TRC社員の学会発表記録

●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
○高橋秀明、石室良孝、渡辺宏*（*京都大学）
TRC社員の学会発表記録
○第54回レオロジー討論会（10月4日・春日）
（平成18年1月∼12月）
●④架橋高分子の網目形成反応解析，および網目構造
解析
○高橋秀明
ＴＲＣ社員による学会発表記録を
○日本ゴム協会配合技術研究分科会（9月15日・大津）
●題名
○発表者（著者）
○発表誌あるいは学会名（発表月日・開催地）
高分子溶液物性
○要旨（論文発表のみ）
●③High-performance size exclusion
の順に、研究部室毎に掲載いたします。題名につけら
chromatography （SEC） using long monolithic
れた数字は、①論文、②総説、解説、単行本（含分担執
silica capillary columns
筆）、③口頭、ポスター、④学術団体主催のセミナー・研
○K. Morisato 1 , Y. Takai, T. Kunitake, M. Oishi, M.
Motokawa 2 , H. Minakuchi 1 , K. Nakanishi 3 （ 1 Kyoto
究会講演会（講習会は除く）、を意味します。
発表内容に関するお問い合わせおよび別刷りのご請
Monotech, 2GL Sciences Inc., 3Kyoto University）
○The 30th International Symposium on High Performance
求は、営業部までお申し出下さい。
Liquid Phase Separations and Related Techniques
（HPLC2006）
（6月17日・San Francisco（USA））
1. 材料物性研究部
●③光散乱法とMALDI-MSを併用したSECによる多分
機械特性
○河越弘明、高井良浩、大石学、佐藤浩昭*、田尾博明*
散ポリマーの絶対分子量測定
●③高密度実装基板用有機薄膜の密着性評価への切削
法の適用
（*産総研）
○第11回高分子分析討論会（10月26日・名古屋）
○竹田正明、的場伸啓、大石学、石室良孝
○化学工学会第38回秋季大会（9月16日・福岡）
表面物性
●③歪みゲージを用いた実装用積層材料内部の応力分
●③Study of Pore Size and Physical Properties in
Porous Low-k Thin Films
布解析・密着性測定方法
○H. Hosomi, R. Endo, M. Takeda, K. Inoue, T. Matsunobe,
○的場伸啓、竹田正明、大石学
○第50回日本学術会議材料工学連合講演会（12月13
T. Ohdaira 1 , R. Suzuki 1 , T. Hashimoto 2 , T. Nakano 3
（1AIST, 2RASA Industries, 3Haneywell Japan）
日・京都）
○Second International Symposium on Standard Materials
高分子物性
and Metrology for Nanotechnology （SMAM-2）（5月25
●①Viscoelastic Behavior of Scarcely Crosslinked
日・東京）
●③多孔質Low-k膜の空孔評価と物性測定
Poly（dimethyl siloxane）Gel
○細見博之、遠藤亮、竹田正明、井上憲介、松延剛、
○高橋秀明、石室良孝、渡辺宏*（*京都大学）
○日本レオロジー学会誌, 34, 135 （2006）
大平俊行1、鈴木良一1、橋本俊将2、中野正3（1産総研、
○二液硬化型反応で調整したポリジメチルシロキサン
2
（PDMS）ゲルの線形粘弾性を調べた。平衡剛性率の
値、および膨潤実験により架橋点間分子量が340×10
3
と求められた。G ” はベキ乗型挙動で特徴づけられる
速い緩和と遅い緩和を示した。前者は個々のゲル網
目鎖の束縛解放（CR）緩和に対応づけられること、
網目鎖は相当広い分子量分布を有することが推測さ
れた。一方、後者は多数のゲル網目鎖の協同的CR運
動に対応する架橋点のゆらぎを反映することが示唆
された。
●③緩やかに架橋したPDMSゲルの網目構造
○高橋秀明、石室良孝、渡辺宏*（*京都大学）
ラサ工業、3ハネウェル）
○第43回アイソトープ・放射線研究発表会（7月6日・
東京）
●③ポリエチレンテレフタレートとポリ乳酸における
自由体積の結晶化度依存性
○細見博之、坂本厚、山根常幸、伊藤賢志*、小林慶規*
（*産総研）
○第43回アイソトープ・放射線研究発表会（7月6日・
東京）
●③多孔質Low-k膜における細孔サイズと空隙率・密度
との相関
○細見博之、井上憲介、松延剛、大平俊行1、鈴木良一1、
○第55回高分子討論会（9月22日・富山）
橋本俊将2、中野正3（1産総研、2ラサ工業、3ハネウェ
●③緩やかに架橋したPDMSゲルの架橋点間網目鎖の
ル）
評価
○第67回応用物理学会学術講演会（8月30日・滋賀）
東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
・61
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
●③ポリエチレンテレフタレートとポリ乳酸における
自由体積の結晶化度依存性
評価−DSC法によるバルク構造評価との比較−
○細見博之、山根常幸、石切山一彦、十時稔*、鈴木良
○細見博之、市川広昭、坂本厚、山根常幸、伊藤賢志*、
一**、小林慶規**（*滋賀女子短大、**産総研）
○第42回熱測定討論会（10月7日・京都）
小林慶規*（*産総研）
○第55回高分子討論会（9月21日・富山）
●③DSCによる合成繊維の総合熱分析
●③陽電子ビーム法による逆浸透膜の細孔評価
○十時稔*、細井俊己、細見博之、石切山一彦（*滋賀
