LMV821

ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており、内容
が最新でない場合があります。製品のご検討およびご採用に際
しては、必ず最新の英文データシートをご確認ください。
LMV821(シングル )/LMV822( デュアル )/LMV824(クワッド )
低電圧、低消費電力、出力フルスイング、5MHz、オペアンプ
概要
LMV821/LMV822/LMV824 は、低電圧、低消費電力システム
で最適の性能を提供します。これらのデバイスは、5MHz のユニ
ティ・ゲイン周波数と 1.4V/μs の保証されたスルーレートで、電源
電流は 220μA/amp(2.7V) の特性を持ちます。また、重い負荷
(600Ω で保証 ) に対しても出力フルスイングを実現します。入力
同相電圧範囲は、グラウンドを含み、最大入力オフセット電圧は、
3.5mV(25 ℃で保証 ) です。また、これらのデバイスは、大容量
性負荷のドライブが可能です。( アプリケーション・ノートを参照し
てください )
LMV821( シングル ) は、最新の最も小さいパッケージ SC70-5
(SOT23-5 パッケージの約半分 ) で供給します。
LMV821/LMV822/LMV824( シングル / デュアル / クワッド ) は、
低電圧、低消費電力を必要とする広い範囲のアプリケーションに
対してコスト・パフォーマンスの高い設計ができます。
最大オフセット電圧
3.5mV( 保証 )
オフセット電圧温度ドリフト
1μV/ ℃
利得帯域幅積 (GBW)
5MHz(@2.7V)
220μA/amp(@2.7V)
電源電流 (Isupply )
スルーレート
1.4V/μs( 保証 )
CMRR
90dB
PSRR
85dB
同相入力電圧範囲
− 0.3V から 4.3V( ＠ 5V)
出力フルスイング
600Ω 負荷時
VCC ∼ 160mV
10kΩ 負荷時
VCC ∼ 55mV
■ 大容量性負荷に対して安定
( アプリケーション・セクションを参照 )
アプリケーション
■ PDC 等の携帯電話、コードレス電話
■ PDA 等の携帯機器、ラップトップ
■ PCMCIA
特長 ( 特記のない限り、代表値、5V 電源です )
■ 超小型パッケージ SC70-5
■ 2.5V、2.7V、5V での特性を規定
■
■
■
■
■
■
■
■
■
2.0 × 2.0 × 1.0mm
Telephone-line Transceiver for a PCMCIA Modem Card
20001222
© National Semiconductor Corporation
DS100128-09-JP
1
LMV821(シングル )/LMV822( デュアル )/LMV824(クワッド ) 低電圧、低消費電力、出力フルスイング、5MHz、
オペアンプ
LMV821 Single/ LMV822 Dual/ LMV824 Quad
Converted to nat2000 DTD
modify features to generate clean html on the web
updated pid source to reflect base segment
Edited for 2001 Data Book
updated and edited Kelly 2/17/98
edited and recomposed on 1/20/98
updated and edited and recomposed on 1/12/97
edited and fixed all graphic errors with Kelly on 1/7/98
Coris to author in sgml
ds100128
23900
19970801
Kelly Flaherty
LMV821
5MHz, Low Voltage, Low Power, RRO, 5 MHz Op Amps
LMV822
Low Voltage, Low Power, RRO, 5 MHz Op Amps
LMV824
Low Voltage, Low Power, RRO, 5 MHz Op Amps
2003 年 11 月
LMV821/LMV822/LMV824
絶対最大定格 (Note 1)
動作定格 (Note 1)
本データシートには軍用・航空宇宙用の規格は記載されていません。
関連する電気的信頼性試験方法の規格を参照ください。
電源電圧
ESD 耐圧 (Note 2)
マシン・モデル
2.5V ∼ 5.5V
動作温度範囲
LMV821、LMV822、LMV824
100V
− 40 ℃ ≦ T J ≦ 85 ℃
熱抵抗 (θJA)
人体モデル
5 ピン SC70-5 パッケージ
440 ℃ /W
5 ピン SOT23-5 パッケージ
265 ℃ /W
8 ピン SO パッケージ
190 ℃ /W
8 ピン MSOP パッケージ
235 ℃ /W
出力と V ＋との短絡 (Note 3)
14ピン SO パッケージ
145 ℃ /W
出力と V −との短絡 (Note 3)
14ピン TSSOP パッケージ
155 ℃ /W
LMV822/824
2000V
LMV821
1500V
差動入力電圧
電源電圧 (V ＋ – V − )
±電源電圧
5.5V
ハンダ付け条件
赤外線または対流方式 (20 秒 )
保存温度範囲
