～京都が拓くグリーンイノベーション～第４回技術フォーラム「SiC パワーデバイスを活かす」 ○ 目的：いよいよ実用化段階に入ってきた SiC パワーデバイスの幅広い応用分野への普及のため、関連する産業界への技術周知・普及、ユーザー企業の発掘が今後ますます重要です。特に、本技術の発祥の地であり、その発展を担ってきた京都を中心とした関西地域において、中小企業をはじめ関連企業の参画による地域産業振興に貢献するため、最新の SiC パワーデバイスおよびその関連技術の技術普及・交流を目的とした技術フォーラムの第４回目を開催します。今回は『SiC パワーデバイスの新たなる応用展開』を主題といたします。ぜひ多数ご参加ください。 ○日時：平成２３年１１月７日（月）１３：３０～１７：２５（交流会１７：３０～１９：００） ○場所：フォーラム：（独）科学技術振興機構 JST イノベーションプラザ京都セミナー室〒615-8245 京都市西京区御陵大原 1-30 http://www.kyoto.jst-plaza.jp/ （※地図・アクセス http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.html）交流会：（独）中小企業基盤整備事業京大桂ベンチャープラザ南館〒615-8245 京都市西京区御陵大原 1-39 http://www.smrj.go.jp/incubation/kkvp/ ○主催：文部科学省地域イノベーション戦略支援プログラム（グローバル型）京都環境ナノクラスター（中核機関 (財) 京都高度技術研究所） ○プログラム 13：30–13：35 13：35–14：15 14：15-14：55 14：55-15：10 挨拶電力パケット伝送系の提案と SiC パワーデバイス－新しいパワーエレクトロニクス－高速スイッチング SiC トランジスタとその応用回路の開発 ― 休憩 ― 京都環境ナノクラスター事業総括市原達朗京都大学工学研究科教授引原隆士氏住友電気工業株式会社パワーデバイス開発部グループ長築野孝氏技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構（FUPET）研究センター主幹研究員谷本智氏株式会社安川電機技術開発本部パワーエレクトロニクス技術開発本部パワーエレクトロニクス技術チーム課長補佐原英則氏ローム（株）研究開発本部新材料デバイス研究開発センターセンター長中村孝氏 15：10-15：50 ここまできた SiC インバータ－高パワー密度化と応用展開－ 15：50-16：30 環境エネルギー分野における SiC パワーデバイスの応用 16：30-16：50 SiC パワーデバイスの大出力化 16：50-17：10 SiC 国際会議 ICSCRM2011 の話題より－SiC パワーデバイスおよびその応用展開－京都大学工学研究科教授木本恒暢氏 17：10-17：25 おわりに（独）科学技術振興機構 JST イノベーションプラザ京都館長松波弘之氏 ○お申込み等 ●参加対象：関西地区を中心とする企業（中小企業歓迎）の経営者・技術者・研究者 ●参加費：フォーラム無料交流会３,０００円 ●定員： 70 名（先着順。申込状況により、一社当たりの人数を制限する場合があります） ●詳細・お申込み：http://www.astem.or.jp/kyo-nano/news/111107.htm ●問合せ先： (財)京都高度技術研究所京都環境ナノクラスター本部担当：柴田 TEL：075-315-6603 E-maiｌ：[email protected]