第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Technical Program 25th July, 2014 Friday 名城大学共通講義棟 N101（名城ホール） Opening (13:00 - 13:10) 三宅秀人（三重大学） Session I: 基調講演座長: 三宅秀人 (三重大学) P-1, 13:10 - 14:00 (基調講演) 窒化物半導体結晶の量産技術の課題大陽日酸㈱電子機材事業本部松本功 Session II: チュートリアル講演座長: 三宅秀人 (三重大学) T-Fr-1, 14:00-14:45 (チュートリアル講演) HVPE 法による AlN 単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門 1, 株式会社トクヤマ筑波研究所 2 熊谷義直 1, 永島徹 2, 木下亨 2, 村上尚 1, 纐纈明伯 1 Break (14:45 - 15:00) Session III: 特別講演座長: 成塚重弥 (名城大学) S-1, 15:00 - 15:50 (特別講演) カーボンナノチューブ薄膜の形成とデバイス応用名古屋大学工学研究科大野雄高第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Session IV: 一般講演 (Short presentation) 座長: 成塚重弥 (名城大学) Fr-1, 15:50 - 15:52 高効率半導体デバイス設計のための MOCVD III 族窒化物半導体エピタキシャル成長における歪みエンジニアリング STR Japan 株式会社 1, STR Group Soft-Impact Ltd2 向山裕次 1, M.E. Rudinsky2, A.S. Segal2, E.V. Yakovlev2 Fr-2, 15:52 - 15:54 MOCVD 法における III 族窒化物成膜プロセスのための数値解析 STR Japan 株式会社 1、STR Group–Soft Impact Ltd2., 飯塚将也 1, 向山裕次 1, E. V. Yakovlev2, A. S. Segal2, A. V. Lobanova2, Y. A. Shpolyanskiy2, A. P. Sid'ko2, M. V. Bogdanov2 Fr-3, 15:54 - 15:56 第一原理計算と統計力学を用いた III 族窒化物の成長における熱化学データの算出東京農工大・工学研究院応用化学部門竹川直, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯 Fr-4, 15:56 - 15:58 分子動力学法による AlGaN/GaN 超格子構造の格子歪み解析三重大学大学院工学研究科 1，九州大学応用力学研究所 2 雨川将大 1, 吉村善徳 1，河村貴宏 1，鈴木泰之 1，寒川義裕 2，柿本浩一 2 Fr-5, 15:58 - 16:00 III 族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析東京農工大学大学院工学研究院応用科学部門 1,(株)タムラ製作所 2 江口千尋 1, 蕗澤孝紘 1, 野村一城 1 後藤健 1, 富樫理恵 1, 村上尚 1, 倉又朗人 2, 熊谷義直 1, 纐纈明伯 1 Fr-6, 16:00 - 16:02 HVPE 法 AlN 成長条件のシミュレーションによる検討三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 1, 三重大学大学院工学研究科機械工学専攻 2 安井大貴 1,三宅秀人 1，平松和政 1，河村貴宏 2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Fr-7, 16:02 - 16:04 時間空間同時分解カソードルミネッセンス法による GaN の積層欠陥の評価東北大学多元物質科学研究所１,東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻 2 秩父重英 1,2, 石川陽一 1,古澤健太郎 1,2 Fr-8, 16:04 - 16:06 半極性面 AlGaN/AlN 量子井戸の短い輻射再結合寿命と発光強度の増大京都大学大学院工学研究科市川修平, 岩田佳也, 船戸充, 川上養一 Fr-9, 16:06 - 16:08 AlGaN/AlN 多重量子井戸の光学利得の転位密度依存性名城大・理工 1, 名大・赤崎記念センター2, 名大・院工 3 山田知明 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2, 天野浩 2,3 Fr-10, 16:08 - 16:10 (001) Si 基板上(1-101)ストライプ InGaN 共振器構造の誘導放出名古屋大学大学院工学系研究科 1,名古屋大学赤崎記念研究センター2 久志本真希 1, 本田善央 1, 天野浩 1.2 Fr-11, 