第37号目次2010年12月15日発行 - 大阪大学産業科学研究所

22 年 12 月吉日
朝日（光・電子材料）研だより第３７号
大阪大学産業科学研究所
量子機能科学部門
光・電子材料研究分野
研究室移転完了、MBE2012 奈良開催決定
教授・朝日一
研究室の移転が完了しました
3 年前から始まった産研建物の改修工事がすべて完了し、産研も見違えるほど綺麗になりました。
後は産研正面南側の階段のところを大幅に一新しようとの計画が残るのみです。こちらも間もなく行わ
れる予定で、これが終わりますと、産研が全く生まれ変わった姿になると思われます。建物改修工事
完了に伴い、朝日研究室の 3 階の居室ならびに 1 階の学生居室の最終移転を行い、ナノテク棟 1 階
と 2 階にまとまりました。1 階西側には１０１号室、１０２号室、１０４号室、１０７−１号室、１０７−２号室の
実験室と学生・研究員室（１０３号室）が、2 階中央東側には教授室（２０９号室）・准教授室（２００号
室）・助教室（２１１号室）です。配置図を添付します。産研来所の際には、ご利用下さい。
（２０９号室）
（１０３号室）
（２００号室）（２１１号室）
ナノテクノロジー総合研究棟
▲ ▼：建物出入口位置
第２研究棟
電子プロセ
ス実験室
工場棟
第１研究棟
楠本会館
総合解析
センター
管理棟
-1-
インキュ
⑪
ベーショ
ン棟
加速器
量子
ビーム
実験室
第 17 回 MBE 国際会議の奈良開催が正式決定しました
2012 年日本開催の「第 17 回分子線エピタキシ(MBE)国際会議」は、私・朝日が会議議長
(Conference Chair)で開催することが、本年 8 月末にベルリンで開催された第 16 回 MBE 国際会議の
国際諮問委員会で正式に決まりました。2012 年 9 月 23 日～28 日奈良県新公会堂で開催の予定で
す。研究室のメンバーには強力に協力して頂くことになります。長谷川繁彦先生には総務委員会委
員長として会議の準備・運営の中心を担って頂きます。江村修一先生には展示会委員会委員として、
また、周逸凱先生には総務委員会委員として協力して頂きます。
勿論、日本横断的な MBE 研究者の協力の下、各委員会を構成した体制で会議の準備・運営を行
います。主なメンバーとしては、プログラム委員長が NTT 研究所の山口浩司氏、出版委員長が筑波
大学の秋本克洋教授、現地実行委員長が神戸大学の喜多隆教授、財務委員長が大阪大学の藤原
康文教授、広報委員長が京都大学の須田淳准教授、展示委員長が早稲田大学の小林正和教授、
募金委員長が大阪大学名誉教授の権田俊一先生です。全体として第１７回のその先も担えるよう若
返りを図った構成としました。関西からの委員長が多いように感じられるかも知れませんが、プログラム
委員会の中に設置する７つの領域委員会の領域委員長には関西地区以外からの起用を予定してい
ます。準備・運営のし易さを考慮した布陣です。「朝日研だより」の読者には、MBE 関係者も多数おら
れると思いますが、ぜひとも様々な形で協力頂くことをお願いします。
主催団体としては、（社）応用物理学会にお願いし、承認が得られました。
ところで、私は 2012 年 3 月末で定年退職の予定となっています。したがって、大阪大学を退職後に
国際会議の議長を務めることになります。退職後は、茨城県の自宅に戻り、関東を拠点に活動してい
きたいと思っていますが、しばらくは関西と関東を行き来して活動することになります
窒化物半導体に関する国際ワークショップ 2010（IWN2010）報告
准教授・長谷川繁彦
窒化物半導体に関する国際ワークショップ 2010 ［ The International Workshop on Nitride
Semiconductors (IWN2010)］が，9 月 19 日(日)～24 日(金)の日程にてアメリカ合衆国フロリダ州タンパ
で開催された．このワークショップは，前半の 2 日間で全体会議を行い，次の 2 日間で分科会を，最
終日に再び全体会議に戻り総まとめを行うという形式で実施された．この形式は，2006 年に京都で開
催された時から始まり，2008 年のモントルー（スイス）に引き継がれ，今回に至っている．全体会議（プ
レナリー）では 18 件の招待講演と 6 件のレートニュース講演があった．日本からも 6 名の方が招待さ
れ，Yoshida 氏（浜松ホトニクス）が「The Current Status of Ultraviolet Laser Diodes」と題して AlGaN
ベース（In フリー）LD での 336nm 室温発振について，Kuzuhara 先生（福井大）が「High Temperature
Characterization of GaN and AlGaN-based HEMTs」と題して自立 GaN および AlN 基板上に作製した
HEMT の高温（RT～300°C）でのデバイス特性について，Nanishi 先生（立命館大）が「Recent
-2-
Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device
Applications」と題して，高品質 InN や In リッチ窒化物 MBE 成長法として開発された DERI 法やその
