CPH6615

CPH6615
注文コード No. N 8 0 6 9
三洋半導体データシート
N
CPH6615
N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・オン抵抗特性が優れている。
・ロードスイッチ用途に最適である。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
記号
VDSS
VGSS
ID
条件
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
N-channel
30
P-channel
− 30
± 20
2.5
± 20
− 1.8
V
A
− 7.2
0.9
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
10
unit
V
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
typ
min
[N-channel]
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1.5A
ID=1.5A, VGS=10V
ID=1A, VGS=4V
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ターンオン遅延時間
max
30
1.2
1.2
unit
V
1
± 10
µA
µA
2.6
V
S
105
210
mΩ
mΩ
2.0
79
150
187
40
pF
pF
33
7.8
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
18.5
22
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
12
ns
単体品名表示：WB
次ページへ続く。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋半導体販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
12407 社変 / D1004PE TS IM ◎川浦 TB-00000653 No.8069-1/6
CPH6615
前ページより続く。
項目
記号
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=10V, ID=2.5A
VDS=10V, VGS=10V, ID=2.5A
VDS=10V, VGS=10V, ID=2.5A
ダイオード順電圧
[P-channel]
VSD
IS=2.5A, VGS=0
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 1A
ID= − 1A, VGS= − 10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
ID= − 0.5A, VGS= − 4V
VDS= − 10V, f=1MHz
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
ドレイン・ソース間オン抵抗
定格値
typ
5.2
max
nC
1
0.97
0.9
nC
nC
1.2
V
−1
V
µA
± 10
− 2.6
µA
V
235
S
mΩ
− 30
− 1.2
1.1
1.8
180
320
226
unit
450
mΩ
pF
43
36
pF
pF
指定回路において
指定回路において
8.5
10.5
ns
ns
指定回路において
指定回路において
29
22
ns
ns
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 1.8A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 1.8A
5.5
1
nC
nC
Qgd
VSD
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 1.8A
IS= − 1.8A, VGS=0
0.97
− 0.91
外形図
− 1.5
nC
V
電気的接続図
unit : mm
2238
5
5
4
1
2
3
4
0.6
6
6
0.2
0.15
2.9
2.8
0.6
1.6
0.05
3
0.95
Top view
0.2
2
0.7
0.9
1
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
0.4
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
SANYO : CPH6
No.8069-2/6
CPH6615
スイッチングタイム測定回路図
[N-channel]
VIN
[P-channel]
VIN
VDD=15V
10V
0V
VDD= --15V
0V
--10V
ID=1.5A
RL=10Ω
VIN
D
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
ID -- VDS
ドレイン電流, ID -- A
1.5
3.0V
1.0
--1
0
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--3.0V
--0.6
--0.4
0.5
VGS=2.5V
VGS= --2.5V
--0.2
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ID -- VGS
3.0
0.9
1.0
0
--0.1
--0.2
--0.3 --0.4
--0.5
--0.6 --0.7 --0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT07298
[Nch]
ID -- VGS
--3.0
VDS=10V
--0.9 --1.0
IT07299
[Pch]
VDS= --10V
--2.5
2.0
1.5
0.5
--25°
C
Ta=
25°
C
75°
C
1.0
--2.0
--1.5
--1.0
Ta=
25°
C
75°
C
--25
°C
ドレイン電流, ID -- A
2.5
ドレイン電流, ID -- A
.0V
--1.6
[Pch]
--4
.0V
V
--1.8
4.0
10.0V
6.0V
[Nch]
S
.0V
ID -- VDS
2.0
ドレイン電流, ID -- A
50Ω
P.G
S
--6
50Ω
2.5
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
P.G
ID= --1A
RL=15Ω
VIN
--0.5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3.5
4.0
IT07300
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--3.5
--4.0
IT07301
No.8069-3/6
[Nch]
Ta=25°C
350
300
1.5A
ID=1.0A
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
[Nch]
250
200
V
S=4
.0A, V G
I D=1
150
0V
, V S=1
I D=1.5A G
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