16:10 - 16:12 MOVPE 法を用いた両極性同時成長 GaN の極性界面近傍における光学特性評価静岡大学大学院工学研究科電子物質工学専攻久瀬健太, 藤田陽平, 井上翼, 中野貴之 Fr-12, 16:12 - 16:14 非極性 m 面 GaN 基板上 GaInN 系太陽電池の特性名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2, 名古屋大学大学院工学研究科 3 小﨑桂矢 1, 黒川泰視 1, 山本泰司 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 天野浩 2,3, 赤﨑勇 1,2 Fr-13, 16:14 - 16:16 N 極性面(000-1)InGaN による発光ダイオードの長発光波長化東北大学金属材料研究所 1, JST, CREST2 正直花奈子 1, 崔正焄 1, 谷川智之 1, 2, 窪谷茂幸 1, 花田貴 1, 2, 片山竜二 1, 2, 松岡隆志 1, 2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Fr-14, 16:16 - 16:18 r 面サファイア基板上における a 面 GaN 成長に関する結晶性向上の検討名城大理工 1，東京理大 2，立命館大 3，福田結晶技術 4，名大・赤﨑記念研究センター5 加藤貴久 1, 水野尚之 1，伊藤弘晃 1，飯田大輔 2，藤井高志 3，福田承生 4，上山智 1，竹内哲也 1，岩谷素顕 1，赤﨑勇 1,5 Fr-15, 16:18 - 16:20 Ga-Al フラックスを用いた AlN 液相成長におけるフラックス組成の影響東北大学多元物質科学研究所 1，住友金属鉱山株式会社 2 関谷竜太 1, 安達正芳 1，大塚誠 1，杉山正史 2，飯田潤二 2，福山博之 1 Fr-16, 16:20 - 16:22 AlN 高温 HVPE 成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門 1，株式会社トクヤマ筑波研究所 2，Hexa Tech, Inc. 3, North Carolina State University4 東城俊介 1, 田中凌平 1, 額賀俊成 1, 富樫理恵 1, 永島徹 2, 木下亨 2, Baxter Moody3, 村上尚 1, Ramon Collazo4, 熊谷義直 1, 纐纈明伯 1, Zlatko Sitar4 Fr-17, 16:22- 16:24 AlN/sapphire テンプレート上への Si ドープ AlN 層の HVPE 成長の検討東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門 1，株式会社トクヤマ筑波研究所 2，Hexa Tech, Inc. 3, North Carolina State University4 田中凌平 1, 東城俊介 1, 額賀俊成 1, 富樫理恵 1, 永島徹 2, 木下亨 2, Baxter Moody3, 村上尚 1, Ramon Collazo4, 熊谷義直 1, 纐纈明伯 1, Zlatko Sitar4 Fr-18, 16:24- 16:26 前駆体二段階生成 HVPE 法による高速・高温 InN 成長東京農工大学大学院工学研究院応用科学部門富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 Fr-19, 16:26 - 16:28 スパッタ電力制御による反応性パルス DC スパッタ法を用いた高品質単結晶 AlN 膜の作製東北大学多元科学物質研究所竹内洋仁, 大塚誠, 福山博之第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Fr-20, 16:28 - 16:30 固体ソース溶液成長における AlN 成長機構の解析 Dept. Aeronautics and Astronautics, Kyushu University1, RIAM, Kyushu University2,Fraunhofer IISB3, IMRAM, Tohoku University4, Univ. Erlangen5, JFE Mineral Co., Ltd6 住吉央朗 1, 寒川義裕 1.2.3，秩父重英 4，M. Knetzger5，E. Meissner3.5，岩崎洋介 6，柿本浩一 1.2 Fr-21, 16:30 - 16:32 Na フラックス法における多結晶発生抑制に向けた初期低過飽和プロセスの検討大阪大学大学院工学研究科伊賀仁志, 佐藤太郎，中村亘志，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 Fr-22, 16:32 - 16:34 トリハライド気相成長法を用いた r 面サファイヤ基板上への GaN 成長東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門塩野杏奈, 竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 