際に引き起こされる表面偏析を利用した InN/InGaN MQW 構造形成などについて講演された．
3 日目から始まった分科会は，アブストラクト募集時の 13 のトピックス（A～M）毎に分かれての開催と
なった．発表件数も併せて表として示した．スコープの中で発表件数が多いのは，やはりエピタキシャ
ル結晶成長であった．2 番目は，窒化物を反映して光デバイスで，特性評価，電子デバイス，ナノ構
造がその後に続いている．グローバルな社会的（政治的？）動向を反映してか，今回新しいスコープ
として，「Photovoltaics and Energy Harvesting」が設けられており，結構な参加者で会場は一杯であっ
た．さて，これだけの口頭講演を 2 日間でこなすために，多いときで 11 会場に分かれての開催であっ
た．ちょっと分け過ぎの感があった．なお，ポスター発表は，20 日～22 日の 3 日間の午後 3 時半頃か
ら 3 時間のスケジュールで行われた．3 時間という長丁場であるにも関わらず，何れの日も最後まで多
くの参加者で溢れかえっていた．
Scope
Oral
Poster
Total
A: Epitaxial Growth
40
60
100
B: Bulk Crystal Growth
15
2
17
C: Optical, Electronic and Magnetic Properties
40
44
84
D: Device Processing and Fabrication Technologies
26
3
29
E: Defect Characterization and Structural Analysis
42
8
50
F: Theory and Simulation
21
11
32
G: Nanostructures
41
20
61
H: Light Emitting Devices
44
47
91
I: Electron Transport Devices
39
25
64
J: Photovoltaics and Energy Harvesting
20
2
22
K: Sensors and MEMS Devices
11
2
13
L: New Materials and New Device Concepts
37
2
39
0
3
3
18
0
18
394
229
623
M: Manufacturing Issues
N: Keynote (Plenary)
朝日研から参加したのは，周，江村，丹保と筆者の 4 名で，口頭講演 2 件，ポスター講演 4 件の発
表を行ってきた．長谷川は，「 Magnetotransport properties in Gd-doped GaN grown by
plasma-assisted molecular beam epitaxy」と「Growth of Gd-doped InGaN/GaN multiple quantum wells
and their characterization」と題して発表した．前者では，この 3 月に修士修了した金君の研究内容
-3-
（GaGdN 薄膜のプレーナホール効果）と修士 2 年の安部君の研究内容（GaGdN 薄膜の磁気抵抗）を
纏めてスコープ C で口頭発表し，後者は，この 3 月に修士修了した垣見さんの研究内容（InGaGdN
薄膜および InGaN/GaGdN MQWs の成長とその構造ならびに光学的磁気的特性評価）であり，スコ
ープ A でポスター発表してきた．この国際ワークショップでは，磁性関係の発表は少なく，また，その
関連の研究者も多くはなかったが，希土類添加窒化物を調べている研究者らと交流を深めることが出
来，有益な国際会議参加であった．
最後に，参加者人数は 793 名で，内訳として，北米 305 名，アジア 255 名，ヨーロッパ 204 名とのこ
とであった．次回は，2012 年 10 月 14～19 日の期間，札幌で開催予定である．
ICPASPS-6 に参加して
助教周逸凱
2010 年 7 月 4 日から 7 日、南フランスのモンペリエの“le Corum”で ISGN 3（International Symposium
on Growth of III Nitrides）が開催されました。モンペリエといえば皆様方にあまり知られていないかもし
れません。この町は地中海の沿岸に立地し、パリの大きな凱旋門に対して、この町には小振りですが、
歴史深い凱旋門があります。また、モンペリエ大学はフランスでは 3 番目古い大学と知られており、そ
の歴史は 1289 年まで遡るそうです。同じ“le Corum”という国際会議場で、過去に ICNS3（the third
International Conference on Nitride Semiconductors）と ISBLLED2006（International Symposium on
Blue Lasers and Light Emitting Diodes）が開催されたこともあります。
ISGN 3 での報告は、およそ過半数が窒化物の薄膜の結晶成長と物性に関するものでした。その次
はバルク、LED、ナノワイヤ、FET という順です。日本とフランスからの参加者が最も多く、全部参加国
