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2014年春季応用物理学会学術講演会発表（予稿）
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高電圧ストレスによるAlGaN/GaN の界面とバルク
「最先端の計測分析、機器と事例」 - あいち産業科学技術総合センター
AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の電子移動度解析
2014年秋季応用物理学会学術講演会発表（ポスター）
C。ver st。ry SiCバワー素子に続き、 GaNパワ ー素子も機器に採用され
Mg-doped GaNの正孔密度の温度依存性について～Mg流量
パワーデバイス用シリコン および関連半導体材料に関する研究会
GaN モータ駆動インバータとブリッジレスPFC
第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Technical Program 25th July
B8 境界電荷法および境界磁荷法を用いた磁界重畳型対物レンズの解析
携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器（GaN HEMT）の開発
特許番号第2628404号
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