Fr-23, 16:34 - 16:36 アモノサーマル GaN 結晶上への Na フラックス法 GaN 結晶育成大阪大学大学院工学研究科 1, USAUniversity of California, Santa Barbara 2 瀧沢友啓 1, 丸山美帆子 1, 今出完 1, 吉村政志 1, Siddha Pimputkar2, James S. Speck2, Shuji Nakamura2, 森勇介 1 Fr-24, 16:36 - 16:38 高品質 InGaN ナノワイヤ量子ドットの MOCVD 選択成長東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構１, 東京大学生産技術研究所２チェギヒョン 1, 有田宗貴 1，荒川泰彦 1,2 Fr-25, 16:38 - 16:40 ナノインプリント技術による表面プラズモン緑色 LED の作製と評価名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 飯田大輔 1, 河合俊介 1, 土屋貴義 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 Fr-26, 16:40 - 16:42 MOVPE 選択成長による GaN ナノコラム名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 水野尚之 1,上山智 1，竹内哲也 1，岩谷素顕 1，赤﨑勇 1,2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Fr-27, 16:42 - 16:44 高密度窒素ラジカル源を用いた RF-MBE 法による GaN ナノワイヤ高速成長名古屋大学大学院工学系研究科電子情報システム専攻 1, 名古屋大・赤﨑記念研究センター2 堤裕理 1, 木津良祐 1, 本田善央 1, 天野浩 1,2 Fr-28, 16:44 - 16:46 電子オーバーフロー直接観測を用いた青色 LED 電子ブロック層の検討名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 林健人 1, 安田俊輝 1，勝野翔太 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑勇 1,2 Fr-29, 16:46 - 16:48 高感度な窒化物半導体 AlGaN 系 HFET 型ソーラーブラインド紫外光センサー名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 村瀬卓弥 1, 石黒真未 1, 山田知明 1, 山本雄磨 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 Fr-30, 16:48 - 16:50 p 型 GaN に対する Ag 電極上酸化保護層の検討名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 河合俊介 1, 飯田大輔 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 Fr-31, 16:50 - 16:52 窒化物半導体 AlGaN を用いた紫外受光素子の火炎センサー応用名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 山本雄磨 1, 村瀬卓弥 1, 山田知明 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 Fr-32, 16:52 - 16:54 窒化物半導体 LED における分極電荷の補償名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2, 名古屋大学・工学研究科 3 勝野翔太 1, 林健人 1, 安田俊輝 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 天野浩 2,3, 赤﨑勇 1,2 一般講演（Poster Presentations I）+ Exhibition (17:00 - 18:00) タワー75 レセプションホール意見交換会 (18:15 - 19:30) グラン亭（生協）第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 26th July, 2014 Saturday Session V: チュートリアル講演・招待講演名城大学共通講義棟 N101（名城ホール）座長: 熊谷義直（東京農工大） T-St-1, 9:15 - 10:00 (チュートリアル講演) 窒化物系 LED 技術最前線名城大学・理工学部上山智 I-St-1, 10:00 - 10:30 (招待講演) 有機金属気相成長法による様々な面方位の InGaN/GaN の結晶成長東北大学金属材料研究所 