は 19 カ国となっています。基調講演は Nottingham 大学の Novikov 教授による「Zinc-blende GaN bulk
crystals grown by molecular beam epitaxy」というタイトルでの講演で、Free-standing GaN wafer 上に
初めて GaN/InGaN LED を作製したという窒化物 LED の歴史を垣間みる事が出来，非常に興味深い
話でした。講演の多くは、非極性、半極性 GaN の成長に関する報告で、さらにその非極性、半極性
GaN 上で作製した LED や LD の特性に関する最新の報告も目立ちました。私の発表は
GaGdN/AlGaN 超格子の磁気光学という内容でした。初めて、強磁場下の GaGdN 量子井戸からの発
光を測定し、磁場の強さに依存してその発光ピークがシフトしたという報告です。
今回の国際会議では、最新の窒化物半導体の動向についての情報収集並びにスピントロニクス関
係の方々との討議を活発に行いましたが，番外では、会議場の近くにある凱旋門や水道橋を見学し
ました。7 月の南フランスの日差しは大変強く日中を歩くと汗だくになりますが，両側にある高い石作り
の建物に挟まれた狭い街道を歩くと、とても涼しく快適でした。ヨーロッパの先人たちは本当にすばら
しいものを後世へ残したと感心しました。
-4-
研究室秋旅行
M1 植中麻衣
2010 年 10 月 2～3 日、滋賀県立近江富士公園（野洲駅の近くです）に夏旅行に行ってきました。
夏…というか手際が悪く秋旅行になってしまい申し訳ございませんでした。私自身が初の団体旅行計
画とあって、宿泊施設の予約や食事の準備など色々と不手際なところがありました。しかし、みなさん
が大いに盛り上げて下さったので楽しい夏旅行になったと思います。
1 日目のハイキングでは、ここ数年で一番険しい山登りだったとみなさんに言われました。みなさん
が途中で断念せずに下山できて良かったです。またバーベキューでは国際色豊かということもあり、
色々と食材には苦労しました。しかし満野さんが張り切って“ちゃんちゃん焼き”を作ってくれたり、Kri
さんがお手製の“タンドリーチキン”を持って来てくれたりと、普通より一味も二味も手の込んだバーベ
キューとなりました。
宿泊・夜の飲み会ということもあって、今回の旅行でよりいっそうみなさんの仲が深まったのではな
いかと思います。宿泊施設を探すのを手伝って頂いた先輩方、車で食材・バーベキューセットを運ん
で頂いた口山さん、その他協力して下さった方々に感謝します。
-5-
居室が移転して
D2 口山崇
今年度になって、測定装置が順にナノテク棟 1 階に移設していき、11 月になって居室の移転が行な
われました。学生のほとんどは「1 階→1 階」の移動でしたが、私を含めた数名が「３階→１階」の移動と
なり、平均年齢を大幅アップさせながら大部屋での共同生活となりました。
引越しは前日まで荷物の整理が終わらなかったり、これを機に廃棄物処理をしたりとテンヤワンヤの
大騒ぎでした。当日は、朝早くから業者の方々の手際の良い作業により、午前中には学生部屋がほ
ぼ完成し、午後から各々が机の周りを生活しやすい環境に染めていき、無事に引越しは終了しまし
た。
以前の居室に比べて、お互いの背中の距離が一気に縮まって、一体感（＝密集感）が大幅にアップ
したように思いますが、これからもワイワイガヤガヤとしながら皆の研究がさらに前進していくことと思い
ます。
研究発表(２０１０年４月〜２０１０年９月)
学術論文：
1) K.M. Kim, Y. Sakai, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa and H. Asahi, “Growth and characterization of
TlInGaAsN/TlGaAsN triple quantum wells on GaAs substrates”, Proceedings of the 22nd International
Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2010, Takamatsu, Japan) pp.469-472.
2) S. Hasegawa, A. Yamano, N.S. Ahn, N.G. Cha, T. Kanki, H. Tanaka and H. Asahi, “Selective area growth of
InP on nano-patterned SiO2/Si(100) substrates by molecular beam epitaxy”, Proceedings of the 22nd
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2010, Takamatsu, Japan)
pp.228-231.
3) Y.K. Zhou, S.W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi, “Structural and magnetic
properties of GaGdN/GaN superlattice structures”, Thin Solid Films 518 (2010) 5659-5661.