○細見博之、山根常幸、富岡洋樹*、川上智教*、辺見
女子短大）
○第42回熱測定討論会（10月9日・京都）
昌弘*、栗原優*（*東レ）
○2006年度京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子
科学とその理工学への応用」（11月17日・大阪）
熱物性
●③Measurement of Thermal Conductivity for Thin-
●③海水淡水化RO膜の構造解析
○中辻宏治*、富岡洋樹*、川上智教*、辺見昌弘*、細
films of Advanced Semiconductor Devices using 3omega Method
見博之（*東レ）
○第15回ポリマー材料フォーラム（11月17日・大阪）
○R. Endoh, T. Yamane, M. Kuwahara*（*AIST）
●④陽電子消滅法の原理と高分子材料への応用例
○Second International Symposium on Standard Materials
○細見博之
and Metrology for Nanotechnology （SMAM-2）（5月25
○化学技術戦略推進機構（JCII）平成17年度第9回高強
日・東京）
度繊維開発チーム研究検討会（1月23日・東京）
その他
●③伝統的な実験計測の技術継承・材料学教育の方向
熱分析
●①Molecular magnetism of neptunyl（+2）complex
NpO（C
2
6 H7 O2 ）
（C
2
5H5N）
性 −企業における材料特性測定の現場から−
○大石学
○A. Nakamura*, M. Nakada*, T. Nakamoto, T. Kitazawa**,
M.Takeda**（*JAEA、**Toho University）
○日本材料学会関西支部若手シンポジウム（12月1日・
大津）
○J. Phys. Soc. Jpn., 75 Suppl., 146（2006）
○窒素原子が配位したネプツニル（+2）錯体NpO2
237
（acac）
（py）について、
2
Npメスバウアー分光法とDC
2．構造化学研究部
237
磁化率測定により研究した。 Npメスバウアースペ
クトルは典型的な常磁性緩和を示したが、磁化率測
表面・界面の構造解析
定結果は、磁場を0.002Tから5.5Tまで変化させると、
●①Depth profiling of strain and defects in Si/Si 1−x
van Vleckの常磁性からCurie則に従う常磁性へと変化
Gex /Si heterostructuresby micro-Raman imaging
した。
●③Molecular Magnetism in Some Neptunyl （+1, +2）
Complexes
○A. Nakamura*, M. Nakada*, T. Nakamoto, T. Kitazawa**,
M. Takeda**（*JAEA、**Toho University）
○Plutonium Futures - The Science 2006（7月13日・
California（USA）
）
●③Magnetic Properties of Some Neptunyl（+1, +2）
Complexes
○A. Nakamura*, M. Nakada*, T. Nakamoto, T. Kitazawa**,
M. Takeda**（*JAEA、**Hoho University）
○T. Mitani, S. Nakashima*, H. Okumura*, A. Ogura*
（*AIST）
○J. Appl. Phys., 100, 073511 （2006）
○ラマンイメージング法と斜め研磨を用い、Si/SiGeの
深さ方向歪分布を解析した。
●①極紫外顕微ラマン分光法の開発-半導体ナノ表面層
の評価
○中島信一*、三谷武志、奥村元*（*産総研）
○分光研究, 55, 295（2006）
○ワイドギャップ半導体の表面分析に有効なDUVラマ
ンの開発から最新の分析事例をまとめた。
○第17回磁性国際会議（ICM2006）
（8月22日・京都）
●③GI-SAXSによるHfシリケートの構造評価
●③The Relationship between Rigid Amorphous
○岡田一幸、高橋義和、鳥海美晴、辻淳一、杉山直之、
Fraction and Physical Properties of Nylon 6 Fibers
奥田浩司*、佐々木園**（*京大国際融合、**SPring-
○M. Todoki*, H. Hosomi, K. Ishikiriyama （*Shiga
Women’s Junior College）
○9th European Symposium on Thermal Analysis and
Calorimetry（ESTAC-9）
（8月28日・Krakow（Poland））
●③陽電子消滅法による高分子のナノ空隙・ナノ構造
62・東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
8/JASRI）
○第19回日本放射光学会・放射光科学合同シンポジウ
ム（1月9日・名古屋）
●③UV処理SiOC膜の構造評価（2）
○松田景子、三好理子、杉江隆一、橋本秀樹、吉川正
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
信
評価
○第53回応用物理学会学術講演会（3月25日・東京）
○中島信一*、三谷武志、吉川正信（*産総研）
●③Depth analysis of annealed SiOC thin films by
○応用物理, 75, 1224（2006）
Raman Spectroscopy
○K. Matsuda, R. Miyoshi, H. Seki, H. Hashimoto, M.