1, JST-CREST2, 名古屋大学大学院工学研究科 3, 赤﨑記念研究センター4 谷川智之 1,2, 正直花奈子 1, 吉野川伸雄 1, 窪谷茂幸 1 , 片山竜二 1,2, 松岡隆志 1,2, 久志本真希 3, 本田善央 3, 天野浩 3,4 Break (10:30 - 10:45) Session VI: 一般講演 (Short presentation) 座長: 荒木努（立命館大学） St-1, 10:45- 10:47 二つの活性層を有する発光ダイオードにおける Mg の影響名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 松井健城 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑勇 1,2 St-2, 10:47- 10:49 窒化物半導体 LED における正孔伝導に対する分極電荷の影響名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2, 名古屋大学・工学研究科 3 安田俊輝 1, 勝野翔太 1, 林健人 1, 竹内哲也 1, 岩谷素顕 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2, 天野浩 2,3 St-3, 10:49- 10:51 Ⅲ族窒化物半導体による埋め込みトンネル接合名城大・理工 1，名古屋大・赤﨑記念研究センター2 井野匡貴 1, 南川大智 1，水野尚之 1，竹内哲也 1，上山智 1，岩谷素顕 1，赤﨑勇 1,2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 St-4, 10:51- 10:53 GaInN 系トンネル接合を有する LED 名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2 南川大智 1, 井野匡貴 1, 岩谷素顕 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 St-5, 10:53- 10:55 青色面発光レーザ共振器の内部損失の検討名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2 中島啓介 1, 渡邉雅大 1, 堀川航佑 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑勇 1,2 St-6, 10:55- 10:57 窒化物半導体面発光レーザにおける電流狭窄構造の特性評価名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2 堀川航佑 1, 中島啓介 1, 小塚祐吾 1, 池山和希 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤崎勇 1,2 St-7, 10:57- 10:59 BGaN 成長における基板および原料供給量の依存性評価静岡大学大学院工学研究科電子物質科学専攻 1,静岡大学電子学工研究所 2 上山浩平 1, 渥美勝浩 1, 三村秀典 2, 井上翼 1, 青木徹 2, 中野貴之 1 St-8, 10:59- 11:01 窒化物半導体成長に向けた Si 表面炭化による SiC 形成の CO 分圧依存性東北大学金属材料研究所 1, 東北大学多元物質科学研究所 2 出浦桃子 1, 大野裕 1，米永一郎 1，福山博之 2 St-9, 11:01- 11:03 メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長による GaN の横方向成長名城大学理工学研究科 1, 名城大学理工学部 2 高倉宏幸 1, 冨田将史 1, 神林大介 1, 岩川宗樹 1, 水野陽介 1, 山田純平 2, 安井亮太 2, 丸山隆浩 2, 成塚重弥 2 St-10, 11:03- 11:05 3D プリンターを用いた流速支援 GaN 液相成長用ボートの検討名城大学理工学研究科 1, 名城大学理工学部 2 岩川宗樹 1, 高倉宏幸 1，冨田将史 1，神林大介 1，水野陽介 1，山田純平 2，安井亮太 2，丸山隆浩 2 成塚重弥 2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 St-11, 11:05- 11:07 パルススパッタ法による Si(110)基板上への AlGaN/GaN ヘテロ構造の作製東京大学生産技術研究所 1, JST-CREST2 大橋正哉 1, 渡辺拓人 1, 太田実雄 1, 上野耕平 1，小林篤 1，藤岡洋 1,2 St-12, 11:07- 11:09 Growth of group III nitride films on flexible sheets IIS, The University of Tokyo1, JST-CREST2 Hyeryun Kim1, J. Ohta1, R. Tanaka1, K. Ueno1, A. Kobayashi1, H. Fujioka1,2 