4) S. Emura, H. Tani, M. Kin, Y.K. Zhou, S. Hasegawa and H. Asahi, “Combination of short-range periodicity
and interfacial stress effects on vanlence band scheme in strained MQW (GaN/AlGaN)n”, Phys. Stat. Sol. (c)
(2010) ********** on line publication 100615
5) K.M. Kim, S. Emura, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa and H. Asahi, “Growth and
photoluminescence properties of TlInGaAsN/TlGaAsN triple quantum wells”, J. Appl. Phys. 108
(2010) 053501.
6) K.M. Kim, D. Krishnamurthy, Y. Sakai, J.U. Seo, S. Hasegawa and H. Asahi, “Effect of barrier layer
composition and thickness on structural and optical properties of TlInGaAsN/TlGaAs(N) triple
quantum wells”, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21 (2010) 1024-1029.
7) M. Fukuhara, N. Fujima, H. Oji, A. Inoue, and S. Emura “Structures of the Icosahedral Clusters in
Ni–Nb–Zr–H Glassy Alloys Determined by First-Principles Molecular Dynamics Calculation and
XAFS Measurements.” Journal of Alloys and Compounds 497 (2010) 182–187.
8) Kazutoshi Fukui, Syun Sawai, Tomoharu Ito, Shuichi Emura, Tsutomu Araki, and Akira Suzuki,
“Photoluminescence and Photoluminescence Excitation Spectra from AlN Doped with Gd3+”. Phys.
Status Solidi (c)7 (2010) 1878 – 1880.
-6-
9) D. N. Lobo, K. R. Priolkar, P. A. Bhobe, D. Krishnamurthy and S. Emura, “Correlation between
Local Structure Distortions and Martensitic Transformation in Ni-Mn-In alloys.” J. Appl. Lett., 96
(2010) 232508-1 – 3.
国際会議発表：
1) K.M. Kim, Y. Sakai, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa and H. Asahi
“Growth and characterization of TlInGaAsN/TlGaAsN triple quantum wells on GaAs substrates”
22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Takamatsu, Kagawa, Japan,
May 31 – June 4, 2010, #FrB1-2 (Oral).
2) S. Hasegawa, A. Yamano, N.S. Ahn, N.G. Cha, T. Kanki, H. Tanaka and H. Asahi
“Selective area growth of InP on nano-patterned SiO2/Si(100) substrates by molecular beam epitaxy”
22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Takamatsu, Kagawa, Japan,
May 31 – June 4, 2010, #WeP15.
3) H. Tambo, S. Hasegawa, K. Higashi, R. Kakimi, S.N.M. Tawil, Y.K. Zhou, S. Emura, H. Asahi
“Structural and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor GaGdN nanorods”
37th International Symposium on Compound Semiconductor 2010 (ISCS2010), Takamatsu, Kagawa,
Japan, May 31 - June 4, 2010, #TuP-16.
4) S. Emura, S. Kimura, K. Tokuda, S. Hasegawa and H. Asahi
“Co-ordination Alignments at the Vicinity of Dopant Cr Ions in AlN”
37th International Symposium on Compound Semiconductor 2010 (ISCS2010), Takamatsu, Kagawa,
Japan, May 31 - June 4, 2010, #FrP-61.
5) S. N. M. Tawil, D. Krishnamurthy, R. Kakimi, M. Ishimaru, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Influence of Si-doping on the Characteristics of InGaGdN/GaN MQWs Grown by MBE”
37th International Symposium on Compound Semiconductor 2010 (ISCS2010), Takamatsu, Kagawa,
Japan, May 31 - June 4, 2010, #TuP-15.
6) D. Krishnamurthy, S.N.M. Tawil, R. Kakimi, M. Ishimaru, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Investigations on the Properties of Intermittently Gd-doped InGaN Structures
Grown by
Molecular Beam Epitaxy”
37th International Symposium on Compound Semiconductor 2010 (ISCS2010), Takamatsu, Kagawa,
Japan, May 31 - June 4, 2010, #TuP-17.
7) Y.K. Zhou, M. Almokhtar, H. Tani, H. Kubo, N. Mori, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Enhanced Zeeman effect in GaGdN/AlGaN ferromagnetic semiconductor double quantum well
superlattices”
6th Handai Nanoscinece and Nanotechnology International Symposium, Osaka University, Osaka, June
1-2, 2010.
8) Y.K. Zhou, S. Nonoguchi, J.Q. Liu, Y. Tanaka, S. Hasegawa and H. Asahi
“Improvement in luminescence properties of TlInGaAsN/TlInP multi-layers grown by gas source
molecular beam epitaxy”
6th Handai Nanoscinece and Nanotechnology International Symposium, Osaka University, Osaka, June
1-2, 2010.
