Subject Year : Digital System : 2009 Memory and Storage Chapter 24 Overview • • • • EPROM Flash Memories Memory Expansion Special Type of Memories Programmable ROM • PROM adalah suatu tipe ROM khusus. Berbeda dengan ROM biasa yang sudah terprogram dari pabrik, ROM ini berada dalam kondisi kosong, dan dapat diprogram dengan alat atau cara khusus. • PROM menggunakan cara penulisan yang sama dengan ROM lainnya yaitu dengan fusing untuk menyimpan data bit. Dimana link memorynya akan “dibakar” ke jalur tertentu untuk menandakan apakah data yang disimpan 0 atau 1. Setelah proses tersebut maka data yang ada tidak dapat diubah. Programmable ROM • Fusable link dalam PROM dalam setiap memory, dalam proses pemrograman jika data yang ditulis adalah 0 maka fuse diputuskan. Programmable ROM • Ada 3 teknologi yang digunakan dalam pembuatan fuse : – Metal: bahan yang digunakan adalah nichrome. Ketika diprogram fuse tersebut diberikan arus yang akan memutuskan cell. – Silikon: terbuat dari polycrystalline silicon. Ketika diprogram fuse akan dilelehkan oleh arus dan menciptakan suatu insulasi. – PN Junction: disebut juga avalanched induced juction, terdiri dari 2 pn juction, ketika diprogram arus akan menshort salah satu junction dan sisa nya menjadi forward-biased diode yang merepresentasikan data bit. • PROM disebut juga One-Time Programming IC EPROM • EPROM adalah sebuah ROM yang dapat dihapus. Berbeda dengan PROM yang hanya dapat diprogram sekali, EPROM dapat diprogram ulang apabila data pada memory dihapus terlebih dahulu. • Sebuah EPROM menggunakan array NMOSFET dengan struktur insolated gate. Isolated gate transistor ini tidak mempunyai koneksi elektrik dan dapat menyimpan data listrik untuk waktu yang lama EPROM • Data dalam array ini direpresentasikan oleh ada atau tidaknya charge pada storing gate. • Penghapusan dari data bit adalah proses yagn menghapus gate charge. • Ada 2 tipe erasable PROM yaitu UVEPROM dan EEPROM Flash Memory • Flash memory adalah memory dengan kapasitas besar yang bersifat non-volatile. • Flash memory menggunakan transistor MOS yang teridir dari sebuah control gate dan floating gate. • Floating gate dapat menyimpan elektron apabila mendapatkan tegangan yang cukup pada control gate nya. • Sebuah data bernilai 0 apabila transitor tercharge elektron dan menyimpan 1 apabila tidak ter-charge elektron. Flash Memory • Besarnya jumlah charge pada floating gate akan menentukan apakah transistor akan menyala dan menyalurkan arus dari Drain ke Source ketika operasi sread berlangsung. Comparison Table • Table perbandingan antara jenis-jenis memory Aplikasi dari Flash Memory • Flash memory mempunyai beberapa aplikasi yang dipakai pada komputer yaitu: – – – – Memory module Magnetic storage Hard Disk Floppy Disk Megneto Optical Storage (CD-ROM, DVD-ROM) Memory Expansion • Word-length Expansion To increase the word length of a memory, the number of bits in the data bus must be increased. For example. an 8-bit word length can be achieved by using two memories. each with 4-bit words as illustrated in Figure 10-38(a). As you can see in part (b), the 16-bit address bus is commonly connected to both memories so that the combination memory still has the same number of addresses (2 16 = 65.536) as each individual memory. The 4-bit data. Bina Nusantara University 13 Memory Expansion Bina Nusantara University 14 Special Type of Memory • First In-First Out (FIFO) Memories This type of memory is formed by an arrangement of shift registers. The term FIFO refers to the basic operation of this type of memory, in which the first data bit written into the memory is the first to be read out. • Last In-First Out (LIFO) Memories The LIFO (last in-first out) memory is found in applications involving microprocessors and other computing systems. It allows data to be stored and then recalled in reverse order: that is, the last data byte to be stored is the first data byte to be retrieved. Bina Nusantara University 15 Special Type of Memory • CCD Memories The CCD (charge-coupled device) memory stores data as charges on capacitors. Unlike the DRAM, however, the storage cell does not include a transistor. High density is the main advantage of CCDs. Bina Nusantara University 16
© Copyright 2024 Paperzz