Yoshikawa
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③Characterization of Process-Induced Defects in
SiC Crystals by Micro-Raman Mapping
○T. Mitani, S. Nakashima*, H. Okumura* （*AIST）
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③Characterization of Si by a tapping modescanning near-field optical Raman microscope
（SNORM）
●M. Yoshikawa
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③Vibrational Imaging of Polymer Blend by
Coherent anti-Stokes Raman Scattering
Microscopy
○N. Muraki, R. Onorato*, R. Saykally* (*University of
California, Berkeley)
微小部の構造解析
●①Stress characterization of Si by a scanning nearfield optical Raman microscope with spatial
resolution at the nanometer level, using resonant
Raman scattering
○M. Yoshikawa, M. Murakami, K. Matsuda, R. Sugie, H.
Ishida, R. Shimizu* （*PHOTON Design Corp.）
○Jpn. J. Appl. Phys., 45, L486 （2006）
○近接場ラマン分光法を用いて、Siの応力分布を測定し
た。
●①Stress Characterization of Si by Near-field
Raman Microscope, using Resonant Scattering
○M. Yoshikawa, M. Murakami
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③Raman Scattering from Nanometer-sized Zinc
Oxide
○K. Inoue, K. Okada , M. Yoshikawa N. Hasuike*, H.
Harima*（*Kyoto Institute of Technology）
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③Determination of Residual Stress Distribution in
Silicon by Near-Field Raman Spectroscopy
○M. Murakami, K. Matsuda, R. Sugie, M. Yoshikawa
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
○Appl. Spectroscopy, 60, 479（2006）
●③近接場ラマン分光法による応力分布評価（1）
○近接場ラマン分光法を用いて、Siの応力分布を測定し
○吉川正信、村上昌孝、松田景子、杉江隆一、石田英
た。
●①Defect characterization of Si-doped GaN films by
之
○第67回応用物理学会（8月31日・草津）
a scanning near-field optical microscope_induced
●③近接場ラマン分光法による応力分布評価（2）
photoluminescence
○村上昌孝、松田景子、杉江隆一、吉川正信
○M. Yoshikawa , R. Sugie, M. Murakami, T. Matsunobe, K.
Matsuda, and H. Ishida
○第67回応用物理学会（8月31日・草津）
●③Characterization of Process-Induced Damage in
○Appl. Phys. Lett., 88, 161905（2006）
LSI
○近接場フォトミネッセンス（PL）法とカソードルミ
Spectroscopy
ネッセンス（CL）法を用いて、GaNの貫通転位分布
を測定した。
●①Investigation of Stress-induced Defects in
Shallow Trench Isolation by Cathodoluminescence
and Raman Spectroscopies
Devices
by
Cathodoluminescence
○R. Sugie, K. Matsuda, T. Ajioka, M. Yoshikawa, T.
Mizukoshi, K. Shibusawa, and S. Yo （*Miyagi Oki
Electric Co. Ltd., **Oki Electric Industry Co. Ltd）
○The 16th International Microscopy Congress （IMC16）
（9月4日・札幌）
○R. Sugie, K. Matsuda, T. Ajioka, M. Yoshikawa, T.
Mizukoshi*, K. Shibusawa*, S. Yo**（*Miyagi Oki
構造解析（全般）
Electric Co. Ltd., **Oki Electric Industry Co. Ltd）
●①γ線架橋したナイロン-6,6/反応性難燃剤コンポジ
○J. Appl. Phys., 100, 064504（2006）.
○カソードルミネッセンス法とラマン分光法を用いて、
ットの固体NMRによるキャラクタリゼーション
○三輪優子、石田宏之、管野敏之*、柳瀬博雅*、重原
LSI素子分離プロセス中の応力誘起欠陥の評価を行っ
淳孝**（*富士電機アドバンストテクノロジー、**農
た。
工大）
●②ラマン散乱分光法によるシリコンのひずみ・応力
○高分子論文集, 63, 799（2006）
東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
・63
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
○反応性難燃剤とナイロン-6,6を混練して作製したコン
ポジットにガンマ線照射することで形成された架橋
13
構造について C固体NMRを用いて考察した。
●①石炭ガス化初期段階におけるチャー粒子の膨張・
