賞受賞記念講演》
液晶が作る分子機械
（1)早大理工）○多辺由佳 1)
3D10S ナノギャップフラット電極を用いたポリジアセチレンの電気伝導特性評価
（1）阪大工,2）PRESTO-JST,3）理研播磨研究所,4）ICORP-JST）
○大神直輝 1),赤井恵 1)2),齋藤彰 1)3)4),桑原裕司 1)3)4)
3D11
ナノギャップ電極をもちいた、金属/分子/金属接合の分子構造依存性
（1)産総研ナノテク）○内藤泰久 1),梁天賜 1),堀川昌代 1),石田敬雄 1)
3D12
フッ素溶媒を用いた自己組織化コロイドフォトニック結晶の作製
（1）旭硝子,2）イリノイ大学）○竹田諭司, ウィルツィアスピエール
－昼食 12：00～13：00 －
Ｄ会場午後 13：00～17：50
電極表面科学部会セッション《依頼講演》
「ナノ電気化学：原子レベルで見た電極表面」
座長庭野道夫（13：00～14：25）
3D21K 電極表面科学とは
3D22K 電極表面科学の歩み
3D25K 電気化学反応に対する表面原子配列の効果
座長魚崎浩平（14：25～15：55）
3D27K 和周波発生(SFG)分光法による固液界面における分子構造の研究
3D29K その場赤外・ラマン分光法による電極表面解析
3D31K 放射光利用エックス線技術を用いた電極界面構造のその場追跡
−xvii−
（東北大工）○板谷謹悟
（北大理）○魚崎浩平
（千大工）○星永宏
（北大触媒セ）○叶深
（東北大）○伊藤隆
（お茶の水女大理）○近藤敏啓
－休憩 15：55～16：10 －
座長板谷謹悟（16：10～17：50）
3D34K 周波数検出型原子間力顕微鏡の溶液下高分解能構造観察への応用
3D36K 金属ナノギャップにおける少数分子の認識・制御
3D38K 電極固液二相界面の第一原理シミュレーション
（京大工）○山田啓文
（北大理）○村越敬
（産総研）○池庄司民夫
11 月 9 日（木）
Ｃ会場午前 9：15～11：45
ナノスケール物性
座長笹原亮（9：15～10：30）
4C02
原子間力顕微鏡を用いた単原子の化学的元素識別
（1）阪大院工）杉本宜昭 1),阿部真之 1),森田清三 1),○クスタンセオスカル 1)
4C03
NC-AFM による「交換型垂直原子操作」
（1）阪大院工,2）PRESTO-JST）○杉本宜昭 1),阿部真之 1)2),クスタンセオスカル 1),森田清三 1)
4C04
振動励起単分子操作法の開発と分子クラスターの形成
（1)理研,2)東大新領域）○小原通昭 1)2),金有洙 1),川合真紀 1)2)
4C05
原子間力顕微鏡の原子分解能に対する探針熱揺らぎの効果
（1)成蹊大理工）○佐藤隆昭 1),板村賢明 1),佐々木成朗 1)
4C06
非接触原子間力顕微鏡による Pb/Si(111)表面の観察
（1)阪大院工）○大礒彰裕 1),水田和利 1),平垣倍弘 1),杉本宜昭 1),阿部真之 1),森田清三 1)
－休憩 10：30～10：45 －
座長平山博之（10：45～11：45）
4C08
カーボンナノチューブのグラファイト基板上配向の全エネルギー解析
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○斎藤漠興 1),板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
4C09
グラファイト/C60/グラファイト系の超潤滑機構
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
4C10
カーボンナノチューブの引き剥がしにおける自由端のダイナミクス
（1)成蹊大理工,2)愛教大物理）○豊田有洋 1),板村賢明 1),三浦浩治 2),佐々木成朗 1)
4C11
電極間におけるカーボンフラーレン・トランスファー
（1）東工大総理工,2）東工大院理工,3）CREST-JST）○大島義文 1)3),久留井慶彦 2),吉田誠 2)
11 月 9 日（木）
Ｄ会場午前 9：15～12：00
表面・界面分析とその応用
座長久保田純（9：15～10：30）
4D02
近赤外分光法による酸化チタン表面の光誘起超親水化の発現機構の検討
（1）阪府大工,2）トリノ大学）○竹内雅人 1),Martra Gianmario2),Coluccia Salvatore2),安保正一 1)
4D03