最大接合部温度 (Note 4)
235 ℃
− 65 ℃∼ 150 ℃
150 ℃
2.7V DC 電気的特性
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 2.7V、V −＝ 0V、VCM ＝ 1.0V、VO ＝ 1.35V、RL ＞ 1MΩに対して保証
されます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
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2
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 2.7V、V −＝ 0V、VCM ＝ 1.0V、VO ＝ 1.35V、RL ＞ 1MΩに対して保証
されます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
2.5V DC 電気的特性
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 2.5V、V −＝ 0V、VCM ＝ 1.0V、VO ＝ 1.25V、RL ＞ 1MΩに対して保証
されます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
2.7V AC 電気的特性
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 2.7V、V −＝ 0V、VCM ＝ 1.0V、VO ＝ 1.35V、RL ＞ 1MΩに対して保
証されます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
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LMV821/LMV822/LMV824
2.7V DC 電気的特性（つづき）
LMV821/LMV822/LMV824
2.7V AC 電気的特性（つづき）
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 2.7V、V −＝ 0V、VCM ＝ 1.0V、VO ＝ 1.35V、RL ＞ 1MΩに対して保証
されます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
5V DC 電気的特性
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 5V、V −＝ 0V、VCM ＝ 2.0V、VO ＝ 2.5V、RL ＞ 1MΩに対して保証され
ます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
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4
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 5V、V −＝ 0V、VCM ＝ 2.0V、VO ＝ 2.5V、RL ＞ 1MΩに対して保証され
ます。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
5V AC 電気的特性
特記のない限り、すべてのリミット値は TJ ＝ 25 ℃、V ＋＝ 5V、V −＝ 0V、VCM ＝ 2V、VO ＝ 2.5V、RL ＞ 1MΩに対して保証されま
す。太字表記のリミット値は、全動作温度範囲に対して適用されます。
Note 1:
「絶対最大定格」とは、デバイスに破壊が発生する可能性のあるリミット値をいいます。「動作定格」とは、デバイスが正常に機能する条件をいいます
が、特定の性能限界値を保証するものではありません。保証されている仕様および試験条件については、「電気的特性」を参照してください。
Note 2:
人体モデルでは 100pF に 1.5kΩ が直列接続され、マシン・モデルでは 100pFと 200Ω が直列接続されます。
Note 3:
単一電源動作と両電源動作の双方に適用されます。周囲温度の高い状態で出力を短絡させて連続動作させると、接合部温度が最大許容値の 150 ℃
を超える可能性があります。出力電流が 45mA を超えた状態が長時間続くと、信頼性に悪影響を与えることがあります。
Note 4:
最大消費電力は、TJ(max)、θJA、TA の関数になります。任意の周囲温度における最大許容消費電力は、PD ＝ (TJ(max) − TA)/θJA で表されます。す
べての値は、パッケージを PC ボード上へ直接ハンダ付けする場合に対して適用されます。
Note 5:
Typ 値は、最も標準的な数値です。
Note 6:
すべてのリミット値は、テストまたは統計解析によって保証されています。
Note 7:
V ＋＝ 5V。電圧フォロワとして接続し、3V ステップ入力を入力します。正または負のスルーレートの遅い方の値を示します。
Note 8:
V ＋＝ 5V で RL ＝ 100kΩを 2.5V へ接続した場合の入力換算値。VO ＝ 3VPP となるように各アンプを 1kHz で 1 つずつ順に動作させます。
5
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LMV821/LMV822/LMV824
