小田・水田研の歴史 ２００６年１１月１１日 １９８６年 • １２月 小田研誕生 ケンブリッジ大学 Dr. Bill Milne と台湾で再会 １９８７年 初めての卒研生 • 清水 和裕 • 安達 尚季 １９８８年 • • • • • • • 大塚 友彦 中北 英明 木原 広己 杉山 和久 坂口（大塚） 真弓 野田 潤一郎 座間 秀昭 高温超伝導MOCVD VHF Plasma CVD １９８９年 • • • • • • 辻 直樹 打木 達也 高橋 馨 桝田 孝一郎 松浦 功 袁 凌文 原子層MOCVD １９９０年 • • • • • • • • • 乙部 雅則 藤井 孝治 山口 秀策 三宅 貴之 安斎 亮一 安川 昌宏 広城 幸吉 今井 麻里 Ying-Chung Chen デジタルCVD 原子層MOCVD １９９１年 • • • • • 坂井 健児 野間 賢二 津久井 哲也 斉藤 賢一 五十嵐（内藤）祐子 光学的結晶成長モニター Si量子細線デバイス １９９２年 • 野中 俊男 • 柿沼 司 • 弘海 賢吾 ナノ結晶シリコンの粒径制御 ナノ結晶シリコンの粒径制御 SiO2 Si (111) VHFプラズマセルでSiドット形成 低温プロセス 10nm M. Otobe (a) 30 SiH4 100% 20 10 0 25 50 75 100 PARTICLE SIZE (nm) (b) 30 PULSED-H2 SUPPLY SiH 4 20 0.5s H2 0.5s 10 0 25 50 PARTICLE SIZE (nm) 75 100 AFMによる単一ドットの粒径と電気特性の同時測定 AFMによる単一ドットの粒径と電気特性の同時測定 Otobe and Oda, Appl. Phys. Lett. 72, 1089 (1998) １９９３年 • • • • • • 山本 木村 小林 嵯峨 川原 吉井 修一郎 匡雄 正伸 純 潤 あさ 高品質高温超伝導超薄膜 １９９４年 • • • • • • 本地 秀考 金井 友範 川口 篤史 鈴木 秀明 王 在陽 島 ゆう子 強誘電体歪超格子薄膜の作製と評価 強誘電体歪超格子薄膜の作製と評価 Zayyang Wang SrT iO 3(002) ・ Period ・ Intensity (arb. unit) (002) (001)SrTiO3 substrate BaTiO ・ ・ SrTiO 3 3 (c) (b) (a) 42 42 44 44 46 46 2θ (degree) 48 48 50 50 １９９５年 • • • • • • • 大西 満 矢島 弘士 渡辺 智隆 長田 浩二 伊福 徹 鈴木 茂 Amit Dutta ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ A. Dutta et al, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4647 (2000) Amit Dutta 0.04 0.02 -8 0 -9 Current (A) (Log Scale) Source-Drain Voltage (V) -7 SOI 20 Kでクーロン振動 を観測 -0.02 -10 -0.04 3 3.5 4 4.5 Gate Voltage (V) 5 波模様は１個１個の 電子の注入に伴う電 流の振幅 １９９６年 • • • • • • • 本田 高田 川上 永嶋 絹笠 鳶坂 伊藤 充輝 学 智之 亮徳 幸久 浩志 明 • Vyshenski, Sergei • 大畠 昭子 • 加藤 智子 ケンブリッジ大学でのワークショップ １９９７年 • • • • • • • • 西口 克彦 須貝 聡 鈴木 武史 鶴崎 伸弥 李 紹平 原 聡二 早舩 嘉典 云 峰 Si縦型トランジスタにおける量子化コンダクタンス Si縦型トランジスタにおける量子化コンダクタンス Nishiguchi and Oda, ICPS-25, Osaka, (2000): Young Author Best Paper Awards Conductance [4e2/h] 3.0 2.5 K. Nishiguchi Bias : 1mV Temp. : 5K Channel 0T 2.0 SiO2 Gate 6T 1.5 1.0 9T Bias :100mV 0.5 0 -0.12 -0.08 Gate Voltage [V] -0.04 0 5 Kで明瞭な量子化 コンダクタンスを観測 •シリコンでは初めて シリコン量子ドット積層構造からの電子放出 シリコン量子ドット積層構造からの電子放出 Nishiguchi & Oda, MRS Meeting, Boston (2000): Graduate Student Silver Awards (b) (a) 10-2 2 100 10-4 4 10-1 10-6 6 10-2 10-8 8 10-3 10-10 0 10-4 100V A 10-6torr A Au (20nm) nc-Si n-Si 10 nm (c) Current [A] 5mm Diode Emission nc-Si dots 10-12 2 Efficiency Si substrate 50nm 10-14 4 0 5 10 15 20 25 Voltage [V] • Electron emission from layered nc-Si dots at 10V. • Emission efficiency of 0.8% was obtained. 