収縮挙動
●③2H-NMRによるPMEAおよびPHEMA膜中の水の状
態分析
○石田宏之、三輪優子、望月明*、田中賢**（*東海大
開発工、**北大創成）
1
2
3
○山下亨，吉澤徳子，三輪優子、貴傳名甲、秋本明
光4（1出光興産
○第55回高分子討論会（9月21日・富山大学）
、2産総研、3大阪大学、4石炭エネル
ギーセンター）
○日本エネルギー学会誌, 85, 461（2006）
○石炭ガス化炉内の粒子挙動を把握するためX線回折や
固体NMRを用いて、揮発過程における炭素構造変化
の解析を行い、粒子の膨張・収縮挙動との相関を検
討した。
●②液晶ディスプレイパネルの分析メニューと最近の
分析事例
○村木直樹
○月刊ディスプレイ, 第11号,（2006）
○第40回固体NMR・材料研究会/第5回強磁場固体NMR
フォーラム合同研究会（10月17日・京都）
●③燃料電池電解質成分の劣化分析
○三好理子、崎山庸子、片桐元、中山浩*、堀美知郎*
（*大同工大）
○第40回固体NMR・材料研究会/第5回強磁場固体NMR
フォーラム合同研究会（10月17日・京都）
●③PEFC水管理によるセル劣化対策−低加湿・負荷変
動運転時における燃料電池の電解質膜・アイオノマ
ーの耐久性評価−
○崎山庸子、片桐元、中山浩*，堀美知郎*）*大同工業
大学）
●③UV処理SiOC膜の構造評価（1）
○第47回電池討論会（11月21日・東京）
○三好理子、松田景子、三輪優子、橋本秀樹、吉川正
●③PEFC水管理によるセル劣化対策−開回路条件にお
けるPEFC劣化特性−
信
○第53回応用物理学関係連合講演会（3月25日・東京）
●③固体NMRによるPMEA、PHEMA及びその共重合体
中に存在する水の状態分析
○三輪優子、石田宏之、望月明*、田中賢**（*東海大
開発工、**北大創成）
○第55回高分子学会年次大会（5月24日・名古屋）
●③Characterization of Nafion membrane using
Raman spectroscopy
○Y. Aoki, N. Muraki, M. Yoshikawa
○The 20th International Conference on Raman spectroscopy
（8月21日・横浜）
●③UV処理SiOC膜の構造評価
○三好理子、松田景子、関洋文、高橋和巳、奥山淳子、
三輪優子、橋本秀樹、吉川正信
○宮沢賢広*，氏江慧*，中山浩*，堀美知郎*，崎山庸
子，片桐元（*大同工業大学）
○第47回電池討論会（11月21日・東京）
●③PEFC水管理によるセル劣化対策−ラマン分光法を
用いた電解質膜の面方向､厚さ方向の劣化評価−
○青木靖仁、片桐元、中山浩*、堀美知郎*（*大同工業
大学）
○第47回電池討論会（11月21日・東京）
●③Degradation Analysis of Ionomers and Catalysts
of MEAs after Durability Test
○R. Miyoshi, Y. Sakiyama, Y. Miwa, Y. Aoki, A. Masuda,
Y. Nakagawa, G. Katagiri, H. Nakayama*, M. Hori*
（*Daido Institute of Technology）
○2006 Fuel Cell Seminar（11月15日・Honolulu（USA））
○第67回応用物理学会学術講演会（8月30日・草津）
●④有機分子を中心としたテラヘルツ分光分析
●③テラヘルツ分光法を用いた医薬品ファモチジンの
○熊沢亮一
結晶多形分析
○熊沢亮一、石田宏之、崎山庸子、福島一城*、深澤亮
一*（* 栃木ニコン）
○応用物理学会関西支部平成17年度第2回講演会
「テラヘルツ技術の基礎と応用展開」
（1月23日・大阪）
●④テラヘルツ分光法の材料分析への応用
○日本分析化学会第55年会（9月20日・大阪）
○熊沢亮一
●③γ線架橋したナイロン-6,6/反応性難燃剤コンポジ
○計測フロンティア研究部門第5回公開セミナー「テラ
ットの固体NMRによるキャラクタリゼーション
○三輪優子、石田宏之、管野敏之*、柳瀬博雅*、重原
ヘルツ電磁波発生と利用技術の新展開−新たな計測
ツールへの期待−」（1月27日・つくば）
淳孝**（*富士電機アドバンストテクノロジー、**農
●④固体NMR測定の実際
工大）
○三輪優子
○第55回高分子討論会（9月21日・富山大学）
●③ H-NMRによるPMEAおよびPHEMA膜中の水の状
2
態分析
○石田宏之、三輪優子、望月明*、田中賢**（*東海大
開発工、**北大創成）
64・東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
○第39回固体NMR・材料研究会/第4回強磁場固体NMR
フォーラム合同研究会（5月11日・新三田）
●④赤外分光法、ラマン分光法
○村木直樹
○表面科学会第42回表面科学基礎講座（10月4日・大
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
●③有機EL素子高温保存時の劣化に関する検討
阪）
−Backside SIMSによる有機層中不純物分析−
●④企業におけるテラヘルツ分光の応用例と可能性
○宮本隆志、松延剛、藤山紀之、柴森孝弘、関洋文、
○熊沢亮一
○日本分光学会テラヘルツ分光部会シンポジウム「テ
ラヘルツ分光の最先端−テラヘルツ分光で見えるも
宮口敏*、大畑浩*、吉田綾子*、平沢明*、内田敏治*
（*パイオニア総研）
○有機EL討論会（2006年）第2回例会（5月12日・東京）
の見えないもの−」（11月3日・逗子）
●③Depth Profile Analysis of Organic Devices Using
●④放射光を分析事業に活かす
TOF-SIMS with Gradient Shaving Preparation
○岡田一幸
○兵庫県ビームラインにおける次世代材料開発基盤技
○T. Shibamori, H. Seki, T. Matsunobe, N. Man, Y.
Nakagawa
術（11月17日・東京）
○The 9th International Symposium on SIMS and Related
Techniques based on Ion-Solid Interactions（7月21日・東
3．表面科学研究部
京）
●③FUSI-NiSiのSIMS分析における不純物の感度変化
に関する調査および組成分析
表面分析（XPS）
●①Structural Changes of Y2O3 and La2O3 Films by
Heat Treatment
○杉本智美、宮本隆志、齋藤正裕、保坂公彦*、青山敬
幸*（*富士通研究所）
○T. Yamamoto, Y. Izumi, H. Hashimoto, M. Oosawa*, Y.