5V DC 電気的特性（つづき）
LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。
Supply Current vs. Supply Voltage (LMV821)
Input Current vs. Temperature
Sourcing Current vs. Output Voltage (VS ＝ 2.7V)
Sourcing Current vs Output Voltage (VS ＝ 5V)
Sinking Current vs. Output Voltage (VS ＝ 2.7V)
Sinking Current vs. Output Voltage (VS ＝ 5V)
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Output Voltage Swing vs. Supply Voltage (RL ＝ 10kΩ)
Output Voltage Swing vs. Supply Voltage (RL ＝ 2kΩ)
Output Voltage Swing vs. Supply Voltage (RL ＝ 600Ω)
Output Voltage Swing vs. Load Resistance
Input Voltage Noise vs. Frequency
Input Current Noise vs. Frequency
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LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。（つづき）
LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。（つづき）
Crosstalk Rejection vs. Frequency
＋ PSRR vs. Frequency
− PSRR vs. Frequency
CMRR vs. Frequency
Input Voltage vs. Output Voltage
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(RL ＝ 100kΩ, 2kΩ, 600Ω) 2.7V
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8
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(RL ＝ 100kΩ, 2kΩ, 600Ω) 5V
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(Temp. ＝ 25, − 40, 85 ℃ , RL ＝ 10kΩ) 2.7V
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(Temp. ＝ 25, − 40, 85 ℃ , RL ＝ 10kΩ) 5V
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(CL ＝ 100pF, 200pF, 0pF, RL ＝ 10kΩ)2.7V
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(CL ＝ 100pF, 200pF, 0pF RL ＝ 10kΩ) 5V
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(CL ＝ 100pF, 200pF, 0pF RL ＝ 600Ω) 2.7V
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LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。（つづき）
LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。（つづき）
Gain and Phase Margin vs. Frequency
(CL ＝ 100pF, 200pF, 0pF RL ＝ 600Ω) 5V
Slew Rate vs. Supply Voltage
Non-Inverting Large Signal Pulse Response
Non-Inverting Small Signal Pulse Response
Inverting Large Signal Pulse Response
Inverting Small Signal Pulse Response
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LMV821/LMV822/LMV824
代表的な性能特性特記のない限り、VS ＝＋ 5V、単一電源、TA ＝ 25 ℃。（つづき）
THD vs. Frequency
アプリケーション・ノート
帯域幅も負荷の影響を受けます。 Figure 1 、2 のグラフは、負荷
の変化が LMV821/822/824ファミリのφm と帯域幅に与える影響を
わかりやすく示したものです。このグラフを見ると、容量性負荷は