9) T. Furuya, M. Sotani, H. Ichihara, S. Hasegawa and H. Asahi
“Magnetic property of Fe/Fe oxide core-shell clusters formed on GaN(0001)”
6th Handai Nanoscinece and Nanotechnology International Symposium, Osaka University, Osaka, June
1-2, 2010.
-7-
10) A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, S. Anada, N. Woodward, V. Dierolf, S. Emura, H. Asahi,
Y. Terai, and Y. Fujiwara
“Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
6th Handai Nanoscinece and Nanotechnology International Symposium, Osaka University, Osaka, June
1-2, 2010.
11) Y.K Zhou, M. Almokhtar, H. Tani, H. Kubo, N. Mori, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“MBE growth and characterization of GaGdN/AlGaN magnetic semiconductor double quantum well
superlattices”
3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides, Montpellier, France, July 4-8, 2010, #TUP-38.
12) S. Emura, H. Nakamoto, F. Ishikawa, M. Kondow and H. Asahi
“Temperature dependence of photoluminescence peak energy in Ga(In)NAs”
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25-30, 2010.
13) S. Emura, H. Tani, H. Raebiger, Y.K. Zhou, S. Hasegawa and H. Asahi
“Interfacial stress and thermal expansion effects for PL spectra in AlGaN/GaN MQW”
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25-30, 2010.
14) Y.K Zhou, M. Almokhtar, H. Tani, H. Kubo, N. Mori, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Enhanced magneto-optic effect in GaGdN/AlGaN ferromagnetic semiconductor double quantum well
superlattices”
The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in
Semiconductors, Tokyo, Japan, August 1-4, 2010, #P1-44.
15) M. Ishimaru, Y. Tanaka, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato and T. J. Konno
“Naturally-Formed Nanoscale Phase Separation in Epitaxially-Grown III-V Semiconductor Alloys”
Microscopy & Microanalysis 2010, Portland, Oregon, USA, August 1-5, 2010.
16)A. Yabuuchi, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Hasegawa, Y. K. Zhou, and H. Asahi,
“Defect Structure of MBE-grown GaCrN Diluted Magnetic Semiconductor Films”
12th International Workshop on Slow Positron Beam Techniques, Magnetic Island, Australia, August
1-6, 2010.
17) S.N.M. Tawil, D. Krishnamurthy, R. Kakimi, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted
molecular-beam epitaxy”
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Berlin, Germany, August 22-27, 2010.
#P3.34
18) H. Tambo, H. Kameoka, Y.K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods”
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Berlin, Germany, August 22-27, 2010.
#P3.03
19) Y. K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Large magneto-optical effect in low-temperature-grown GaDyN”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010.
-8-
20) H. Tambo, S. Hasegawa, M. Uenaka, Y.K. Zhou, S. Emura and H. Asahi
“GaGdN/AlGaN multiple quantum disks grown by RF-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010.
21) S. Hasegawa, M. Kin, D. Abe, K. Higashi, Y.K. Zhou and H. Asahi
“Magnetotransport properties in Gd-doped GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010, C1.6.
22)S. Hasegawa, R. Kakimi, S. N. M. Tawil, D. Krishnamurthy, Y.-K. Zhou, and H. Asahi
“Growth of Gd-doped InGaN/GaN multiple quantum wells and their characterization”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010, AP1.7.
23) S. Emura, K. Shirai and H. Asahi
“Reconsideration of Stress Effects in Nitride Semiconductors with Wurtzite Structure (P63mc)”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010.
24) D. Krishnamurthy, S.N.M. Tawil, M. Ishimaru, S. Emura, Y.K. Zhou, S. Hasegawa and H. Asahi
“Structural characterization of MBE grown InGaGdN/GaN and InGaN/GaGdN superlattice structures”
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, U.S.A., September 19
– 24, 2010.