○第67回応用物理学会学術講演会（8月31日・草津）
●④二次イオン質量分析法：スタティックSIMS
Sugita** （*NIPPON SANSO Corp., **Fujitsu Lab.）
○Jpn. J. Appl. Phys., 45, 6196（2006）
○加連明也
○極薄Y 2 O 3 膜とLa 2 O 3 膜の界面反応性に関して、XPS、
○日本表面科学会主催第41回表面科学基礎講座（7月7
SIMS、FT-IRを用いて評価した結果、La2O3膜の方が
日・東京）
Y2O3膜よりも界面反応性が高いことを明らかにした。
●④二次イオン質量分析
また、この界面反応が界面を窒化することにより、
○加連明也
抑制できることを明らかにした。
○日本表面科学会主催第42回表面科学基礎講座（10月5
●③XPSを用いたHigh-kゲート絶縁膜の評価
日・大阪）
○山元隆志
●④TOF-SIMSによる有機高分子材料の分析
○日本表面科学会関西支部主催第9回実用表面分析セミ
○萬尚樹
○第16回SIMS国際会議実行委員会主催「SIMS総合講座」
ナー（10月6日・大阪）
（10月26日・東京）
表面分析（SPM）
●④TOF-SIMS原理：二次イオン生成
●②Scanning Capacitance Microscope
○加連明也
○Y. Nakagawa
○第16回SIMS国際会議実行委員会主催「SIMS総合講座」
○Roadmap 2005 of Scanning Probe Microscopy, ed. S.
●③主要なSPMファミリーの現状と将来
○長谷川剛啓
○中川善嗣、中村雅一 1 、保坂純男 2 、村下達 3 、西川治 4
1
2
3
（11月30日・大阪）
●④SIMSにおける標準化
Morita, Ch. 5, pp. 35-42, Springer （Germany, 2006）
4
（千葉大工、群馬大院工、 NTTフォトニクス研、金
○第16回SIMS国際会議実行委員会主催「SIMS総合講座」
（12月1日・大阪）
沢工大）
○第53回応用物理学関係連合講演会（3月23日・東京）
薄膜の構造解析、その他
●③Scanning Capacitance Microscope （SCM）
●③NiSi薄膜の組成・構造評価
○Y. Nakagawa
○齋藤正裕、岡田一幸、松田景子、杉山直之
○9th International Conference on Non-Contact Atomic
○応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテ
Force Microscopy （NC-AFM2006）
（7月16日・神戸）
クノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック
研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第11
表面分析（SIMS、TOF-SIMS）
●③Ⅲ-Ⅴ族4元系化合物半導体薄膜のSIMS（二次イオ
ン質量分析）測定条件の最適化
○鮫島純一郎、山元春美、村司雄一、加連明也
○第53回応用物理学関係連合講演会（3月22日・東京）
回研究会）」
（2月3日・三島）
●③有機EL素子の高温保存劣化分析
○宮口敏*、大畑浩*、吉田綾子*、平沢明*、内田敏治*、
宮本隆志、松延剛（*パイオニア総研）
○有機EL討論会（2006年）第2回例会（5月13日・東京）
東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
・65
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
●③Installation of x-ray absorption fine structure
component at Hyogo-prefectural beamline BL08B2
of SPring-8
Miyamoto, T. Yamamoto, K. Hosaka*, T. Aoyama*
（*Fujitsu Laboratories）
○2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for
○J. Tsuji, E. Fujimura*, H. Kamimura*, Y. Urushihara**, L.
Future ULSI Devices （IWDTF-06）（11月9日・川崎）
Li**, S. Kuwamoto**, K. Maehara**, K. Yokoyama**, K.
●③Study of Vfb modulation mechanism of impurity
Fukuda**, S. Nose**, H. Komatsu**, M. Maeno**, M.
doped Ni-FUSI
Ochiai**, H. Iwasaki**, H. Takano*, Y. Tsusaka*, Y.
○T. Yamamoto, T. Miyamoto, K. Matsuda, S. Ogawa, F.
Kagoshima*, J. Matsui**（*University of Hyogo,
Takeno, T. Sugimoto, N. Fujiyama, K. Hosaka* T.
**Hyogo Science and Technology Association）
Aoyama*（*Fujitsu Laboratories）
○The 13th International Conference on X-ray Absorption
Fine Structure （XAFS13）
（7月6日・Palo Alto（USA）
）
●③有機多層薄膜における膜厚方向への電気伝導：Au /
ペンタセン構造に対するAu蒸着の影響
○澤部智明*、岡村康史*、宮本隆志、中村雅一*、工藤
一浩*、
（*千葉大工）
○2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for
Future ULSI Devices （IWDTF-06）（11月9日・川崎）
●③Study on the Degradation Mechanism of PEMFC
under Low-Humidity and Load on/off Condition
○H. Nakayama*, T. Tsugane*, M. Kato*, Y. Nakagawa, M.