φm と帯域幅の両方を減少させますが、抵抗性負荷は帯域幅を減
少させ、φm を増加させることがわかります。 220pF のコンデンサと
並列に 600Ωの抵抗を接続すると、φm は ( およそ )
20°
増加しますが、帯域幅は約 100kHz 減少することに注目してく
ださい。
このアプリケーション・ノートは、「設計時の考慮事項」と「アプ
リケーション回路例」の 2 つの項にわかれています。
設計時の考慮事項
この項では、設計時に検討する必要がある次の事項について述
べます。
全体として、LMV821/822/824 ファミリは、負荷が接続された状
態ですぐれた安定性を示します。
1. 周波数特性と位相特性
2. ユニティ・ゲインでのパルス応答
3. 入力バイアス電流
周波数特性と位相特性の考慮事項
開ループの周波数特性と位相特性との関係によって、閉ループの
安定性 ( 負帰還 ) が決まります。開ループの位相特性により、帰
還信号が正帰還の状態に近づいていくと、不安定になります。出
力の位相角と入力の位相角との差が大きいほど、負帰還の動作
が安定します。位相マージン (φm) は、ユニティ・ゲイン・クロス
オーバー・ポイントにおける、この入出力間の位相関係を表わし
ています。位相マージンが 0°
のときは、入力と出力は完全に同
相となり、ユニティ・ゲイン周波数で発振を起こします。
AC 特性の表は無負荷状態でのφm を表しています。しかし、φm
は負荷によって変化します。
「代表的な性能特性」の“Gain and
Phase Margin vs Frequency”を使用すると、さまざまな負荷状態
におけるφm を図より求められます。特性図の位相角のところを見
てユニティ・ゲイン周波数での位相マージン・ポイントを探し、そ
のポイントが位相マージン 0°
からどれだけ離れているかを調べま
す。位相マージンが大きいほど、回路動作が安定します。
FIGURE 1. Phase Margin vs Common Mode Voltage for
Various Loads
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アプリケーション・ノート（つづき）
FIGURE 5. Pulse Response per Figure 4
入力バイアス電流の考慮事項
FIGURE 2. Unity-Gain Frequency vs Common Mode
Voltage for Various Loads
入力バイアス電流 (IB) は、無視できない程度のオフセット電圧を
発生させるときがあります。このオフセットは、おもに負帰還抵抗
RF を流れる IB によって発生します。たとえば、IB が 90nA( 室温
での最大値 ) で RF が 100kΩ のとき、9mV のオフセットが発生し
ます (VOS ＝ IB × RF)。 Figure 6 に示すように補償抵抗 (RC) を
使用して、この影響を打ち消せます。しかし、入力オフセット電
流 (IOS) も同様にオフセット電圧を発生させ、その値は室温で通
常 0.05mV に達します。
ユニティ・ゲインでのパルス応答
ユニティ・ゲインでのパルス応答の安定性を高めるには、プルアッ
プ抵抗が適しています。たとえば、220pF の負荷をドライブすると
き、600Ωのプルアップ抵抗を取り付けるとオーバーシュート電圧が
約 50％減少します。パルス応答の安定性を高めるためにプルアッ
プ抵抗を取り付ける方法を、Figure 3 に示します。
FIGURE 3. Using a Pull-up Resistor at the Output for
Stabilizing Capacitive Loads
プルアップ抵抗の抵抗値を小さくすれば、
より大きな容量をドライブ
できますが、抵抗値を小さくし過ぎてオペアンプのシンク電流が最
大値を超えてはいけません。その代替手段として、Figure 4 に示
すような絶縁抵抗を使用する方法があります。
LMV824 で 20Ωの絶縁抵抗を通じて 10,000pF の負荷をドライブ
した場合のパルス特性を、Figure 5 に示します。
FIGURE 6. Cancelling the Voltage Offset Effect of Input
Bias Current
FIGURE 4. Using an Isolation Resistor to Drive Heavy
Capacitive Loads
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アプリケーション回路例
このようなシンプルなミキサは、
ドップラ効果を利用して物体の速度
を測定するアプリケーションに利用できます。出力周波数成分の
1 つが差分周波数になります。差分周波数の振幅 (/FM - FC /)
は、ドップラ効果によって物体の速度を決定するうえでの鍵となる
要素です。移動する物体へ信号を送ると、反射して戻ってくる
信号の周波数は異なっています。この送受信周波数の差は、そ
のまま物体の速度に比例します。
この項では、次のアプリケーション回路について説明します。
1. 電話回線用トランシーバ
2. 「シンプルな」ミキサ ( 振幅変調器 )
3. デュアル・アンプ・アクティブ・フィルタ (DAAF)
• a. ローパス・フィルタ (LPF)
• b. ハイパス・フィルタ (HPF)