30 35 10-5 10-6 40 Efficiency [%] 10-6Torr １９９８年 • • • • • • • 天野 建 仙石 暁生 高柳 ルミ子 松川 康成 安田 智彦 Bruce Hinds 畑谷 成郎 Schematic Schematic of of Short Short Channel Channel Memory Memory Device Device Hinds, Yamanaka, Oda, J. Appl. Phys. 90, 6402 (2001) 50-55 nm gate oxide ~2 nm tunnel oxide G nc-Si dots S 50nm D 25 nm Silicon 50 nm SOI Buried oxide (400nm) Bruce Hinds 25 T=295K Drain Current (nA) 20 15 Vth = 90mv 10 5 Erase 55 5.0 0.35 Ve=-2.25V Ve=-1.75V 0.3 Ve=-1.25V Ve=-0.75V Ve=-0.25V 4.5 0.25 0.2 0 13.5 time (s) 14.5 240 11.5 Time (s) 18 0 6.5 120 7.5 60 3.5 4.5 5.5 0 12.5 5 9.5 4 10.5 3 Gate Bias (V) 0.1 0.05 8.5 2 0.5 4.0 1.5 0.15 0 1 T=295K 2.5 Drain Current (nA) 60 Write １９９９年 • • • • • • • 佐久間 健 中村 亮 山中 崇行 下里 圭司 吉田 征一郎 高橋 咲子 趙 新為 • Willander, Magnus ２０００年 • • • • • • • • • • • 伊藤 誠悟 小澤 治 中村 暦 黒澤 正敏 遠藤 真人 大町 純一 黄 少云 新井 健太 小島 幸 内山（高柳）智子 金 豪振 表面窒化ナノクリスタルSiドットメモリ 表面窒化ナノクリスタルSiドットメモリ S-Y Huang et al, IEEE Trans. Nanotechnology, 3, 210 (2004) S-Y Huang et al, J. Appl. Phys., 93, 576 (2003) S-Y Huang •Structure Electrode SiNx Si Substrate Metal nc-Si Dot SiO2 3.4 eV nc-Si dots Tunnel Oxide 50 nm 2.1 eV (b) Nitride SiO2 SiNx (c) SEM plane-view image Upper Oxide (a) Channel Traps C-V Capacitance (pF) 10 Decay A @ Room temperature 8 Sample B: nc-Si dots covered by nitride films 6 A 4 Sample C: nitridation with no nc-Si dots C 2 -6 B -5 -4 -3 -2 -1 Gate Voltage (V) 0 Sample A (with dots, with no nitridation) Sample B (with dots, with nitridation) Write at 2 V Sample A: read at –1.6 V Sample B: read at –2.4 V 0.85 0.80 0.75 0.70 0.60 Curve I Sample A 0.55 0.50 0.40 discharged state Curve II Sample B 0.65 0.45 1 p 0.90 Sample A: nc-Si dots B g 1.00 0.95 Frequency @ 1 MHz C Stored Charge/Initial Charge Electrode read-voltage Temperature: 295 K Frequency 1 MHz 1 10 メモリ保持時間の飛躍的向上 2 10 3 10 4 10 5 10 Time (s) 6 10 7 10 8 10 表面酸化ナノクリスタルSiの可視光発光 表面酸化ナノクリスタルSiの可視光発光 Arai, Omachi, Oda, Electrochemical Society, Philadelphia (2002) K. Arai 強い閉じ込め効果で擬直接遷移発光 ２００１年 • 高居 康介 • 森 智彦 • ヘンドリアンシャー・サウッディン • • • • • 平野 貴裕 Mohamed Ali Salem 土屋 良重 宇佐美 浩一 SOURI BANERJEE ＫＦＭ法によるシリコン量子ドットの単一電荷測定 ＫＦＭ法によるシリコン量子ドットの単一電荷測定 M.A. Salem et al, Appl. Phys. Lett., 85, 3262 (2004) X X Y Y Z Z 30 Sec M. A. Salem 5V Initial KFM imaging Contact