St-13, 11:09- 11:11 PSD 法により作製した高 In 組成 InGaN 薄膜の光学定数評価東京大学生産技術研究所 1, JST-CREST2 野口英成 1, 上野耕平 1, 太田実雄 1, 小林篤 1, 藤岡洋 1,2 St-14, 11:11- 11:13 GaN/AlN/GaN 光電極における AlN 成長温度の影響東京大学大学院工学系研究科 1, Global Solar+ Initiative, 東京大学 2 中村亮裕 1，藤井克司 2，杉山正和 1，中野義昭 1 St-15, 11:13- 11:15 Ga2O を用いた GaN 気相成長法における厚膜 GaN 結晶成長に向けた取り組み大阪大学大学院工学研究科 1, 伊藤忠プラスチック（株）2 重田真実 1, 谷山雄紀 1, 高津啓彰 1, 隅智亮 1, 北本啓 1, 今出完 1, 吉村政志 1, 伊勢村雅士 2, 森勇介 1 St-16, 11:15- 11:17 発光遷移確率の制御による Eu 共添加 GaN の Eu 発光強度増大大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻稲葉智宏，李東建，若松龍太，児島貴徳, 小泉淳，藤原康文 St-17, 11:17- 11:19 Eu 添加 GaN を用いた選択成長によって形成した半極性{1-101}，{2-201}面上 InGaN/GaN 多重量子井戸の発光特性大阪大学大学院工学研究科 1, 京都大学大学院工学研究科 2 児島貴徳 1, 高野翔太 1，長谷川亮介 1，Dolf Timmerman1，小泉淳 1，船戸充 2，川上養一 2，藤原康文 1 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 St-18, 11:19- 11:21 その場観察 X 線回折法を用いた GaInN 系太陽電池構造の最適化名城大学大学院理工学研究科 1, 名古屋大学赤﨑記念研究センター2 山本泰司 1, 黒川泰視 1, 小﨑桂矢 1, 岩谷素顕 1, 上山智 1, 竹内哲也 1, 赤﨑勇 1,2 St-19, 11:21- 11:23 In 組成傾斜層を用いた InGaN 光電極の開発東京理科大学応用物理学科植竹勇介, 荻田太郎, 大川和宏 St-20, 11:23- 11:25 導電性 Ga2O3 基板上の InGaN 超格子光触媒東京理科大学応用物理学科 1, 株式会社タムラ製作所 2 荻田太郎 1, 植竹勇介 1, 山下佳弘 1, 倉又朗人 2, 山腰茂伸 2, 大川和宏 1 St-21, 11:25- 11:27 不飽和加圧水蒸気による ITO の低温熱処理東京理科大学応用物理学科 1, 平山製作所 2 平原颯太 1, 北村弘嗣 1, 植竹勇介 1, 長沢敏勝 2, 五十嵐敬 2, 大川和宏 1 St-22, 11:27- 11:29 高成長速度 AlInN 用いた多層膜反射鏡に関する研究名城大学大学院理工学研究科 1, 名古屋大学赤﨑記念研究センター2 小塚祐吾 1, 池山和希 1, 安田俊輝 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑勇 1,2 St-23, 11:29- 11:31 GaInN/GaN ヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性名城大学大学院理工学研究科 1, 名古屋大学赤﨑記念研究センター2 石原耕史 1, 近藤保成 1, 松原大幸 1, 岩谷素顕 1, 上山智 1, 竹内哲也 1, 赤﨑勇 1,2 St-24, 11:31- 11:33 高品質 AlInN の高速成長の検討名城大学大学院理工学研究科 1, 名古屋大学赤﨑記念研究センター2 池山和希 1, 小塚祐吾 1, 安田俊輝 1, 竹内哲也 1, 上山智 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑勇 1,2 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 St-25, 11:33- 11:35 MOCVD 法を用いた GaNSb の結晶成長名城大学大学院理工学研究科 1,名古屋大学赤﨑記念研究センター2 小森大資 1, 笹島浩希 1, 鈴木智行 1, 竹内哲也 1, 岩谷素顕 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 St-26, 11:35- 11:37 加圧 MOVPE 法を用いた半極性面上 InGaN/GaN 多重量子井戸の成長 1 名古屋大学大学院工学研究科 ,名古屋大学赤﨑記念研究センター2 田村彰 1, 本田善央 1, 天野浩 1,2 St-27, 11:37- 11:39 エピタキシャル成長のための GaN 自立基板サーマルクリーニング三重大学 1，名古屋工業大学 1，北海道大学 3 岡田俊祐 1, 三宅秀人 1，平松和政 1，宮川鈴衣奈 2，江龍修 2，橋詰保 3 St-28, 10:39-11:41 