4. 3 レベル電圧検出器
電話回線用トランシーバ
Figure 7 に示す電話回線用トランシーバは、PCMCIA とミニチュ
ア・トランスを通じて全二重接続を行えます。差動構成のレシーバ
部分 (UR) は、トランスミッタ部分 (UT) からの信号を打ち消すよう
になっています。差動構成 UR への入力は、送出電圧 (VT) と
VT/2 であることに注目してください。このようになるのは、結合され
ている電話回線のインピーダンスにマッチするように Rmatch が選ば
れているため、その結果 VT が 2 分の 1 になるからです (R1 ≫
R3 とする )。差動構成 UR の抵抗は、次式のように VT と VT/2
の入力が打ち消し合うよう選択されています。
FIGURE 8. Amplitude Modulator Circuit
f
mod
f
carrier
FIGURE 9. Output signal per the Circuit of Figure 8
デュアル・アンプ・アクティブ・フィルタ (DAAF)
LMV822/24 は、経済的で高性能な DAAF を構成できます。
Figure 10 、11 に示すローパス・フィルタとハイパス・フィルタの大
きな特長は、感度特性にすぐれていることです。すぐれた感度特
性が得られるのは、部品定数に誤差があっても、カットオフ周波
数 (FC) などのフィルタ・パラメータの偏差が比較的小さくて済む場
合です。Sallen-Key のようなシングル・アンプのアクティブ・フィル
タは、感度特性があまりよくないため、大量生産時には DAAF に
比べてパラメータが仕様から外れてしまうという問題が起きやすく
なります。Figure 10、11 に示す DAAF は、量産に適しています。
FIGURE 7. Telephone-line Transceiver for a PCMCIA
Modem Card
Cc が取り付けられているのは、ミニチュア・トランスによる損失を
打ち消すためです。詳しい説明は、
「アプリケーション・ノートAN397」を参照してください。
「シンプルな」ミキサ ( 振幅変調器 )
Figure 8 のミキサは、振幅変調をシンプルに、ユニークな方法で
実現しています。Vi は変調周波数 (FM ) で、Q1 のゲートに印加
される＋ 3V の方形波が搬送周波数 (FC ) になります。Q1 は、ユ
ニティ・ゲイン構成の U1 の反転と非反転のスイッチング (トグル )
を行います。 Vi に印加される正弦波をグラウンドより上にオフセッ
トすると、Figure 9 のオシロスコープ写真が得られます。
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LMV821/LMV822/LMV824
アプリケーション・ノート（つづき）
LMV821/LMV822/LMV824
アプリケーション・ノート（つづき）
この情報は、カットオフ周波数の微調整が必要な場合に、その方
法を知る手掛かりとなります。また、それぞれの回路では、R4 と
R5 によって通過帯域の利得も変動します。R4 を 10％増加すると
利得が 0.4dB 増加し、一方、R5 を 10％増加すると利得が 0.4dB
減少します。
TABLE 1.
FIGURE 10. Dual Amplifier, 3 kHz Low-Pass Active
Filter with a Butterworth Response and a Pass Band
Gain of Times Two
Component
(LPF)
Sensitivity
(LPF)
Component
(HPF)
Sensitivity
(HPF)
Ra
− 1.2
Ca
− 0.7
C1
− 0.1
Rb
− 1.0
R2
− 1.1
R1
＋ 0.1
R3
＋ 0.7
C2
− 0.1
C3
− 1.5
R3
＋ 0.1
R4
− 0.6
R4
− 0.1
R5
＋ 0.6
R5
＋ 0.1
アクティブ・フィルタも、オペアンプのパラメータ、特に利得と帯域
幅の影響を受けます。LMV822/24 は大きな利得と帯域幅を備え
ており、DAAF ではその特長が十分に発揮されます。
シングル・アンプのフィルタでは、フィルタ特性の FC における開ルー
プ対閉ループの利得比が、約 50 対 1 と大きいことが求められま
す。ネットワーク・アナライザ (HP3577A) による興味深い測定結
果の写真を Figure 12 に示します。これは、Figure 10 の回路の
300kHz 版による測定結果です。 300kHz では、開ループ対閉
ループの利得比 (FC) が約 5 対 1 になっています ( 脚注参照 )。
この値は、シングル・アンプ・アクティブ・フィルタにおける「経験
則」である 50 対 1 の 10 分の 1 にすぎません。
FIGURE 11. Dual Amplifier, 300 Hz High-Pass Active
Filter with a Butterworth Response and a Pass Band
Gain of Times Two
Table 1 は、10MΩ の負荷状態での感度を測定したものです。左
の列は 3kHz のローパス DAAF 用の受動部品を示しています。3
番目の列は 300Hz のハイパス DAAF 用の部品を示しています。