Hori* （*Daido Institute of Technology）
○第67回応用物理学会学術講演会（8月30日・草津）
○2006 Fuel Cell Seminar（11月15日・Honolulu（USA））
●③不純物添加NiSiの膜剥がれに関する考察
●③有機EL素子の高温保存劣化分析
○齋藤正裕、松田景子、伊藤元剛、宮本隆志、杉本智
○宮口敏*、大畑浩*、平沢明*、福田善教*、宮本隆志、
美、山元隆志、保坂公彦*、青山敬幸*（*富士通研究
所）
○第67回応用物理学会学術講演会（8月31日・草津）
●③有機EL素子高温保存時の劣化に関する検討（3）
○平沢明*、宮口敏*、大畑浩*、吉田綾子*、内田敏治*、
福田善教*、宮本隆志、藤山紀之（*パイオニア総研）
○第67回応用物理学会学術講演会（8月31日・草津）
●③Preparation of CeO 2 /ZrO 2 modified by MgO:
Roles of MgO for upgrading redox property
○N. Kakuta*, Y. Kudo*, T. Eguchi*, H. Ohkita*, T.
Mizushima*, T. Yamamoto and M. Yasuda （*Toyohashi
University of Technology）
○9th International Symposium, Scientific Bases for the
藤山紀之、山元隆志（*パイオニア総研）
○有機EL討論会（2006年）第3回例会（11月10日・東京）
●④固体高分子形燃料電池の分析技術−劣化挙動の解
析−
○林栄治
○マテリアルライフ学会「二次電池・燃料電池の耐久
性」講演会（1月24日・東京）
●④LSIデバイスにおけるCu配線/絶縁膜界面の汚染評
価
○山田敬一、萬尚樹、石川純久
○応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催 LSI配線
における原子輸送・応力問題研究会（7月12日・京都）
●④LSIデバイス解析の最前線
Preparation of Heterogeneous Catalysts（9月10日・
○山田敬一
Louvain-la-Neuve（Belgium）
）
○財団法人産業科学研究協会主催半導体化学プロセ
●③Reduction of Electrical Damage due to Au /
ス研究会（7月28日・大阪）
Pentacene Contact Formation by Introducing Ar
●④各種分析手法によるポリマー表面の解析
Gas during Au Evaporation
○萬尚樹
○T. Sawabe*, K.Okamura*, T. Miyamoto, M. Nakamura*,
K. Kudo* （*Chiba Univ.）
○日本接着学会主催「接着に関する分析技術評価セミ
ナー」
（9月8日・大阪、10月6日・東京）
○2006 International Conference on Solid State Devices and
Materials （SSDM2006）
（9月14日・横浜）
●③Microscopic Analyses of Static Random Access
4．形態科学研究部
Memory
○J. Tsuji, H. Miyata, M. Fujita, H. Hashimoto, F.-Z. Guo*,
T. Kinoshita* （*Japan Synchrotron Radiation Research
Institute）
○The 5th International Conference on LEEM/PEEM（10月
17日・姫路）
●③Study of peeling process at doped-NiSi/SiO2
interface
○M. Saito, N. Sugiyama, K. Matsuda, T. Sugimoto, T.
66・東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
微小部の形態・構造解析
●②TEMトモグラフィを用いた燃料電池電極材料の三
次元構造評価
○伊藤俊彦、大塚祐二、陣内浩司*（*京都工芸繊維大）
○日本金属学会会報「まてりあ」、第45巻第12号（2006）
●②FIBを用いた試料作製法について
○大塚祐二
○朝倉健太郎、為我井晴子、平坂雅男編「失敗から学
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
ぶ電子顕微鏡試料作製技法Q＆A」、アグネ承風社、
（分担執筆）
（2006）
●③電解銅箔−アルミ合金ワイヤ接合体の界面構造に
及ぼすパワーサイクル試験の影響
○石川純久、伊藤元剛、迫秀樹、橋本秀樹、齋藤重正*
（*富士電機機器制御（株））
○12th Symposium on“Microjoining and Assembly
Technology in Electronics”（2月2日・横浜）
●③TEMトモグラフィーを用いたカーケンダルボイド
の3次元構造評価
○伊藤元剛、迫秀樹、伊藤俊彦、橋本秀樹
○12th Symposium on“Microjoining and Assembly
Technology in Electronics”（2月3日・横浜）
●③EELSと第一原理計算によるNiSiの電子状態解析
○川崎直彦、杉山直之、大塚祐二、橋本秀樹
○「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の
物理―」第11回研究会（2月3日・三島）
●③EELSと第一原理バンド計算によるNiSiの電子状態
○川崎直彦、杉山直之、大塚祐二、橋本秀樹、辻本将
彦*、倉田博基*、磯田正二*（*京都大学化学研究所）
○文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト
札幌）
●③ELNES and ab initio Calculation on Electronic
Structure of Nickel Silicide Systems
○N. Kawasaki, N. Sugiyama, Y. Otsuka, H. Hashimoto, M.
