有力特許と日本人 1/2 ページ ●有力 特 許と 日本人 前 回にひき続き有力特許を出している日本人を４人紹介します。 (5)分 (5)分割ワード線特 許（穴見 健二， 三 菱 電機 ） この技術はもともと１６ ｋＳＲＡＭから６ ４ｋＳＲＡＭの大容量化 に向かう中で 考案された。６ ４ｋで はワード線を構成す る多結晶 Ｓｉが長 く、抵抗が大きいため高速化 が難しくな ると考えられていた。そ こ で 、解決策を思索す る中で 次のアイ デアが浮かんだ 。 「別の線を設け列系の信 号と論理をとって分離したワード線を駆動す れば よい。こうす れば 選択す るメモ リセルの数も減るので 、そ れに比例して消費電力も減るはずで ある。」 しかしこれを実用化 す るには２ 層 Ａｌ技術が必要で 、当時す ぐには実用化 出来な かった。しかもこの 技術を使って分割ワード線を実用化 したのは、当の三 菱 電機 で はな く他社の２ ５６ ｋＳＲＡＭによって で ある。（当時三 菱 電機 は１層 Ａｌに固 執 していた。）三 菱 電機 が実用化 したのは１ＭＳＲＡＭにな っ てからで ある。 この技術は現 在多くのメーカーで 使われており、特に高速ＳＲＡＭにおいてこの技術は有効で ある。また ＤＲＡＭで もこの技術が採用され始めている。 (6)Ｌ (6)ＬＤＤの 特 許（江崎豪彌， 松 下 電子工 業 ） ＭＯＳＬＳＩは年 々微細化 されており、このまま従来のスケーリング 則で いくとドレイ ン耐圧が低下 す ることはわかっていた。ドレイ ン近傍の高電界を低減す るには、半導体理論からドレイ ンの不純物分布 をな だ らかにす れば よいことは誰 にで もわかっていた。 そ して低濃度、高濃度拡散 のドレイ ンを持つＭＯＳＦＥＴの試作例もＩＢＭより発表されていた。ただ そ の為には１枚余分のマスク が必要で あり、しかも位置合わせの微細な 精度（当時 0.3 um 程度）がで きな かった。 そ こで 位置合わせに頼らずに微細な 低不純物濃度の領域を作る方法 を考案した。 つまり 「ドライ エ ッチング において、ステップカバレジ とエ ッチング の異 方性を利用して(段差 部で 膜が残る)自 己 整合的な 微細な 寸法 の絶縁膜側壁が作れる。」 そ の寸法 は、堆積膜厚とエ ッチング だ けで 制御で きるから位置合わせ以 上の寸法 精度が得 られる。そ して低濃度、高濃度のイ オン打 ち込みを行えば ドレイ ン端部に低濃度の拡散 層 領域がで きる。現 在ＬＤＤ を使わな いサブミク ロンデバイ スはな い。 短チャネル化 とともにホットキャリアが関与した破壊耐圧が低下す るので 、ドレイ ン構造の改良がどうし ても必要で ある。６ ４ｋＤＲＡＭ（3 umプロセス）にな って動作電圧は１２ Ｖから５Ｖに移行し、４ＭＤ ＲＡＭ（0.8 umプロセス）まで 続いた。１６ ＭＤＲＡＭ（0.5 umプロセス）で はＬＤＤ構造で も耐圧の限界 にきており、電源電圧は 3.3Ｖに下げ ている。 そ れにしてもＬＤＤ技術の当初の評価は実用性に乏しいというもので あった。そ れが今で は必須の技術 にな っている。 発明 者は言 う。 「発明 の評価は難しい。発明 時の非常識は今日の常識という大きな 価値観の変化 を越えて評価しな ければ な らな いからで ある。」 (7)フ (7)フラッシ ュメモリー特 許（桝岡富士 雄 ， 東北大学 ） 半導体デバイ スで 日本人が発明 し世界で 認知 されたものは数少な い。そ の中で フラッシュメモリーは file://C:¥Takei̲Homepage¥www¥dokusou¥tokukyo3.html 98/05/28 有力特許と日本人 2/2 ページ 今後ハードディスク 等に置き換 わるで あろうと言 われている重要な メモリーで ある。フラッシュメモリーは 電気 的一括消去で きるメモリ−で 、不揮発性で ある。 最 初に提案されたフロ−ティング ゲ −トに電荷を注入す る不揮発性メモリ−はイ ンテル社のE P R O M で あ る。これは1971年 ２ ｋビットのＦＡＭＯＳと呼ば れる物だ った。そ の後東芝 からＳＡＭＯＳと呼ば れるメ モリ−も開発されたが、E P R O M は１６ Ｍビット以 降開発されていな い。 このE P R O M は消去のためボ−ドから取り出し、紫外 線を照射す る必要があり、また窓のあいた特殊パッケ −ジ が必要な ので コスト的に高くつき、使いやす さの点で 限界がある。E E P R O M はこれらの問題は解決で きるが、セル面積（２ トランジ スタ構成）が大きい。 