そして、これらに関する感度の測定値を、各部品の列の右に示
してあります。この値は、カットオフ周波数 (FC ) の偏差のパーセ
ンテージを、その部品の値の誤差のパーセンテージで割ったもの
です。感度値が小さいほど性能がすぐれていることになります。
FIGURE 12. 300 kHz, Low-Pass Filter, Butterworth
Response as Measured by the HP3577A Network
Analyzer
抵抗値をそれぞれ約 10％変化させ、その変化の実測値で FC の
偏差の実測値を割ってあります。測定値の前にある正と負の符
号は、部品の誤差の方向に対する FC の偏差の方向を表してい
ます。たとえば感度が− 1.2 である場合、部品値が 1％大きくな
ると、FC は 1.2％低くなります。
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性能ばかりでなく、DAAF は設計し実装するのも比較的容易で
す。ローパスおよびハイパス DAAF 用の設計式を以下に示しま
す。最初の 2 つの式は、LPF (Figure 10 ) の FC と回路の Q を
計算するためのものです。その次の 2 つの式は、HPF (Figure
11 ) の FC と Q を計算するためのものです。
14
R3 は、Ra または R2 の 0.707 倍としても計算できます。
この回路を実装してカットオフ周波数を測定したところ、実測値は
2.92kHz でした。
設計手順を単純化するため、一部の部品同士を等しい値にしま
す。 Figure 10、11 を参照してください。部品の値を等しくすれ
ば、式は次のように単純化されます。
この回路は、再現性にもすぐれています。LMV822 を 10 個サン
プリングして、この回路で使用したところ、カットオフ周波数の変
動は 1％未満でした。
レベル電圧検出器
Figure 13 の 3 レベル電圧検出器は、一種のウィンドウ・コンパ
レータとして機能します。すなわち、低レンジ、中レンジ、高レン
ジの 3 種類の入力電圧範囲を検出します。低レンジのとき、出力
電圧 (VO ) は Vcc になります。中レンジでは、VO が GND にクラ
ンプされます。高レンジでは、VO は Vee になります。この回路の
VO 対 VI のオシロスコープ写真を Figure 14 に示します。
動作は次のようになります。VI が GND から外れると、ダイオード・
ブリッジが IIN を吸収してクランプ状態 (VO ＝ 0V) を保とうとしま
す。やがて、IIN がダイオード・ブリッジのバイアス限界に達しま
す。この限界に達するとクランプ効果がなくなり、オペアンプは開
ループ状態になります。下記の設計式は、クランプ範囲の計算方
法を示しています。この式からは、GND の両側の入力電圧範囲
が求まります。中レンジの範囲は、
この電圧範囲の 2 倍になります。
設計手順と実装方法を説明するために、例として、バターワース
特性を持つ 3kHz ローパス・フィルタ DAAF (Figure 10 ) を次のよ
うに設計します。
1. C1 ＝ C3 ＝ C ＝ 1nFとします。
2. R4 ＝ R5 ＝ 1kΩとします。
3. 希望する FC に合わせて Ra と R2 を計算します。
4. 希望する Q に合わせて R3 を計算します。バターワース特性で
望ましい Q は 0.707 ( 正弦平面内で 45°
) です。R3 は次のよう
に計算されます。
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LMV821/LMV822/LMV824
アプリケーション・ノート（つづき）
FIGURE 13. Tri-level Voltage Detector
∆v
|
∆v
|
+Vo
|
OV
-Vo
LMV821/LMV822/LMV824
アプリケーション・ノート（つづき）
-VIN
OV
+VIN
FIGURE 14. X, Y Oscilloscope Trace showing VOUT vs VIN per the Circuit of Figure 13
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16
5-Pin SC70-5/SOT23-5
8-Pin SO/MSOP
Top View
Top View
14-Pin SO/TSSOP
Top View
製品情報
Temperature Range
Package
Industrial
Packaging Marking
Transport Media
NSC Drawing
A15
1k Units Tape and Reel
MAA05
− 40 ℃ to ＋ 85 ℃
5-Pin SC-70-5
LMV821M7
LMV821M7X
5-Pin SOT23-5
LMV821M5
3k Units Tape and Reel
A14
LMV821M5X
8-Pin SOIC
LMV822M
LMV822M
LMV822MX
8-Pin MSOP
LMV822MM
LMV824M
LMV822
LMV824MT
Rails
M08A
1k Units Tape and Reel
MUA08A
3.5k Units Tape and Reel
LMV824M
LMV824MX