mode AFM Charging Before charging Final KFM imaging • 微細表面電荷と寸法の同時 測定 • ドットに蓄積された少数電荷 の測定 After charging Topography Potential 5 minutes after charging ７5 minutes after charging ２００２年 • • • • • • • 籐 亮太郎 岩佐 達也 星出 裕亮 吉岡 健一 Matt Kelley 鄭 仰東 中務 琢也 ２００３年 • • • • • • 佐藤 百々 藤田 川田 池澤 田中 大典 信幸 啓嗣 善之 健太 敦之 • Akhmadi Surawijaya • Manuel Esteban Ruidiaz ２００４年 • • • • • • • 黒川 永見 山端 東島 須藤 長山 筆宝 康良 佑 元音 賢 貴也 喜正 大平 • • Hea-Jeong Cheong Benjamin Pruvost • 小木 純 • Mohamed Khalafalla • Wei Chen ２００５年 • • • • • • • • • • 稲葉 直樹 澤井 俊一郎 松田 真之介 向井 崇 古川 亮介 新倉 浩樹 小林 正幸 Akhtar Saeed Muruganathan Manoharan 山口久美子 ２００５年同窓会 ２００５年度卒業式 ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室 １ ナノ結晶シリコン構造形成・制御技術の開発 シリコンナノドット シリコンナノロッド 教員室 S9-805 S9-804 学生室 S9-806 ナノシリコンドット ドットサイズ を揃える （ケンブリッジ大との共同研究） トンネル膜厚 を揃える 基板 超高真空 チャンバ （室温） ターボ分子 ポンプへ 開口部 10nm ナノ結晶シリコンドット (φ ∼5 mm) 位置を揃える ナノシリコン構造制御 蒸発 溶液 SiH4 ガス H2 or Ar ガス PC制御 VHFプラ ズマセル ナノ結晶シリコン形成装置 （VHFプラズマCVD) ＬＢ膜 ナノテン プレート 100n m ナノシリコン集積化技術の開発 ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室 教員室 S9-805 S9-804 学生室 S9-806 ２ ナノ結晶シリコンを利用した機能デバイスの作製 加速電圧 100V SiO2 SiNx 金電極 SiNx Electrode (a) コレクター 電子 50 nm nc-Si dots ナノ結晶シリコン層 50nm SiO2 Si Substrate シリコン基板 アルミ電極 Electrode 1 10-5 10-2 10-7 10-4 効率 0.85 0.80 0.75 10 20 Curve I Sample A 0.55 0.45 30 0.40 引出電圧 (V) read-voltage Temperature: 295 K Frequency 1 MHz 1 10 平面型ﾊﾞﾘｽﾃｨｯｸ電子放出素子 2 10 3 10 4 10 S e - e - e- MOSFETチャネル 6 10 ナノドットメモリ G e- 5 10 Time (s) ネオシリコン内包SiO2曲がり梁 ネオシリコン ドット エアー ギャップ discharged state Curve II Sample B 0.60 10-6 0.50 0 Write at 2 V Sample A: read at –1.6 V Sample B: read at –2.4 V 0.90 0.65 放出電子 p Sample A (with dots, with no nitridation) Sample B (with dots, with nitridation) 0.95 0.70 ダイオード 10-9 g 1.00 効率 (%) 電流 (A /c m2 ) 10-3 Stored Charge/Initial Charge 引出電圧 D ナノエレクトロ・メカニカル＆ナノ３Dデバイス 7 10 8 10 ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室 Vg2(V) ３ ナノ結晶シリコンを用いた量子情報デバイスの探索 15nm ソース電極 Vg2 0.4 meV 反結合状態 結合状態 2 ﾄﾞﾚｲﾝ電極 教員室 S9-805 S9-804 学生室 S9-806 1 Vg1 0 ナノ結晶シリコン -1 20 nm 10 nm 30 nm -2 -3 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 15 nm Vg1(V) 0.04 T = 20K ２個のナノシリコン間の量子力学的相互作用の観測 （英国ケンブリッジ大学との共同研究） Vsd (V) -8 0 -9 -0.02 -10 -0.04 3 3.5 4 4.5 5 Gate Voltage (V) 電子１個で動く単電子トランジスタ Current (A) (Log Scale) -7 0.02 Vg1 (V) 初期化 30nm 読み出し 伝達 （ビット間制御） 固体量子コンピュータに向けたナノシリコン量子 情報デバイスの設計と作製 ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室 ４ ﾅﾉｼﾘｺﾝ材料・ﾃﾞﾊﾞｲｽのﾏﾙﾁｽｹｰﾙｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術 教員室 S9-805 S9-804 学生室 S9-806 擬ポテンシャル法 アトムスケール ナノ構造 シミュレーション 密度汎関数法 （ＬＣＡＯ基底） H i, j = i − h2 2 ∇ + V eff ( ρ ) j 2m HOMO LUMO Icosahedral構造SND (d=1.56nm) H ナノスケール 量子輸送 シミュレーション D 量子輸送特性計算 [ G( E ) = E − H − ∑ ( E ) ] −1 平衡状態物理量分布・ 線型応答パラメータ抽出 マクロケール デバイス・回路 シミュレーション ナノ電極・SNR融合系での量子輸送特性 量子補正デバイス シミュレーション （密度傾斜法） ハイブリッド回路 シミュレーション Ids (A) Density (cm-2 ) 2.0D11 1.0D11 Vg2 (V) 0.0D 0 .5 20 X (nm) -.5 40 60 -1.0 1.0 0 k (nm -1) 電子の量子力学的分布関数 Vg1 (V) 量子等価回路とI-V特性 ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室 教員室 S9-805 S9-804 学生室 S9-806 ５ 高誘電率薄膜の作製・評価と次世代ULSI素子応用 •HfO2 • Pr-oxide/silicate HfO2 3.2 nm 界面層 0.8 nm 5 nm Normalized Intensity[a.u.] Si-O-Si/H-O-H SiO2 換算膜厚 ~ 1.2 nm Si基板 Pr-O-Pr 3.5 nm Prシリケート の形成を 確認 TOA 90° 52° 30° 15° 537 535 533 531 529 527 Binding Energy [eV] 断面電子顕微鏡写真 X線光電子分光（武蔵工業大学との共同研究) 高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索、作製、特性評価 パージガス 酸素 原料ガス 試料 ヒーター エリプソメータ HfO2/Si 成膜中の原子 スケールの変化を 直接観察 約 1.1Å 1度 エリプソメトリ角Δの変化 1 サイクル 原料 3秒 パージ 酸素 20秒 40秒 排気 時間 100 秒 •堆積メカニズム解明 •制御技術の確立 分光エリプソメータによる極薄膜成長のその場観察 小田・水田研究室の海外研究ネットワーク（主なもの） 小田・水田研究室の海外研究ネットワーク（主なもの） その他も色々交流があります。 教授 助教授 助手 技官 秘書 小田・水田研 小田・水田研 メンバー メンバー 小田 俊理 水田 博 土屋 良重 宇佐美 浩一 小島 幸 山口久美子 石木ゆかり 非常勤研究員 黄 少云 JSPS研究員 Mohamed Khalafalla JSPS研究員 Chuanbo Li 博士課程学生 筆宝 大平 Hea-Jeong Cheong 川田 善之 田中 敦之 鄭 仰東 Akhmadi Surawijaya Akhtar Saeed Muruganathan Manoharan Benjamin Pruvost Xin Zhou Jiumin Wang ２００６ ２００６ 修士課程学生 学部学生 津久井 正人 永見 佑 東島 賢 山端 元音 須藤 貴也 小木 純 小林 正幸 栗原 智之 米澤 英徳 増渕 和典 中峯 嘉文 千代田 正規 Sverre Hamre Nanhao Quan 稲葉 直樹 澤井 俊一郎 松田 真之介 向井 崇 古川 亮介 新倉 浩樹 柴村 純平 Ian C. Robertson Visitors Kunji Chen Songphol K Thuat Nguyen Alexander Zawadzki 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 応用物理学会（武蔵工業大学）の運営（３月） ケンブリッジ大学など長期訪問（４−６月） 教授 教授 小田俊理 小田俊理 助教授 助教授 水田博 水田博 水田です。今年は学内・学外共に役割が増えてとても忙しい年でした。 ■国際学会委員 ・SNW2006 ・SSDM2006 ・ICCS2006 ・ICSICT2006 ・AMN-3 2007 ・SNW2007 (Program Chair) ・SSDM2007 (Secretary) ■学外団体役員 ・MacDiarmid Institute (NZ) 国際諮問委員 ・半導体ロードマップ委員会 ERD-WGサブリーダ ・ＪＥＩＴＡナノスケールデバイス 専門委員会幹事 ■学内業務 ・国際室国際企画員（兼務） ・工学系国際交流委員 ・電気・情報系留学生相談員 ・電気電子工学科幹事 ・デバイスグループ幹事, etc ３月、ケンブリッジで の恩師Ahmed先生、 Ｃｌｅａｖｅｒ先生と。なお、 右は私の家内が描い た絵です。 