E P R O M とE E P R O M の両方の問題点を解決す るのがフラッシュメモリ−で ある。フラッシュメモリ−の名前 の 由来は、一括消去を写真のフラッシュにイ メ−ジ して、出願者が命名したそ うで ある。1980年 に最 初Ｎ ＯＲ型を出願し、1989年 Ｎ ＡＮ Ｄ型フラッシュメモリ−の特許を出願している。 フラッシュメモリ−で セルに情報を書き込む場合、高電圧を印加しな ければ な らな いが、ホットエ レク トロ ンを用いる場合２ 種類の外 部電源が必要で ある。トンネル効果が利用で きれば 外 部電源は単一電源で す む。桝岡たちはＮ ＡＮ Ｄ型に関してはＦ−Ｎ トンネリング 電流を流して電子を注入す る方法 も開発してい る。今後、書き込みはトンネリング 電流の方法 に統一されていくで あろう。 最 後にもう一度書いておきます が、フラッシュメモリ−はイ ンテル社の発明 で な く日本人の発明 で ある。 イ ンテル社自身がそ れを認めており、イ ンテルはそ れを改良したもので あると社報で はっきり述べてい る。 (8)Ｐ (8)ＰｉＮ ダイ オ−ド特 許（西 澤 潤一， 東北大学 ） 1940年 頃は鉱石 検波器用に黄鉄鉱によるダイ オ−ド（整流器）の研究が行われていた頃で あるが、そ の後真 空管によって置き換 わった。西澤は当時黄鉄鉱に一本針を当てて特性を計っていたが、モットとショット キ−の発表した整流理論に全く合わな かったため悩んで いた。 そ んな 時ロシアの論文に ｢半導体の表面に薄い絶縁物の膜を付けて金属と接触 させると、ダイ オ−ドとしてよい特性がで る｣ と書かれていることを知 った。西澤は黄鉄鉱に溶かした薄いセルロイ ドを塗って特性を計るとな るほ ど 良い特性が得 られた。ここまで な らロシアの論文を再確 認しただ けで ある。西澤は結晶 の一部だ け抵 抗を高くす る（キャリアの少な い所を作る）方法 を模索した。そ してＮ 型Ｓｉの結晶 に酸化 物質（グ リコ− ルを 硼化 してアルコ−ルに溶かした物）を表面に垂らして電極に負電圧を印加して陽極酸化 し、そ の後針 に負電圧を印加す ると、す ば らしく良好 な ダイ オ−ド特性を示した。 つまりＰ型， Ｎ 型の間 にキャリアの少な い領域を作ってダイ オ−ドとして使うアイ デアが確 認されたわけ で ある。また、この研究の過程で イ オン注入法 も考案し、特許出願している。 この特許は1950年 9月11日に出願されているが、同様の特許をアメリカのＧＥ社が１６ 日後にアメリカで 出 願していた。 出願の時はＮ 型Ｓｉと金属針のダイ オ−ドで 確 認していたが、そ の後シリコン結晶 によるＰｉＮ ダイ オ−ド を作り上げ 、国内並び に外 国にデ−タを持って行った。日本， ヨ−ロッパで は嘘つき扱いされたが、アメ リカで はどうやって作ったのかと激しく詰め寄られたというエ ピソ−ドがある。 下記につ いては次回の更新 時に紹介し ます 。 (9)ＨＥＭＴの特許（三 村高志， 富士 通 ） (10)半 導体レーザ ー特許（林 巌雄， 光技術研究開発） (11)静 電誘 導トランジ スタ特許（西 澤 潤一， 東北大学 ） 署名は検証さ れていません 。 file://C:¥Takei̲Homepage¥www¥dokusou¥tokukyo3.html Sumiaki Takei 電子署名者 : Sumiaki Takei DN: cn=Sumiaki Takei, c=JP 日付 : 2001.05.12 20:07:18 +09'00' 理由 : この文書の 著者 98/05/28 アンケート 読んだ感想をお寄せ下さい 名 前（省略可） メールアドレス（できれば記入願います） ホームページURL（省略可） http:// ●使用ブラウザ Netscape Navigator Internet Explorer その他 年 齢 １０代 性 別 職 女 業 会社員 ●特許私考−ホームページにて全文公開中(参照用) (1)特許全般並びに私の経験 ●感想、御意見また、内容の誤記・訂正の御指摘などをどうぞ ■インターネットに接続後、送信して下さい 送る 取り消し 特許私考の最新情報は下記アドレスで確認して下さい。 http://village.infoweb.ne.jp/ s1takei/dokusou/dokusou2.html http://village.infoweb.ne.jp/˜s1takei/dokusou/enquete1.html (1/2) [01/05/11 20:49:32]
© Copyright 2024 Paperzz