国内学会発表：
１）東晃太朗、谷弘敦、周逸凱、長谷川繁彦、朝日一
“Ga(Gd)N/AlGaN 三重障壁共鳴トンネルダイオード構造の作製と評価”
日本結晶成長学会第２回窒化物半導体結晶成長講演会（2010.5.14-15, 三重大学）
２）金江玟、長谷川繁彦、朝日一
“熱処理による TlInGaAsN の構造変化”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）16p-ZV-5
３）周逸凱, M. Almokhtar, 江村修一, 長谷川繁彦, 朝日一
“GaGdN/AlGaN 多重量子井戸超格子構造の物性評価”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）15a-F-5
４）樊鹏瀚，周逸凱，東晃太郎,長谷川繁彦，朝日一
“GaCrN の室温成長とその評価”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）15a-F-3
５）古屋貴明, 市原寛也, 長谷川繁彦, 朝日一
“GaN(0001)基板上に形成した Fe クラスターの電流磁気効果“
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14a-F-10
６）東晃太朗, 安部大治郎, 満野陽介, 小森祥央, 石川史太郎, 長谷川繁彦, 朝日一
“逆格子空間マッピングを用いた GaGdN の構造解析”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-C-6
-9-
７）D. Krishnamurthy, S.N.M. Tawil, 長谷川繁彦、朝日一
“MBE Growth and Characterization of InN Quantum Dots”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-NJ-10
８）安部大治郎、東晃太朗、満野陽介、小森祥央、周逸凱、江村修一、長谷川繁彦、朝日一
“希薄磁性半導体 GaGdN および GaGdN/AlGaN ヘテロ構造の電気特性と磁気特性評価“
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）16a-C-3
９）丹保浩行、植中麻衣、周逸凱、江村修一、長谷川繁彦、朝日一
“GaGdN/AlGaN 多重量子ディスクの成長とその評価 (2)”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-C-4
１０）S.N.M. Tawil, D. Krishnamurthy, 垣見梨菜、江村修一、長谷川繁彦、朝日一
“InGa(Gd)N/Ga(Gd)N Superlattice Heterostructures Prepared by MBE”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-C-5
１１）江村修一、白井光雲、朝日一
“ウルツ型半導体における歪マトリックスについての再検討”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）15a-B-1
１２）江村修一、中本弘毅、石川史太郎、近藤正彦、朝日一
“Ga(In)NAs 系における発光ピークの温度変化の起源”
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-ZV-9
１３）薮内敦，前川雅樹，河裾厚男，長谷川繁彦，周逸凱，朝日一
MBE 成長 GaCrN 結晶中の空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価 (2)
第７１回応用物理学会学術講演会予稿集（2010.9.14-17, 長崎大学）14p-C-7
研究会、シンポジウム:
1) H. Tambo, D. Abe, Y.K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi
“Growth and Characterization of GaGdN/AlGaN MQDisks on Si substrate”
29th Electronic Materials Symposium, Shuzenji, Shizuoka, July 14-16, 2010.
2) K.M. Kim, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa and H. Asahi
“Effect of Tl contents on the optical properties of the TlInGaAsN/TlGaAsN triple quantum wells”
29th Electronic Materials Symposium, Shuzenji, Shizuoka, July 14-16, 2010.
3) 河裾厚男、薮内敦、前川雅樹、長谷川繁彦、周逸凱、朝日一
“MBE 成長した GaCrN 希薄磁性半導体中の陽電子消滅”
第 47 回アイソトープ・放射線研究発表会（日本科学未来館、東京、2010.7.7-9）
4）朝日一（アライアンス運営委員会委員長）
“アライアンス概要説明”
附置研究所間アライアンスによるナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト
（ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス）キックオフシンポジウム（2010.8.19、千里ライフ
サイエンスセンタービル）
5）長谷川繁彦、周逸凱、江村修一、朝日一
“新機能化合物半導体・構造の作製・評価と新規デバイス作製”
附置研究所間アライアンスによるナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト
（ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス）キックオフシンポジウム（2010.8.19、千里ライフ
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サイエンスセンタービル）
解説紹介等：
１）朝日一、“新材料創製で思うこと”、Crystal Letters No.43, pp.1-2, January, 2010.（結晶工学ニュー
ス第82号）巻頭言
学内講演会報告等:
１）朝日一
“朝日グループの成果と予定”
学術創成研究費「希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓」第７回研究会(2010.8.18、
大阪大学)
２）長谷川繁彦
“電流磁気効果を用いた GaGdN の磁性評価”
学術創成研究費「希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓」第７回研究会(2010.8.18、
大阪大学)
３）丹保浩行
“GaGdN ナノロッド、多重量子ディスクの成長とその評価”
学術創成研究費「希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓」第７回研究会(2010.8.18、
大阪大学)
招待講演:
1) H. Asahi
“Growth and characterization of III-nitride-based diluted magnetic semiconductors for semiconductor
nano-spintronics”
Workshop “NanoTech Forum 2010”, Cairo, Egypt, September 18-22, 2010.
2) H. Asahi
“Growth and characterization of III-nitride-based diluted magnetic semiconductors for semiconductor
nano-spintronics”
Ain Shams University, Cairo, Egypt, September 20, 2010.
3) H. Asahi
“Novel III-V semiconductors for temperature-insensitive lasing wavelength laser diodes”
Assiut University, Assiut, Egypt, September 21, 2010.