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 助手 助手 土屋 土屋 良重 良重 日々の仕事 •小田・水田研の主に実験研究に関する 事項の推進、補助 •半導体学生実験補助(学部3年、前・後期) 最近の出来事 •NEMS memory 研究成果をSNW06(Hawaii)で発表 “Fabrication and Characterization of Nanoscale Suspended Floating Gates for NEMS Memory” N. Momo T. Nagami, S. Matsuda, Y. Tsuchiya, et al., IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop, pp 105-106. •NEMS memoryの論文がJAPに掲載 “Nanoelectromechanical nonvolatile memory device incorporating nanocrystalline Si dots” Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, T.Nagami, et al., J. Appl. Phys. 100, 094306 (2006). (6pages) • Pr silicate の研究成果をIWDTF06(川崎)で発表 “Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode” Y. Tsuchiya, R. Furukawa, T. Suto, et al., Ext. Abst. IWDTF 2006, pp. 103-104 趣味 •大岡山辛いもの巡り •奈良観光 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 JSPS研究員 JSPS研究員 Mohammed MohammedKhalafalla Khalafalla Education: PhD in 2004, Cambridge University, U.K. Bsc (Physics), Khartoum university, Sudan Research Interest at Oda-Mizuta Lab: Physics of Electron Transport in Atomic Scale Devices in Nanocrystalline Silicon Khalafalla et al: “Identifying single-electron charging islands in a twodimensional network of nanocrystalline silicon grains using Coulomb oscillation fingerprints” PRB 74, 035316 (2006) Gate 2 V g2 “Floating Dot Silicon Single Electron Transistor” to be submitted to APL Gate 4 V g1 小田・水田研究室 小田・水田研究室 Chuanbo ChuanboLi Li (China) (China) The fabrication of the vertical coupled SiGe double quantum dots Vg1 Source Vds Drain Using the process to fabricate SET to form the vertical coupled SiGe double quantum dots National University of Ireland (Cork) Vg2 This picture was taken after my PhD degree defense 小田・水田研 小田・水田研 D3 D3 筆宝 筆宝大平 大平 シリコンでレーザ！？ Relative PL Intensity 1.25 1.20 今年度の活動内容 1.15 1.10 1.05 1.00 0.95 600 800 1000 Wavelength (nm) 2005年12月 2006年 5月 2006年 8月 2006年12月 Tokyo Student Workshop主催 CLEO/QELS(Long Beach, CA) 発表 応用物理学会(立命館大学・京都) 発表 特許公開（予定）「周期構造体およよびその製造方法」 もと生徒（ワークショップ受付） CLEOポスター発表 0.5 μm Universal Studio（ハリウッド） Santa Monica のビーチ 旧友（中央が土屋さんの後輩） 小田・水田研 メンバー紹介 D3 Cheong, Hea Jeong SiQDs(167nm) p-type substrate(30-60Ωcm) Al ohmic contact Tip Light EL Intensity (A.U.) Al n+poly-Si(50nm) 650 700 750 800 850 900 Wavelength (nm) 2006年5月20日‐27日アメリカでCLEO学会発表 2006年８月29日‐9月1日秋応用物理発表 950 PL Intensity (A.U.) 32V 30V 28V 26V 24V 22V 20V 18V 16V 14V 