報道資料 2010 年 9 月 29 日（日本時間）アプライドマテリアルズ 22nm リソグラフィーに対応したフォトマスクエッチング装置を投入・新製品 Tetra X は CD 均一性 2nm の壁を打破、22nm ノードのレイヤーマスクに対応可能・パターンと要求 Etch 性能との合致性が業界で最も高く、最適なデバイス歩留まりを実現・最先端のマスクエッチング技術提供に向けたアプライドマテリアルズのコミットメントを反映アプライドマテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、会長兼 CEO マイケル・スプリンター）は 9 月 27 日（現地時間）、先進的なフォトマスクエッチング装置 Applied Centura® Tetra™ X Advanced Reticle Etch を投入したことを発表しました。これは難度の高い 22nm 以降のデバイス層に必要なフォトマスクのエッチングを可能にした唯一の装置です。すでに業界標準となっているアプライドマテリアルズの Tetra III プラットフォームの機能を拡張した Tetra X は、あらゆる表面形状サイズについて CD 均一性 2nm の壁を打ち破り、マスクの精度を大幅に高めています。これにより、マスクメーカーはデバイスの種類を問わず、パターンと仕様の合致性に関するお客様の厳しい要求に十二分に応えることができます。アプライドマテリアルズのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャー（マスク＆TSV エッチング製品部門）、アジャイ・クマールは次のように述べています。「次世代のリソグラフィー技術では、マスクに対する要求条件がきわめて厳しく、パターンの精度が鍵となります。こうした高精度を達成し、半導体メーカーのリソグラフィープロセスを最適化してより高性能のメモリやロジックチップを実現できるのは、Tetra X だけです。この最先端装置は、すでに大手マスクショップにおいて 22nm ノードの量産に対応することが実証されています。このことは、世界トップクラスのエッチング技術をフォトマスクメーカー各社に提供し続けていく、という当社の強い決意を反映しています」 Tetra X が実現する優れた均一性は、高いリソグラフィー解像度を必要とするダブルパターニングやソースマスク最適化(SMO)技術に適合し、あらゆる表面形状サイズやパターン密度に対してきわめて均一、かつ高度なリニアリティ性能を達成するエッチングを可能にするほか、実質的な欠陥ゼロも維持しています。Tetra X は、独自のリアルタイムプロセス監視技術など各種の機能を強化し、次世代ハードマスク、MoSi 半透明膜、石英エッチングなど、先進的なバイナリおよび位相シフトフォトマスク製造に用いられるプロセスを支えます。アプライドマテリアルズの Tetra 装置は世界各地のマスクメーカーに採用されており、この 5 年間で 32nm デバイスノードのマスクや EUVL 開発用マスクのほぼすべてを含め、ハイエンドマスクのエッチングに数多く使われています。詳細については www.appliedmaterials.com/products/photomask_etch_4.html をご覧ください。アプライドマテリアルズは、半導体チップ、フラットパネル、太陽電池、フレキシブルエレクトロニクス、省エネガラスの製造におけるイノベーティブな装置、サービスおよびソフトウェア製品を幅広く提供する Nanomanufacturing Technology™ ソリューションのグローバルリーダーです。アプライドマテリアルズは、人々のライフスタイルを向上させるナノマニュファクチャリングテクノロジーを提供します。詳しい情報はホームページ：http://www.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。 ******************************************************************************** このリリースは 9 月 27 日米国においてアプライドマテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライドマテリアルズジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。アプライドマテリアルズジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：渡辺徹）は 1979 年 10 月に設立。京都支店ほか 10 のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へアプライドマテリアルズジャパン株式会社社長室：大橋百合 (Tel: 03-6812-6801) ホームページ： http://www.appliedmaterials.com