CLM+ 完全ウエハー DualBeam

製品データ
CLM+™ 完全ウエハー DualBeam™
半導体製造サポート研究所向け自動TEM試料準備
と3D計測
「時は金なり」高度な半導体製造におけるほど、
これがあてはまる場所は他にあり
ません。工程を加速するあらゆもの - そして生産量を維持または改善するあらゆ
るもの - が価値を与えます。CLM+™ はこの両方の価値を提供するものです。工程
制御と欠陥分析用装置の高解像度画像に対するニーズは今日ますます高まってお
り、TEMイメージングの必要性を促進しています。ex-situリフト・アウトおよびイメー
ジング用の重要なTEM 層板を生産するために、FEI の CLM+ は独自に調整されてい
ます。Sidewinder イオン カラムによって、高スループットの層板作成が可能となりま
す。一方その低電圧性能によって、清潔で、損傷とは無縁のミリング表面が保証さ
れ、正確なTEM イメージングとEDS 分析が可能になります。卓越した切り出し配置
によって、
ターゲットとする特徴の正確な捕捉が保証されます。直接的な3次元構
造測定によって最も高度な工程のパフォーマンスさえモニタリングするCLMの能力
によって、初期開発の段階から大量生産段階まで、工程ライフサイクルのすべての
段階でメーカーは生産量を改善できます。従来の技術で必要とされた時間よりも
はるかに短い所要時間の、複数の場所でのウエハー全体に対する完全な自動分析
主な利点
• ex-situ TEM分析のための迅速で、正確な層
板調整
• 製造工程の認証と特性化のための、迅速で正
確な横断分析
• 数分以内の回答で速やかな意思決定をサポ
ート。
• 高スループットにより、高まる統計の重要性と
より自信に満ちた決定のための、デンサー サ
ンプリングを可能にします。
• 市場投入や大量生産までの時間を短縮し、
生産量の急な落ち込みから速やかに回復し
ます。
• エッチング、薄膜フィルム、銅工程の開発、仕
様作成および認証を高速化します。
を通じて、CLM+はこの情報を提供します。
これによって生産プロセスが加速し、
メー
カーは利鞘の大きな製品を最初に市場投入でき、単位当たりの費用を削減しなが
ら大量生産し、費用のかさむ生産量の偏位から速やかに回復することができます。
迅速なTEM層板調整
今日の複雑化する半導体製造工程は、CD制御、欠損分析、工程モニタリングなどの
TEM分析をますます必要としています。CLM-3D はex-situ 引き出しやTEMイメージン
グのために、
自動的に70nmもの薄さの層板を製造する能力をもちます。
このシステ
ムは、調査ツールから、
ウエハー マップや問題のある箇所の情報(KLARF)を受け取
ります。不良探索用に、
自動または半自動プロセスが採用されています。半自動化
では、人による現場検証が可能です。検証後、現場には印がつけられ、FEIの専門ア
プリケーション チームによって開発された自動手順を使って、層板が自動的に製造
されます。
製品データ CLM+™
自動 DualBeam™ 計測学
FIB 横断ミリングをもちいたCLM-3Dの明瞭な SEM イメージングによって、表面下構
造の迅速で正確な計測がもたらされます。IC3D ソフトウェアによって、
ウエハー ロ
ーディングからデータ返却まで、完全な測定プロセスを管理する、完全に自動のオ
ペレーションが可能になります。一般的な作業の流れにおいて、
システムはウエハ
ーを自動的に配膳し、指定された測定場所へ移動させて、マシン・ビジョンによって
配置を調整します。
その後測定プロセスにおいて保護用金属層が取り付けられ、横断面がミリングさ
れて、高倍率で画像が取得されます。それからシステムは、完全な高解像度画像を
使用して自動的に重要な側面を測定します。試料の一部から重要なフィードバック
をすばやく提供することによって、CLM+はリアルタイムの工程特性化や、有意な試
料セットを使用した検証を行います。
Sidewinder™ イオン カラム
Sidewinder™ イオン カラムは、
さまざまな種類の作業電圧やビーム電流で、卓越し
たパフォーマンスを提供します。電圧が高くなれば、
ミリング速度用ビーム電流と
ミリング精度用ビーム径の間で最適なトレードオフを実現し、価値のある不良ま
S/TEMにおけるその後の検査のため
に、CLM+は70nmもの薄さのサイト固
有の層板を自動的に準備できます。
たはプロセス関連情報が、断面作成作業中に破壊されないようにします。低電圧
で小さなビーム径を維持するその能力により、
ミリングされた表面の最終的な低
エネルギー斜入射クリーンナップが表面の損傷を除去することができます。完全
な種類のビーム化学反応オプションが、加速ミリング、選択ミリング、蒸着、イオン
と電子ビーム両方によるイメージング強化をサポートしています。
仕様
電子源
• ショットキー熱電界放出電子銃(製品寿命は1年以上)
イオン源
• ガリウム液体金属(1000時間)
SEM 解像度
• 最適 WD
– 2.2 nm @ 2 kV
– 3.8 nm @ 1 kV
SEM 加速
• 500 V ∼ 2000 V
FIB 解像度
• 最適 WD
– 7.0 nm @ 30 kV, 二次電子画像
試料台
• 4 軸モーター (X, Y, Z, R) 300 mm 圧電駆動 XY モーション
ユーザー インターフェイス
• SEM, FIBおよびGISの統合制御が可能なWindows GUI。同時パタ
ーン化およびイメージング モード
オプション
• ハードウェア
– 電子およびイオン カラムによるビーム化学反応、調整可能
な蒸着およびエッチ化学反応
• ソフトウェア
– IWatch™
– IC3D™ オフライン ワークステーション
– 不良ナビゲーション
– RAPID™
最大試料サイズ
• 300 mm ウエハー フルトラベル
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DS0068-JP 09-2009
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る収束イオンと電子光線顕微鏡のデザイン、製造、導入とサポ
ートのためのものです。
© 2010.当社は常時製品の改善を行っているため、すべての仕様は事前の通知なく変更される場合があります。CLM+, DualBeam,
Sidewinder, IC3D, RAPID, IWatch, および FEI社のロゴは FEI 社の商標です。FEI はFEI 社の登録商標です。その他すべての商標は、それぞれ
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