12V 10V 8V 6V 4V 2V EL Intensity (A.U.) Visible electroluminescence from silicon quantum dots 600 650 700 750 800 Wavelength (nm) 850 900 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 Ｄ２ Ｄ２ 川田善之 川田善之 川田 小田・水田研究室 博士2年 田中敦之 ドットでLB膜を作ります 小田・水田研 小田・水田研 アマヂイ アマヂイ スラウィジャヤ スラウィジャヤ (D2) (D2) Research topic: Resonant tunneling device by using single nanocrystalline Si quantum dot 1.0E-07 10-7 1.0E-08 10-8 300 K Current (A) 1.0E-09 10-9 1.0E-10 10-10 77 K 1.0E-11 10-11 17 K 1.0E-12 10-12 1.0E-13 10-13 1.0E-14 10-14 0 My hobby: 3D Computer Generated Image (CGI) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 Voltage (V) 0.7 0.8 0.9 1 My 8 month son I came from Bandung, Indonesia Saeed Akhtar (D2) 小田・水田研 メンバー紹介 PhD Research Plan::: •Synthesis of Si nanowires and device application: ナノスケールシリコン細線構造の作製とその素子応用に関 する研究 Recent results::: e-beam evaporated Au dots results into Si nanowires Beautiful View of Gothenburg, Sweden Nice and bright evening in the ever dark Gothenburg is really very pleasant Beautiful in the sense 2 months brightness In a year M. Manoharan Study of Silicon single Electron devices operation in high frequency regime 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 Benjamin Pruvost With friends and profs! Benjamin Benjamin Pruvost Pruvost SET-NEMS Concept and Simulation •IIIE Silicon Nano Workshop 2006 •JSAP 67th Fall Meeting, 2006 Source Hinges Movable Gate tgap Drain With my band! Quantum Dot Switching! Actuation Electrode 小田 水田研究室 D1 周昕（Zhou Xin） Research topics: Mott transition field effect transistor (MTFET) and electron transportation I came from Nanjing university, P. R. China My hobby: pingpong Main building A part of library Archives building seal cutting 小田·水田研究室 D1 王久敏 (Wang jiumin) Doctor Project： Electron Emission From Nano-Si 小田・水田研メンバー紹介∼津久井 正人 研究テーマ KFMによるナノブリッジ トランジスタ特性評価 余暇 自転車乗り 博物館 政治の考察 M2 永見 佑 小田・水田研 メンバー紹介 研究テーマ 有限要素シミュレーションによるNEMSメモリの動作解析 最近は機械的スイッチング特性に加えて 電気的特性も解析 機械的特性 変位量 Z [nm] 20 電気的特性 チャネルができる 1μm 1μm 104 -10 下側に曲がった状態（”1”状態） チャネルができない 電子密度 [cm-3] 0 -20 108 1012 1016 ドレイン電流 Id [A/m] 上側に曲がった状態（”0”状態） 10 100 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 10-8 10-9 -5 0 5 ゲート電圧 Vg [V] 10 下側に曲がった状態の電流 上側に曲がった状態の電流 0 0.5 1 1.5 ドレイン電圧 Vd [V] 2 小田・水田研究室 M2 東島 賢 研究テーマ QIPを目指した多重量子ドットの電子状態解析 |Anti Bonding> 2006 7∼10月 |L> |R> |Bonding> 