サファイア上 AlN 緩衝層の N2-CO アニールと MOVPE 法による高温成長三重大学大学院工学研究科 1,東北大学多元物質科学研究所 2 鈴木周平 1, 三宅秀人 1, 平松和政 1, 福山博之 2 St-29, 10:41-11:43 MOCVD 法による Sb を添加した AlN および GaN の作製名城大学大学院理工学研究科 1, 名古屋大学赤﨑記念研究センター2 笹島浩希 1, 小森大資 1, 竹内哲也 1, 岩谷素顕 1, 上山智 1, 赤﨑勇 1,2 St-30, 11:43- 11:45 大気圧マイクロプラズマその場処理のための MBE 装置改造名城大学大学院理工学研究科 1, 名城大学理工学部 2，静岡大学大学院工研究科 3 鈴木陽平 1, 日下部安宏 2，丸山隆浩 2，成塚重弥 2，清水一男 3，金田省吾 3 St-31, 11:45- 11:47 RF-MBE 法による GaInN 厚膜成長と pn ホモ接合型青緑色 LED の製作工学院大学 1,立命館大学 2,物質・材料研究機構 3,東京高専 4 鳴谷建人 1,山口智広 1, Ke Wang2, 荒木努 2, 名西憓之 2, Liwen Sang3, 角谷正友 3, 藤岡秀平 1, 尾沼猛儀 1,4, 本田徹 1 第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 St-32, 11:47- 11:49 RF-MBE 法を用いた膜厚の異なる Al テンプレート上 GaN 成長工学院大学 1，東京高専 2 大澤真弥 1, 渡邉悠斗 1, 尾沼猛儀 2，山口智広 1, 本田徹 1 St-33, 11:49- 11:51 RF-MBE 法によるα-In2O3/Sapphire 上への InN および GaN 成長立命館大学・理工学研究科 1, ROCA2 増田直 1, 小林知樹 1, 荒木努 1, 名西憓之 1, 織田真也 2, 人羅俊実 2 一般講演（Poster Presentations II）+Exhibition (12:00 - 13:00) 昼食+Exhibition(13:00 - 14:00) タワー75 レセプションホール Session VII: 招待講演+チュートリアル講演座長: 松本功（大陽日酸㈱） I-St-2, 14:10 - 14:40 (招待講演) 酸化亜鉛基板上への窒化物半導体低温成長東京大学生産技術研究所 1, 科学技術振興機構（JST-CREST）2 小林篤 1、太田実雄 1、藤岡洋 1,2 T-St-2, 14:40 - 15:25 (チュートリアル講演) AlN 系発光素子におけるバンドエンジニアリングの重要性京都大学大学院・工学研究科船戸充, 川上養一 T-St-3, 15:25 - 16:10 (チュートリアル講演) 窒化物半導体における結晶欠陥 SONY㈱冨谷茂隆 Closing session (16:10 - 16:30) 藤岡洋（東京大学）第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会会場マップ    基調講演・特別講演・チュートリアル講演・招待講演・一般講演（ショートプレゼンテーション）…名城ホール一般講演（ポスターセッション）・Exhibition・・・レセプションホール意見交換会・・・グラン亭 ※交通案内名古屋市地下鉄・鶴舞線・塩釜口・1 番出口から徒歩 7 分（名城ホールまで） N館1階（名城ホール）グラン亭（生協）タワー75 15階（レセプションホール）第 6 回窒化物半導体結晶成長講演会 Poster session map & Exhibition map Fr-3 St-3 Fr-4 St-4 Fr-5 St-5 Fr-6 St-6 Fr-7 St-7 Fr-8 St-8 St-9 Fr-9 St-10Fr-10 St-11Fr-11 St-12Fr-12 Fr-13 St-13Fr-14 St-14 Fr-15 St-15Fr-16 St-16 Exhibition 9 Exhibition 2 Fr-1 St-1 Fr-2 St-2 出口 Exhibition 1 Drink corner St-19Fr-19 St-20Fr-20 Fr-21 St-21Fr-22 St-22 Fr-23 St-23Fr-24 St-24 St-25Fr-25 St-26Fr-26 St-27Fr-27 St-28Fr-28 Fr-29 St-29Fr-30Fr-30 St-31Fr-31Fr-32 St-32 St-33 Drink corner Exhibition 7 Exhibition 6 Exhibition 5 出口 Exhibition No. Exhibitor 1 ㈱睦コーポレーション 2 ㈱エピクエスト 3 STR Japan㈱ 4 フジキン㈱ 5 ㈱キッツエスシーティー 6 丸文㈱ 7 三弘アルバック㈱ 8 テクノクオーツ㈱ 9 大陽日酸㈱ Exhibition 4 Exhibition 3 Exhibition 8 St-17Fr-17 St-18Fr-18 出口 Snack corner