TC 7 WB 1 2 6 FK

TC7WB126FK
東芝 CMOS デジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC7WB126FK
Dual Bus Switch
TC7WB126FK は、
低オン抵抗・高速 CMOS デュアル-バススイッ
チです。CMOS の特長である低消費電力で、伝搬遅延時間を損なう
ことなく、バスの接続・切り離しを行うことができます。
アウトプットイネーブル (OE) が “H” レベルの場合にスイッチ
は導通し、(OE) が “L” レベルの場合は非導通となります。
すべての入力には、静電破壊から素子を保護するための保護回路
が付加されています。
特 長
•
動作電源電圧
: VCC = 4.5~5.5 V
•
高速動作
: tpd = 0.25 ns (最大)
•
超低オン抵抗
: RON = 5 Ω (標準)
•
高静電破壊耐量 : ±200 V 以上 (EIAJ 方式)
: ±2000 V 以上 (MIL 方式)
•
TTL レベル入力 (コントロール入力)
•
パッケージ
質量: 0.01 g (標準)
: US8
ピン接続図 (top view)
VCC OE2
8
7
B1
6
A2
5
WB
126
1
2
OE1 A1
3
4
B2 GND
真理値表
Inputs
Function
OE
L
Disconnect
H
A port = B port
980508TBA1
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご使用
頂く場合は、半導体製品の誤作動や故障により、他人の生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入者側の責任において、装
置の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用頂くとともに、考慮されるべき注意事項や条件につい
て「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」などをご活用ください。
• 本資料に掲載されている製品は、外国為替および外国貿易法により、輸出または海外への提供が規制されているものです。
• 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社および第三者の知的
財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
2000-03-23
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TC7WB126FK
システム図
A1
B1
A2
OE1
B2
OE2
最大定格
項
目
源
電
記 号
定
格
単位
圧
VCC
−0.5~7.0
V
コ ン ト ロ ー ル 入 力 電 圧
VIN
−0.5~7.0
V
ス
圧
VS
−0.5~7.0
V
ク ラ ン プ ダ イ オ ー ド 電 流
IIK
−50
mA
ス
流
IS
128
mA
失
PD
200
mW
流
ICC/IGND
±100
mA
度
Tstg
−65~150
°C
電
イ
イ
ッ チ
ッ チ
許
電
入 出
入 出
容
源
保
/
力 電
力 電
損
G
存
N
D
電
温
推奨動作条件
電
項
目
源
電
記 号
定
格
単位
圧
VCC
4.5~5.5
V
コ ン ト ロ ー ル 入 力 電 圧
VIN
0~5.5
V
ス
圧
VS
0~5.5
V
度
Topr
−40~85
°C
コントロール入力上昇、下降時間
dt/dv
0~10
ns/V
動
イ
ッ チ
作
入 出
温
力 電
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電気的特性
DC 特性 (Ta = −40~85°C)
項
目
記号
測 定 条 件
最小
標準
(注 1)
最大
VCC (V)
単位
コントロール “ H ” レ ベ ル
VIH

4.5~5.5
2.0


入 力 電 圧 “L”
レベル
VIL

4.5~5.5


0.8
コントロール入力電流
IIN
VIN = 0~5.5 V
5.5


±1.0
µA
ISZ
A, B = 0~5.5 V, OE = GND
0~5.5


±1.0
µA
IIS = 64 mA
4.5

5
7
IIS = 30 mA
4.5

5
7
VIS = 2.4 V, IIS = 15 mA
4.5

10
15
ICC
VIN = VCC or GND, IOUT = 0
5.5


10
µA
∆ICC
VIN = 3.4 V (one input)
5.5


2.5
mA
ス
イ
リ
ッ
チ
ー
入
ク
出
V
力
電
流
(switch off)
オ
ン
抵
抗
(注 2)
静
的
消
費
電
流
RON
VIS = 0 V
Ω
注 1: 標準値はすべて、VCC = 5 V、Ta = 25°C の条件下での値です。
注 2: 抵抗値は、記載された電流値をスイッチ間に流し、電圧降下を測定することによって求められます。A または
B 端子の両方を測定し、測定値の低い方を採用します。
AC 特性 (Ta = −40~85°C)
項
目
最小
最大
単位
4.5

0.25
ns
図 1, 図 3
4.5

4.0
ns
図 1, 図 3
4.5

5.5
ns
標準
単位
記号
測 定 条 件
VCC (V)
伝
搬
遅
延
時
間
(bus to bus)
出
力 イ
ネ ー ブ
tpLH
図 1, 図 2
(注 3)
tpHL
ル 時
間
tpZL
tpZH
出 力 デ ィ セ ー ブ ル 時 間
tpLZ
tpHZ
注 3: この項目は、負荷とオン抵抗の RC 時定数から計算した値です。
容量特性 (Ta = 25°C)
項
目
記号
測 定 条 件
VCC (V)
コ ン ト ロ ー ル 入 力 容 量
CIN
ス
CI/O
イ
ッ チ
入 出
力 容
量
OE = GND
(注 4)
5.0
3
pF
(注 4)
5.0
10
pF
注 4: この項目は設計的に保証される項目です。
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AC 電気的特性測定回路
RL
スイッチ
Open
7.0 V
GND
項
Measure
RL
CL
Output
CL = 50 pF
RL = 500 Ω
目
スイッチ
tpLH, tpHL
Open
tpLZ, tpZL
7.0 V
tpHZ, tpZH
Open
図1
AC 電気的特性測定波形
電気的特性測定波形
tr
2.5 ns
2.5 ns
tf
3.0 V
90%
1.5 V
Input
(A, B)
10%
GND
VOH
Output
(B, A)
1.5 V
tpLH
図2
tr
2.5 ns
VOL
tpHL
tpLH, tpHL
tf
2.5 ns
3.0 V
90%
1.5 V
Output Enable
(OE)
10%
tpLZ
GND
tpZL
3.5 V
Output (A, B)
Low to Off to Low
1.5 V
tpHZ
VOL +
0.3 V
VOL
tpZH
VOH
VOH − 0.3 V
Output (A, B)
High to Off to High
1.5 V
GND
Outputs
enabled
図3
Outputs
disabled
Outputs
enabled
tpLZ, tpHZ, tpZL, tpZH
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外形図
質量: 0.01 g (標準)
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