趣味 ： 遠出 日立ケンブリッジにインターン M2 山端元音 研究テーマ Si量子ビットの相互作用に関する研究 学会発表 2005春季応用物理学会 @埼玉 2005Silicon Nanoelectronics Workshop @京都 2006秋季応用物理学会@滋賀 Gate1 Source1 Drain1 Source2 Drain2 Gate2 趣味：ピアノ （音量を大きくしてください） 200nm 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 研究テーマ 分光エリプソメトリを用いたPr 酸化物薄膜の評価 趣味 ・最近筋トレ始めました ・ここ1年で中国に2回行きました M2 M2 須藤 須藤 貴也 貴也 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 シリコンナノブリッジトランジスタ M2 M2 小木 小木 純 純 学会発表 2006春期応用物理学会 Si Nanoelectronics Workshop 2006 2006秋期応用物理学会 現在デバイス作成と、主に測定 をしています。 趣味 Vds Source Drain Current Ids [nA] 20 50mV 10 0 -10 -20 -50mV -30 1 1.5 2 2.5 3 Sidegate Volatage Vgs [V] 3.5 4 スキー ドライブ etc．．． 小田・水田研 • • 研究テーマ nc-Siの形成，不純物ドーピング と物性 現状 堆積速度が激遅 ○¦￣¦＿ M1 稲葉 直樹 • • 趣味 鉄道(旅行)，サイクリング， うどん，水門 就活中です… 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 M1 M1 向井 向井 崇 崇 研究テーマ シリコン量子ドットの配列制御に向けた 単分子膜による表面修飾 nc-Siドット 有機ナノテンプレート 結合 COOH NH2 COOH NH2 学会発表 2006秋期応用物理学会（29a-ZR-2） NH2 COOH NH2 趣味 テニス mixiのコミュ探し あと最近は漫画 小田･水田研 M1 古川亮介 研究テーマ：界面制御を考慮したPrシリケー トゲート絶縁膜の作製条件の検討 好きな物：飲み会・バーベキュー等の騒ぐ系 イベント☆ 趣味：読書＆危険なドライブ＆スノボ＆飲み 100 30 52 80 1 80 70 0.8 60 0.6 50 0 40 0.4 30 20 0.2 電特 り、 た っ 測 10 0 0 怪しい施設での、 怪しいデータの解析 PDA in N とかやってます!！ 1847 1845 1843 1841 1839 Binding Energy [eV] 1E+24 H Si–> C O–> 1837 F Pr–> 537 1835 1E+06 Cl 1E+23 H,C,F,Cl CONCENTRATION (atoms/cc) 断面・ 3.37nm 表面見 たり、 1E+04 1E+21 2 1E+20 1E+03 1E+19 1E+02 1E+18 1E+01 1E+17 1E+16 1E+00 0 5 10 15 Depth (nm) 2nm PDA in N2 PDA in N2 20 25 30 Si,O,Pr SECONDARY ION INTENSITY (cts/sec) 1E+05 1E+22 3.74nm 30 52 80 90 N o rm a liz e d In te n s ity [a rb . u n its ] 普段は・・・、 N o rm a liz e d In te n s ity [a rb . u n its ] 1.2 535 533 531 Binding Energy [eV] 529 527 M1 新倉 浩樹 ◆ 研究テーマ SiO2/HfO2/SiO2積層構造を 利用したメモリデバイスの研究 ◆ 趣味 9バスケ 9ガッツリ寝ること ◆ 最近気になる言葉 ダイエット!! 修士1年 柴村純平 卒論： 東京農工大学 上野研究室 「MOCVD法を用いたhigh-k膜の作製と評価」 研究テーマ 「SG-MOSFETの作製」 MEMS構造により従来のものより センシティブなトランジスタ 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 RESEARCH: Biosensor Neural Sensor, Si Nanowire and application for neurology 趣味: •劇場 •芸術: 落書き •コンピュータ •snowboarding M1 M1 Ian Ian C C Robertson Robertson 小田・水田研 小田・水田研 メンバー紹介 メンバー紹介 学部四年 学部四年 栗原智之 栗原智之 研究テーマ：スタック型二重フローティングゲート 不揮発性分極メモリに関する研究 昭和60年2月22日生まれ、うお座、A型 趣味はテニスとか。決して研究が趣味ではありません。 渋谷でボーリング 免許は持ってません。。。 応用物理学会＠立命館大学（８月） ここは日本？ 最近やってません・・・
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