4) H. Asahi
“Growth and characterization of III-nitride-based diluted magnetic semiconductors for semiconductor
nano-spintronics”
Assiut University, Assiut, Egypt, September 22, 2010.
学位
博士（工学）（論文博士）
１）日坂隆行（2010.9）
「高電界、高湿度環境下における AlGaAs/InGaAs PHEMT の劣化メカニズムと改善に関する研究」
２）廣木正伸（2010.9）
「窒化物半導体へテロ構造の結晶成長と電界効果トランジスタに関する研究」
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博士学位取得おめでとう
日坂隆行君（2003 年 3 月修士卒）
三菱電機での研究結果を博士論文にまとめて、この度博士学位を取得しました。
主査：朝日一教授、副査：谷口研二教授、長谷川繁彦准教授他
学位論文「高電界、高湿度環境下における AlGaAs/InGaAs PHEMT の劣化メカニズムと改善に関す
る研究」
廣木正伸君（2003 年 3 月修士卒）
NTT 研究所での研究結果を博士論文にまとめて、この度博士学位を取得しました。
主査：朝日一教授、副査：近藤正彦教授、長谷川繁彦准教授他
学位論文「窒化物半導体へテロ構造の結晶成長と電界効果トランジスタに関する研究」
新人紹介
菊地潤一さん
M. Almokhtar さん
菊地潤一さん：大阪大学工学研究科よりこの
ABDEL Mola Mohamed Almokhtar さん：外国人客員准
9 月より朝日研究室に加わりました。皆様、お
教授として、この 10 月より朝日研究室に加わりました。
見知りおきのほど宜しくお願い致します。
皆様、お見知りおきのほど宜しくお願い致します。
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ご結婚おめでとう
森淳君、吉川由希子さん（10 月 31 日）
研究室メンバーによる現況ひとこと
朝日一（教授）
（２０１２年３月末で大阪大学を定年退職することとなり、残すところ１年数ヶ月です。大阪大学では実
に２５年間勤務したことになります。また、私の MBE 研究歴も NTT 研究所でその研究を始めてから３５
年となります。その最後に MBE 国際会議の議長を務めることとなりました。）
長谷川繁彦（准教授）
（この 11 月に，阪大コンベンションセンターにて，真空・表面科学合同講演会（第 30 回表面科学学術
講演会，第 51 回真空に関する連合講演会）を開催しました．講演件数 441 件，参加者 628 名，企業
展示 34 社と盛大な会となり，ホッとしています．）
江村修一 (助教)
（本年７月に半導体物理の国際会議でソウルを訪れました。昨年１０月の済州島での会議 ICNS8 の時
も立派な会議場に目を見はりましたが，ソウルでの会場も大きく立派な物でした。また，ソウルの町もな
かなか活気に満ちてはつらつとしておりました。一つ残念な事はソウルでは物価がもうそんなに安くな
いと言う事です。）
周逸凱（助教）
（時代が少しずつ変わり、気づいた時、すでに大きく変わっています。）
Daivasigamani Krishnamurthy（特任研究員）
（Optimizing the size and shape of the InN Quantum dots, grown by the droplet epitaxy, to
get the luminescence in the red to infrared region. Eager to study the effect of Gd doping
into these InN QDs）
渡邉明子（事務補佐員）
（一石二鳥・三鳥を目指して同時に物事にとりかかると、どれも中途半端になることに気付きました。ひ
とつひとつ丁寧に真面目に成すよう心掛けます。）
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金江玟 (D3)
（最後まで頑張ります！）
Siti Nooraya (D3)
（アラーの御心の恩恵により、私は何であろうと自分の研究を仕上げるつもりです。
By the grace of Allah, God willing, I am going to finish my study whatever it takes.）
丹保浩行 (D3)
（たくさんの経験を５年間で積みました。朝日先生を筆頭に、スタッフの先生方、スタッフの皆様、研究
生活を共に過ごした学生の皆様に感謝致します。）
口山崇 (D2)
（先日、約 10 年ぶりに豊中キャンパスの図書館に行きました。あまりの変わりようにびっくりしました。豊
中キャンパスはこの 10 年でガラリと変わりましたが、「らふぉれ」の種物うどんはいつもどおりで、懐かし
い味でした。）
東晃太郎 (D2)
（最近本当に腰が痛くなってきました。朝も痛さで目が覚めます。）
安部大治郎 (Ｍ2)
（まだまだ研究内容は尽きず、実験に精を出し、今後とも精進していきたいと思います。）
野々口正悟 (Ｍ2)
（試験勉強中です。）
樊鵬翰 (Ｍ2)