周囲温度, Ta -- °C
°C
°C
°C
75
Ta
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
5
200
100
0
0
0
--60
ダイオード順電圧, VSD -- V
1.2
IT07308
--20
IT07303
[Pch]
--4V
V GS=
0V
, V GS= --1
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT07305
yfs -- ID
[Pch]
VDS= --10V
°C
25
°C
--25
=
Ta
C
75°
1.0
7
5
3
2
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
IT07307
IF -- VSD
5
[Pch]
VGS=0
3
3
2
--0.1
7
5
2
1.1
--18
I D= --1.0A
2
3
1.0
--16
3
2
0.9
--14
100
3
0.8
--12
ドレイン電流, ID -- A
順電流, IF -- A
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
0.1
7
5
0.7
--10
0.5A,
I D= --
200
--1.0
7
5
0.6
--8
RDS(on) -- Ta
300
1.0
7
5
0.5
--6
400
2
0.01
0.4
--4
500
2
2
--2
600
0.1
--0.01
7
[Nch]
3
順電流, IF -- A
3
VGS=0
3
ID= --0.5A
IT07306
IF -- VSD
5
300
--1.0A
7
順伝達アドミタンス, yfs -- S
順伝達アドミタンス, yfs -- S
-25
=-
7
400
5
3
1.0
500
周囲温度, Ta -- °C
[Nch]
5
25
600
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS=10V
2
Ta=25°C
IT07304
yfs -- ID
7
160
[Pch]
700
IT07302
RDS(on) -- Ta
300
20
RDS(on) -- VGS
800
Ta=
75°
C
25°
C
--25°
C
250
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
400
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
CPH6615
--0.01
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
ダイオード順電圧, VSD -- V
--1.1
--1.2
IT07309
No.8069-4/6
CPH6615
SW Time -- ID
[Nch]
VDD=15V
VGS=10V
2
100
7
5
td(off)
3
2
tf
td(on)
10
7
5
tr
3
2
1.0
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
[Nch]
Ciss, Coss, Crss -- pF
Ciss, Coss, Crss -- pF
Ciss
7
5
Coss
3
Crss
2
td(on)
10
7
5
tr
3
2
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
IT07311
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
f=1MHz
Ciss
2
100
7
5
Coss
3
Crss
10
5
0
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
7
6
5
4
3
2
--15
--20
--25
1
--30
IT07313
VGS -- Qg
--10
[Pch]
VDS= --10V
ID= --1.8A
--9
8
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
[Nch]
VDS=10V
ID=2.5A
9
0
30
IT07312
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
2
2
10
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
1
2
3
4
5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT07314
ASO
[Nch]
2
IDP=10A
ID=2.5A
C
1.0
7
5
op
0m
er
Operation in this area
is limited by RDS(on).
0.1
7
5
s
at
s
io
n(
Ta
=2
5°
C)
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
2
5
IT07316
2
3
4
ASO
[Pch]
＜10µs
1
1m 00
s µs
10
m
10
s
0m
s
ID= --1.8A
D
C
op
er
at
io
Operation in this area
is limited by RDS(on).
--0.1
7
5
6
IT07315
IDP= --7.2A
3
2
5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
--1.0
7
5
3
2
3
1
2
--10
7
5
m
10
0
＜10µs
10
1m 0µs
s
10
D
3
2
6
ドレイン電流, ID -- A
0
ドレイン電流, ID -- A
td(off)
tf
3
3
100
3
2
100
7
5
5
f=1MHz
2
3
2
2
ドレイン電流, ID -- A
3
10
7
5
3
1.0
--0.01
7
[Pch]
VDD= --15V
VGS= --10V
IT07310
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
5
SW Time -- ID
5
スイッチングタイム, SW Time -- ns
スイッチングタイム, SW Time -- ns
3
n(
Ta
=2
5°
C)
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.01
--0.01 2
3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
5
IT07317
No.8069-5/6
CPH6615
PD -- Ta
1.0
[Nch / Pch]
0.9
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
m2
×
許容損失, PD -- W
0.8
0.6
0.
0.4
8m
m
)装
着
時
0.2
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07318
取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.8069-6/6

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