Università degli Studi di Napoli Federico II Master II livello - REACH Fluorescenza a Raggi X (XRF) e Caratterizzazione delle Sostanze Chimiche Sergio Fasan +39 347 5907720 [email protected] ANALISI ELEMENTARE Atomic Absorption Spectrometry (AAS) Flame (FAAS) Cold Vapor (CVAAS) Hydride Generation (HGAAS) Graphite Furnace (GFAAS) Inductively Coupled Plasma Spectrometry (ICP) Atomic / Optical Emission Spectrometry (ICP-AES / ICP-OES) Mass Spectrometry (ICP-MS) X-Ray Fluorescence Spectrometry (XRF) ELEMENTI DETERMINABILI MEDIANTE AA Fonte: Perkin-Elmer ELEMENTI DETERMINABILI MEDIANTE ICP-OES Fonte: Perkin-Elmer ELEMENTI DETERMINABILI MEDIANTE ICP-MS Fonte: Perkin-Elmer TIPICI LOD PER LE DIVERSE TECNICHE Fonte: Perkin-Elmer RANGE DI MISURA TIPICI PER LE DIVERSE TECNICHE Fonte: Perkin-Elmer COSTI PER I DIVERSI TIPI DI STRUMENTI Fonte: Perkin-Elmer CONFRONTO PRESTAZIONI DIVERSE TECNICHE Fonte: Perkin-Elmer COSTI GESTIONE SISTEMI DI ANALISI ELEMENTARE FLUORESCENZA A RAGGI X (XRF) – PRINCIPIO DEL METODO Tecnica di analisi non distruttiva che permette di conoscere la composizione ELEMENTARE di un campione attraverso lo studio della radiazione di FLUORESCENZA X. La radiazione è emessa dagli atomi del campione in seguito a eccitazione (che può dare anche effetto fotoelettrico), che si ottiene tipicamente irraggiando il campione con raggi X e gamma ad alta energia. Un atomo privo di elettroni interni è instabile e quindi si crea una “cascata elettronica”, cioè gli elettroni via via più esterni vanno a coprire gli spazi lasciati vuoti emettendo radiazioni, dette secondarie in fluorescenza, caratteristiche per ciascun elemento. FLUORESCENZA A RAGGI X (XRF) – PRINCIPIO DEL METODO Fonte: Bruker XRF - Righe K 2.4 counts/(channel second) 2.2 Kα 6.398 eV 2.0 Ferro 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 Kβ 0.4 7.057 eV 0.2 0.0 5000 6000 7000 8000 photon energy [eV] 9000 10000 XRF - Righe L counts / (channel second) 5 Lβ 4 Piombo Lα 3 2 Lγ 1 0 8000 10000 12000 14000 photon energy [eV] 16000 ENERGIA DELLE RIGHE XRF L’energia della radiazione fluorescente aumenta proporzionalmente con il Numero Atomico (Z) dell’elemento considerato. As Pb ELEMENTI DETERMINABILI MEDIANTE XRF ANALISI XRF - ANALISI QUALITATIVA Viene effettuata mediante identificazione delle righe X caratteristiche di emissione di ciascun elemento chimico. - ANALISI QUANTITATIVA Richiede una opportuna elaborazione dei dati di intensità delle diverse righe X emesse correlati con le analoghe emissioni di campioni standard contenenti quantità conosciute dell'elemento da stimare. Le rette di calibrazione sono solitamente acquistate e certificate dalla casa costruttrice e rimangono valide per anni grazie all’estrema stabilità strumentale. TECNICHE XRF Diffrazione RX con cristallo disperdente (monocromatore) WDXRF Fluorescenza a dispersione di LUNGHEZZA D’ONDA XRF EDXRF(~40°) Detector a stato solido EDXRF - Massivo (2D) - µXRF (3D) Fluorescenza a dispersione di ENERGIA TXRF (~0,1°) Riflessione totale SCHEMA DI FUNZIONAMENTO EDXRF La radiazione fluorescente emessa dal campione in analisi viene totalmente raccolta da un detector, per lo più a stato solido (tipicamente un semiconduttore) che trasforma i fotoni X a differente energia in impulsi elettrici di differente intensità che consentono di ricostruire ed analizzare lo spettro XRF del campione. Fonte: XOS EDXRF - PREPARAZIONE CAMPIONE SOLIDI