（就職は厳しく、言葉の壁や難しい数字と金融の問題により、失敗に終わりました。なので、博士に進
む事も考えています。）
古屋貴明 (Ｍ2)
（来年度は早く起きないと！！）
湯川文夫 (Ｍ2)
（そろそろ寒い季節になりました。体には気をつけて過ごしたいと思います。）
市原寛也 (Ｍ1)
（寒くなってきましたが、今まで通り毎日学校に来られるよう努力します。）
植中麻衣 (Ｍ1)
（一人暮らしを始めてから“痩せたよね”って言われるようになりました。）
下井貴裕 (Ｍ1)
（とりあえず生きてます。そろそろ本格的に実験を行いたいと思いつつ… ロードバイク買って小旅行
に出たいです。）
周麗 (Ｍ1)
（実験をして、就職活動を参加して、充実した生活を過します。）
中谷裕紀 (Ｍ1)
（最近忙しくなってきましたが、研究室の皆と共に充実した毎日を過ごしています。）
別府亜由美 (Ｍ1)
（朝日研の皆様と、充実した日々を送り続けられると幸いです。）
満野陽介 (Ｍ1)
（２０１１年はけがに気をつけたいです。）
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小森祥央（Ｍ1）
（早くも卒業まで残り 3 か月となってしまいました。そろそろ本気を出そうと思います。）
米岡賢 (Ｍ1)
（忙しくて目が回りそうです。無事卒業できるよう毎日努力していきたいと思います。）
外国出張（２０１０年４月〜２０１０年９月）
１）２０１０年８月２１日〜２９日
朝日一
ドイツ、ベルリン
ICMBE-2010 (16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Berlin, Germany, August
22-27, 2010) 国際諮問委員会、論文発表
２）２０１０年９月１７日〜２６日
朝日一
エジプト、カイロ＆アシュート
(カイロ) Nano-Tech Workshop 講演、(カイロ) Cairo University 訪問、
(カイロ) Ain Shams University 講演、（アシュート） Assiut University 講演
３）２０１０年９月１９日〜２６日
長谷川繁彦
米国、タンパ、フロリダ
IWN2010 (International Workshop on Nitride semiconductors, Tampa, Florida, USA, September
19–24, 2010) 論文発表
４）２０１０年９月１９日〜２６日
江村修一
米国、タンパ、フロリダ
IWN2010 (International Workshop on Nitride semiconductors, Tampa, Florida, USA, September
19–24, 2010) 論文発表
５）２０１０年９月１９日〜２６日
周逸凱
米国、タンパ、フロリダ
IWN2010 (International Workshop on Nitride semiconductors, Tampa, Florida, USA, September
19–24, 2010) 論文発表
６）２０１０年９月１９日〜２６日
丹保浩行
米国、タンパ、フロリダ
IWN2010 (International Workshop on Nitride semiconductors, Tampa, Florida, USA, September
19–24, 2010) 論文発表
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来訪者 (２０１０年４月〜２０１０年９月)
（１）２０１０年４月１日
インド・マドラス大学 Dr. G. Thiruvasagam 副学長他１名
（２）２０１０年４月１２日
阪大量子電子デバイスコース新４回生３名
（３）２０２０年４月１９日
OB 金武成氏（韓国、LG Innotek）
（４）２０１０年４月２３日
関西学院大学４年生１名
（５）２０１０年４月２６日
甲南大学理工学部物理学科４年生２名
（６）２０１０年５月６日
トヨタ自動車東富士研究所・奥村建一氏
（７）２０１０年６月５日
OB 森淳氏（シャープ）
（８）２０１０年６月８日
OB 盧柱亨氏（QD Laser, Inc.）
（９）２０１０年７月２０日（月）
OB 劉金強氏（南京シャープ有限公司）
（１０）２０１０年７月３０日（金）
OB 奥野泰利氏（パナソニック）
（１１）２０１０年９月１日
Dr. Mohamed Gandouzi (Lecturer, University El Manar in Tunis, Tunisia)
（１２）２０１０年９月３０日
OB 渡邉哲也氏（日新電機）、日新電機・林司氏
＊編集後記＊
とても恵まれた環境で働ける事をありがたく思います。身近な組織や接する機会がある人達と積極的に関わる事で工夫
する事、発想をひろげる方法を学ばせて頂きました。
郵送先を変更される方は（[email protected]）までご連絡下さい。（渡邉明子）
光・電子材料研だより
発行：大阪大学産業科学研究所
光・電子材料研究分野
朝日一
〒567-0047 大阪府茨木市美穂ヶ丘 8-1
06-6879-8405（教授室）
06-6879-8409（FAX）
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