14-Pin TSSOP
MF05A
2.5k Units Tape and Reel
LMV822MMX
14-Pin SOIC
1k UnitsTape and Reel
3k Units Tape and Reel
Rails
M14A
2.5k Units Tape and Reel
LMV824MT
LMV824MTX
Rails
MTC14
2.5k Units Tape and Reel
17
www.national.com/jpn/
LMV821/LMV822/LMV824
ピン配置図
LMV821/LMV822/LMV824
SC70-5 Tape and Reel Specification
SOT-23-5 Tape and Reel Specification
Tape Format
www.national.com/jpn/
Tape Section
# Cavities
Cavity Status
Cover Tape Status
Leader
0 (min)
Empty
Sealed
(Start End)
75 (min)
Empty
Sealed
Carrier
3000
Filled
Sealed
250
Filled
Sealed
Trailer
125 (min)
Empty
Sealed
(Hub End)
0 (min)
Empty
Sealed
18
LMV821/LMV822/LMV824
Tape Dimensions
8 mm
0.130
0.124
(3.3)
(3.15)
Tape Size
DIM A
DIM Ao
0.126
0.138 ± 0.002
0.055 ± 0.004
(3.3)
(3.2)
(3.5 ± 0.05)
DIM B
DIM Bo
DIM F
0.130
19
0.157
0.315 ± 0.012
(1.4 ± 0.11)
(4)
(8 ± 0.3)
DIM Ko
DIM P1
DIM W
www.national.com/jpn/
LMV821/LMV822/LMV824
Reel Dimensions
8 mm
Tape Size
www.national.com/jpn/
7.00
0.059
0.512
0.795
2.165
0.331 ＋ 0.059/ − 0.000
0.567
W1 ＋ 0.078/ − 0.039
330.00
1.50
13.00
20.20
55.00
8.40 ＋ 1.50/ − 0.00
14.40
W1 ＋ 2.00/ − 1.00
A
B
C
D
N
W1
W2
W3
20
LMV821/LMV822/LMV824
外形寸法図
特記のない限りinches (millimeters)
SC70-5
NS Package Number MAA05
単位は millimeters
SOT 23-5
NS Package Number MF05A
21
www.national.com/jpn/
LMV821/LMV822/LMV824
外形寸法図
特記のない限りinches (millimeters)（つづき）
8-Pin Small Outline
NS Package Number M08A
14-Pin Small Outline
NS Package Number M14A
www.national.com/jpn/
22
LMV821/LMV822/LMV824
外形寸法図
特記のない限りinches (millimeters)（つづき）
8-Pin MSOP
NS Package Number MUA08A
14-Pin TSSOP
NS Package Number MTC14
単位は millimeters
23
www.national.com/jpn/
オペアンプ
LMV821(シングル )/LMV822( デュアル )/LMV824(クワッド ) 低電圧、低消費電力、出力フルスイング、5MHz、
生命維持装置への使用について
弊社の製品はナショナルセミコンダクター社の書面による許可なくしては、生命維持用の装置またはシステム内の重要な部品とし
て使用することはできません。
1. 生命維持用の装置またはシステムとは (a) 体内に外科的に使
用されることを意図されたもの、または (b) 生命を維持ある
いは支持するものをいい、ラベルにより表示される使用法に
従って適切に使用された場合に、これの不具合が使用者に身
体的障害を与えると予想されるものをいいます。
2. 重要な部品とは、生命維持にかかわる装置またはシステム内
のすべての部品をいい、これの不具合が生命維持用の装置ま
たはシステムの不具合の原因となりそれらの安全性や機能
に影響を及ぼすことが予想されるものをいいます。
ナショナルセミコンダクタージャパン株式会社
本社／〒 135-0042 東京都江東区木場 2-17-16
技術資料（日本語 / 英語）はホームページより入手可能です。
TEL.(03)5639-7300
その他のお問い合わせはフリーダイヤルをご利用ください。
フリーダイヤル
www.national.com/jpn/
0120-666-116
本資料に掲載されているすべての回路の使用に起因する第三者の特許権その他の権利侵害に関して、弊社ではその責を負いません。
また掲載内容は予告無く変更されることがありますのでご了承ください。

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