POLVERIZZABILI Il campione viene essiccato e macinato (es. con mulini in carburo di tungsteno o giare in ossido di zirconio) fino ad ottenere una pezzatura inferiore a 100 µm. Se il campione non possiede capacità autoaggregante viene addizionato di cera microcristallina in proporzione di 5:1 e pressato a 10 tonn per ottenere una pastiglia idonea. SOLIDI NON POLVERIZZABILI Si omogeneizza il campione macinandolo finemente e l’omogeneizzato viene introdotto in sample cell di materiale polimerico inerte con finestra in PP. LIQUIDI ED-XRF PORTATILE Bruker TRACERturboSD XRF SCHEMA FUNZIONAMENTO WD-XRF La radiazione fluorescente viene dispersa geometricamente da un cristallo, in modo che le diverse energie (righe dello spettro) possano essere rilevate in funzione dell'angolo di dispersione, analogamente a quanto avviene con un comune spettrofotometro UV-VIS. Fonte: Bruker RISOLUZIONE: WDXRF vs EDXRF Risoluzione: WDXRF: 5-20 eV EDXRF: 150-300 eV Fonte: Horiba Scientific WD-XRF vs ED-XRF VANTAGGI LIMITI - - - Maggiore risoluzione Minori interferenze rispetto al background e a righe di emissione vicine Maggiore sensibilità (fino a 1 ppm) Possibilità di rilevare anche elementi leggeri (es. Boro) - Costi elevati Dimensioni maggiori Manutenzione complessa Minore efficienza (compensata dall’impiego di sorgenti più potenti) Tempi di acquisizione più lunghi (ciascun elemento viene determinato singolarmente) ANALISI ED-XRF – METODI UFFICIALI La norma UNI EN 15309:2007: descrive le procedure da seguire per l’analisi dei campioni solidi come suoli e scorie (P.to 9.3 e figg. B.1 e B.2), di campioni solidi non polverizzabili (P.to A.4.3 e figg. B.1, B.2, B.4 e B.5 ) e di matrici liquide (P.to B.1 e fig. B.3). I campi di applicazione della tecnica sono molteplici, è infatti possibile quantificare zolfo e altri elementi in prodotti combustibili solidi e liquidi (ASTM-D 4294:2010, UNI EN ISO 8754:2005, UNI EN 15485:2008, ASTM D6443 – 04:2010, ASTM D5839 – 96:2006, ASTM D6376: 09, ecc…) è applicabile nella determinazione della composizione chimica di prodotti da costruzione (UNI EN 196-1:2005) e sono svariate le norme tecniche per la valutazione dei macrocomponenti delle leghe in fluorescenza. SCHEMA FUNZIONAMENTO T-XRF La radiazione fluorescente viene indirizzata verso il campione con un piccolissimo angolo di incidenza (~0,1°) . Tale tecnica permette di abbassare notevolmente il livello minimo rivelabile (Minimum Detection Limit, MDL fino a 1 ppm), avvicinando questa tecnica alle caratteristiche delle tecniche più sensibili (es. ICP). Fonte: XOS PRINCIPIO E DEFINIZIONE T-XRF Esiste un angolo di incidenza θ1, detto angolo critico (θC), per il quale l'angolo di rifrazione θ2 è pari a 0°. Per angoli di incidenza θ1< θC NON si ha rifrazione e θ1 > θC il raggio incidente viene totalmente riflesso θ1 (riflessione totale). θ1r r θ2 n2 i = icθ1 = θC θ2 = 0° θ1 nn 22 r=90° θ1 < θC θ1 n2 INTENSITÀ T-XRF PER PICCOLI ANGOLI D’INCIDENZA α=0.1°=1.75mrad 2.0 1.8 Fluorescence line Arbitrary units Intensità RX 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 R=1 Reflectivity R= Line intensity IL∝ ( 1 + R ) R=0 Background I Rifl I Incid Sup. liscia rugosità < 1/20λ λ Background IB∝ ( 1 - R ) sinθ θ 0.6 0.4 Sup. ruvida 0.2 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 critical angle 2.0 2.5 angle [mrad] Fonte: G.N.R. Quartz reflector Mo Kα radiation 3.0 3.5 4.0 SENSIBILTÀ DEGLI ELEMENTI IN T-XRF La sensibilità (S=I/mass) è funzione della sorgente e del numero atomico TXRF - PREPARAZIONE CAMPIONE Vol.