Fully Automatic Die Separator DDS2300 高品位にDAF を分割する新ソリューション DAF付き薄ウェーハの切断品質向上 DAF（Die Attach Film）付き薄ウェーハを分割するプロセスにおいては、フルカットダイシングした際の切断面にDAFバリが発生したり、ダイボンディング時にピックアップ不良が生じるなどの課題があります。DDS2300をダイシング工程に採用することでDAFの切断品質が向上し、これらの課題の改善が可能です。 DBGプロセス後のDAF切断へ新しい提案薄チップ製造に適したDBG（Dicing Before Grinding）プロセスにDAFを適用する場合、チップ分割後の裏面にDAFを貼り付けた後、DAFのみを切断する工程が必要です。従来はレーザ加工によってDAFのみを切断しますが、その際、表面保護膜などの消耗品が必要な場合があります。DDS2300を採用することでレーザによるDAF切り込み量を抑え、加工屑を低減することが可能となるため、消耗品コストの大幅な低減が期待できます。ステルスダイシング後の安定したチップ分割を実現ステルスダイシングにて内部に改質層を形成したウェーハのチップ分割を、安定して実現します。DAF付き薄ウェーハのステルスダイシング時には、特に有効なプロセスとなります。クールエキスパンドによるDAF分割品質向上 ■適用アプリケーション例 DAFを安定破断するため、クールエキスパンド方式を採用しています。低温領域で脆性化するDAFの特性を踏まえ、低温環境下でエキスパンドを行うこ  ブレードダイシング後のDAF分割とで、高品質なDAFの分割を実現します。  DBG後のDAF分割テープフレーム搬送により、スムーズに次工程へ  ステルスダイシング後のチップ分割エキスパンド後、ダイシングテープの外周部分に生じるたるみを、ヒートシュリンクにて解消できます。これにより、テープの貼り替えを行わずに、テープフレームのまま次のダイボンディング工程へ搬送することが可能となります。 Fully Automatic Die Separator DDS2300 ワークフローシステムプッシュプルアーム ①プッシュプルアームがカセットからワークを引き出し、フレームセンタリングステージへ → ②フレームセンタリングステージでアライメントを行った後、中間ステージへ → ③クーラエキスパンドステージへ移載し、クールエキスパンド → ④ヒータエキスパンドステージへ移載し、エキスパンド・ヒートシュリンク → ⑤スピンナステージに移載し、洗浄・乾燥 → ⑥UV照射ステージへ移載し、UV照射 → ⑦プッシュプルアームがワークをカセットへ格納仕様仕様最大ﾜｰｸｻｲｽﾞｸｰﾗｴｷｽﾊﾟﾝﾄﾞｽﾃｰｼﾞ温度設定範囲最大突き上げ量突き上げ量設定範囲最高突き上げ速度突き上げ速度設定範囲温風温度設定範囲最大突き上げ量ﾋｰﾄｼｭﾘﾝｸ突き上げ量設定範囲ｽﾃｰｼﾞ最高突き上げ速度突き上げ速度設定範囲装置寸法（W×D×H）装置重量単位 mm ℃ mm mm mm/sec mm/sec ℃ mm mm mm/sec mm/sec mm kg φ300 0 または ‐5 （固定）（工場出荷時設定） 30 0～30（ｽﾃｯﾌﾟ 0.001） 400 0.001～400（ｽﾃｯﾌﾟ 0.001） 200 or 220 or 250　（選択） 20 0～20（ｽﾃｯﾌﾟ 0.001） 50 0.001～50（ｽﾃｯﾌﾟ 0.001） 1200 × 1,550 × 1,800 約900 ■ご使用条件 • 大気圧露点-15 ℃以下、残留油分0.1 ppm、濾過度0.01 μm/99.5 %以上のクリーンな空気を使用してください。 • 機械設備位置の室温は設定値（20 ℃～25 ℃）に対し、変動幅±1 ℃以内に管理してください。 • 洗浄水は、室温±4 ℃に管理された水を使用してください。 • その他、衝撃及び有感振動などの外部振動を避けてください。また、ファン、換気口、高熱発生装置、オイルミスト発生部等の近くに設置しないでください。 • 本装置は、水を使用します。万一の漏水に備え、床面の防水処理および、排水処理がされた場所に設置してください。 ※ 本仕様は、改良のためお断りなく変更させていただくことがありますので、ご確認の上、ご発注ください。 ※ 圧力は全てゲージ圧で表記しています。 ※ 本機に関するアプリケーション等は弊社営業までお問い合わせください。 www.disco.co.jp 2016.07