Tsujimoto*, H. Kurata* S. Isoda* （*Kyoto University）
○The 16th International Microscopy Congress（9月7日・
札幌）
●③Three-Dimensional Observation of Fuel Cell
Electrode
by
Transmission
Electron
Microtomography
○T. Ito, T. Harada, A. Masuda, Y. Otsuka, H. Jinnai*
（*Kyoto Institute of Technol.）
○The 16th International Microscopy Congress（9月8日・
札幌）
●③Characterization of Low-k Interconnect
Dielectrics by EELS
○Y. Otsuka, M. Shimada*, N. Kawasaki, S. Ogawa*
（*SELETE）
○2006 International Conference on Solid State Devices and
Materials（9月8日・横浜）
●③はんだ接合部の微細ボイドの3次元観察とボイドの
「分子・物質総合合成・解析支援グループ」成果発表
形成メカニズムに関する考察
会,「分子・物質に視点をおいたナノテクノロジー・
○伊藤元剛、伊藤俊彦、迫秀樹
ナノサイエンス IV」
（3月15日・宇治）
○社団法人溶接学会第82回マイクロ接合研究委員会
●③TEMトモグラフィを用いた半導体デバイス評価
○伊藤俊彦、加藤淳、大塚祐二、橋本秀樹、杉森秀一*、
西川幸宏*、陣内浩司*（*京都工芸繊維大）
（9月8日・東京）
●③PEFC電極触媒層内部の電解質成分の形態解析
○増田昭博、原田貴弘、大塚祐二
○日本化学会第86春季年会（3月28日・千葉）
○第55回高分子討論会（9月21日・富山）
●③マグネシア添加セリア-ジルコニアのOSC向上に関
●③HAADF-STEM（高角度散乱暗視野−走査透過電子
する精密な構造解析
○安田光伸、山元隆志、松田景子、山口陽司、角田範
義*（*豊橋技科大工）
○第97回触媒討論会（3月20日・東京）
●③Low-k膜ダメージのTEM/V-EELS法による評価
○小川真一*、大塚祐二、島田美代子**（*松下電器、
**東芝）
○第53回応用物理学会春季学術講演会（3月23日・東京）
●③ブロック共重合体薄膜中におけるミクロ相分離構
造のモルフォロジー変化
○松脇右京、杉森秀一*、西川幸宏*、陣内浩司*、西
敏夫**（*京都工繊大、**東工大院工）
○第55回高分子学会年次大会（5月26日・名古屋）
●③はんだ接合に起因するボイドの問題点
顕微鏡法）による三次元再構成
○古河弘光*、清水美代子*、伊藤俊彦
○LSIテスティングシンポジウム（2006）（11月8日・大
阪）
●③Three Dimensional Observation of Pt
nanoparticles on carbon by Transmission Electron
Microtomography
○T. Ito, M. Yasuda, Y. Otsuka, H. Jinnai *（* Kyoto
Institute of Technology）
○30th Fuel Cell Seminar（11月15日・Honolulu（USA））
●③TEMトモグラフィを用いたPt担持カーボンの三次
元構造評価
○伊藤俊彦、松脇右京、大塚祐二、陣内浩司*（*京都
工芸繊維大）
○伊藤元剛
○第47回電池討論会（11月20日・東京）
○第36回信頼性・保全性シンポジウム（6月29日・東京）
●③PEFC電極触媒層内部の電解質成分の形態解析
●③TEM and EELS Study of Self-formed Barrier
○増田昭博、原田貴弘、大塚祐二、林栄治、中西加奈
Layer using Cu-Mn Alloys
○第47回電池討論会（11月21日・東京）
○Y. Otsuka, H. Sako, K. Ishibashi, J. Iijima*, M. Haneda*,
J. Koike* （*Tohoku Univ.）
○The 16th International Microscopy Congress（9月4日・
東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
・67
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
○第17回クロマトグラフィー科学会議（10月31日・仙
5．有機分析化学研究部
台）
高分子分析
●②UV硬化樹脂における配合物の種類と組成分析
6．無機分析化学研究部
○合屋文明
○MATERIAL STAGE, 6, 75 （2006）
環境分析
●②プラスティック製医療用具の適正使用に関する研
●③欧州規制に対応した分析法／ポリマー･金属中の微
量金属分析
究（H16−医薬−22）
Ⅲ-3
ガンマ線照射によるポリ塩化ビニル製医療材料
の表面状態変化
Ⅲ-5
○
（株）技術情報協会（2月23日・東京）
ポリカーボネート製三方活栓の使用時破損原因
●③東レリサーチセンターの有害物質分析技術／RoHS
指令・グリーン調達を中心に
の解明
Ⅲ-7
○西大路宏
PC製三方活栓の使用時破損とPC分子量の関係
○中澤裕之*，山本章博**，荻野純一
（*星薬科大、**日本医療器材工業会）
○平成17年度厚生労働科学研究費補助金（医薬品・医
○西大路宏
○（株）電子ジャーナル主催，第42回テクニカルセミナ
ー「RoHS規制その後の進捗と対策徹底解説」（2月24
日・東京）
療機器等レギュラトリーサイエンス総合研究事業）
●③有害物質分析技術の現状
研究成果報告書（2006）