= 8 µL Rimozione frazione solvente (es. evap. 90-100°C) Film sottile Pesare Campione Omogeneizzare Aggiunta Std Interno RX-tube Fonte: G.N.R. Si/Li Detector Principali campi d’applicazione From - P. Wobrauschek - Total reflection x-ray fluorescence analysis—a review X-Ray Spectrom. 2007; 36: 289–300 - DOI: 10.1002/xrs.985 T-XRF vs ED-XRF VANTAGGI LIMITI - Elevato range dinamico (105) - Bassa sensibilità per elementi leggeri (Na, Mg, Al, Si) - Riduzione/eliminazione del background spettrale: miglioramento dei Limit of Detection (LoD) fino a cinque ordini di grandezza (da 10-7 a 1012 g). - Assenza effetti matrice e semplicità di calibrazione (analisi quantitativa con un solo Standard Interno) - Non determinabili elementi con Z<11 (Li, Be, B, F) - Il campione deve essere in fase liquida: mineralizzato o sospeso (slurry) ANALISI µXRF (PUNTATURA/MAPPATURA) Il campione viene posto nel vano portacampioni mobile su 3 dimensioni (x, y, z) e tale vano portacampioni viene regolato in modo tale da ottimizzare la messa a fuoco. La valutazione avviene poi previa selezione dell’area e griglia di misura ed avvio dell’analisi strumentale. Questo strumento permette di eseguire mappature all’interno di una griglia di dimensioni variabili fra 0,2 e 2 mm. L’analisi fornisce un'immagine per ciascun elemento, nelle quali si relaziona l’intensità di colorazione alla diversa distribuzione e/o concentrazione dell’elemento di interesse. ANALISI µXRF : applicazioni in ambito RoHS Mappatura di un circuito stampato per la ricerca di metalli pesanti Immagine di un circuito stampato con la griglia di scansione (L=0,7mm) Mappa relativa all’elemento Pb Fonte: Spectro ANALISI µXRF : applicazioni nel settore metallurgico Mappatura di un manufatto Fonte: Chelab ANALISI SEM-EDS Il microscopio elettronico a scansione (SEM – Scanning Electron Microscope), equipaggiato con EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) è uno strumento all’avanguardia che permette di ingrandire ad alta definizione porzioni di superfici fornendo immagini eccellenti fino a 100.000 ingrandimenti. L’immagine realizzata dal microscopio elettronico riproduce tridimensionalmente la superficie del campione e permette di eseguire analisi morfologiche approfondite della superficie e analisi elementari semiquantitative per determinare la composizione dei campioni. Il sistema EDS permette sia l’identificazione che la quantificazione di molti elementi utilizzando quantità modeste di campione. E’ sufficiente, infatti, disporre di una quantità pari, ad esempio, a un granello di sabbia per ottenere una stima semi-quantitativa degli elementi che costituiscono il campione da analizzare. Gli elementi identificabili e stimabili in concentrazione sono tutti quelli le cui transizioni elettroniche richiedono una energia minore di quella del fascio di raggi X prodotti dal generatore del SEM. CASE STUDY: CARATTERIZZAZIONE DI MINERALI Analisi effettuata mediante SEM-EDS di un minerale di FLUORITE con cristallizzazioni di ROSASITE (Cu,Zn)2(CO3)(OH)2 Fonte: Chelab CASE STUDY: CARATTERIZZAZIONE DI MINERALI Spettro EDS della FLUORITE (CaF2) Fonte: Chelab CASE STUDY: CARATTERIZZAZIONE DI MINERALI Spettro EDS della ROSASITE (Cu,Zn)2(CO3)(OH)2 Fonte: Chelab
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