和周波発生分光法によるイオン液体[BMIM]OTf の気/液界面構造（1）: OTf アニオンの表面振動分光
（1）産総研,2）名大理,3）ソガン大）○宮前孝行 1),岩橋崇 2),Kim Doseok3),関一彦 2),大内幸雄 2)
4D04
和周波発生分光法によるイオン液体[BMIM]OTf の気/液界面構造（2）：水溶液系の構造転移
（1）名大理,2）産総研,3）ソガン大）岩橋崇 1),宮前孝行 2),キムドセオク 3),関一彦 1),○大内幸雄 1)
4D05
《招待講演》
非線形光学顕微鏡による固体表面観察
（1)北陸先端大）○佐野陽之 1),水谷五郎 1)
－休憩 10：30～10：45 －
−xviii−
座長荒井正浩（10：45～12：00）
4D08
MOS 構造のバイアス印加下 XPS 測定 -装置構造と予備実験（1)物材機構）○吉武道子 1)
4D09
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜の XPS 解析
（1)広大院先端研,2)トーヨーエイテック）○鷹林将 1),元光邦彦 1),高萩隆行 1),岡本圭司 2),中谷達行 2)
4D10
実験室系における微分光電子ホログラフィー測定装置開発
（1)東理大理工,2)東大生研,3)東大環セ）
○橋本明奈 1),木坂祐介 1),天野健太郎 2),野島雅 1),尾張真則 3),二瓶好正 1)
4D11
高分子材料の XPS 深さ方向分析における C60 イオンビーム入射角の影響
（1)アルバック・ファイ）○宮山卓也 1),眞田則明 1)
4D12
ArF 液浸用レジストの C60 スパッタを用いた XPS 深さ方向状態解析（1)旭硝子中研）○山本雄一 1),代田直子 1)
－昼食 12：00～13：00 －
Ｄ会場午後 13：00～15：45
表面・界面分析とその応用
座長鷹林将（13：00～14：30）
4D21
不均一材料表面の不均一帯電現象及び帯電抑制法の研究
（1)日本ガイシ）○森行正 1)
4D22
XPS 分析時のイオン・電子デュアルビーム中和における最適照射条件の検討
（1)アルバック・ファイ）○井上りさよ 1),石崎逸子 1),眞田則明 1),鈴木峰晴 1)
4D23
高エネルギー分解能 AES を用いた酸化鉄(FeO,Fe3O4,Fe2O3)の化学状態分析
（1)日本電子）○堤建一 1),長澤勇二 1)
4D24
電子線励起超軟 X 線分光装置を用いた各種材料の X 線スペクトル形状の観察
（1)物材機構分析支援ス,2)日本電子）○荻原俊弥 1),木村隆 1),福島整 1),田沼繁夫 1),田沢豊彦 2),塚本一徳 2)
4D25
共焦点型の３次元蛍光 X 線分析装置の開発と試料内部の非破壊元素分析
（1）阪市大工,2） PRESTO-JST）○辻幸一,中野和彦,堤本薫,松田晃典,米原翼,野寺雄太
4D26
ＭＣＸ（マルチキャピラリＸ線レンズ）分光器による軟Ｘ線分光
（1)島津,2)島津総研）○北村壽朗 1),丸井隆雄 1),副島啓義 2)
座長加連明也（14：30～15：45）
4D27
高分解能 RBS による HfO2/SiO2/Si(001)の界面反応の観察
（1)京大院工）○藤吉旭 1),木村健二 1),鈴木基史 1),中嶋薫 1),
4D28
高分解能 RBS による HfO2/SiO2/Si の酸化過程の観察
（1)京大工,2)NTT 基礎研,3)SELET,4)阪大工,5)筑波大物工,6)物材機構,7)早大ナノテク研）
○趙明 1),中嶋薫 1),鈴木基史 1),木村健二 1),植松真司 2),鳥居和功 3),神山聡 3),奈良安雄 3),渡部平司 4),
白石賢二 5),知京豊祐 6),山田啓作 7)
4D29
ミニチップ法による SIMS 微小部分析における深さ方向分布の測定精度向上
（1)拓殖大工,2)早大ナノテク研,古河電工）
○関節子 1),田村一二三 1),和田恭雄 2),筒井謙 2),大友晋哉 3),岩瀬扶佐子 3)
4D30
TOF-SIMS による超純水中アミンの水素終端シリコン表面酸化への影響評価
（1）三菱電機先端総研,2）東大生研,3）東大環境セ）○小林淳二 1)2),尾張真則 2)3)
4D31
フラーレンカチオンの解離ダイナミクスに関する理論的研究
(1)成蹊大理工）○加藤信彦 1),工藤正博 1)
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