○西大路宏
●②プラスティック製医療用具の適正使用に関する研
●③透明導電膜の構造解析/119Snメスバウアー分光分析
究（H16−医薬−22）
Ⅲ-2
滅菌処理の違いによるポリ塩化ビニル製医療材
料の表面状態変化
Ⅲ-4
○環境フォーラム実行委員会（6月6日・東京）
法とITO中Sn周囲の酸素欠損解析への応用
○西大路宏
ポリカーボネート製三方活栓の使用時破損原因
の解明
○（株）技術情報協会（6月28日・東京）
●②日常製品に含まれる微量有害元素を測る
○中澤裕之*，山本章博**，荻野純一
（*星薬科大、**日本医療器材工業会）
○平成16−17年度厚生労働科学研究費補助金（医薬
○西大路宏
○福岡女子大学産学官地域連携センター主催平成18年
度セミナー（7月15日・福岡）
品・医療機器等レギュラトリーサイエンス総合研究
事業）研究成果総合報告書（2006）
●③ポリカーボネート製三方活栓の破損に関する研究
1
1
7．環境分析研究部
1
○伊藤里恵、山崎晴子、中村博子、荻野純一、大石学、
浦冨恵輔 2 、中橋敬輔 3 、山本章博 4 、岩崎雄介 1 、斉藤
環境分析
貢一、中澤裕之（星薬大、株式会社ジェイ･エム･
●③ダイオキシン類分析の試験所間比較試験
エス、3テルモ株式会社、4ガンブロ株式会社）
○大塚健次 1 、望月正 1 、高菅卓三 2 、岩木和夫 3 、田中毅
1
1
1
2
○日本薬学会関東支部大会（10月14日・新潟）
一郎、宮崎徹4（1JFEテクノリサーチ、2島津テクノリ
●④前処理を工夫した合成高分子のMALDI-TOFMS
サーチ、3奥羽大学、4ニッテクリサーチ）
○佐藤信之
○第15回環境化学討論会（6月20日・仙台）
○第54回質量分析総合討論会（5月17日・大阪）
●④LC/MS、GC/MSによる化学物質分析法の基礎的検
討
組成分析
○大久保賢治、竹本紀之、吉田具弘
●②DIOS-MSによる界面活性剤の分析
○環境省環境保健部環境安全課平成18年度化学物質調
○田口嘉彦、佐藤信之、川崎英也*、荒川隆一*（*関西
大学）
○第11回高分子分析討論会（10月26日・名古屋）
査分析法講習会での成果報告（6月26, 27日・東京）
●④環境測定分析技術者のための倫理規範
○田中毅一郎
○極微量物質研究会セミナー（7月11日・東京）
微量分析
●③イオンペアHPLC-UV検出法による微量臭素、ヨウ
素の元素分析
○北川雅士、宮本珠美
68・東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
●TRC社員の学会発表記録（平成18年1月∼12月）
8. 有機構造化学研究部
NMR, MS構造解析
●③A New Solution Structure of ATP Synthase
Subunit c from Thermophilic Bacillus PS3,
Suggesting a Local Conformational Change for H+Translocation
○Takayuki Nakano1,2, Takahisa Ikegami2, Toshiharu Suzuki3,
Masasuke Yoshida3, Hideo Akutsu2 （1東レリサーチセン
ター，2阪大，3東工大）
○20th IUBMB International Congress of Biochemistry and
Molecular Biology and 11th FAOBMB Congress
（IUBMB他主催）（6月22日，京都）
●②メタボノミクス
IWDTF-06でIWDTF Young
Researcher Award （Oral
Presentation）を受賞しました
表面科学研究部イオンビーム解析研究室の
齋藤正裕室員らは、11月8∼10日川崎で行われ
た IWDTF-06（2006 International Workshop on
DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI
DEVICES、主催：応用物理学会）において
「Study of peeling process at doped-NiSi/SiO 2
interface」と題して口頭発表を行い、IWDTF
Young Researcher Award（Oral Presentation）を
受賞しました。半導体材料の分析に携わる者と
して、このような賞をいただいたことを大変光
栄に思います。今回の受賞を励みに、さらなる
努力を続けていきます。今後ともご支援宜しく
お願いいたします。
○川口謙、木村一雄
○ファルマシア, 42, 32-36 （2006）. 最前線特集記事
薬物動態分析
●④GLP組織における非GLP試験の信頼性確保
○竹上和弘
○第199回液体クロマトグラフィー研究懇談会（11月21
日，千葉）
9．生物科学研究部
イメージング
●④バイオ分野における可視化研究と支援技術―全反
射蛍光顕微鏡、原子間力顕微鏡など
○谷口佳隆、鬼塚拓男、渡辺和明、村司雄一1、中川善
嗣1 （1表面科学研究部）
○講演会「可視化研究の最前線」（日本化学会関東支部
主催）
（6月28日，東京）
10．営業部門
●④分析技術と燃料電池
○片桐元
○FC関連高度解析研究部会主催「第1回FC関連高度解
析研究部会セミナー・第91回燃料電池研究会セミナ
ー」
（4月13日・東京）
●④燃料電池の効率向上に向けた界面の役割と劣化メ
カニズムの解明
○片桐元
○高分子学会高分子表面研究会主催「06-1高分子表面研
究会−バイオとデバイスにおけるナノ界面の不思議
の解明−」
（10月13日・東京）
東レリサーチセンター THE TRC NEWS No.98（Jan.2007）
・69

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